電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的制造方法以及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的制造方法以及電子設(shè)備。提供一種有機EL裝置(1)，其特征在于，具備：元件基板(10)；設(shè)置在元件基板(10)上且包括發(fā)光功能層(26)的發(fā)光元件(27)；設(shè)置為覆蓋發(fā)光元件(27)的密封層(30)；以及設(shè)置在密封層(30)上且由樹脂材料形成的濾色層(50)，密封層(30)具有凸?fàn)畈?35)，該凸?fàn)畈恳园鼑芊鈱?30)的中央部的方式配置在外邊緣部且被形成為膜厚比中央部厚。
【專利說明】電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的制造方法以及電子設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電光學(xué)裝置、電光學(xué)裝置的制造方法以及電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]有機EL(電致發(fā)光)裝置在元件基板上具備在陽極和陰極之間夾持有發(fā)光功能層的發(fā)光元件。發(fā)光功能層的材料多數(shù)容易與大氣中的水分或者氧反應(yīng)而劣化。因此，使用以覆蓋發(fā)光元件的方式配置緩沖層和氣體阻擋層來防止水分或者氧的侵入的被稱為薄膜密封結(jié)構(gòu)的技術(shù)。薄膜密封結(jié)構(gòu)(緩沖層、氣體阻擋層)例如配置在元件基板上的比排列有發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域更廣的范圍。另外，濾色器例如設(shè)置在與元件基板上的發(fā)光元件對置配置的對置基板。
[0003]在有機EL裝置作為例如頭戴式顯示器(HMD)等小型的電子設(shè)備的顯示裝置而使用的情況下，對于有機EL裝置要求像素的高精細(xì)化、邊框區(qū)域(發(fā)光區(qū)域的周圍的實際上無助于發(fā)光的區(qū)域)的極小化。為了使像素高精細(xì)化，需要將發(fā)光元件和濾色器的位置偏移抑制為更小。因此，提出了不在對置基板而在元件基板的薄膜密封結(jié)構(gòu)上形成濾色器的單片(on-chip)濾色器的結(jié)構(gòu)(例如，參照專利文獻I)。
[0004]專利文獻I所述的有機EL裝置中，在包括由樹脂材料構(gòu)成的平坦化層(緩沖層)和由無機材料構(gòu)成的密封層(氣體阻擋層)的薄膜密封結(jié)構(gòu)上形成具有多個著色層的濾色器。多個著色層和劃分著色層(像素的區(qū)域)彼此的隔壁由丙烯酸等樹脂材料構(gòu)成。在形成濾色器時，著色層被涂覆到元件基板上的整面即比薄膜密封結(jié)構(gòu)的外周端部更外側(cè)，之后，除去著色層中發(fā)光區(qū)域以外的部分。
[0005]專利文獻1:日本特開2012 - 38677號公報
[0006]然而，在專利文獻I所述的具有單片濾色器結(jié)構(gòu)的有機EL裝置中，在使被涂覆在薄膜密封結(jié)構(gòu)上的整面的著色層的樹脂材料濕式擴散進行整平時，在薄膜密封結(jié)構(gòu)的外周端部中的與元件基板的階梯差的附近，樹脂材料的膜厚變薄。若減小有機EL裝置的邊框區(qū)域，則發(fā)光區(qū)域的外周端部和元件基板的外周端部的距離變小，所以發(fā)光區(qū)域的外周端部和薄膜密封結(jié)構(gòu)的外周端部的距離即濾色器的外周端部和薄膜密封結(jié)構(gòu)的外周端部的距離也變小。其結(jié)果，發(fā)光區(qū)域內(nèi)的著色層(濾色器)的膜厚與中央部相比，在外邊緣部變薄，所以存在在發(fā)光區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生發(fā)光不均勻(顏色不均勻或者亮度不均勻)而有機EL裝置的顯示品質(zhì)下降這樣的技術(shù)問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明是為了解決上述的課題的至少一部分而提出的，能夠作為以下的方式或者應(yīng)用例來實現(xiàn)。
[0008](應(yīng)用例I)本應(yīng)用例的電光學(xué)裝置的特征在于，具備:基板；發(fā)光元件，其設(shè)置在上述基板上且包括第I電極、與上述第I電極對置配置的第2電極、以及配置在上述第I電極和上述第2電極之間的有機發(fā)光層；密封層，其以覆蓋上述發(fā)光元件的方式設(shè)置在上述發(fā)光元件上；以及光學(xué)層，其設(shè)置在上述密封層上且由樹脂材料形成，其中，上述密封層具有凸?fàn)畈?，該凸?fàn)畈恳园鼑鲜雒芊鈱拥闹醒氩康姆绞脚渲迷谕膺吘壊壳冶恍纬蔀槟ず癖壬鲜鲋醒氩亢瘛?br> [0009]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，覆蓋發(fā)光元件的密封層在外邊緣部具有被形成為膜厚比中央部厚的凸?fàn)畈浚诿芊鈱由显O(shè)置有由樹脂材料形成的光學(xué)層。因此，在形成光學(xué)層時，若將樹脂材料涂覆在元件基板上的整面，則樹脂材料以橫跨密封層的凸?fàn)畈康姆绞脚渲?，但是即使配置在凸?fàn)畈康耐鈧?cè)的樹脂材料在外周端部中的與元件基板的階梯差附近被整平，配置在凸?fàn)畈康膬?nèi)側(cè)的樹脂材料的向外側(cè)的濕式擴散也被凸?fàn)畈恳种?。因此，與沒有凸?fàn)畈康那闆r相比，能夠使形成在凸?fàn)畈康膬?nèi)側(cè)的光學(xué)層的膜厚更均勻。由此，因為凸?fàn)畈康膬?nèi)側(cè)的發(fā)光不均勻被抑制，所以能夠提高電光學(xué)裝置的顯示品質(zhì)。
[0010](應(yīng)用例2)是上述應(yīng)用例所涉及的電光學(xué)裝置，優(yōu)選地，上述密封層包括由樹脂材料形成的第I密封層、以及由無機材料以覆蓋上述第I密封層的方式形成的第2密封層，上述密封層的上述凸?fàn)畈糠从骋园鼑鲜龅贗密封層的中央部的方式配置在上述第I密封層的外邊緣部的凸?fàn)畈康男螤睢?br> [0011]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，密封層的凸?fàn)畈渴欠从硺?gòu)成密封層的第I密封層的凸?fàn)畈康男螤畹牟考?。第I密封層由樹脂材料形成，所以與用無機材料形成第I密封層的情況相t匕，能夠容易地形成凸?fàn)畈俊?br> [0012](應(yīng)用例3)是上述應(yīng)用例所涉及的電光學(xué)裝置，優(yōu)選地，上述密封層的上述凸?fàn)畈恳栽诟┮晻r包圍配置有上述發(fā)光元件的區(qū)域的周圍的方式設(shè)置，上述光學(xué)層與上述密封層的上述凸?fàn)畈肯啾缺慌渲迷趦?nèi)側(cè)。
[0013]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，以在俯視時包圍配置有發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域的周圍的方式設(shè)置有密封層的凸?fàn)畈?，光學(xué)層與凸?fàn)畈肯啾缺慌渲迷趦?nèi)側(cè)。由此，能夠在發(fā)光區(qū)域內(nèi)使光學(xué)層的膜厚均勻。
[0014](應(yīng)用例4)是上述應(yīng)用例所涉及的電光學(xué)裝置，優(yōu)選地，上述密封層的上述凸?fàn)畈康暮穸葹樯鲜龉鈱W(xué)層的厚度的50%以上且400%以下。
[0015]若密封層的凸?fàn)畈康暮穸刃∮诠鈱W(xué)層的厚度的50%，則為了形成光學(xué)層而配置在凸?fàn)畈康膬?nèi)側(cè)的樹脂材料的向外側(cè)的濕式擴散變得難以被抑制。另一方面，若密封層的凸?fàn)畈康暮穸茸兒竦匠^光學(xué)層的厚度的400%的程度，則凸?fàn)畈康膶挾茸兇?，所以密封層的外周端部向更外?cè)擴大，且邊框區(qū)域變大。根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，密封層的凸?fàn)畈康暮穸葹楣鈱W(xué)層的厚度的50%以上且400%以下，所以能夠抑制配置在凸?fàn)畈康膬?nèi)側(cè)的用于形成學(xué)層的樹脂材料的向外側(cè)的濕式擴散，并且將邊框區(qū)域抑制為較小。
[0016](應(yīng)用例5)是上述應(yīng)用例所涉及的電光學(xué)裝置，上述光學(xué)層也可以包括被層疊的兩層以上的層。
[0017]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，光學(xué)層包括被層疊的兩層以上的層，所以能夠提供光學(xué)層由具有不同功能的兩層以上的層構(gòu)成的電光學(xué)裝置。
[0018](應(yīng)用例6)是上述應(yīng)用例所涉及的電光學(xué)裝置，上述光學(xué)層也可以包括濾色層。
[0019]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，通過具備濾色器作為光學(xué)層，從而能夠提供能夠進行利用特定的顏色光或者全彩色的顯示或者發(fā)光的電光學(xué)裝置。
[0020](應(yīng)用例7)是上述應(yīng)用例所涉及的電光學(xué)裝置，上述光學(xué)層可以包括微透鏡陣列。
[0021]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，通過具備微透鏡陣列作為光學(xué)層，從而能夠提供能夠?qū)碜园l(fā)光元件的光進行聚光來射出的電光學(xué)裝置。例如，具備微透鏡陣列和濾色器的電光學(xué)裝置的情況下，通過利用微透鏡對被遮光層遮光的光進行聚光，從而能夠使其入射至濾色器的開口部(像素的區(qū)域)，所以能夠提高光的利用效率。
[0022](應(yīng)用例8)本應(yīng)用例的電子設(shè)備的特征在于，具備上述應(yīng)用例所述的電光學(xué)裝置。
