一種具有梯形分隔桿的3dB電橋的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種具有梯形分離桿的3dB電橋；通過設(shè)置的圓環(huán)形的第一耦合部和第二耦合部，可使得環(huán)形耦合效果大大增強，其通過仿真軟件測算出的耦合系數(shù)高，耦合頻率可以達(dá)2950KHZ，大大的滿足了目前主流LTE技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的要求，其實用性大大的增加，另外其結(jié)構(gòu)簡單，不易算壞，使用壽命長，而且設(shè)置的梯形的分離桿及圓形的分離片使得隔離度大大增加。
【專利說明】—種具有梯形分隔桿的3dB電橋
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及同頻合路器配件【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種具有梯形分離桿的3dB電橋。
【背景技術(shù)】
[0002]在同頻合路器中，主要的元部件就是3dB電橋，3dB電橋是一種將兩種頻率相同的信號進(jìn)行耦合成一路信號輸出的電器件；其要求耦合度高，精確，頻段寬；在通信行業(yè)中被廣泛使用，其中，通信行業(yè)的新增標(biāo)準(zhǔn)LTE中，LTE標(biāo)準(zhǔn)要求的頻段為2570MHz-2750MHz，目前市場上的同頻合路器中，所采用的3dB電橋普遍耦合頻率寬度為600MHz-2400MHz，不能滿足新增LTE標(biāo)準(zhǔn)要求的頻段。另外，目前市場上的3dB為達(dá)到寬頻目的，采用不同的耦合線形式，造成模具浪費，因此具有生產(chǎn)成本較高的缺點；而且目前市場上的電橋隔離度小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服以上所述的缺點，提供一種耦合頻率寬能達(dá)到2950MHZ、且兩個耦合線形狀相同，節(jié)省成本、隔離度大的3dB電橋。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的具體方案如下:一種具有梯形分離桿的3dB電橋，包括有第一稱合線和第二稱合線，所述第一稱合線包括圓環(huán)形的第一稱合部、從第一稱合部一側(cè)斜向上延伸出的第一輸出腳、從第一耦合部另一側(cè)斜向下延伸出的第一輸入腳；所述第一輸出腳的自由端設(shè)第一輸出端，第一輸入腳的自由端設(shè)第一輸入端；
所述第二耦合線包括圓環(huán)形的第二耦合部、從第二耦合部一側(cè)斜向上延伸出的第二輸出腳、從第二耦合部另一側(cè)斜向下延伸出的第二輸入腳；所述第二輸出腳的自由端設(shè)第二輸出端，第一輸入腳的自由端設(shè)第二輸入端；
所述第一耦合線和第二耦合線平行且重疊設(shè)置，第一耦合部與第二耦合部重之間距離為 4mm-8mm ；
所述第一耦合部與第二耦合部的兩側(cè)分別設(shè)有安裝孔，所述第一耦合部的安裝孔與第二耦合部的對應(yīng)的安裝孔之間設(shè)有絕緣支柱，所述第一耦合部與第二耦合部之間通過絕緣支柱固定；
所述第一耦合部的內(nèi)環(huán)的頂端向下延伸出有一梯形的第一分離桿，所述第一分離桿的下底邊寬為3mm，上底邊寬為1mm，所述第一分離桿的上底邊還向下延伸有一圓形的第一分離片；
所述第二耦合部的內(nèi)環(huán)的底端向上延伸出有一梯形的第二分離桿，所述第二分離桿的下底邊寬為3mm，上底邊寬為1mm，所述第二分離桿的上底邊還向上延伸有一圓形的第二分離片。
[0005]其中，所述第一耦合線和第二耦合線形狀相同并對稱設(shè)置。
[0006]其中，所述第一耦合部和第二耦合部的內(nèi)環(huán)直徑均為25mm。
[0007]其中，每個絕緣支柱上均設(shè)有兩道卡槽，并且每個絕緣柱體的兩道卡槽距離相等。[0008]其中，第一耦合部與第二耦合部重之間距離為5mm。
[0009]本發(fā)明的有益效果為:通過設(shè)置的圓環(huán)形的第一耦合部和第二耦合部，可使得環(huán)形耦合效果大大增強，其通過仿真軟件測算出的耦合系數(shù)高，耦合頻率可以達(dá)2950KHZ，大大的滿足了目前主流LTE技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的要求，其實用性大大的增加，另外其結(jié)構(gòu)簡單，不易算壞，使用壽命長，而且設(shè)置的梯形的分離桿及圓形的分離片使得隔離度大大增加。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明的正視圖；
