有機(jī)發(fā)光二極管顯示器和像素的制作方法
【專利摘要】本公開提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器和像素。有機(jī)發(fā)光二極管顯示器可以包括前顯示部和側(cè)顯示部，前顯示部包括形成在基底上并在前方實(shí)現(xiàn)圖像的多個(gè)前像素。側(cè)顯示部的側(cè)像素可以包括：多個(gè)薄膜晶體管，形成在基底上；保護(hù)層，覆蓋所述多個(gè)薄膜晶體管并具有傾斜的傾斜槽；第一電極，形成在保護(hù)層的傾斜槽處；像素限定層，具有使第一電極暴露的開口并形成在保護(hù)層上；有機(jī)發(fā)射層，形成在第一電極上；以及第二電極，覆蓋有機(jī)發(fā)射層。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示器和像素
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開的示例性實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括兩個(gè)電極和設(shè)置在兩個(gè)電極之間的有機(jī)發(fā)光構(gòu)件。從一個(gè)電極注入的電子和從另一電極注入的空穴在有機(jī)發(fā)光構(gòu)件中結(jié)合以形成激子，隨著激子釋放能量而發(fā)射光。
[0003]為了使OLED顯示器適用于各種類型的應(yīng)用，柔性O(shè)LED顯示器被制造成柔性的。在柔性O(shè)LED顯示器中，可彎曲的OLED顯示器在邊緣處彎曲，從而具有如下結(jié)構(gòu):實(shí)現(xiàn)了前顯示部而沒有無效空間(dead space)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)能夠在側(cè)面可見的側(cè)顯示部。
[0004]然而，根據(jù)前顯示部來制造可彎曲的OLED顯示器，使得在O度視角處(即前側(cè)處)可以獲得最大亮度，但在彎曲顯示部處，亮度急劇劣化。
[0005]提供了該【背景技術(shù)】部分中公開的以上信息，以增強(qiáng)對本公開的背景的理解，因此以上信息可能包含不形成本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已經(jīng)知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本公開的示例性實(shí)施例提供一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器，其具有亮度改善的側(cè)顯示部。
[0007]本公開的附加特征將在下面的描述中被闡述，并部分地將根據(jù)該描述是清楚的，或者可以通過公開的主題的實(shí)踐而習(xí)得。
[0008]本公開的示例性實(shí)施例披露了一種包括前顯示部和側(cè)顯示部的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。前顯示部包括被構(gòu)造為在OLED顯示器的第一側(cè)處提供圖像的多個(gè)前像素。側(cè)顯示部包括被構(gòu)造為在OLED顯示器的第二側(cè)處提供圖像的多個(gè)側(cè)像素。每個(gè)側(cè)像素包括:多個(gè)薄膜晶體管；保護(hù)層，覆蓋所述多個(gè)薄膜晶體管并具有傾斜的傾斜槽；第一電極，設(shè)置在傾斜槽上；像素限定層，設(shè)置在保護(hù)層上并具有使第一電極暴露的開口 ；有機(jī)發(fā)射層，設(shè)置在第一電極上；以及第二電極，設(shè)置在有機(jī)發(fā)射層上。側(cè)OLED包括所述第一電極、所述有機(jī)發(fā)射層和所述第二電極，并且側(cè)OLED被構(gòu)造成是傾斜的。
[0009]本公開的示例性實(shí)施例還披露了一種像素。所述像素包括至少一個(gè)開關(guān)元件、保護(hù)層和有機(jī)發(fā)光二極管。保護(hù)層設(shè)置在所述至少一個(gè)開關(guān)元件上。保護(hù)層具有相對于保護(hù)層的底表面以傾斜角傾斜的頂表面。OLED設(shè)置在保護(hù)層上并包括底電極。底電極以所述傾斜角傾斜，并連接到所述至少一個(gè)開關(guān)元件。
[0010]本公開的示例性實(shí)施例還披露了一種包括前顯示部、側(cè)顯示部和連接前顯示部與側(cè)顯示部的彎曲顯示部的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。前顯示部、側(cè)顯示部和彎曲顯示部均包括多個(gè)像素。所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素包括至少一個(gè)開關(guān)元件、設(shè)置在所述至少一個(gè)開關(guān)元件上的保護(hù)層和設(shè)置在保護(hù)層上的0LED。在前顯示部的像素中，OLED的頂表面與保護(hù)層的表面平行。在側(cè)顯示部或彎曲顯示部的像素中，保護(hù)層的頂表面相對于保護(hù)層的底表面以傾斜角傾斜，OLED的頂表面相對于保護(hù)層的底表面傾斜。
[0011]本公開的示例性實(shí)例還披露了一種包括前顯示部、側(cè)顯示部和連接前顯示部與側(cè)顯示部的彎曲顯示部的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。前顯示部包括多個(gè)第一像素，側(cè)顯示部和彎曲顯示部包括多個(gè)第二像素。所述多個(gè)第二像素中的每個(gè)包括具有傾斜的表面的OLED0所述傾斜的表面的傾斜角與OLED的位置對應(yīng)。
[0012]將理解的是，前述的大體描述和下面的詳細(xì)描述均是示例性的和解釋性的，并意圖提供針對所要求保護(hù)的公開主題的進(jìn)一步解釋。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013]包括附圖以提供對公開主題的進(jìn)一步理解，而且附圖含在本說明書中并組成本說明書的一部分，附圖示出公開主題的示例性實(shí)施例并且與描述一起用于解釋公開主題的原理。
[0014]圖1是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的透視圖。
[0015]圖2是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的側(cè)視圖。
[0016]圖3是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的一個(gè)像素的等效電路。