[0023]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，能夠提供具備發(fā)光不均勻被抑制且具有高顯示品質(zhì)的電光學(xué)裝置的電子設(shè)備。
[0024](應(yīng)用例9)本應(yīng)用例所述的電光學(xué)裝置的制造方法的特征在于，具備:在基板上配置第I電極、有機發(fā)光層以及第2電極而形成發(fā)光元件的工序；在上述發(fā)光元件上以覆蓋上述發(fā)光兀件的方式層疊第I密封層和第2密封層來形成密封層的工序；以及在上述密封層上涂覆樹脂材料而形成光學(xué)層的工序，其中，在上述形成第I密封層的工序中，在上述第I密封層的上述外邊緣部形成膜厚比上述中央部厚的凸?fàn)畈俊?br> [0025]根據(jù)本應(yīng)用例的制造方法，在第I密封層的上述外邊緣部形成膜厚比上述中央部厚的凸?fàn)畈?。因此，在形成光學(xué)層的工序中，配置在凸?fàn)畈康膬?nèi)側(cè)的樹脂材料的向外側(cè)的濕式擴散被凸?fàn)畈恳种?，所以與不形成凸?fàn)畈康那闆r相比，能夠使形成在凸?fàn)畈康膬?nèi)側(cè)的光學(xué)層的膜厚更均勻。
[0026](應(yīng)用例10)是上述應(yīng)用例所涉及的電光學(xué)裝置的制造方法，優(yōu)選地，在上述形成第I密封層的工序中，隔著具有上述樹脂材料通過的第I部分、和被配置成包圍上述第I部分且上述樹脂材料不通過的第2部分的印網(wǎng)掩模(Screen mask)涂覆上述樹脂材料。
[0027]根據(jù)本應(yīng)用例的制造方法，能夠容易地在第I密封層的外邊緣部設(shè)置凸?fàn)畈俊?br> [0028](應(yīng)用例11)是上述應(yīng)用例所涉及的電光學(xué)裝置的制造方法，優(yōu)選地，使上述印網(wǎng)掩模的上述第2部分的厚度變化。
[0029]根據(jù)本應(yīng)用例的制造方法，通過使印網(wǎng)掩模的第2部分的厚度變化，來使第I部分的外邊緣部中的樹脂材料的凸起量變化，所以能夠調(diào)整形成的第I密封層的凸?fàn)畈康哪ず瘛?br> [0030](應(yīng)用例12)是上述應(yīng)用例所涉及的電光學(xué)裝置的制造方法，優(yōu)選地，使開口率在上述印網(wǎng)掩模的上述第I部分的外邊緣部和中央部中不同。
[0031]根據(jù)本應(yīng)用例的制造方法，通過使開口率即每單位面積的開口面積的比率在印網(wǎng)掩模的第I部分的外邊緣部和中央部中不同，從而能夠使樹脂材料的每單位面積的涂覆量在第I部分的外邊緣部和中央部中不同。由此，能夠調(diào)整形成的第I密封層的凸?fàn)畈康哪ず窈屯範(fàn)畈康膬?nèi)側(cè)的部分的膜厚的差。
[0032](應(yīng)用例13)是上述應(yīng)用例所涉及的電光學(xué)裝置的制造方法，優(yōu)選地，上述形成光學(xué)層的工序包括形成多個著色層的工序，在上述形成多個著色層的工序中，最后形成上述多個著色層中的膜厚最厚的上述著色層。
[0033]例如，在形成以三個顏色的著色層作為多個著色層排列的方式配置的光學(xué)層的情況下，若除去最初形成的著色層中的必要的部分以外，則下層的密封層在殘留的部分的兩側(cè)露出。而且，若將接下來形成的著色層中的必要的部分以外除去，則下層的密封層在殘留的部分的單側(cè)露出，但是在將最后形成的著色層中的必要的部分以外除去時，先形成的著色層存在于殘留的部分的兩側(cè)。這里，在將必要的部分以外除去時，下層的密封層在殘留的部分的至少單側(cè)露出的情況下，有可能產(chǎn)生殘留的著色層的脫落，著色層的厚度越厚其風(fēng)險越大。根據(jù)本應(yīng)用例的制造方法，因為最后形成多個著色層中的膜厚最厚的著色層，所以能夠?qū)a(chǎn)生著色層的脫落的風(fēng)險抑制為較小。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1是表示第I實施方式的有機EL裝置的電氣結(jié)構(gòu)的等效電路圖。
[0035]圖2是表示第I實施方式的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。
[0036]圖3是沿著圖2的A — A’線的概要剖視圖。
[0037]圖4是圖3的B部的放大圖。
[0038]圖5是圖3的C部的放大圖。
[0039]圖6是對第I實施方式的有機EL裝置的制造方法進行說明的示意圖。
[0040]圖7是對第I實施方式的有機EL裝置的制造方法進行說明的示意圖。
[0041]圖8是對印網(wǎng)掩模的構(gòu)成進行說明的示意圖。
[0042]圖9是對印網(wǎng)掩模的構(gòu)成進行說明的示意圖。
[0043]圖10是表示第2實施方式的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的概要剖視圖。
[0044]圖11是表示作為第3實施方式的電子設(shè)備的頭戴式顯示器的結(jié)構(gòu)的概要圖。
[0045]圖12是表示具備現(xiàn)有的密封層的有機EL裝置的比較例的圖。

【具體實施方式】
[0046]以下，參照附圖對將本發(fā)明具體化的實施方式進行說明。使用的附圖以說明的部分成為能夠識別的狀態(tài)的方式適當(dāng)?shù)胤糯蠡蛘呖s小地顯示。另外，有時省略說明所必要的構(gòu)成要素以外的圖示。
[0047]此外，在以下的方式中，例如記載為“在基板上”的情況，表示以與基板的上面接觸的方式配置的情況、或者經(jīng)由其他的構(gòu)成物配置在基板上的情況、或者一部分以與基板的上面接觸的方式配置且一部分經(jīng)由其他的構(gòu)成物配置的情況。
[0048](第I實施方式)
[0049]〈有機EL裝置〉
[0050]首先，參照附圖對作為第I實施方式的電光學(xué)裝置的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)進行說明。圖1是表示第I實施方式的有機EL裝置的電氣結(jié)構(gòu)的等效電路圖。圖2是表示第I實施方式的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。此外，圖2中，省略對置基板40以及粘合層41 (參照圖3)的圖示。
[0051]如圖1所示，有機EL裝置I是使用晶體管作為開關(guān)元件的有源矩陣型的有機EL裝置。晶體管例如是使用薄膜半導(dǎo)體層的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，以下，稱為TFT)。
[0052]有機EL裝置I具備作為基板的元件基板10 (參照圖2)、設(shè)置在元件基板10上的掃描線12、在與掃描線12交叉的方向延伸的信號線13、以及與信號線13平行延伸的電源線14。信號線13連接有具備移位寄存器、電平轉(zhuǎn)換器、視頻線以及模擬開關(guān)的信號線驅(qū)動電路15。另外，掃描線12連接有具備移位寄存器以及電平轉(zhuǎn)換器的掃描線驅(qū)動電路16。
[0053]利用掃描線12和信號線13劃分子像素39 (參照圖2)的區(qū)域。子像素39是有機EL裝置I的顯示的最小單位，例如，沿著掃描線12的延伸方向和信號線13的延伸方向排列成矩陣狀。在各子像素39設(shè)置有開關(guān)用晶體管21、驅(qū)動用晶體管23、保持電容22、作為第I電極的陽極24、作為第2電極的陰極25、以及包括有機發(fā)光層的發(fā)光功能層26。
[0054]由陽極24、陰極25、以及發(fā)光功能層26構(gòu)成發(fā)光元件(有機EL元件)27。在發(fā)光元件27中，從陽極24側(cè)注入的空穴和從陰極25側(cè)注入的電子在發(fā)光功能層26的有機發(fā)光層再結(jié)合從而發(fā)光。
[0055]在有機EL裝置I中，若掃描線12被驅(qū)動而開關(guān)用晶體管21成為接通狀態(tài)，則經(jīng)由信號線13供給的圖像信號被保持電容22保持，根據(jù)保持電容22的狀態(tài)來決定驅(qū)動用晶體管23的源極和漏極之間的導(dǎo)通狀態(tài)。而且，在陽極24經(jīng)由驅(qū)動用晶體管23與電源線14電連接時，電流從電源線14流向陽極24，而且電流通過發(fā)光功能層26流向陰極25。
[0056]該電流成為與驅(qū)動用晶體管23的源極和漏極之間的導(dǎo)通狀態(tài)對應(yīng)的電平。此時，驅(qū)動用晶體管23的源極和漏極之間的導(dǎo)通狀態(tài)即驅(qū)動用晶體管23的溝道的導(dǎo)通狀態(tài)被驅(qū)動用晶體管23的柵極電位控制。而且，發(fā)光功能層26的有機發(fā)光層以與陽極24和陰極25之間流通的電流量對應(yīng)的亮度發(fā)光。
[0057]換言之，在利用驅(qū)動用晶體管23控制發(fā)光元件27的發(fā)光狀態(tài)時，驅(qū)動用晶體管23的源極以及漏極的任意一方與電源線14電連接，驅(qū)動用晶體管23的源極以及漏極的任意另一方與發(fā)光元件27電連接。
[0058]如圖2所示，有機EL裝置I在元件基板10上具有:具有大致矩形的平面形狀的發(fā)光區(qū)域E、和包圍發(fā)光區(qū)域E的周圍的邊框區(qū)域F。發(fā)光區(qū)域E在有機EL裝置I中，是實際上有助于發(fā)光的區(qū)域。邊框區(qū)域F在有機EL裝置I中，是實際上無助于發(fā)光的區(qū)域。
[0059]此外，在便攜式設(shè)備等電子設(shè)備中，為了使設(shè)備的外形小型化，要求使顯示部相對于電子設(shè)備的外形盡量大(寬)。因此，在有機EL裝置I使用于便攜式設(shè)備等小型的電子設(shè)備的顯示部的情況下，優(yōu)選發(fā)光區(qū)域E相對于元件基板10的外形盡量大(寬)，邊框區(qū)域F盡量小(窄)。
[0060]在發(fā)光區(qū)域E例如呈矩陣狀地排列有子像素39 (發(fā)光元件27)。子像素39具有例如大致矩形的平面形狀。子像素39的大致矩形狀的四個角也可以較圓地形成。該情況下，子像素39的平面形狀由與四個邊和四個角對應(yīng)的彎曲部構(gòu)成。