圖2是第一耦合線的正視圖；
圖3是第二耦合線的正視圖；
圖4是利用本發(fā)明制作的同頻合路器的正視圖；
圖5是第一耦合線、第二耦合線及絕緣支柱配合時的剖面圖；
圖6是本發(fā)明在仿真軟件中達(dá)到最高耦合頻率的曲線示意圖；
圖1至圖6中的附圖標(biāo)記說明:
1-第一I禹合線；11-第一I禹合部；12-第一輸出腳；13_第一輸入腳；14_第一輸出端；15-第一分離桿；
2-第二耦合線；21_第二耦合部；22_第二輸出腳；23_第二輸入腳；24_第二輸出端；25-第二分離桿；
3-安裝孔；3a-絕緣支柱；
4-殼體。
【具體實施方式】
[0011]下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，并不是把本發(fā)明的實施范圍局限于此。
[0012]如圖1至圖6所示，本實施例所述的一種具有梯形分離桿的3dB電橋，包括有第一耦合線I和第二耦合線2，所述第一耦合線I包括圓環(huán)形的第一耦合部11、從第一耦合部11一側(cè)斜向上延伸出的第一輸出腳12、從第一耦合部11另一側(cè)斜向下延伸出的第一輸入腳13 ;所述第一輸出腳12的自由端設(shè)第一輸出端14,第一輸入腳13的自由端設(shè)第一輸入端；所述第二耦合線2包括圓環(huán)形的第二耦合部21、從第二耦合部21—側(cè)斜向上延伸出的第二輸出腳22、從第二f禹合部21另一側(cè)斜向下延伸出的第二輸入腳23 ;所述第二輸出腳22的自由端設(shè)第二輸出端24,第一輸入腳13的自由端設(shè)第二輸入端；所述第一I禹合線I和第二耦合線2平行且重疊設(shè)置，第一耦合部11與第二耦合部21重之間距離為;所述第一耦合部11與第二耦合部21的兩側(cè)分別設(shè)有安裝孔3，所述第一耦合部11的安裝孔3與第二耦合部21的對應(yīng)的安裝孔3之間設(shè)有絕緣支柱3a，所述第一耦合部11與第二耦合部21之間通過絕緣支柱3a固定。通過設(shè)置的圓環(huán)形的第一耦合部11和第二耦合部21，可使得環(huán)形耦合效果大大增強，其通過仿真軟件測算出的耦合系數(shù)高，耦合頻率可以達(dá)2950KHZ，大大的滿足了目前主流LTE技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的要求，其實用性大大的增加，另外其結(jié)構(gòu)簡單，不易算壞，使用壽命長。
[0013]進(jìn)一步的，利用本實施例所述的3dB電橋制作的與之對應(yīng)的同頻合路器，包括有殼體4及上述所述3dB電橋；上述的3dB電橋固定于殼體4內(nèi)形成同頻合路器。
[0014]進(jìn)一步的，本實施例所述的一種具有梯形分離桿的3dB電橋，所述第一耦合線I和第二耦合線2形狀相同并對稱設(shè)置；如此設(shè)置，將第一耦合線I和第二耦合線2在同一模具中制作出來，節(jié)省了模具的成本，降低了原材料的成本，提高了生產(chǎn)效率，降低了事故率。
[0015]進(jìn)一步的，本實施例所述的一種具有梯形分離桿的3dB電橋，所述第一耦合部11和第二耦合部21的內(nèi)環(huán)直徑均為25_ ;通過計算機軟件仿真測算，當(dāng)?shù)谝获詈喜?1和第二耦合部21的內(nèi)環(huán)直徑均為25_時，其頻率寬帶最優(yōu)，效果最好。
[0016]進(jìn)一步的，本實施例所述的一種具有梯形分離桿的3dB電橋，每個絕緣支柱3a上均設(shè)有兩道卡槽，并且每個絕緣柱體的兩道卡槽距離相等；如此設(shè)置，可精準(zhǔn)的控制第一耦合部11和第二耦合部21之間的距離，防止距離的變化產(chǎn)生效果的失真。
[0017]進(jìn)一步的，本實施例所述的一種具有梯形分離桿的3dB電橋，第一耦合部11與第二耦合部21重之間距離為5_。通過計算機軟件仿真測算，當(dāng)一耦合部與第二耦合部21重之間距離為5mm時,其頻率寬帶最優(yōu),效果最好。