[0017]圖4是分別位于根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的前顯示部和側(cè)顯示部的一個(gè)像素的布局圖。
[0018]圖5是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例沿著圖4的V - V線截取的剖視圖。
[0019]圖6是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例沿著圖4的V1- VI線截取的剖視圖。
[0020]圖7是位于根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的側(cè)顯示部的側(cè)像素的剖視圖。
[0021]圖8是位于根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的側(cè)顯示部的側(cè)像素的側(cè)紅像素、側(cè)綠像素和側(cè)藍(lán)像素的剖視圖。
[0022]圖9是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的側(cè)視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]在下文中參照附圖更充分地描述公開的主題，在附圖中示出了公開的主題的示例性實(shí)施例。然而，本公開主題可以以很多不同形式體現(xiàn)，并不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的示例性實(shí)施例。而是，提供這些示例性實(shí)施例使得本公開是透徹的，并將把本公開主題的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為清晰起見，可以夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。在附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的元件。
[0024]將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作在另一元件或?qū)印吧稀被蛘摺斑B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谒隽硪辉驅(qū)由匣蛘咧苯舆B接到所述另一元件或?qū)?，或者可能存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀被蛘摺爸苯舆B接至IJ”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)?。也可以理解的是，對本公開的目的而言，可以將“X、Y和Z中的至少一個(gè)(種)”解釋為僅X、僅Y、僅Z，或者X、Y和Z中的兩項(xiàng)或更多項(xiàng)的任意組合(例如，XYZ、XYY、TL、ZZ)。
[0025]將理解的是，盡管在這里可以使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語所限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本公開的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
[0026]為了便于描述，在這里可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…上方”和“上面的”等的空間相對術(shù)語來描述在附圖中示出的一個(gè)元件或特征與另一元件或特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對術(shù)語意在包括除了附圖中描述的方位之外，在使用或運(yùn)行中的裝置的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其他元件或特征“之下”或“下方”的元件將隨后被定向?yàn)樵谒銎渌蛱卣鳌吧戏健薄Ｒ虼?，示例性術(shù)語“在…下方”可能包括上方和下方兩種方位?？梢詫⒀b置另外地定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并相應(yīng)地解釋在此使用的空間相對描述語。
[0027]在這里使用的術(shù)語僅用于描述示例性實(shí)施例的目的，而不是意圖限制本公開主題。如在這里使用的，除非上下文另有清楚的指示，否則單數(shù)形式的“一種”、“一個(gè)”、“該”、“所述”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時(shí)，表示存在陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0028]在這里參照作為公開主題的理想化實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意性圖示的剖視圖來描述公開主題的示例性實(shí)施例。這樣，預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，公開主題的示例性實(shí)施例不應(yīng)被解釋為局限于這里示出的區(qū)域的具體形狀，而是將包括例如由制造導(dǎo)致的形狀的偏差。
[0029]在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述公開的主題的示例性實(shí)施例。
[0030]現(xiàn)在，將參照圖1、圖2和圖3詳細(xì)描述根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器。
[0031]圖1是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的透視圖。圖2是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的側(cè)視圖。
[0032]如圖1和圖2中所示，OLED顯示器可以包括:前顯示部10，被構(gòu)造成在OLED顯示器的前側(cè)實(shí)現(xiàn)圖像；側(cè)顯示部20，被構(gòu)造成在OLED顯示器的一個(gè)或更多個(gè)側(cè)部實(shí)現(xiàn)圖像；以及彎曲顯示部30，形成在前顯示部10與側(cè)顯示部20之間。彎曲顯示部30可以是彎曲的。OLED顯示器的包括側(cè)顯示部20的側(cè)部可以相對于OLED顯示器的前側(cè)的表面以角度(例如，90° )形成?？梢孕纬砂ㄇ帮@示部10、彎曲顯示部30和側(cè)顯示部20的OLED顯示器，使得不存在無效空間(即，不實(shí)現(xiàn)圖像的空間)。