[0061]本實施方式的有機EL裝置I具有發(fā)出紅色(R)光的子像素39R、發(fā)出綠色(G)光的子像素39G、以及發(fā)出藍(lán)色(B)光的子像素39B。以下，在不區(qū)別對應(yīng)的顏色的情況下，僅記載為子像素39。在各子像素39設(shè)置有發(fā)光元件27。
[0062]在發(fā)光元件27上以覆蓋發(fā)光元件27的方式設(shè)置有密封層30。密封層30配置在比發(fā)光區(qū)域E更廣的范圍。換言之，密封層30的外周端部配置在邊框區(qū)域F。密封層30具有俯視時呈框狀地設(shè)置在其外邊緣部的凸?fàn)畈?5。凸?fàn)畈?5優(yōu)選被設(shè)置成包圍發(fā)光區(qū)域E的周圍。
[0063]密封層30上設(shè)置有作為光學(xué)層的濾色層50。濾色層50在俯視時與密封層30的凸?fàn)畈?5相比更內(nèi)側(cè)，以與配置有發(fā)光元件27的發(fā)光區(qū)域E重疊的方式配置。
[0064]發(fā)光區(qū)域E的周圍配置有兩個掃描線驅(qū)動電路16 (參照圖1)和檢查電路(省略圖示)。檢查電路是用于檢查有機EL裝置I的工作狀況的電路。元件基板10的外周邊緣部配置有陰極用布線(省略圖示)。另外，元件基板10的一邊側(cè)設(shè)置有端子部37。有機EL裝置I在端子部37中，例如與具備驅(qū)動用IC的軟性基板等連接。
[0065]在本實施方式的有機EL裝置I中，由子像素39R、39G、39B構(gòu)成形成圖像時的一個單位亦即像素38。有機EL裝置I通過在各個像素38中適當(dāng)?shù)馗淖冏酉袼?9R、39G、39B的各自的亮度，能夠射出各種顏色的光。由此，有機EL裝置I能夠進行全彩色顯示或者全彩色發(fā)光。
[0066]此外，有機EL裝置I也可以在發(fā)光區(qū)域的外側(cè)即邊框區(qū)域F具備配置有發(fā)光元件27的虛設(shè)區(qū)域。該情況下，配置在虛設(shè)區(qū)域的發(fā)光元件27也可以不具備陽極24。另外，在有機EL裝置I具備虛設(shè)區(qū)域的情況下，密封層30的凸?fàn)畈?5以包圍發(fā)光區(qū)域E的外側(cè)的虛設(shè)區(qū)域的周圍的方式設(shè)置，在密封層30的凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)，濾色層50也可以不僅配置在發(fā)光區(qū)域E還配置在虛設(shè)區(qū)域。
[0067]接下來，參照圖3、圖4以及圖5對第I實施方式的有機EL裝置I的結(jié)構(gòu)進行說明。圖3是沿著圖2的A — A’線的概要剖視圖。圖4是圖3的B部的放大圖。圖5是圖3的C部的放大圖。
[0068]參照圖3，對有機EL裝置I的概要結(jié)構(gòu)進行說明。如圖3所示，有機EL裝置I具備設(shè)置有發(fā)光元件(有機EL元件)27的元件基板10、以在與元件基板10之間夾持發(fā)光元件27方式配置的對置基板40、以及配置在元件基板10和對置基板40之間的粘合層41。
[0069]在元件基板10上設(shè)置有發(fā)光元件27、隔壁28(參照圖4)、陰極保護層29、密封層30、以及濾色層50。有機EL裝置I具有在元件基板10上具備濾色層50的所謂的單片濾色器結(jié)構(gòu)。
[0070]在本說明書中，將與元件基板10的上表面平行的方向設(shè)為X方向，將與上表面平行且與X方向交叉的方向設(shè)為Y方向。另外，將與X方向以及Y方向交叉的元件基板10的厚度方向設(shè)為Z方向。此外，如圖2所示，將從元件基板10的上表面的法線方向(Z方向)觀察有機EL裝置I的情況稱為“俯視”，如圖3所示，將從Y方向觀察有機EL裝置I的剖面的情況稱為“剖視”。另外，將圖3中的有機EL裝置I的對置基板40側(cè)(+Z方向)稱為“上方”，將元件基板10側(cè)(一 Z方向)稱為“下方”。
[0071]本實施方式的密封層30在元件基板10上以覆蓋陰極保護層29的方式設(shè)置。密封層30由作為第I密封層的緩沖層32、和作為第2密封層的氣體阻擋層34構(gòu)成。
[0072]緩沖層32設(shè)置在陰極保護層29上。緩沖層32形成為與發(fā)光區(qū)域E重疊且其外周端部到達邊框區(qū)域F。優(yōu)選緩沖層32的外周端部與陰極保護層29的外周端部相比配置在內(nèi)側(cè)。緩沖層32在外邊緣部具有朝向上方鼓起的凸?fàn)畈?3。凸?fàn)畈?3是在緩沖層32被形成為膜厚比中央部厚的部分。凸?fàn)畈?3被設(shè)置成包圍發(fā)光區(qū)域E的周圍。優(yōu)選凸?fàn)畈?3配置在發(fā)光區(qū)域E的外側(cè)即邊框區(qū)域F。
[0073]氣體阻擋層34以覆蓋陰極保護層29和緩沖層32的方式設(shè)置。優(yōu)選氣體阻擋層34的外周端部與緩沖層32的外周端部相比配置在外側(cè)。氣體阻擋層34以大致均勻的膜厚形成在緩沖層32上。因此，氣體阻擋層34的表面成為反映具有凸?fàn)畈?3的緩沖層32的表面的形狀。即密封層30在外邊緣部具有反映緩沖層32的凸?fàn)畈?3的形狀的凸?fàn)畈?5，凸?fàn)畈?5以包圍發(fā)光區(qū)域E的周圍的方式配置。將從凸?fàn)畈?5的發(fā)光區(qū)域E側(cè)的一端到緩沖層32的一端的寬度(X方向上的長度)設(shè)為H。
[0074]濾色層50設(shè)置在密封層30 (氣體阻擋層34)上。濾色層50與密封層30的凸?fàn)畈?5相比在內(nèi)側(cè)以與發(fā)光元件27重疊的方式配置。
[0075]設(shè)置到有濾色層50的元件基板10和對置基板40經(jīng)由粘合層41粘合固定。粘合層41例如配置在與密封層30重疊的范圍。
[0076]在有機EL裝置I是從發(fā)光元件27發(fā)出的光射出至元件基板10的下方側(cè)的底部發(fā)射型的情況下，元件基板10使用透光性材料。另外，在有機EL裝置I是從發(fā)光元件27發(fā)出的光射出至上方的對置基板40側(cè)的頂部發(fā)光型的情況下，對置基板40使用透光性材料。在本實施方式中，有機EL裝置I是頂部發(fā)光型。
[0077]參照圖4對有機EL裝置I的詳細(xì)結(jié)構(gòu)進行說明。如圖4所示,元件基板10具有基板主體11和電路元件層17?；逯黧w11例如由玻璃、石英、樹脂、陶瓷等構(gòu)成。基板主體11的材料也可以是硅(Si)。對置基板40例如由玻璃、石英、樹脂、陶瓷等具有透光性的材料構(gòu)成。
[0078]電路元件層17設(shè)置在基板主體11上。電路元件層17包括驅(qū)動用晶體管23和未圖示的層間絕緣層以及平坦化層。驅(qū)動用晶體管23設(shè)置在每一子像素39(39R、39G、39B)。驅(qū)動用晶體管23具備半導(dǎo)體膜、柵極絕緣層、柵電極、漏電極以及源電極。柵電極按照將覆蓋半導(dǎo)體膜的柵極絕緣層夾持在中間在半導(dǎo)體膜的溝道區(qū)域平面地重疊的方式配置。
[0079]漏電極經(jīng)由設(shè)置在覆蓋柵電極和柵極絕緣層的層間絕緣層的接觸孔，與半導(dǎo)體膜的漏極區(qū)域?qū)щ娺B接。源電極相同地經(jīng)由接觸孔，與半導(dǎo)體膜的源極區(qū)域?qū)щ娺B接。平坦化層以覆蓋漏電極以及源電極的方式設(shè)置，緩和由這些電極或者其他的布線部造成的表面的凹凸。
[0080]陽極24在元件基板10上設(shè)置在每一子像素39(39R、39G、39B)。陽極24例如由ITOdndium Tin Oxide:銦錫氧化物)、IZO (Indium Zinc Oxide:銦氧化鋅)等金屬氧化物或者合金等構(gòu)成。陽極24例如形成為俯視呈大致矩形狀。陽極24經(jīng)由設(shè)置在電路元件層17的接觸孔，與驅(qū)動用晶體管23的漏電極電連接。
[0081]隔壁(bank) 28在元件基板10上以俯視時呈大致格子狀的方式設(shè)置。隔壁28例如是剖面形狀具有傾斜面的梯形狀，為了確保相鄰的陽極24間的絕緣性且使子像素39的形狀成為所期望的形狀(例如，軌道形狀)，而以規(guī)定寬度接觸陽極24的周邊部的方式形成。
[0082]隔壁28的開口部成為子像素39的區(qū)域。另外，與隔壁28重疊的區(qū)域即子像素39的區(qū)域以外的區(qū)域成為遮光區(qū)域53。隔壁28例如由丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹脂等具有耐熱性、耐溶劑性的有機材料構(gòu)成。隔壁28也可以由例如硅氧化膜(S12)等無機材料形成。
[0083]發(fā)光功能層26例如設(shè)置在被隔壁28劃分的各子像素39 (39R、39G、39B)的區(qū)域中的陽極24上。發(fā)光功能層26具備例如發(fā)出白色光的有機發(fā)光層。發(fā)光功能層26也可以以覆蓋陽極24和隔壁28的方式設(shè)置在發(fā)光區(qū)域E的整面。
[0084]發(fā)光功能層26具有由有機材料構(gòu)成的有機發(fā)光層(電致發(fā)光層)。發(fā)光功能層26也可以是除了有機發(fā)光層以外還具備空穴輸送層、空穴注入層、電子注入層、電子輸送層、空穴阻止層、電子阻止層等其他層的結(jié)構(gòu)。在有機EL裝置I是頂部發(fā)光型的情況下，從發(fā)光功能層26發(fā)出的各色光如圖4箭頭所示向上方射出。
[0085]在發(fā)光功能層26上以覆蓋隔壁28以及發(fā)光功能層26的方式設(shè)置有陰極25。陰極25例如由鈣(Ca)、鎂(Mg)、鈉(Na)、鋰(Li)等金屬或者這些金屬的金屬化合物構(gòu)成。
[0086]陰極保護層29以覆蓋陰極25、陰極用布線(省略圖示)的方式設(shè)置。陰極保護層29具有保護發(fā)光元件27隔離氧、水分的功能。另外，也具有保護包括陰極25的發(fā)光元件27隔離上層的緩沖層32所包含的有機成分的功能。陰極保護層29例如由硅氧化膜(S12)、硅氮化膜(SiN)、硅酸氮化膜(S1N)等無機材料構(gòu)成。陰極保護層29例如使用ECR濺射法、離子鍍法等高密度等離子體成膜法來形成。
