氮化鋁陶瓷基板100瓦29dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種氮化鋁陶瓷基板100瓦29dB衰減片，其包括一長8.9mm、寬5.7mm、厚度1mm的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層，所述氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及銀漿導(dǎo)線，所述銀漿導(dǎo)線連接電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有一層玻璃保護(hù)膜，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜上印刷有一層環(huán)氧樹脂保護(hù)膜，所述環(huán)氧樹脂保護(hù)膜上印刷有一橋梁式介質(zhì)。該衰減片通過改變調(diào)整電阻值的大小以及橋梁式介質(zhì)的位置及線路來獲得精確的衰減值。該氮化鋁陶瓷基板100瓦29dB衰減片，功率可以滿足100瓦的功率容量，駐波和衰減精度可以滿足3G頻段的使用要求，可以用于目前4G網(wǎng)絡(luò)。
【專利說明】氣化紹陶瓷基板100瓦29dB哀減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷基板衰減片，特別涉及一種氮化鋁陶瓷基板100瓦29dB的衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]目前集成了多個(gè)膜狀電阻為一體，通過電阻及線路不同設(shè)計(jì)的衰減片廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域。使用負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而使用衰減片在吸收反向輸入的功率同時(shí)還能抽取需要的信號進(jìn)行分析，并在高頻電路上調(diào)整功率電平，去耦，對相關(guān)設(shè)備起到了保護(hù)作用。
[0003]衰減片作為一個(gè)功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說其應(yīng)與兩端電路都是匹配的。目前國內(nèi)100W-29dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到IG頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制，輸出端得到的信號不符合實(shí)際要求。特別是在衰減片使用頻段高于2G時(shí)，其衰減精度往往達(dá)不到要求，回波損耗變大，滿足不了 2G以上的頻段應(yīng)用要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻值滿足50±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為29±ldB，駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20: lmax，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的氮化鋁陶瓷基板衰減片。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種氮化鋁陶瓷基板100瓦29dB衰減片，其包括一長8.9mm、寬5.7mm、厚度Imm的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層，所述氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及銀漿導(dǎo)線，所述銀漿導(dǎo)線連接電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有一層玻璃保護(hù)膜，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜上印刷有一層環(huán)氧樹脂保護(hù)膜，所述環(huán)氧樹脂保護(hù)膜上印刷有一橋梁式介質(zhì)。
[0007]優(yōu)選的，所述橋梁式介質(zhì)層上印刷有一層低熱膨脹系數(shù)保護(hù)膜。
[0008]優(yōu)選的，所述電阻采用氮化鋁陶瓷專用電阻漿料印刷而成。
[0009]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該衰減片以長8.9mm、寬5.7mm、厚度Imm的氮化鋁基板作為基準(zhǔn)，整個(gè)衰減電路上覆蓋一層環(huán)氧樹脂保護(hù)膜，環(huán)氧樹脂保護(hù)膜印刷有一層橋梁式介質(zhì)，橋梁式介質(zhì)上印刷有一層低熱膨脹系數(shù)保護(hù)膜，通過介質(zhì)微調(diào)技術(shù)，和雙層保護(hù)膜保護(hù)，在提高衰減精度的同時(shí)，提高了衰減片的穩(wěn)定性，該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達(dá)阻值50±3% Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為29±ldB，駐波在3G頻段內(nèi)滿足1.20: lmax,能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)。
[0010]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0013]如圖1所示，該氮化鋁陶瓷基板100瓦29dB衰減片包括一長8.9mm、寬5.7mm、厚度的氮化鋁基板1，氮化鋁基板I的背面印刷有銀漿背導(dǎo)層，氮化鋁基板I的正面印刷有銀漿導(dǎo)線2及電阻R1、R2、R3、R4及R5，銀漿導(dǎo)線2連接上述電阻R1、R2、R3、R4、R5形成衰減電路，衰減電路通過端接地方式導(dǎo)通背導(dǎo)層和銀漿導(dǎo)線，從而使衰減電路導(dǎo)通。
[0014]在電阻上R1、R2、R3、R4、R5印刷有玻璃保護(hù)膜3，玻璃保護(hù)膜3及銀漿導(dǎo)線2上印刷有環(huán)氧樹脂保護(hù)膜4，環(huán)氧樹脂保護(hù)膜4上印刷有一橋梁式介質(zhì)層6。橋梁式介質(zhì)層6上印刷有低熱膨脹系數(shù)保護(hù)膜5，低熱膨脹系數(shù)保護(hù)膜5上可印刷品牌和型號。環(huán)氧樹脂保護(hù)膜、低熱膨脹系數(shù)保護(hù)膜可對衰減電路起到雙重保護(hù)的作用。
[0015]該衰減片輸入端和接地的阻值為50±3% Ω，輸出端和接地端的阻值為50±3%Ω。信號從輸入端進(jìn)入衰減片，從輸出端經(jīng)過Rl、R2、R5、R3、R4對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號。
[0016]該衰減片以長8.9mm、寬5.7mm、厚度Imm的氮化鋁基板作為基準(zhǔn)，整個(gè)衰減電路上覆蓋一層環(huán)氧樹脂保護(hù)膜，環(huán)氧樹脂保護(hù)膜印刷有一層橋梁式介質(zhì)，橋梁式介質(zhì)上印刷有一層低熱膨脹系數(shù)保護(hù)膜，通過介質(zhì)微調(diào)技術(shù)，和雙層保護(hù)膜保護(hù)，在提高衰減精度的同時(shí)，提高了衰減片的穩(wěn)定性，該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達(dá)阻值50±3%Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為29±ldB，駐波在3G頻段內(nèi)滿足1.20:1max，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求且能夠承受100瓦的功率的技術(shù)要求，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得衰減片能應(yīng)用于4G的網(wǎng)絡(luò)。
[0017]以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種氮化鋁陶瓷基板100瓦29dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種氮化鋁陶瓷基板100瓦29B衰減片，其特征在于:其包括一長8.9mm、寬5.7mm、厚度Imm的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層，所述氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及銀漿導(dǎo)線，所述銀漿導(dǎo)線連接電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有一層玻璃保護(hù)膜，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜上印刷有一層環(huán)氧樹脂保護(hù)膜，所述環(huán)氧樹脂保護(hù)膜上印刷有一橋梁式介質(zhì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板100瓦29dB衰減片，其特征在于:所述橋梁式介質(zhì)層上印刷有一層低熱膨脹系數(shù)保護(hù)膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板100瓦29dB衰減片，其特征在于:所述電阻采用氮化鋁陶瓷專用電阻漿料印刷而成。
【文檔編號】H01P1/22GK104241779SQ201410235302
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】郝敏 申請人:蘇州市新誠氏電子有限公司