[0033]如圖2中所示，前顯示部10在OLED顯示器的視角Φ為O度的前側(cè)可以具有最大亮度。側(cè)顯示部20和彎曲顯示部30在視角Φ處可以具有最大亮度，使得用戶可以容易地看到側(cè)顯示部20和彎曲顯示部30。視角Φ可以在5°至70°的范圍內(nèi)。
[0034]參照圖3、圖4和圖5描述像素的詳細(xì)結(jié)構(gòu)，該像素可以用作形成在前顯示部10處的前像素Al和/或形成在側(cè)顯示部20處和彎曲顯示部30處的側(cè)像素A2。
[0035]圖3是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的一個(gè)像素的等效電路。像素可以指被構(gòu)造為顯示圖像的最小單元。OLED顯示器可以包括多個(gè)像素。OLED顯示器中的像素可以利用各種合適的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。在某些情況下，像素可以包括多個(gè)TFT和至少一個(gè)電容器。例如，如圖3中所示，可以使用其中像素包括兩個(gè)薄膜晶體管(TFT)和一個(gè)電容器的2Tr-lCap結(jié)構(gòu)的有源矩陣(AM)型的OLED顯示器。
[0036]如圖3中所示，代表OLED顯示器的前像素Al和側(cè)像素A2的像素PX可以包括多個(gè)信號線121、171和172。多個(gè)像素PX可以連接到信號線121、171和172并可以以類似矩陣的方式布置。
[0037]信號線121、171和172包括被構(gòu)造為傳送掃描信號(或柵極信號)的掃描線121、被構(gòu)造為傳送數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線171以及被構(gòu)造為傳送驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD的驅(qū)動(dòng)電壓線172。掃描線121沿行方向彼此平行地行進(jìn)，數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172沿列方向彼此平行地行進(jìn)。列方向可以大致垂直于行方向。像素電極PX包括開關(guān)薄膜晶體管Tl、驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2、存儲電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管OLED。
[0038]開關(guān)薄膜晶體管Tl具有控制端、輸入端和輸出端?？刂贫诉B接到掃描線121，輸入端連接到數(shù)據(jù)線171，輸出端連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2。當(dāng)開關(guān)薄膜晶體管Tl響應(yīng)于施加到掃描線121的掃描信號而導(dǎo)通時(shí)，開關(guān)薄膜晶體管Tl可以將施加到數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號提供到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2。
[0039]驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2也具有控制端、輸入端和輸出端?？刂贫诉B接到開關(guān)薄膜晶體管Tl的輸出端，輸入端連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172，輸出端連接到有機(jī)發(fā)光二極管0LED。當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2導(dǎo)通時(shí)，輸出電流Id可以流動(dòng)，并可以根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的控制端與輸出端之間施加的電壓在幅度方面變化。
[0040]存儲電容器Cst被連接在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的控制端與輸入端之間。存儲電容器Cst充入被施加到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的控制端的數(shù)據(jù)信號，并可以在開關(guān)薄膜晶體管Tl截止之后，保持與數(shù)據(jù)信號的電壓電平對應(yīng)的電壓。
[0041]有機(jī)發(fā)光二極管OLED具有連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的輸出端的陽極和連接到共電壓ELVSS的陰極。有機(jī)發(fā)光二極管OLED可以通過根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的輸出電流Id而發(fā)射不同強(qiáng)度的光來顯示圖像。
[0042]在某些情況下，開關(guān)薄膜晶體管Tl和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2可以是η溝道場效應(yīng)晶體管(nFET)或P溝道場效應(yīng)晶體管(pFET)。然而，應(yīng)理解的是，可以使用各種類型的晶體管實(shí)現(xiàn)晶體管Tl和T2，晶體管Tl和T2不限于nFET或pFET。另外，可以改變薄膜晶體管Tl和T2、存儲電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管OLED之間的連接。
[0043]現(xiàn)在，將參照圖3、圖4、圖5和圖6更加詳細(xì)地描述OLED顯示器的前像素Al和側(cè)像素A2的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
[0044]圖4是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的，位于前顯示部10的前像素Al和位于側(cè)顯示部20的側(cè)像素A2的布局圖。圖5是沿著圖4的V - V線截取的剖視圖，圖6是沿著圖4的V1- VI線截取的剖視圖。
[0045]緩沖層120可以形成在前像素Al與側(cè)像素A2的基底110上?；?10可以是由玻璃、石英、陶瓷或塑料制成的絕緣基底。緩沖層120可以具有氮化硅(SiNx)的單層結(jié)構(gòu)或氮化硅(SiNx)與氧化硅(S12)的雙層結(jié)構(gòu)。緩沖層120在使基底110的表面平坦的同時(shí)，可以防止不期望的組分(諸如雜質(zhì)元素或潮氣)侵入基底110中。