[0087]緩沖層32設(shè)置在陰極保護層29上。緩沖層32具有緩和由于元件基板10的彎曲或者體積膨脹而產(chǎn)生的應(yīng)力或者從外部施加的機械式?jīng)_擊以及應(yīng)力而防止在上層的氣體阻擋層34以及下層的陰極保護層29產(chǎn)生裂紋、脫落的功能。另外，緩沖層32具有通過緩和在發(fā)光區(qū)域E中由于隔壁28的形狀而產(chǎn)生的陰極保護層29表面的階梯差或者凹凸而使氣體阻擋層34被成膜的面大致平坦化來減少氣體阻擋層34中的應(yīng)力集中的部位的功能。
[0088]作為緩沖層32的材料，例如能夠使用環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚氨基甲酸乙酯樹月旨、有機硅樹脂等具有透光性的樹脂材料。其中，優(yōu)選使用固化時的收縮(體積變化)程度較少的環(huán)氧樹脂。
[0089]氣體阻擋層34以覆蓋陰極保護層29和緩沖層32的方式設(shè)置。氣體阻擋層34具有防止氧、水分浸入其內(nèi)側(cè)的功能。由此，氧、水分向陰極25或者發(fā)光功能層26的浸入被抑制，所以能夠抑制陰極25或者發(fā)光功能層26的劣化等。氣體阻擋層34例如由硅氧化膜(S12)、硅氮化膜(SiN)、硅酸氮化膜(S1N)等無機化合物構(gòu)成。氣體阻擋層34例如使用ECR濺射法、離子鍍法等高密度等離子體成膜法而被形成為較硬的致密的膜。
[0090]濾色層50設(shè)置在密封層30上(氣體阻擋層34上)。濾色層50由濾色器51和隔壁52構(gòu)成。濾色層50作為濾色器51具有透過紅色(R)光的濾色器51R、透過綠色(G)光的濾色器51G、以及透過藍(lán)色(B)光的濾色器51B。
[0091]濾色器51R、51G、51B分別與子像素39R、39G、39B對應(yīng)，例如配置成沿著Y方向的條紋狀。濾色器51R、51G、51B例如對分散有顏料等的負(fù)型丙烯酸等透光性樹脂材料刻畫圖案而形成。以下，在不區(qū)別對應(yīng)的顏色的情況下，僅記載為濾色器51。
[0092]在各濾色器51分散有與各子像素39的發(fā)光顏色一致的顏料。在濾色器51R分散有使與紅色光相當(dāng)?shù)牟ㄩL范圍的光即波長為約610nm?約750nm的范圍內(nèi)的光透過，但吸收除此以外的波長范圍的光的材料。
[0093]在濾色器5IG分散有使與綠色光相當(dāng)?shù)牟ㄩL范圍的光即波長為約500nm?約560nm的范圍內(nèi)的光透過，但吸收除此以外的波長范圍的光的材料。在濾色器51B分散有使與藍(lán)色光相當(dāng)?shù)牟ㄩL范圍的光即波長為約435nm?約480nm的范圍內(nèi)的光透過，但吸收除此以外的波長范圍的光的材料。
[0094]隔壁52劃分各子像素39的區(qū)域所對應(yīng)的各濾色器51的區(qū)域。換言之，隔壁52配置在子像素39的區(qū)域以外的遮光區(qū)域53。隔壁52具有對從發(fā)光元件27發(fā)出的光中從遮光區(qū)域53射出的光進行遮光或者減光的功能。隔壁52例如配置成沿著Y方向的條紋狀。
[0095]隔壁52既可以是濾色器51R、51G、51B的任意一個兼有其功能的結(jié)構(gòu)，也可以是層疊有濾色器51R、51G、51B中的至少兩個的結(jié)構(gòu)。此外，濾色器51R、51G、51B可以配置成矩陣狀。該情況下，隔壁52也可以與劃分子像素39的區(qū)域的隔壁28對應(yīng)地配置成大致格子狀。
[0096]設(shè)置到有濾色層50的元件基板10和對置基板40經(jīng)由粘合層41粘合固定。粘合層41例如由環(huán)氧樹脂等具有透光性的粘合劑構(gòu)成。粘合層41具有固定元件基板10和對置基板40，且緩和來自外部的機械式的沖擊的功能。
[0097]接著，參照圖5，進一步對密封層30的結(jié)構(gòu)進行說明。如圖5所示，將緩沖層32的膜厚最厚的部分的厚度(Y方向上的長度)設(shè)為LI。緩沖層32的膜厚最厚的部分是凸?fàn)畈?3的頂點部分，厚度LI是陰極保護層29的表面(上面)29a和凸?fàn)畈?3的頂點的Y方向上的距離。
[0098]另外，將緩沖層32中凸?fàn)畈?3的內(nèi)側(cè)的大致平坦的部分的厚度(Y方向上的長度)設(shè)為L2，將以大致平坦的部分為基準(zhǔn)的凸?fàn)畈?3的厚度(Y方向上的長度)設(shè)為L3。厚度L2是將配置在邊框區(qū)域F的陰極保護層29的表面(緩沖層3兩側(cè)的面)29a作為基準(zhǔn)面時的陰極保護層29的表面29a和緩沖層32的大致平坦的部分的表面(上面)32a的Y方向上的距離。厚度L3是緩沖層32的大致平坦的部分的表面32a和凸?fàn)畈?3的頂點的Y方向上的距離。
[0099]將密封層30的凸?fàn)畈?5的厚度(Y方向上的長度)設(shè)為L4。厚度L4是氣體阻擋層34的大致平坦的部分的表面(上面)34a和凸?fàn)畈?5的頂點的Y方向上的距離。這里，氣體阻擋層34的膜厚與緩沖層32的大致平坦的部分的厚度L2或者凸?fàn)畈?3的厚度L3相比，能夠視為在氣體阻擋層34的整個區(qū)域是均勻的。若將氣體阻擋層34的膜厚設(shè)為Tl，膜厚Tl在緩沖層32上的整個區(qū)域是均勻的，則成為L4 = L3 = LI — L2。
[0100]在密封層30中，若將濾色層50的膜厚設(shè)為T2，則優(yōu)選凸?fàn)畈?5的厚度L4(凸?fàn)畈?3的厚度L3)是濾色層50的膜厚T2的50%以上并且400%以下左右，進一步優(yōu)選約是濾色層50的膜厚T2的50%以上并且200%以下左右。這是因為以下的理由。
[0101]若凸?fàn)畈?5的厚度L4(凸?fàn)畈?3的厚度L3)小于濾色層50的膜厚T2的50%，則在形成濾色層50時，難以抑制配置在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的樹脂材料的向外側(cè)的濕式擴散。此外，后述形成濾色層50的方法。
[0102]另一方面，若凸?fàn)畈?5的厚度L4(凸?fàn)畈?3的厚度L3)增厚到超過濾色層50的膜厚T2的400%，則凸?fàn)畈?5的寬度(X方向上的長度，由圖3的H表示)也相對地變大。這樣一來，密封層30的外周端部進一步向外側(cè)(元件基板10的外周端部側(cè))擴散，其結(jié)果，邊框區(qū)域F變大。
[0103]另外，優(yōu)選凸?fàn)畈?5與發(fā)光區(qū)域E相比配置在外側(cè)(邊框區(qū)域F)，但是若在凸?fàn)畈?5的寬度較大的情況下減小邊框區(qū)域F，則成為凸?fàn)畈?5從氣體阻擋層34的大致平坦的部分的表面34a突起的部分配置在發(fā)光區(qū)域E的內(nèi)側(cè)的情況。
[0104]根據(jù)本實施方式的結(jié)構(gòu)，由于凸?fàn)畈?5的厚度L4(凸?fàn)畈?3的厚度L3)是濾色層50的膜厚T2的50%以上且400%以下，所以能夠在形成濾色層50時，抑制配置在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的樹脂材料的向外側(cè)的濕式擴散且將邊框區(qū)域F抑制為較小。另外，若凸?fàn)畈?5的厚度L4 (凸?fàn)畈?3的厚度L3)是濾色層50的膜厚T2的200%以下，則能夠更小地抑制邊框區(qū)域F。
[0105]此外，緩沖層32的大致平坦的部分的厚度L2適當(dāng)?shù)卦O(shè)定為，緩和由于隔壁28的形狀(厚度)而產(chǎn)生的陰極保護層29表面的階梯差或者凹凸且緩和元件基板10的彎曲等或者來自外部的應(yīng)力所需要的厚度。在本實施方式中，例如，使緩沖層32的大致平坦的部分的厚度L2為2 μ m左右，使凸?fàn)畈?3的厚度L3為2 μ m左右。因此，凸?fàn)畈?5的厚度L4是2μπι左右，緩沖層32的最厚的部分的厚度LI是4μπι左右。若使濾色層50的膜厚Τ2為1.5 μ m左右，則凸?fàn)畈?5的厚度L4 (凸?fàn)畈?3的厚度L3)約為濾色層50的膜厚T2的133%。
[0106]<有機EL裝置的制造方法>
[0107]接下來，參照圖6、圖7、圖8、以及圖9對第I實施方式的有機EL裝置的制造方法進行說明。圖6以及圖7是對第I實施方式的有機EL裝置的制造方法進行說明的示意圖。圖8以及圖9是對印網(wǎng)掩模的結(jié)構(gòu)進行說明的示意圖。
[0108]此外，有機EL裝置I例如在能夠獲得多個有機EL裝置I (元件基板10)的大型的母基板的狀態(tài)下進行加工。而且，能夠通過最終從其母基板切出有機EL裝置I (元件基板10)而進行單片化，來獲得多個有機EL裝置I。在圖6以及圖7中，示出單個的元件基板10的狀態(tài)。此外，圖6以及圖7的各圖相當(dāng)于沿著圖2的A — A’線的概要剖視圖。
[0109]首先，如圖6 (a)所示，使用公知技術(shù)，在元件基板10上形成發(fā)光元件27，以覆蓋發(fā)光元件27的方式形成陰極保護層29。陰極保護層29以其外周端部到達邊框區(qū)域F的方式形成。陰極保護層29例如使用硅氧化膜(S12)、硅氮化膜(SiN)、硅酸氮化膜(S1N)等無機材料，利用ECR濺射法、離子鍍法等高密度等離子體成膜法形成。
[0110]接下來，如圖6(b)所示，在形成有陰極保護層29的元件基板10上涂覆樹脂材料來形成緩沖層32。緩沖層32以與發(fā)光元件27重疊且其外周端部到達邊框區(qū)域F的方式形成。此外，優(yōu)選緩沖層32的外周端部與陰極保護層29的外周端部相比配置在內(nèi)側(cè)。
[0111]作為用于形成緩沖層32的樹脂材料，優(yōu)選使用環(huán)氧樹脂。通過使用環(huán)氧樹脂，能夠與使用其他的樹脂材料的情況相比，將固化時的收縮的程度抑制為較小。若樹脂材料固化時的收縮程度較大，則容易產(chǎn)生元件基板10的彎曲或者形變。
[0112]作為環(huán)氧樹脂，能夠使用熱固化型或者UV固化型的雙酚A型環(huán)氧樹脂或者雙酚F型環(huán)氧樹脂，但在本實施方式中，優(yōu)選使用熱固化型的環(huán)氧樹脂。UV固化型的樹脂由于照射UV (紫外線)光而伴有發(fā)光功能層26劣化的風(fēng)險，但熱固化型的樹脂因不伴有這樣的風(fēng)險的點而優(yōu)選。
