大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片，其包括一氮化鋁基板，氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層，氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個電阻及銀漿導(dǎo)線，銀漿導(dǎo)線連接電阻形成衰減電路，電阻上印刷有玻璃保護膜。該大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片成增大了電阻面積，使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產(chǎn)品性能指標符合要求。同時避免了在輸出端焊接引線時高溫對電阻淬傷，避免了因電阻被淬傷在實際使用過程中會壞掉的風險，改善了電路的設(shè)計，提高了衰減精度，從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于4G網(wǎng)絡(luò)。
【專利說明】大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種大功率氮化鋁陶瓷基板100ff-27dB 衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實時的監(jiān)控，當基站工作發(fā)生故障時無法及時地做出判斷，并對設(shè)備沒有保護作用。
[0003]衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號，對基站進行實時監(jiān)控，對設(shè)備有保護作用，但目前國內(nèi)100W-27dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到IG頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制，市場對衰減精度的要求要，當衰減精度達不到要求時或VSWR達不到要求時，輸出端得到的信號不符合實際要求。當頻段高于2G時，國內(nèi)的衰減片，其衰減精度更將滿足不了要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種衰減精度高，能在3G頻段內(nèi)使用大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種大功率氮化鋁陶瓷基板100W_27dB衰減片，其包括一氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層，所述氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個電阻及銀漿導(dǎo)線，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護膜。
[0007]優(yōu)選的，所述銀漿導(dǎo)線及玻璃保護膜的上表面還印刷有雙層黑色保護膜。
[0008]優(yōu)選的，所述雙層保護膜之間印刷有一層介質(zhì)層。
[0009]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該大功率氮化鋁陶瓷基板100W_27dB衰減片增大了電阻面積，這樣使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產(chǎn)品性能指標符合要求。同時避免了在輸出端焊接引線時高溫對電阻淬傷，避免了因電阻被淬傷在實際使用過程中會壞掉的風險，改善了電路的設(shè)計，介質(zhì)微調(diào)技術(shù)的應(yīng)該，提高了產(chǎn)品的回波損耗和衰減精度，從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于4G網(wǎng)絡(luò)。
[0010]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發(fā)明的【具體實施方式】由以下實施例及其附圖詳細給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明實施例正面的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。
[0013]如圖1所示，該大功率氮化鋁陶瓷基板100W_27dB衰減片包括一氮化鋁基板1，氮化鋁基板I的背面印刷有導(dǎo)體層，導(dǎo)體層由印刷銀漿印刷而成。氮化鋁基板I的正面印刷有電阻R1、R2、R3、R4、R5及銀漿導(dǎo)線2，銀漿導(dǎo)線2將電阻R1、R2、R3、R4、R5連接起來形成TT型結(jié)構(gòu)的衰減電路，電阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保護膜3，玻璃保護膜3用于保護電阻Rl、R2、R3、R4、R5。在整個電路即銀漿導(dǎo)線2及玻璃保護膜3的上表面還印刷有一層黑色保護膜4，黑色保護膜4可對整個電路進行包括，黑色保護膜4上印刷有一層介質(zhì)層6，介質(zhì)層6上，又印刷有一層黑色保護膜5，黑色保護膜5上還可印刷品牌和型號。
[0014]該大功率氮化鋁陶瓷基板100W_27dB衰減片要求輸入端和接地的阻值為50±1.5Ω，輸出端和接地端的阻值為50±1.5Ω。信號從輸入端進入衰減片，經(jīng)過電阻Rl, R2, R5, R3, R4對功率的逐步吸收，使輸出端輸出實際所需要的信號。
[0015]該大功率氮化鋁陶瓷基板100W_27dB衰減片增大了電阻面積，這樣使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產(chǎn)品性能指標符合要求。同時避免了在輸出端焊接引線時高溫對電阻淬傷，避免了因電阻被淬傷在實際使用過程中會壞掉的風險，改善了電路的設(shè)計，介質(zhì)微調(diào)技術(shù)的應(yīng)該，提高了產(chǎn)品的回波損耗和衰減精度，從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于4G網(wǎng)絡(luò)。
[0016]以上對本發(fā)明實施例所提供的一種大功率氮化鋁陶瓷基板100W_27dB衰減片進行了詳細介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在【具體實施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片，其特征在于:其包括一氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層，所述氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個電阻及銀漿導(dǎo)線，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片，其特征在于:所述銀漿導(dǎo)線及玻璃保護膜的上表面還印刷有雙層黑色保護膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的大功率氮化鋁陶瓷基板100W-27dB衰減片，其特征在于:所述雙層保護膜之間印刷有一層介質(zhì)層。
【文檔編號】H01P1/22GK104241763SQ201410231877
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月28日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司