[0046]開關(guān)半導(dǎo)體層135a和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層135b可以設(shè)置在緩沖層120上并可以彼此隔開。這些半導(dǎo)體層135a和135b可以由多晶硅或氧化物半導(dǎo)體制成。氧化物半導(dǎo)體可以包括從由以下材料組成的組中選擇的材料:基于鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁、(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)的氧化物以及它們的復(fù)合氧化物，諸如氧化鋅(ZnO)、銦鎵鋅氧化物(InGaZnO4)、銦鋅氧化物(Zn-1n-O)、鋅錫氧化物(Zn-Sn-O)、銦鎵氧化物(In-Ga-O)、銦錫氧化物(In-Sn-O)、銦鋯氧化物(In-Zr-O)JB鋯鋅氧化物(In-Zr-Zn-O)、銦鋯錫氧化物(In-Zr-Sn-O)、銦鋯鎵氧化物(In-Zr-Ga-O)、銦鋁氧化物(In-Al-O)、銦鋅鋁氧化物(In-Zn-Al-O)、銦錫鋁氧化物(In-Sn-Al-O)JBg鎵氧化物(In-Al-Ga-O)、銦鉭氧化物(In-Ta-O)、銦鉭鋅氧化物(In-Ta-Zn-O)、銦鉭錫氧化物(In-Ta-Sn-O)、銦鉭鎵氧化物(In-Ta-Ga-O)、銦鍺氧化物(In-Ge-O)、銦鍺鋅氧化物(In-Ge-Zn-O)、銦鍺錫氧化物(In-Ge-Sn-O)、銦鍺鎵氧化物(In-Ge-Ga-O)、鈦銦鋅氧化物(T1-1n-Zn-O)和鉿銦鋅氧化物(Hf-1n-Zn-O)。如果半導(dǎo)體層135a和135b由氧化物半導(dǎo)體制成，則可以添加單獨(dú)的保護(hù)層，以保護(hù)氧化物半導(dǎo)體免受諸如高溫的外部環(huán)境因素影響。
[0047]半導(dǎo)體層135a和135b均可以包括未用雜質(zhì)摻雜的溝道區(qū)1355,以及由導(dǎo)電雜質(zhì)摻雜的多晶硅(例如，雜質(zhì)半導(dǎo)體)形成的并形成在溝道區(qū)1355的各個(gè)側(cè)的源區(qū)1356和漏區(qū)1357。雜質(zhì)根據(jù)薄膜晶體管(半導(dǎo)體層135a和135b是其一部分)的類型而改變，可以是N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)。例如，如果晶體管Tl是nFET，則可以用N型雜質(zhì)來摻雜半導(dǎo)體層135a的漏區(qū)1357和源區(qū)1356。如果晶體管Tl是pFET，則可以用P型雜質(zhì)來摻雜半導(dǎo)體層135a的漏區(qū)1357和源區(qū)1356。
[0048]柵極絕緣膜140設(shè)置在開關(guān)半導(dǎo)體層135a、驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層135b和緩沖層120上。柵極絕緣膜140可以是包含氮化硅和氧化硅中的至少一種的單個(gè)層或者多個(gè)層。
[0049]掃描線121、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125b和第一存儲電容器板128形成在柵極絕緣膜140上。掃描線121沿水平方向延伸并可以傳送掃描信號。掃描線121可以包括從掃描線121朝向開關(guān)半導(dǎo)體層135a突出的開關(guān)柵電極125a。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125b可以從第一存儲電容器板128朝向驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層135b突出。開關(guān)柵電極125a和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125b分別與溝道區(qū)1355疊置。
[0050]層間絕緣膜160形成在掃描線121、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125b和第一存儲電容器板128上。層間絕緣膜160可以由氮化硅或氧化硅形成。
[0051]源接觸孔61和漏接觸孔62形成在層間絕緣膜160和柵極絕緣膜140中，以暴露源區(qū)1356和漏區(qū)1357。存儲接觸孔63形成在層間絕緣膜160中以暴露第一存儲電容器板128的一部分。
[0052]具有開關(guān)源電極176a的數(shù)據(jù)線171、具有驅(qū)動(dòng)源電極176b和第二存儲電容器板178的驅(qū)動(dòng)電壓線172、連接到第一存儲電容器板128的開關(guān)漏電極177a以及驅(qū)動(dòng)漏電極177b形成在層間絕緣膜160上。
[0053]數(shù)據(jù)線171可以傳送數(shù)據(jù)信號，并且可以沿著與柵極線121交叉的方向延伸。驅(qū)動(dòng)電壓線172可以傳送驅(qū)動(dòng)電壓，可以與數(shù)據(jù)線171分開并可以沿著與數(shù)據(jù)線171相同的方向延伸。
[0054]開關(guān)源電極176a從數(shù)據(jù)線171朝向開關(guān)半導(dǎo)體層135a突出，驅(qū)動(dòng)源電極176b從驅(qū)動(dòng)電壓線172朝向驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層135b突出。開關(guān)源電極176a和驅(qū)動(dòng)源電極176b通過源接觸孔61分別連接到源區(qū)1356。開關(guān)漏電極177a面向開關(guān)源電極176a，驅(qū)動(dòng)漏電極177b面向驅(qū)動(dòng)源電極176b，開關(guān)漏電極177a和驅(qū)動(dòng)漏電極177b通過漏接觸孔62分別連接到漏區(qū)1357。
[0055]開關(guān)漏電極177a通過存儲接觸孔63延伸并電連接到第一存儲電容器板128和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125b。
[0056]第二存儲電容器板178從驅(qū)動(dòng)電壓線172突出，并與第一存儲電容器板128疊置。因此，第一存儲電容器板128和第二存儲電容器板178通過利用層間絕緣膜160作為介電材料來構(gòu)成存儲電容器Cst。
[0057]開關(guān)半導(dǎo)體層135a、開關(guān)柵電極125a、開關(guān)源電極176a和開關(guān)漏電極177a構(gòu)成開關(guān)薄膜晶體管Tl，而驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層135b、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125b、驅(qū)動(dòng)源電極176b和驅(qū)動(dòng)漏電極177b構(gòu)成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2。