[0113]用于形成緩沖層32的樹脂材料例如使用網(wǎng)板印刷法來涂覆。此時，通過控制涂覆面(陰極保護層29)的濕性、配置在印網(wǎng)掩模的乳劑71的厚度T3、以及印網(wǎng)掩模的開口率，能夠同時形成緩沖層32和凸?fàn)畈?3，能夠調(diào)整凸?fàn)畈?3的厚度L3。
[0114]作為一個例子，對根據(jù)涂覆面(陰極保護層29)的濕性、配置在印網(wǎng)掩模的乳劑71的厚度T3來形成凸?fàn)畈?3并調(diào)整其厚度L3的方法進行說明。圖8示出本實施方式中使用的印網(wǎng)掩模70的概要結(jié)構(gòu)。圖8(a)是印網(wǎng)掩模70的俯視圖，圖8(b)是沿著圖8(a)的D — D’線的概要剖視圖。
[0115]如圖8(a)以及(b)所示，印網(wǎng)掩模70具有第I部分70b和以包圍第I部分70b的周圍的方式配置的第2部分70a。第I部分70b是設(shè)置有樹脂材料通過的網(wǎng)孔等的開口部。第2部分70a是以樹脂材料不通過的方式配置有乳劑71的非開口部。如圖8(b)所示，將配置在第2部分70a的乳劑71的厚度設(shè)為T3。
[0116]若針對調(diào)整成水的接觸角成為40度的涂覆面(陰極保護層29)使用印網(wǎng)掩模70涂覆，則在第I部分70b中，樹脂材料通過印網(wǎng)掩模70配置在元件基板10上。此時，通過第I部分70b的樹脂材料中的與外邊緣部70c對應(yīng)的部分的膜厚與中央部的膜厚相比變厚。其結(jié)果，在通過第I部分70b的樹脂材料中的與外邊緣部70c對應(yīng)的部分形成有圖6(b)所示的凸?fàn)畈?3。此外，優(yōu)選樹脂材料的涂覆面的水的接觸角被調(diào)整成30度?60度，進一步優(yōu)選調(diào)整成40度?50度。
[0117]在本實施方式中，作為涂覆面(陰極保護層29)的濕性，使液體是水的情況的接觸角為40度，使乳劑71的厚度T3為20 μ m，使第I部分70b的開口率為100%。此外，所謂開口率為100%是指在第I部分70b除網(wǎng)孔以外未配置有乳劑等。其結(jié)果，得到凸?fàn)畈?3的厚度L3為2μπι，緩沖層32的大致平坦的部分的厚度L2為2 μ m，最厚的部分的厚度LI為4μπι的緩沖層32。
[0118]這里，通過增厚乳劑71的厚度Τ3，能夠使凸?fàn)畈?3的厚度L3增厚。例如，通過使乳劑71的厚度Τ3為25 μ m,能夠得到凸?fàn)畈?3的厚度L3為6 μ m的緩沖層32。該情況下，由于第I部分70b的開口率也不變，所以緩沖層32的大致平坦的部分的厚度L2為2 μ m，最厚的部分的厚度LI為8 μ m。這樣，通過使乳劑71的厚度T3變化，能夠調(diào)整緩沖層32中的凸?fàn)畈?3的厚度L3。
[0119]另外，在本實施方式中，也能夠使用圖9所示的印網(wǎng)掩模72。圖9(a)是印網(wǎng)掩模72的俯視圖，圖9(b)是圖9(a)的K部的放大圖，圖9 (c)是沿著圖9(b)的D — D’線的概要剖視圖。
[0120]如圖9 (a)所示，印網(wǎng)掩模72具有樹脂材料通過的第I部分72b以及第3部分72c、和以包圍第I部分72b的周圍的方式配置的樹脂材料不通過的第2部分72a。第I部分72b的開口率是100%，以包圍第3部分72c的周圍的方式配置。
[0121]如圖9(b)以及圖9 (C)所示，在第3部分72c局部地配置有乳劑71，與第I部分72b相比，開口率減少。因此，在第3部分72c中，與第I部分72b相比，通過的樹脂材料的單位面積的量減少。由此，第3部分72c的開口率減少，從而通過第I部分72b的樹脂材料的膜厚與通過第3部分72c的樹脂材料的膜厚相比變厚。
[0122]在第3部分72c中的開口率根據(jù)配置有乳劑71的部分和未配置有乳劑71的部分的平面的面積比而變化。例如，在與上述相同的條件下，若使乳劑71的厚度T3為20μπι，使第3部分72c中的開口率為50%，則緩沖層32的大致平坦的部分的厚度L2為I μ m。該情況下，緩沖層32的膜厚最厚的部分的厚度LI取決于乳劑71的厚度T3，所以與上述相同成為4 μ m。其結(jié)果，凸?fàn)畈?3的厚度L3 ( = LI — L2)為3 μ m。這樣，通過使第3部分72c中的開口率變化，能夠調(diào)整緩沖層32中的大致平坦的部分的厚度L2和凸?fàn)畈?3的厚度L3。
[0123]此外，通過使第I部分72b以及第3部分72c中的網(wǎng)孔的厚度變化，也能夠調(diào)整緩沖層32中的大致平坦的部分的厚度L2。
[0124]接著，對涂覆的樹脂材料進行熱處理，使其硬化(固化)。由此，形成緩沖層32。
[0125]接下來，如圖6(c)所示，以覆蓋陰極保護層29和緩沖層32的方式形成氣體阻擋層34。氣體阻擋層34例如使用硅氧化膜(S12)、硅氮化膜(SiN)、硅酸氮化膜(S1N)等無機化合物，使用ECR濺射法、離子鍍法等高密度等離子體成膜法形成為較硬的致密的膜。由此，由緩沖層32和氣體阻擋層34構(gòu)成密封層30，形成與緩沖層32的凸?fàn)畈?3對應(yīng)的凸?fàn)畈?5。此外，優(yōu)選氣體阻擋層34形成為其外周端部與緩沖層32的外周端部相比配置在外側(cè)。
[0126]接下來，通過實施圖6(d)、(e)以及圖7(a)、(b)、(C)、(d)所示的各工序，在密封層30上形成濾色層50 (濾色器51R、51G、51B以及隔壁52)。
[0127]首先，如圖6(d)所示，在形成有密封層30的元件基板10上形成透過紅色光的著色層(濾色器)51R。作為著色層51R，使用分散有使波長為約610nm?約750nm的范圍內(nèi)的光透過的材料的負(fù)型感光性丙烯酸等樹脂材料。
[0128]例如利用旋轉(zhuǎn)涂覆法、狹縫涂覆法將著色層51R的樹脂材料涂覆在元件基板10上的整面。著色層51R的樹脂材料被配置成橫跨密封層30的凸?fàn)畈?5。將涂覆有樹脂材料的元件基板10放置規(guī)定的時間，進行用于使樹脂材料濕式擴散的整平。此時，即使配置在凸?fàn)畈?5的外側(cè)的樹脂材料在密封層30的外周端部中的與元件基板10的階梯差附近被整平，由于配置在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的樹脂材料也被凸?fàn)畈?5抑制向外側(cè)的濕式擴散，所以在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)被整平。由此，在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)，著色層51R的膜厚大致均勻，能夠防止相較于中央部，外邊緣部一側(cè)的著色層51R的膜厚變薄。
[0129]接下來，如圖6(e)所示，利用光刻法對著色層51R刻畫圖案，從紅色的子像素39R的區(qū)域(圖4參照)以外的區(qū)域選擇性地除去著色層51R。也選擇性地除去著色層51R中與凸?fàn)畈?5重疊的部分以及凸?fàn)畈?5外側(cè)的部分。此時，不除去著色層51R中包圍子像素39R的區(qū)域的區(qū)域即與遮光區(qū)域53 (參照圖4)重疊的部分而使其殘留。此外，光刻法是指對成為對象的薄膜依次實施顯影工序和蝕刻工序來刻畫圖案的方法。由于在本實施方式中成為對象的薄膜是感光性丙烯酸，所以顯影工序兼作蝕刻工序。
[0130]接著，對選擇性地殘留的著色層51R實施熱處理使其硬化。由此，在密封層30上的凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)，殘留在紅色的子像素39R的區(qū)域的著色層51R成為紅色的濾色器51R。另外，殘留在遮光區(qū)域53的著色層51R作為隔壁52而發(fā)揮作用。
[0131]接下來，如圖7(a)所示，在形成有濾色器51R的元件基板10上形成透過綠色光的著色層(濾色器)51G。作為著色層51G,使用分散有使波長為約500nm?約560nm的范圍內(nèi)的光透過的材料的負(fù)型感光性丙烯酸等樹脂材料。
[0132]例如利用旋轉(zhuǎn)涂覆法等將著色層51G的樹脂材料涂覆在元件基板10上的整面。著色層51G的樹脂材料被配置成橫跨密封層30的凸?fàn)畈?5。將涂覆有樹脂材料的元件基板10放置規(guī)定的時間，進行用于使樹脂材料濕式擴散的整平。此時，涂覆在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的著色層51G的樹脂材料由于被凸?fàn)畈?5抑制向外側(cè)的濕式擴散，所以在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)被整平。由此，在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)，著色層51G的膜厚大致均勻。
[0133]接下來，如圖7(b)所示，利用光刻法對著色層51G刻畫圖案，從綠色的子像素39G的區(qū)域(參照圖4)以外的區(qū)域選擇性地除去著色層51G。此時，使著色層51G中包圍子像素39G的區(qū)域的區(qū)域即與遮光區(qū)域53 (參照圖4)重疊的部分殘留。此外，由于在該刻畫圖案時，形成在著色層51G的下層的紅色的濾色器51R以及隔壁52 (著色層51R)已經(jīng)硬化，所以不會因蝕刻而受損。
[0134]接著，對選擇性地殘留的著色層51G實施熱處理使其硬化。由此，殘留在綠色的子像素39G的區(qū)域的著色層51G成為綠色的濾色器51G。另外，殘留在遮光區(qū)域53的著色層51G作為隔壁52而發(fā)揮作用。其結(jié)果，濾色器51R和濾色器51G之間的隔壁52的至少一部分成為在著色層51R上層疊有著色層51G的結(jié)構(gòu)。
[0135]接下來，如圖7(c)所示，在形成有濾色器51R、51G的元件基板10上形成透過藍(lán)色光的著色層(濾色器)51B。作為著色層51B,使用分散有使波長為約435nm?約480nm的范圍內(nèi)的光透過的材料的負(fù)型感光性丙烯酸等樹脂材料。
[0136]例如利用旋轉(zhuǎn)涂覆法等將著色層51B的樹脂材料涂覆在元件基板10上的整面。著色層51B的樹脂材料被配置成橫跨密封層30的凸?fàn)畈?5。將涂覆有樹脂材料的元件基板10放置規(guī)定的時間，進行用于使樹脂材料濕式擴散的整平。此時，涂覆在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的著色層51B的樹脂材料由于被凸?fàn)畈?5抑制向外側(cè)的濕式擴散，所以在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)被整平。由此，在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)，著色層51B的膜厚大致均勻。