[0018]進(jìn)一步的，本實施例所述的一種具有梯形分離桿的3dB電橋，所述第一耦合部11的內(nèi)環(huán)的頂端向下延伸出有一梯形的第一分離桿15，所述第一分離桿15的下底邊寬為3mm,上底邊寬為Imm,所述第一分離桿15的上底邊還向下延伸有一圓形的第一分離片；通過設(shè)置的梯形的第一分離桿15及圓形的第一分離片，可使得電橋的隔離度大大增加，通過計算機軟件仿真可知，如此設(shè)置可達(dá)到25db的隔離度。
[0019]進(jìn)一步的，本實施例所述的一種具有梯形分離桿的3dB電橋，所述第二耦合部21的內(nèi)環(huán)的底端向上延伸出有一梯形的第二分離桿25，所述第二分離桿25的下底邊寬為3mm，上底邊寬為1mm，所述第二分離桿25的上底邊還向上延伸有一圓形的第二分離片。同上，通過設(shè)置的梯形的第二分離桿25及圓形第二分離片，可使得電橋的隔離度大大增加，通過計算機軟件仿真可知，如此設(shè)置可達(dá)到25db的隔離度。
[0020]以上所述僅是本發(fā)明的一個較佳實施例，故凡依本發(fā)明專利申請范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，包含在本發(fā)明專利申請的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有梯形分離桿的3dB電橋，包括有第一耦合線(I)和第二耦合線(2)， 其特征在于:所述第一耦合線(1)包括圓環(huán)形的第一耦合部(11)、從第一耦合部(11)一側(cè)斜向上延伸出的第一輸出腳(12)、從第一耦合部(11)另一側(cè)斜向下延伸出的第一輸入腳(13);所述第一輸出腳(12)的自由端設(shè)第一輸出端(14),第一輸入腳(13)的自由端設(shè)第一輸入端； 所述第二耦合線(2)包括圓環(huán)形的第二耦合部(21)、從第二耦合部(21)—側(cè)斜向上延伸出的第二輸出腳(22)、從第二耦合部(21)另一側(cè)斜向下延伸出的第二輸入腳(23);所述第二輸出腳(22)的自由端設(shè)第二輸出端(24),第一輸入腳(13)的自由端設(shè)第二輸入端； 所述第一耦合線(1)和第二耦合線(2 )平行且重疊設(shè)置，第一耦合部(11)與第二耦合部(21)重之間距離為4mm-8_ ； 所述第一耦合部(11)與第二耦合部(21)的兩側(cè)分別設(shè)有安裝孔(3 )，所述第一耦合部(11)的安裝孔(3)與第二耦合部(21)的對應(yīng)的安裝孔(3)之間設(shè)有絕緣支柱(3a)，所述第一耦合部(11)與第二耦合部(21)之間通過絕緣支柱(3a)固定； 所述第一耦合部(11)的內(nèi)環(huán)的頂端向下延伸出有一梯形的第一分離桿(15)，所述第一分離桿(15)的下底邊寬為3mm，上底邊寬為1mm，所述第一分離桿(15)的上底邊還向下延伸有一圓形的第一分離片； 所述第二耦合部(21)的內(nèi)環(huán)的底端向上延伸出有一梯形的第二分離桿(25)，所述第二分離桿(25)的下底邊寬為3mm，上底邊寬為1mm，所述第二分離桿(25)的上底邊還向上延伸有一圓形的第二分離片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有梯形分離桿的3dB電橋，其特征在于:所述第一耦合線(1)和第二耦合線(2 )形狀相同并對稱設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種具有梯形分離桿的3dB電橋，其特征在于:所述第一耦合部(11)和第二耦合部(21)的內(nèi)環(huán)直徑均為25mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有梯形分離桿的3dB電橋，其特征在于:每個絕緣支柱(3a)上均設(shè)有兩道卡槽，并且每個絕緣柱體的兩道卡槽距離相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有梯形分離桿的3dB電橋，其特征在于:第一耦合部(11)與第二耦合部(21)重之間距離為5mm。
【文檔編號】H01P5/18GK103904406SQ201410137584
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2014年4月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月8日
【發(fā)明者】鐘小茹 申請人:鐘小茹