[0058]保護(hù)層180設(shè)置在開關(guān)源電極176a、驅(qū)動(dòng)源電極176b、開關(guān)漏電極177a、驅(qū)動(dòng)漏電極177b和第二存儲電容器板178上。保護(hù)層180可以由丙烯酸樹脂(聚丙烯酸酯樹脂)、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂和苯并環(huán)丁烯(BCB)樹脂中的至少一種材料制成。
[0059]在某些情況下，如圖6中所示，具有傾斜角Θ的傾斜槽182可以形成在側(cè)像素A2的保護(hù)層180處。在某些情況下，傾斜角Θ可以在5°和70°之間。也就是說，傾斜角Θ是傾斜的，即，非豎直的。然而，應(yīng)理解的是，各種傾斜角度是可以的。
[0060]像素電極710可以設(shè)置在保護(hù)層180上，并可以以傾斜角(例如，在5°和70°之間)形成在側(cè)像素A2中的保護(hù)層180的傾斜槽182處。像素電極710可以由諸如ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、Ζη0(氧化鋅)或Ιη203 (氧化銦)的透明導(dǎo)電材料或者諸如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰 / 鈣(LiF/Ca)、氟化鋰 / 鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或金(Au)的反射金屬制成。像素電極710可以通過形成在保護(hù)層180中的接觸孔181電連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T2的驅(qū)動(dòng)漏電極177b，并可以作為有機(jī)發(fā)光二極管的陽極來操作。
[0061]像素限定層350可以設(shè)置在保護(hù)層180和像素電極710的邊緣部分上。像素限定層350可以具有使像素電極710暴露的開口 351。像素限定層350可以由諸如聚丙烯酸酯樹脂或聚酰亞胺樹脂的樹脂或者二氧化硅基無機(jī)材料等制成。
[0062]有機(jī)發(fā)射層720可以設(shè)置在像素限定層350的開口 351中。有機(jī)發(fā)射層720可以設(shè)置在形成在傾斜槽182處的像素電極710上，使得有機(jī)發(fā)射層720具有與像素電極710的傾斜角Θ相同的傾斜角Θ。
[0063]有機(jī)發(fā)射層720可以包括多個(gè)層，所述多個(gè)層包括發(fā)射層、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的一個(gè)或更多個(gè)。當(dāng)有機(jī)發(fā)射層720包括上述所有層時(shí)，空穴注入層(HIL)可以位于像素電極710(即，陽極)上，而空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)可以順序地堆疊在空穴注入層(HIL)上方。
[0064]有機(jī)發(fā)射層720可以包括用于發(fā)射紅光的紅有機(jī)發(fā)射層、用于發(fā)射綠光的綠有機(jī)發(fā)射層和用于發(fā)射藍(lán)光的藍(lán)有機(jī)發(fā)射層。紅有機(jī)發(fā)射層、綠有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)有機(jī)發(fā)射層分別形成在紅、綠和藍(lán)像素中，從而顯示彩色圖像。
[0065]在某些情況下，有機(jī)發(fā)射層720的紅有機(jī)發(fā)射層、綠有機(jī)發(fā)射層和藍(lán)有機(jī)發(fā)射層可以分別層疊在紅像素、綠像素和藍(lán)像素上，對于相應(yīng)的像素可以形成紅濾色器、綠濾色器和藍(lán)濾色器，從而顯示彩色圖像。在某些情況下，用于發(fā)射白光的白有機(jī)發(fā)射層可以形成在紅、綠和藍(lán)像素中的所有像素上，對于相應(yīng)的像素可以形成紅濾色器、綠濾色器和藍(lán)濾色器，從而顯示彩色圖像。如果利用白有機(jī)發(fā)射層和濾色器來顯示彩色圖像，則不需要使用沉積掩模在相應(yīng)的像素(即紅、綠和藍(lán)像素)上沉積紅、綠和藍(lán)有機(jī)發(fā)射層。
[0066]白有機(jī)發(fā)射層可以形成為一個(gè)有機(jī)發(fā)射層，或者被層疊以發(fā)射白光的多個(gè)有機(jī)發(fā)射層。例如，至少一個(gè)黃有機(jī)發(fā)射層和至少一個(gè)藍(lán)有機(jī)發(fā)射層可以結(jié)合以發(fā)射白光，至少一個(gè)青有機(jī)發(fā)射層和至少一個(gè)紅有機(jī)發(fā)射層可以結(jié)合以發(fā)射白光，或者至少一個(gè)品紅有機(jī)發(fā)射層和至少一個(gè)綠有機(jī)發(fā)射層可以結(jié)合以發(fā)射白光。
[0067]共電極730可以設(shè)置在像素限定層350和有機(jī)發(fā)射層720上。共電極730可以設(shè)置在形成在傾斜槽182處的像素電極710和有機(jī)發(fā)射層720上，使得共電極730具有與像素電極710的傾斜角Θ相同的傾斜角Θ。
[0068]共電極730可以由諸如ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、ZnO(氧化鋅)或In2O3(氧化銦)的透明導(dǎo)電材料或者諸如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或金(Au)的反射金屬制成。共電極730可以用作有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陰極。像素電極710、有機(jī)發(fā)射層720和共電極730構(gòu)成側(cè)0LED70。形成在側(cè)像素A2處的像素電極710、有機(jī)發(fā)射層720和共電極730具有相同的傾斜角Θ，使得它們的表面彼此平行。在某些情況下，傾斜角Θ可以在5°和70°之間。然而，應(yīng)理解的是，各種傾斜角度是可以的。
[0069]如以上所述，形成在側(cè)像素A2處的包括像素電極710、有機(jī)發(fā)射層720和共電極730的側(cè)0LED70具有傾斜角Θ，使得其中形成有側(cè)像素A2的側(cè)顯示部20和彎曲顯示部30在視角Φ處可具有最大売度。