[0137]接下來，如圖7(d)所示，利用光刻法對著色層51B刻畫圖案，從藍(lán)色的子像素39B的區(qū)域(參照圖4)以外的區(qū)域選擇性地除去著色層51B。此時，使著色層51B中包圍子像素39B的區(qū)域的區(qū)域即與遮光區(qū)域53重疊的部分殘留。
[0138]接著，對選擇性地殘留的著色層51B實施熱處理使其硬化。由此，殘留在藍(lán)色的子像素39B的區(qū)域的著色層51B成為藍(lán)色的濾色器51B。另外，殘留在遮光區(qū)域53的著色層51B作為隔壁52而發(fā)揮作用。其結(jié)果，濾色器51G和濾色器51B之間的隔壁52的至少一部分成為在著色層51G上層疊有著色層51B的結(jié)構(gòu)。濾色器51B和濾色器51R之間的隔壁52的至少一部分成為在著色層51R上層疊有著色層51B的結(jié)構(gòu)。
[0139]此外，上述的工序中，形成著色層51R、51G、51B的工序的順序并不局限于上述的工序順序，但優(yōu)選最后形成著色層51R、51G、51B中的膜厚被形成為最厚的著色層。
[0140]例如，在上述的工序順序中，如圖6(e)所示，若將最初形成的著色層51R中的必要的部分以外除去，則下層的密封層30在由殘留的著色層51R構(gòu)成的隔壁52的兩側(cè)露出。因此，存在在殘留的著色層51R的外周端部產(chǎn)生脫落的可能性，著色層51R的厚度越厚該風(fēng)險越大。
[0141]如圖7(b)所示，若將接下來形成的著色層51G中的必要的部分以外除去，則下層的密封層30在由殘留的著色層51G構(gòu)成的隔壁52部分的單側(cè)露出。因此，雖然與最初形成的著色層51R相比風(fēng)險變小，但存在在殘留的著色層51G的外周端部產(chǎn)生脫落的可能性。
[0142]如圖7(d)所示，在將最后形成的著色層51B中的必要的部分以外除去時，在殘留的部分的兩側(cè)存在之前形成的著色層51R或者著色層51G的任意一個。因此，最后形成的著色層51B在殘留的著色層51B的外周端部產(chǎn)生脫落的可能性最小。因此，在不同著色層彼此之間與下層的密封層30的附著性沒有差別的情況下，優(yōu)選最后形成膜厚被形成為最厚的著色層。在著色層彼此之間與下層的密封層30的附著性有差別的情況下，優(yōu)選最后形成附著性最低(最容易脫落)的著色層。
[0143]通過以上的工序，在子像素39R、39G、39B分別形成濾色器51R、51G、51B，在包圍子像素39R、39G、39B的遮光區(qū)域53形成隔壁52。其結(jié)果，在密封層30上的凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)形成濾色層50。
[0144]隔壁52中的濾色器51R和濾色器51G相鄰的部分由著色層51R和著色層51G這兩層構(gòu)成。隔壁52中的濾色器51G和濾色器51B相鄰的部分由著色層51G和著色層51B這兩層構(gòu)成。隔壁52中的濾色器51B和濾色器51R相鄰的部分由著色層51B和著色層51R這兩層構(gòu)成。著色層51R、51G、51B是吸收特定的波長范圍的光以外的光的層。因此，層疊有兩層著色層的隔壁52與層疊有一層著色層的情況相比具有更高的遮光性。
[0145]在本實施方式中，由于使用由樹脂材料構(gòu)成的著色層51R、51G、51B形成隔壁52，所以與使用與著色層51R、51G、51B不同的其他的材料形成隔壁52的情況相比，能夠減少成膜以及刻畫圖案工序的實施次數(shù)。另外，與使用金屬材料形成隔壁52的情況相比，能夠不實施金屬成膜工序中的加熱處理、以及光刻工序中的濕式處理(蝕刻處理)等而形成隔壁52。因此，能夠減少上述的加熱處理、濕式處理等給予形成在元件基板10上的發(fā)光元件27的影響，所以能夠制造進一步提高了可靠性的有機EL裝置I。
[0146]接下來，在利用上述的工序形成濾色層50之后，使用公知技術(shù)，將元件基板10和對置基板40經(jīng)由粘合層41粘合固定。根據(jù)以上，能夠制造圖3所示的有機EL裝置I。
[0147]本實施方式的有機EL裝置I具有在密封層30上形成有濾色層50的單片濾色器結(jié)構(gòu)，具備在外邊緣部設(shè)置有凸?fàn)畈?5的密封層30。這里，針對基于具備設(shè)置有凸?fàn)畈?5的密封層30的效果，與具備現(xiàn)有的密封層的有機EL裝置比較而進行說明。
[0148]圖12是表示具備現(xiàn)有的密封層的有機EL裝置的比較例的圖。詳細(xì)而言，圖12(a)是作為比較例的有機EL裝置3的概要剖視圖，圖12(b)是對形成濾色層的工序進行說明的圖。此外，在圖12(a)中，省略對置基板40以及粘合層41的圖示。
[0149]如圖12(a)所示，有機EL裝置3具備設(shè)置在元件基板10上的發(fā)光元件27、隔壁28 (省略圖示)、陰極保護層29、密封層36、以及濾色層50。有機EL裝置3與本實施方式的有機EL裝置I相同具有單片濾色器結(jié)構(gòu)。
[0150]密封層36由緩沖層31和氣體阻擋層34構(gòu)成。與本實施方式比較，不同點在于，緩沖層31在外邊緣部不具有凸?fàn)畈考疵芊鈱?6在外邊緣部不具有凸?fàn)畈?。更具體而言，緩沖層31的厚度在中央部大致平坦，但在外邊緣部31a朝向外周端部變薄。換言之，緩沖層31的膜厚在中央部中最厚。因此，密封層36的膜厚在中央部中最厚，在外邊緣部36a朝向外周端部變薄。
[0151]濾色層50設(shè)置在密封層36上，以與配置有發(fā)光元件27的發(fā)光區(qū)域E重疊的方式配置。濾色層50中的外邊緣部36a側(cè)的部分50a與其中央部相比膜厚變薄。這樣，若在發(fā)光區(qū)域E內(nèi)存在濾色層50的膜厚不同的部分，則存在在發(fā)光區(qū)域E內(nèi)產(chǎn)生發(fā)光不均勻(顏色不均勻、亮度不均勻)而有機EL裝置3的顯示品質(zhì)下降的技術(shù)問題。
[0152]有機EL裝置3的結(jié)構(gòu)中，參照圖12 (b)對濾色層50的部分50a中的膜厚變薄的理由進行說明。圖12(b)是表示在密封層36上涂覆著色層51R的樹脂材料的工序的圖，與本實施方式的圖6(d)對應(yīng)。
[0153]如圖12(b)所示，若例如利用旋轉(zhuǎn)涂覆法等將著色層51R的樹脂材料涂覆在元件基板10上的整面，放置規(guī)定的時間后進行用于濕式擴散的整平，則樹脂材料在元件基板10上濕式擴散。此時，密封層36的膜厚在外邊緣部36a朝向外周端部變薄，所以樹脂材料從發(fā)光區(qū)域E向密封層36的外邊緣部36a進一步向密封層36的外周端部的與元件基板10的階梯差的外側(cè)濕式擴散而被整平。因此，形成的著色層51R的膜厚在中央部大致均勻，但密封層36的外邊緣部36a側(cè)的部分51a與中央部相比變薄。由此，在發(fā)光區(qū)域E內(nèi)，著色層51R的膜厚產(chǎn)生不均勻。
[0154]另外，雖然省略圖示，但在涂覆著色層51G的樹脂材料的工序(與本實施方式的圖7(a)對應(yīng)的工序)、以及涂覆著色層51B的樹脂材料的工序(與本實施方式的圖7 (c)對應(yīng)的工序)中也相同地，由于著色層51G、51B的樹脂材料濕式擴散，而在發(fā)光區(qū)域E內(nèi)，著色層51G、51B的膜厚產(chǎn)生不均勻。其結(jié)果，如圖12(a)所示，形成在與發(fā)光區(qū)域E重疊的區(qū)域的濾色層50的膜厚產(chǎn)生不均勻。
[0155]為了減少這樣的濾色層50的膜厚不均勻，需要將密封層36 (緩沖層31)的外周端部向更外側(cè)(元件基板10的端部一側(cè))配置，但作為其結(jié)果，相對于發(fā)光區(qū)域E，邊框區(qū)域F相對地變大。
[0156]與此相對的，由于本實施方式的有機EL裝置I具備在外邊緣部設(shè)置有凸?fàn)畈?5的密封層30，所以涂覆在元件基板10上的著色層51R、51G、51B的樹脂材料的配置在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的樹脂材料積存于凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)并被整平。由此，在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)，著色層51R、51G、51B的膜厚大致均勻，所以能夠形成膜厚大致均勻的濾色層50。其結(jié)果，能夠?qū)⑦吙騾^(qū)域F抑制為較小，并且抑制發(fā)光不均勻從而提高有機EL裝置I的顯示品質(zhì)。
[0157]如以上說明，根據(jù)第I實施方式，得到以下所示的效果。
[0158](I)覆蓋發(fā)光元件27的密封層30在外邊緣部具有以膜厚比中央部厚的方式形成的凸?fàn)畈?5，密封層30上設(shè)置有由樹脂材料形成的濾色層50。因此，在形成濾色層50時，若在元件基板10上的整面涂覆著色層51的樹脂材料，則樹脂材料以橫跨密封層30的凸?fàn)畈?5的方式配置，但即使配置在凸?fàn)畈?5的外側(cè)的樹脂材料在密封層30的外周端部中的與元件基板10的階梯差附近被整平，配置在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的樹脂材料的向外側(cè)的濕式擴散也被凸?fàn)畈?5抑制。因此，與沒有凸?fàn)畈?5的情況相比，能夠使形成在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的濾色層50的膜厚更均勻。由此，在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的發(fā)光不均勻被抑制，所以能夠提聞有機EL裝置I的顯不品質(zhì)。
[0159](2)密封層30的凸?fàn)畈?5反映構(gòu)成密封層30的緩沖層32的凸?fàn)畈?3的形狀。由于緩沖層32由樹脂材料形成，所以與用無機材料形成緩沖層32的情況相比，能夠容易地形成凸?fàn)畈?3。
[0160](3)以俯視時包圍配置有發(fā)光元件27的發(fā)光區(qū)域E的周圍的方式設(shè)置有密封層30的凸?fàn)畈?5，與凸?fàn)畈?5相比，濾色層50配置在內(nèi)側(cè)。由此，能夠在發(fā)光區(qū)域E內(nèi)使濾色層50的膜厚均勻。
[0161](4)若密封層30的凸?fàn)畈?5的厚度小于濾色層50的厚度的50%，則變得難以抑制為了形成濾色層50而配置在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的樹脂材料的向外側(cè)的濕式擴散。另一方面，若密封層30的凸?fàn)畈?5的厚度變厚到超過濾色層50的厚度的400%的程度，則由于凸?fàn)畈?5的寬度變大，密封層30的外周端部向更外側(cè)擴散，邊框區(qū)域F變大。根據(jù)本實施方式的結(jié)構(gòu)，由于密封層30的凸?fàn)畈?5的厚度是濾色層50的厚度的50%以上且400%以下，所以能夠抑制用于形成配置在凸?fàn)畈康膬?nèi)側(cè)的濾色層50的樹脂材料的向外側(cè)的濕式擴散且將邊框區(qū)域F抑制為較小。
[0162](5)通過具備濾色層50作為光學(xué)層，能夠提供能夠進行特定的色光或者全彩色的顯示或者發(fā)光的有機EL裝置I。
[0163](6)使用印網(wǎng)掩模70、72，利用網(wǎng)板印刷法形成緩沖層32。此時，通過調(diào)整涂覆面(陰極保護層29)的濕性、印網(wǎng)掩模配置的乳劑71的厚度，來使樹脂材料在印網(wǎng)掩模70、72的第I部分70b、72b的外邊緣部中凸起，所以能夠容易地在緩沖層32的外邊緣部設(shè)置凸?fàn)畈?3。
[0164](7)通過使印網(wǎng)掩模70的第2部分70a的厚度T3變化，從而第I部分70b的外邊緣部70c中的樹脂材料的凸起量變化，所以能夠調(diào)整形成的緩沖層32的凸?fàn)畈?3的膜厚。
[0165](8)印網(wǎng)掩模72的第I部分72b和第3部分72c中，通過使開口率即每單位面積的開口面積的比率不同，能夠使在第I部分72b和第3部分72c中樹脂材料的每單位面積的涂覆量不同。由此，能夠調(diào)整形成的緩沖層32的凸?fàn)畈?3的膜厚和凸?fàn)畈?3的內(nèi)側(cè)的部分的膜厚的差。
[0166](9)在形成以3色的著色層51R、51G、51B排列的方式配置的濾色層50的情況下，若將最初形成的著色層51R中的必要的部分以外除去，則下層的密封層30在殘留的部分的兩側(cè)露出。而且，若將接下來形成的著色層51G中的必要的部分以外除去，則下層的密封層30在殘留的部分的單側(cè)露出，但在將最后形成的著色層51B中的必要的部分以外除去時，在殘留的部分的兩側(cè)存在之前形成的著色層51R、51G。這里，在將必要的部分以外除去時下層的密封層30在殘留的部分的至少單側(cè)露出的情況下，存在殘留的著色層51R、51G的脫落的可能性，著色層51R、51G的厚度越厚該風(fēng)險越大。根據(jù)本實施方式的制造方法，由于最后形成著色層51R、51G、51B中的膜厚最厚的著色層，所以能夠?qū)a(chǎn)生著色層的脫落的風(fēng)險抑制為較小。
[0167](第2實施方式)
[0168]<有機EL裝置>
[0169]接下來，參照附圖對第2實施方式的電光學(xué)裝置的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)進行說明。圖10是表示第2實施方式的有機EL裝置的結(jié)構(gòu)的概要剖視圖。此外，圖10相當(dāng)于沿著圖2的A — A’線的剖視圖。
[0170]第2實施方式的有機EL裝置2相對于第I實施方式的有機EL裝置I,不同點在于作為光學(xué)層具備濾色層以及微透鏡陣列這兩層，其他的結(jié)構(gòu)大致相同。針對與第I實施方式的有機EL裝置I共通的結(jié)構(gòu)要素，賦予相同的附圖標(biāo)記省略它們的說明。
[0171]如圖10所示，第2實施方式的有機EL裝置2在元件基板10上具備發(fā)光元件27、隔壁28 (省略圖示)、陰極保護層29、密封層30、微透鏡陣列60、以及濾色層50。微透鏡陣列60設(shè)置在密封層30上的凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)。微透鏡陣列60由形成在透鏡層61的凸?fàn)畹奈⑼哥R62和光路長調(diào)整層64構(gòu)成。
[0172]透鏡層61例如由具有透光性的樹脂材料構(gòu)成。透鏡層61具有形成為凸?fàn)?例如，球面形狀)的微透鏡62。微透鏡62與各子像素39 (參照圖2)對應(yīng)地配置。即微透鏡62與各發(fā)光元件27以及各濾色器51 (參照圖4)對應(yīng)地配置。此外，在濾色層50的隔壁52形成為條紋狀的情況下，微透鏡62也可以是沿著隔壁52的延伸方向延伸并且與延伸方向交叉的方向的剖面形成為凸?fàn)畹闹嫱哥R。
[0173]微透鏡62使從發(fā)光兀件27發(fā)出的光朝向?qū)χ没?0側(cè)聚光。在有機EL裝置2中，由于通過利用微透鏡62對從發(fā)光元件27發(fā)出的光中被濾色層50的隔壁52 (參照圖4)遮光(或者減光)的光進行聚光，能夠使其入射至濾色器51(各子像素39的區(qū)域)，所以能夠提高光的利用效率。
[0174]例如通過以覆蓋密封層30的方式在元件基板10上的整面涂覆樹脂材料來形成透鏡層61，并且在透鏡層61中配置在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的部分利用使用了灰度掩模或者多段曝光的光刻法等形成凸?fàn)畈?微透鏡62)來獲得微透鏡62。透鏡層61中凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的部分以外被除去。此外，在圖10所示的透鏡層61中，在X方向的中央部省略各個微透鏡62的圖示。
[0175]光路長調(diào)整層64以覆蓋透鏡層61的方式設(shè)置。光路長調(diào)整層64具有透光性，由具有與透鏡層61不同的折射率的樹脂材料構(gòu)成。光路長調(diào)整層64具有使從微透鏡62到濾色層50的隔壁52(參照圖4)的距離與所期望的值一致的功能。因此，光路長調(diào)整層64的層厚被基于微透鏡62的焦距等光學(xué)條件適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
[0176]光路長調(diào)整層64通過例如以覆蓋透鏡層61的方式將樹脂材料涂覆在元件基板10上的整面并除去凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的部分以外來獲得。光路長調(diào)整層64的表面(上面)大致平坦。濾色層50設(shè)置在光路長調(diào)整層64上。
[0177]濾色層50與第I實施方式相同地，通過以覆蓋光路長調(diào)整層64的方式在元件基板10上的整面涂覆著色層51R、51G、51B(參照圖6(d)、圖7(a)、(c))的樹脂材料并刻畫圖案來形成。
[0178]第2實施方式的有機EL裝置2作為光學(xué)層具備微透鏡陣列60和濾色層50。優(yōu)選地，若將合計了微透鏡陣列60和濾色層50的膜厚的光學(xué)層的總厚設(shè)為T4，則凸?fàn)畈?5的厚度L4是光學(xué)層的總厚T4的50%以上且400%以下左右，進一步優(yōu)選是光學(xué)層的總厚T4的50%以上且200%以下左右。
[0179]在形成透鏡層61以及光路長調(diào)整層64時，與濾色層50的著色層51R、51G、51B相同地，利用旋轉(zhuǎn)涂覆法等將用于形成各個層的樹脂材料涂覆在元件基板10上的整面。因此，涂覆在元件基板10上的透鏡層61以及光路長調(diào)整層64的樹脂材料中配置在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的樹脂材料積存在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)并被整平。由此，在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)，透鏡層61以及光路長調(diào)整層64的膜厚為大致均勻，所以能夠形成膜厚大致均勻的透鏡層61以及光路長調(diào)整層64。
[0180]另外，濾色層50形成在光路長調(diào)整層64上，但通過使凸?fàn)畈?5的厚度L4為合計了微透鏡陣列60和濾色層50的膜厚的光學(xué)層的總厚T4的50%以上且400%以下，來抑制配置在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的著色層51R、51G、51B的樹脂材料的向外側(cè)的濕式擴散。由此，也能夠在形成著色層51R、51G、51B的工序中，在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)使膜厚大致均勻。
[0181]如上所述，根據(jù)第2實施方式，得到以下所示的效果。
[0182](I)作為光學(xué)層具備微透鏡陣列60和濾色層50的第2實施方式的有機EL裝置2中也與第I實施方式相同地，能夠抑制發(fā)光不均勻提高顯示品質(zhì)。
[0183](2)能夠提供光學(xué)層由如微透鏡陣列60以及濾色層50那樣具有不同功能的兩層以上的層構(gòu)成的有機EL裝置2。
[0184](3)通過作為光學(xué)層具備微透鏡陣列60，能夠?qū)碜园l(fā)光元件27的光進行聚光并射出。在具備微透鏡陣列60和濾色層50的有機EL裝置2的情況下，由于能夠通過利用微透鏡62對被隔壁52遮光的光進行聚光來使其入射至濾色層50的開口部(子像素39的區(qū)域)，所以能夠提高光的利用效率。