[0070]將參照圖5和圖6描述根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的制造方法。
[0071]如圖5和圖6中所示，在前像素Al和側(cè)像素A2的基底110上設(shè)置緩沖層120。在某些情況下，可以通過諸如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方法在基底110的整個(gè)表面上設(shè)置緩沖層120。接下來，可以在緩沖層120上設(shè)置半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層可以由多晶硅或氧化物半導(dǎo)體制成，可以通過形成非晶硅膜然后使其結(jié)晶來形成多晶硅。可以使用各種方法來使非晶硅膜結(jié)晶。例如，可以利用熱、激光、焦耳熱、電場或催化金屬來使非晶硅膜結(jié)晶。接下來，可以使用第一掩模，通過光刻將半導(dǎo)體層圖案化。在某些情況下，可以同時(shí)形成開關(guān)半導(dǎo)體層135a和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層135b。
[0072]接下來，可以在開關(guān)半導(dǎo)體層135a、驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層135b和緩沖層120上設(shè)置柵極絕緣膜140。柵極絕緣膜140可以由氮化硅(SiNx)或者氧化硅(S12)形成，并可以通過諸如PECVD的方法在緩沖層120的整個(gè)表面上沉積柵極絕緣膜140。
[0073]接下來，可以在柵極絕緣膜140上設(shè)置柵極金屬層。柵極金屬層可以形成為其中包括銅(Cu)、銅合金、鋁(Al)與鋁合金中的一種的金屬膜和包括鑰(Mo)與鑰合金中的任何一種的金屬膜層疊的多層膜。接下來，可以使用第二掩模通過光刻將柵極金屬層圖案化。如此，可以在與開關(guān)半導(dǎo)體層135a疊置的位置形成開關(guān)柵電極125a，可以在與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層135b疊置的位置形成驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125b，并可以將第一存儲電容器板128連接到驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125b。接下來,可以用雜質(zhì)摻雜開關(guān)半導(dǎo)體層135a和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層135b,開關(guān)半導(dǎo)體層135a和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層135b可以劃分成溝道區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)。當(dāng)用雜質(zhì)摻雜源區(qū)和漏區(qū)時(shí)，開關(guān)柵電極125a和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125b防止溝道區(qū)被雜質(zhì)摻雜。
[0074]接下來，可以在柵級絕緣膜140、開關(guān)柵電極125a和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O125b上設(shè)置層間絕緣膜160。層間絕緣膜160可以是有機(jī)膜或無機(jī)膜，并可以沉積在基底110的整個(gè)表面上。接下來，可以使用第三掩模通過光刻將層間絕緣膜160和柵極絕緣膜140圖案化以形成多個(gè)接觸孔61、62和63。
[0075]接下來，可以在層間絕緣膜160上設(shè)置數(shù)據(jù)金屬層。數(shù)據(jù)金屬層可以形成為其中包括銅(Cu)、銅合金、鋁(Al)與鋁合金中的一種的金屬膜和包括鑰(Mo)與鑰合金中的任何一種的金屬膜層疊的多層膜。例如，數(shù)據(jù)金屬層可以由Mo/Al/Mo的三層膜或者M(jìn)o/Cu/Mo的三層膜形成。
[0076]接下來，可以使用第四掩模通過光刻將數(shù)據(jù)金屬層圖案化。如此，在層間絕緣膜160上形成了包括具有開關(guān)源電極176a的數(shù)據(jù)線171、具有驅(qū)動(dòng)源電極176b和第二存儲電容器板178的驅(qū)動(dòng)電壓線172以及連接到第一存儲電容器板128的開關(guān)漏電極177a和驅(qū)動(dòng)漏電極177b的數(shù)據(jù)布線。
[0077]接下來，可以在層間絕緣膜160上設(shè)置保護(hù)層180以覆蓋數(shù)據(jù)布線171、172、177a和177b。可以使用第五掩模通過光刻工藝在前像素Al和側(cè)像素A2中的保護(hù)層180中形成接觸孔181 ;然而，在側(cè)像素A2中，使用第五掩模的漸變半色調(diào)掩模部，通過光刻將保護(hù)層180形成為包括具有傾斜角Θ的傾斜槽182。
[0078]接下來，可以在保護(hù)層180上設(shè)置像素電極層，可以使用第六掩模通過光刻將像素電極層圖案化，以形成通過接觸孔181連接到驅(qū)動(dòng)漏電極177b的像素電極710。在側(cè)像素A2中，設(shè)置在傾斜槽182上的像素電極710被形成為具有傾斜角Θ。可以控制像素電極層的沉積速度、沉積溫度、沉積電壓和沉積壓力來形成以均勻厚度而傾斜的像素電極710。
[0079]接下來，可以在保護(hù)層180上設(shè)置像素限定層350以覆蓋像素電極710，并通過利用第七掩模在像素限定層350中形成開口 351以暴露像素電極710的一部分。
[0080]可以在位于像素限定層350的開口 351中的像素電極710上設(shè)置有機(jī)發(fā)射層720，并可在有機(jī)發(fā)射層720上設(shè)置共電極730。形成在傾斜槽182處的有機(jī)發(fā)射層720和共電極730可以具有傾斜角Θ。
[0081]如以上所述，通過在側(cè)像素A2處，將包括像素電極710、有機(jī)發(fā)射層720和共電極730的側(cè)0LED70形成為具有傾斜角Θ，從其中形成有側(cè)像素A2的側(cè)顯示部20和彎曲顯示部30發(fā)射的光在視角Φ處可具有最大亮度。
[0082]如以上所述，可以在OLED顯示器的一個(gè)側(cè)像素A2處形成一個(gè)傾斜槽182，使得側(cè)0LED70具有一個(gè)傾斜角。然而，在某些情況下，可以在一個(gè)側(cè)像素A2中形成多個(gè)子傾斜槽，以在側(cè)0LED70中具有多個(gè)傾斜角。
[0083]接下來，將參照圖7描述具有多個(gè)傾斜角的OLED顯示器。