[0185]此外，在上述的說明中，雖然為由樹脂材料形成微透鏡陣列60 (透鏡層61以及光路長調(diào)整層64)的結(jié)構(gòu)，但也可以為由無機材料形成微透鏡陣列60(透鏡層61以及光路長調(diào)整層64)的結(jié)構(gòu)。該情況下，通過使凸?fàn)畈?5的厚度L4成為合計了微透鏡陣列60和濾色層50的膜厚的光學(xué)層的總厚T4的50%以上且400%以下，也能夠在形成著色層51R、51G、51B的工序中，在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)使膜厚大致均勻。
[0186]另外，有機EL裝置2也可以為作為光學(xué)層僅具備微透鏡陣列60 —層的結(jié)構(gòu)。例如，在有機EL裝置2的發(fā)光元件27具有發(fā)出紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的各色光的發(fā)光功能層26的情況下，也可以沒有濾色層50。這樣，在光學(xué)層僅由微透鏡陣列60構(gòu)成的情況下，只要使凸?fàn)畈?5的厚度L4為微透鏡陣列60 (透鏡層61以及光路長調(diào)整層64)的膜厚的50%以上且400%以下(進一步優(yōu)選，50%以上且200%以下)即可。
[0187](第3實施方式)
[0188]<電子設(shè)備>
[0189]接下來，參照圖11對第3實施方式的電子設(shè)備進行說明。圖11是表示作為第3實施方式的電子設(shè)備的頭戴式顯示器的結(jié)構(gòu)的概要圖。
[0190]如圖11所示，第3實施方式的頭戴式顯示器(HMD) 100具備與左右眼對應(yīng)地設(shè)置的兩個顯示部101。觀察者M將頭戴式顯示器100像眼鏡一樣安裝在頭部，從而能夠觀察顯示于顯示部101的文字或者圖像等。例如，如果顯示在左右的顯示部101考慮了視差的圖像，則也能夠觀看享受立體的影像。
[0191]顯示部101安裝有第I實施方式的有機EL裝置I或者第2實施方式的有機EL裝置2。因此，能夠提供具有沒有顯示不均勻的優(yōu)異的顯示品質(zhì)且小型、輕型的頭戴式顯示器100。
[0192]頭戴式顯示器100并不局限于具有兩個顯示部101的結(jié)構(gòu)，也可以構(gòu)成為具備與左右的任意一個對應(yīng)的一個顯示部101。
[0193]此外，安裝有第I實施方式的有機EL裝置I或者第2實施方式的有機EL裝置2的電子設(shè)備并不局限于頭戴式顯示器100。作為安裝有有機EL裝置I的電子設(shè)備，能夠列舉出例如個人計算機或者便攜式信息終端、導(dǎo)航、閱讀器、平視顯示器等具有顯示部的電子設(shè)備。
[0194]上述的實施方式只不過表示了本發(fā)明的一方式，能夠在本發(fā)明的范圍內(nèi)任意地變形以及應(yīng)用。作為變形例，例如考慮有以下的方式。
[0195](變形例I)
[0196]上述實施方式的有機EL裝置1、2是利用網(wǎng)板印刷形成緩沖層32的凸?fàn)畈?3的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不局限于這樣的方式。例如，也可以在利用旋轉(zhuǎn)涂覆法等將緩沖層32的樹脂材料涂覆在元件基板10上之后，利用灰度掩?；蛘叨喽纹毓獾墓饪谭ǖ葘ν扛擦说臉渲牧线M行加工來形成凸?fàn)畈?3。
[0197](變形例2)
[0198]上述實施方式的有機EL裝置1、2是濾色層50的隔壁52由著色層51R、51G、51B的至少一層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不局限于這樣的方式。濾色層50的隔壁52例如也可以通過對使黑色顏料分散等的樹脂材料刻畫圖案來形成。優(yōu)選地，在使用使黑色顏料分散等的樹脂材料形成隔壁52的情況下，在形成著色層51R、51G、51B的工序之前實施形成隔壁52的工序。
[0199]即使這樣的結(jié)構(gòu)，由于形成隔壁52的工序中，涂覆在元件基板10上的整面的隔壁52的樹脂材料中配置在密封層30的凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)的樹脂材料積存在凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)并被整平，所以能夠使形成的隔壁52的膜厚大致均勻。由此，能夠抑制濾色層50的膜厚不均勻且能夠使隔壁52的遮光(減光)特性大致均勻。
[0200](變形例3)
[0201]上述實施方式的有機EL裝置1、2是具備濾色層50或者微透鏡陣列60的至少一方作為光學(xué)層的結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不局限于這樣的方式。光學(xué)層也可以是例如校準(zhǔn)器等的使特定的波長帶域的光選擇性地透過的濾光器。即使是這樣的結(jié)構(gòu)，由于在由樹脂材料形成濾光器的工序中，樹脂材料積存在密封層30的凸?fàn)畈?5的內(nèi)側(cè)并被整平，所以能夠使濾光器的透過特性大致均勻。
[0202](變形例4)
[0203]以發(fā)光功能層26發(fā)出白色光的情況或者發(fā)光功能層26發(fā)出紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的各色光的情況為例對上述實施方式的有機EL裝置1、2進行了說明，但本發(fā)明并不局限于這樣的方式。有機EL裝置1、2也可以具有使紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的各波長帶域的光共振的光共振構(gòu)造。
[0204]附圖標(biāo)記的說明:1、2、3…有機EL裝置(電光學(xué)裝置)；10…元件基板(基板)；24...陽極(第I電極)；25...陰極(第2電極)；26…發(fā)光功能層(有機發(fā)光層)；27...發(fā)光元件；30、36…密封層；31、32…緩沖層(第I密封層)；33…凸?fàn)畈浚?4…氣體阻擋層(第2密封層)；35…凸?fàn)畈浚?0…濾色層(光學(xué)層)；60…微透鏡陣列(光學(xué)層)；70、72...印網(wǎng)掩模;70a、72a…第2部分;70b、72b…第I部分；100…頭戴式顯不器(電子設(shè)備)。
【權(quán)利要求】
1.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，具備: 基板； 發(fā)光元件，其設(shè)置在所述基板上且包括有機發(fā)光層； 密封層，其設(shè)置在所述發(fā)光元件上；以及 光學(xué)層，其設(shè)置在所述密封層上， 所述密封層具有凸?fàn)畈?，該凸?fàn)畈恳园鼑雒芊鈱拥闹醒氩康姆绞脚渲迷谕膺吘壊壳冶恍纬蔀槟ず癖人鲋醒氩亢瘛?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 所述密封層包括由樹脂材料形成的第I密封層、以及由無機材料以覆蓋所述第I密封層的方式形成的第2密封層， 所述密封層的所述凸?fàn)畈糠从骋园鼑龅贗密封層的中央部的方式配置在所述第I密封層的外邊緣部的凸?fàn)畈康男螤睢?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 所述密封層的所述凸?fàn)畈恳栽诟┮晻r包圍配置有所述發(fā)光元件的區(qū)域的方式設(shè)置， 所述光學(xué)層與所述密封層的所述凸?fàn)畈肯啾缺慌渲迷趦?nèi)側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的電光學(xué)裝置，其特征在于， 所述密封層的所述凸?fàn)畈康暮穸葹樗龉鈱W(xué)層的厚度的50%以上且400%以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項所述的電光學(xué)裝置,其特征在于， 所述光學(xué)層包括被層疊的兩層以上的層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項所述的電光學(xué)裝置,其特征在于， 所述光學(xué)層包括濾色層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一項所述的電光學(xué)裝置,其特征在于， 所述光學(xué)層包括微透鏡陣列。
8.—種電子設(shè)備,其特征在于， 具備權(quán)利要求1?7中任一項所述的電光學(xué)裝置。
9.一種電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于，具備: 在基板上配置第I電極、有機發(fā)光層以及第2電極而形成發(fā)光元件的工序； 在所述發(fā)光元件上以覆蓋所述發(fā)光元件的方式層疊第I密封層和第2密封層而形成密封層的工序；以及 在所述密封層上涂覆樹脂材料而形成光學(xué)層的工序， 在所述形成第I密封層的工序中，在所述第I密封層的所述外邊緣部形成膜厚比所述中央部厚的凸?fàn)畈俊?br> 10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 在所述形成第I密封層的工序中，隔著具有所述樹脂材料通過的第I部分、和被配置成包圍所述第I部分且所述樹脂材料不通過的第2部分的印網(wǎng)掩模涂覆所述樹脂材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 使所述印網(wǎng)掩模的所述第2部分的厚度變化。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或者11所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 使開口率在所述印網(wǎng)掩模的所述第I部分的外邊緣部和中央部中不同。
13.根據(jù)權(quán)利要求9?12中任一項所述的電光學(xué)裝置的制造方法，其特征在于， 所述形成光學(xué)層的工序包括形成多個著色層的工序， 在所述形成多個著色層的工序中，最后形成所述多個著色層中的膜厚最厚的所述著色層。
【文檔編號】H01L51/52GK104253234SQ201410286203
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月28日
【發(fā)明者】巖田信一 申請人:精工愛普生株式會社