[0084]圖7是位于根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的側(cè)顯示部20的側(cè)像素A2的剖視圖。
[0085]除了側(cè)0LED70的結(jié)構(gòu)之外，圖7的側(cè)像素A2與圖6的側(cè)像素A2類似。
[0086]如圖7中所示，在OLED顯示器的側(cè)像素A2的保護(hù)層180處，分別具有傾斜角Θ I和傾斜角Θ 2的子傾斜槽1821和子傾斜槽1822可以分別形成在區(qū)域Xl和區(qū)域X2處。
[0087]作為第一電極的像素電極710可以設(shè)置在保護(hù)層180上，形成在側(cè)像素A2的保護(hù)層180的子傾斜槽1821和1822處的像素電極710可以是傾斜的。傾斜角Θ I和傾斜角Θ 2可以彼此不同。側(cè)像素A2的有機(jī)發(fā)射層720可以設(shè)置在位于子傾斜槽1821和1822上的像素電極710上，使得有機(jī)發(fā)射層720形成為具有傾斜角Θ I和傾斜角Θ2。側(cè)像素A2的共電極730可以設(shè)置在位于子傾斜槽1821和1822上的像素電極710和有機(jī)發(fā)射層720上，使得共電極730形成為具有傾斜角Θ I和傾斜角Θ 2。
[0088]如以上所述，在側(cè)像素A2中形成的像素電極710、有機(jī)發(fā)射層720和共電極730可以具有彼此不同的傾斜的傾斜角Θ I和傾斜的傾斜角Θ 2，使得在側(cè)顯示部20和彎曲顯示部30中形成的側(cè)像素A2內(nèi)，可以在視角Φ1和Φ2處獲得最大亮度。
[0089]在某些情況下，形成在側(cè)紅像素、側(cè)綠像素和側(cè)藍(lán)像素中的側(cè)OLED的傾斜角Θ可以彼此不同。
[0090]接下來，將參照圖8描述具有側(cè)紅像素、側(cè)綠像素和側(cè)藍(lán)像素的OLED顯示器，側(cè)紅像素、側(cè)綠像素和側(cè)藍(lán)像素具有不同的傾斜角Θ。
[0091]圖8是位于根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的側(cè)顯示部20的側(cè)像素A2的側(cè)紅像素、側(cè)綠像素和側(cè)藍(lán)像素的剖視圖。
[0092]除了側(cè)0LED70的結(jié)構(gòu)之外，圖8的側(cè)像素A2與圖6的側(cè)像素A2類似。
[0093]如圖8中所示，在OLED顯示器的側(cè)像素A2中，具有不同傾斜角0r、0g和0b的傾斜槽182r、182g和182b可以形成在側(cè)紅像素(R)、側(cè)綠像素(G)和側(cè)藍(lán)像素(B)的保護(hù)層180處。
[0094]像素電極710可以設(shè)置在側(cè)紅像素(R)、側(cè)綠像素(G)和側(cè)藍(lán)像素(B)的傾斜槽182r、182g和182b處的保護(hù)層180上，并可以以不同的傾斜角Θ r、Θ g和Θ b傾斜。側(cè)紅像素(R)、側(cè)綠像素(G)和側(cè)藍(lán)像素(B)的有機(jī)發(fā)射層720可以分別以不同的傾斜角ΘΓ、Qg和0b設(shè)置在像素電極710上。側(cè)紅像素(R)、側(cè)綠像素(G)和側(cè)藍(lán)像素(B)的共電極730可以分別以不同的傾斜角Θ r、Θ g和Θ b設(shè)置在像素電極710和有機(jī)發(fā)射層720上。
[0095]如以上所述，側(cè)0LED70的像素電極710、有機(jī)發(fā)射層720和共電極730可以形成在側(cè)紅像素(R)、側(cè)綠像素(G)和側(cè)藍(lán)像素(B)處，并可以具有不同的傾斜的傾斜角0r、0g和Θ b，使得形成在側(cè)顯示部20和彎曲顯示部30處的側(cè)紅像素(R)、側(cè)綠像素(G)和側(cè)藍(lán)像素⑶可以在視角Φγ、<j5g和Φ13處具有最大亮度。
[0096]在某些情況下，形成在OLED顯示器的側(cè)紅像素(R)、側(cè)綠像素(G)和側(cè)藍(lán)像素(B)處的側(cè)OLED的傾斜角0r、0g和0b可以彼此不同，而在某些情況下，所述傾斜角0r、0g和0b可以相同。在某些情況下，形成在OLED顯示器的彎曲顯示部處的側(cè)像素A2中的側(cè)OLED的傾斜角Θ可以是變化的(例如，逐漸增大或減小)。
[0097]將參照圖9描述具有變化的傾斜角Θ的OLED顯示器。
[0098]圖9是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的OLED顯示器的側(cè)視圖。
[0099]如圖9中所示，形成在OLED顯示器的彎曲顯示部30處的三個(gè)相鄰側(cè)像素A2處的側(cè)OLED的傾斜角Θ1、Θ2和Θ3可以逐漸增大?？梢栽龃髢A斜角，使得形成在彎曲顯示部30處的三個(gè)相鄰側(cè)像素Α2可以在視角Φ1、Φ2和Φ3處具有最大亮度。
[0100]在某些情況下，傾斜角Θ 1、Θ 2和Θ 3可以逐漸減小?？傮w上，傾斜角Θ可以根據(jù)OLED顯示器中的側(cè)顯示部20和彎曲顯示部30中的像素的位置而變化。例如，側(cè)顯示部中的像素的傾斜角與彎曲顯示部中的像素的傾斜角相比可以是不同的(例如，更小或更大)。
[0101]本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚的是，在不脫離公開的主題的精神或范圍的情況下，可以在本公開中做出各種修改和變化。因此，意圖的是，只要公開的主體的修改和變化落入權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，本公開就覆蓋這些修改和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，包括: 前顯示部，包括被構(gòu)造為在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的第一側(cè)處提供圖像的多個(gè)前像素；以及 側(cè)顯示部，包括被構(gòu)造為在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的第二側(cè)處提供圖像的多個(gè)側(cè)像素， 其中，所述多個(gè)側(cè)像素中的每個(gè)側(cè)像素包括: 多個(gè)薄膜晶體管； 保護(hù)層，覆蓋所述多個(gè)薄膜晶體管并具有傾斜的傾斜槽； 第一電極，設(shè)置在傾斜槽上； 像素限定層，設(shè)置在保護(hù)層上并具有使第一電極暴露的開口 ； 有機(jī)發(fā)射層，設(shè)置在第一電極上；以及 第二電極，設(shè)置在有機(jī)發(fā)射層上，以及 其中，側(cè)有機(jī)發(fā)光二極管包括所述第一電極、所述有機(jī)發(fā)射層和所述第二電極，并且側(cè)有機(jī)發(fā)光二極管被構(gòu)造成傾斜的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 側(cè)有機(jī)發(fā)光二極管的傾斜角在5度至70度的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 傾斜槽包括具有不同傾斜角的多個(gè)子傾斜槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 側(cè)有機(jī)發(fā)光二極管包括具有不同傾斜角的多個(gè)子側(cè)有機(jī)發(fā)光二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 側(cè)像素中的至少一個(gè)側(cè)像素包括: 側(cè)紅像素、側(cè)綠像素和側(cè)藍(lán)像素；以及 側(cè)紅像素、側(cè)綠像素和側(cè)藍(lán)像素的側(cè)有機(jī)發(fā)光二極管的傾斜角是彼此不同的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 形成在側(cè)顯示部的所述多個(gè)側(cè)像素中的側(cè)有機(jī)發(fā)光二極管的傾斜角具有不同的角度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 側(cè)有機(jī)發(fā)光二極管的傾斜角根據(jù)側(cè)有機(jī)發(fā)光二極管的位置而順序地增大或順序地減小。
8.一種像素，其特征在于，包括: 至少一個(gè)開關(guān)元件； 保護(hù)層，設(shè)置在所述開關(guān)元件上，保護(hù)層具有相對于保護(hù)層的底表面以傾斜角傾斜的頂表面； 有機(jī)發(fā)光二極管，設(shè)置在保護(hù)層上，有機(jī)發(fā)光二極管包括底電極， 其中，底電極以所述傾斜角傾斜，并連接到所述至少一個(gè)開關(guān)元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素，其特征在于，其中: 有機(jī)發(fā)光二極管還包括設(shè)置在底電極上的有機(jī)發(fā)射層和設(shè)置在有機(jī)發(fā)射層上的第二電極；以及 第二電極和有機(jī)發(fā)射層以所述傾斜角傾斜。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素，其特征在于，其中: 所述傾斜角是傾斜的。
11.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，包括: 前顯示部； 側(cè)顯示部；以及 彎曲顯示部，連接前顯示部和側(cè)顯示部， 其中，前顯示部、側(cè)顯示部和彎曲顯示部均包括多個(gè)像素，所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素包括至少一個(gè)開關(guān)元件、設(shè)置在所述至少一個(gè)開關(guān)元件上的保護(hù)層和設(shè)置在保護(hù)層上的有機(jī)發(fā)光二極管， 其中，在前顯示部的像素中，有機(jī)發(fā)光二極管的頂表面與保護(hù)層的表面平行，以及其中，在側(cè)顯示部或彎曲顯示部的像素中，保護(hù)層的頂表面相對于保護(hù)層的底表面以傾斜角傾斜，并且有機(jī)發(fā)光二極管的頂表面相對于保護(hù)層的底表面傾斜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 在側(cè)顯示部或彎曲顯示部的像素中，保護(hù)層包括與保護(hù)層中的至少兩個(gè)傾斜角對應(yīng)的至少兩個(gè)傾斜槽。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 在側(cè)顯示部或彎曲顯示部的像素中，保護(hù)層的頂表面的第一部分與保護(hù)層的頂表面的第二部分相比以不同的角度傾斜； 有機(jī)發(fā)光二極管的頂表面的第一部分與有機(jī)發(fā)光二極管的頂表面的第二部分相比以不同的角度傾斜；以及 保護(hù)層的頂表面的第一部分與有機(jī)發(fā)光二極管的頂表面的第一部分平行。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 所述傾斜角包括傾斜的角度。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 在側(cè)顯示部或彎曲顯示部的相鄰像素中，所述傾斜角順序地增大或順序地減小。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 側(cè)顯示部中的像素中的保護(hù)層的傾斜角不同于彎曲顯示部中的像素中的保護(hù)層的傾斜角。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 側(cè)顯示部或彎曲顯示部中的至少一個(gè)像素包括紅像素、綠像素和藍(lán)像素； 紅像素中的保護(hù)層的頂表面以第一傾斜角傾斜； 綠像素中的保護(hù)層的頂表面以第二傾斜角傾斜；以及 藍(lán)像素中的保護(hù)層的頂表面以第三傾斜角傾斜。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 第一傾斜角、第二傾斜角和第三傾斜角彼此不同。
19.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，包括: 前顯示部； 側(cè)顯示部；以及 彎曲顯示部，連接前顯示部和側(cè)顯示部， 其中，前顯示部包括多個(gè)第一像素，側(cè)顯示部和彎曲顯示部包括多個(gè)第二像素，以及其中，所述多個(gè)第二像素中的每個(gè)包括具有傾斜的表面的有機(jī)發(fā)光二極管，所述傾斜的表面的傾斜角與有機(jī)發(fā)光二極管的位置對應(yīng)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于，其中: 有機(jī)發(fā)光二極管包括第一電極、有機(jī)發(fā)射層和第二電極； 第一電極、有機(jī)發(fā)射層和第二電極以所述傾斜角傾斜，所述傾斜角是傾斜的。
【文檔編號】H01L27/32GK104282721SQ201410309071
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年7月1日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月1日
【發(fā)明者】南宮埈 申請人:三星顯示有限公司