多層陶瓷電子組件和安裝有該多層陶瓷電子組件的板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種多層陶瓷電子組件和一種安裝有該多層陶瓷電子組件的板，所述多層陶瓷電子組件具有：主體，厚度(t)和寬度(w)滿足式t/w>1.0；主體的上部，包括平均寬度為M1的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極；主體的下部，包括平均寬度為M2的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，滿足M1>M2。
【專利說明】多層陶瓷電子組件和安裝有該多層陶瓷電子組件的板
[0001] 本申請(qǐng)要求于2013年9月17日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0111706號(hào) 韓國專利申請(qǐng)的權(quán)益，該韓國專利申請(qǐng)的公開通過引用包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本公開涉及一種多層陶瓷電子組件和一種其上安裝有該多層陶瓷電子組件的板。
【背景技術(shù)】
[0003] 隨著電子產(chǎn)品的小型化的最近趨勢，對(duì)具有小尺寸和大電容的多層陶瓷電子組件 的需求已經(jīng)增加。
[0004] 因此，已經(jīng)通過各種方法意圖使介電層和內(nèi)電極變薄并進(jìn)行堆疊。近來，隨著介電 層的厚度已經(jīng)變薄，已經(jīng)制造出堆疊的層的數(shù)量增大的多層陶瓷電子組件。
[0005] 隨著多層陶瓷電子組件的小型化W及介電層和內(nèi)電極的變薄成為可能，為了實(shí)現(xiàn) 高電容，堆疊的層的數(shù)量已經(jīng)增大。
[0006] 如上所述，隨著多層陶瓷電子組件的小型化成為可能W及堆疊的層的數(shù)量增大， 多層陶瓷電子組件可W被制造成厚度與其寬度相比增大，從而可W實(shí)現(xiàn)高電容。然而，因 為介電層具有壓電特性和電致伸縮特性，所W當(dāng)對(duì)多層陶瓷電容器施加直流值C)或交流 (AC)電壓時(shí)，在內(nèi)電極之間產(chǎn)生壓電現(xiàn)象，從而會(huì)產(chǎn)生振動(dòng)。
[0007] 該些振動(dòng)會(huì)通過連接到多層陶瓷電容器的焊料而傳遞到其上安裝了該多層陶瓷 電容器的印刷電路板，使得印刷電路板的整體變成產(chǎn)生振動(dòng)聲（其為噪聲）的聲音福射表 面。
[0008] 振動(dòng)聲會(huì)與使人不舒服的20化至20000化的音頻范圍對(duì)應(yīng)。如上描述的使人不 舒服的振動(dòng)聲可W指聲學(xué)噪聲（acoustic noise)。
[0009] 因此，需要對(duì)能夠確保高電容和減小聲學(xué)噪聲的多層陶瓷電子組件進(jìn)行研究。
[0010] [相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)]
[0011] (專利文獻(xiàn)1)第2005-129802號(hào)日本專利特許公開
【發(fā)明內(nèi)容】
[0012] 本公開的一方面提供了一種能夠具有高電容且減小聲學(xué)噪聲的多層陶瓷電子組 件和一種其上安裝有該多層陶瓷電子組件的板。
[0013] 根據(jù)本公開的一方面，一種多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，包括介電層，當(dāng)陶 瓷主體的寬度為W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿足t/w〉1.0 ;第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，堆 疊為彼此面對(duì)，在陶瓷主體內(nèi)并且使介電層置于第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間，其中，當(dāng)在 陶瓷主體的沿厚度方向的上部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為M1，并且在 陶瓷主體的沿厚度方向的下部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為M2時(shí)，滿 足 MDM2。
[0014] Ml 和 M2 滿足 0. 85《M2/M1《0. 97。
[0015] 當(dāng)從第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的具有最小寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到陶瓷主體的 第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離分別為al和a2,并且從第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的具 有最大寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到陶瓷主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離分別為bl和b2 時(shí)，滿足 0. 7〇《（bl+b2V(al+a2)《0. 93。
[0016] 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的寬度可W逐漸地減小。
[0017] 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的寬度在陶瓷主體的沿厚度方向的上部處可W-致，并 且在陶瓷主體的沿厚度方向的下部處可W逐漸地減小。
[0018] 第一內(nèi)電極的寬度和第二內(nèi)電極的寬度可W在形成臺(tái)階的同時(shí)減小。
[0019] 第一內(nèi)電極的寬度和第二內(nèi)電極的寬度在陶瓷主體的沿厚度方向的上部處可W 一致，并且在陶瓷主體的沿厚度方向的下部處可W減小W形成臺(tái)階。
[0020] 第一內(nèi)電極的寬度和第二內(nèi)電極的寬度在陶瓷主體的上部處和下部的與陶瓷主 體的上部鄰近的部分處可W-致，并且在下部的剩余部分處可W減小。
[0021] 陶瓷主體的寬度和厚度滿足1. 2《t/w《3. 0。
[0022] 陶瓷主體可W包括用于使陶瓷主體的上部和下部相互區(qū)分開的區(qū)別部。
[002引所述區(qū)別部可W包括介電層，從由Ni、Mn、化和V組成的組中選擇的至少一種金屬 被添加到所述介電層中。
[0024] 區(qū)別部可W是通過激光標(biāo)記產(chǎn)生的標(biāo)記。
[00巧]介電層可500個(gè)或更多個(gè)層的量堆疊。
[0026] 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極可W沿陶瓷主體的厚度方向堆疊。
[0027] 根據(jù)本公開的另一方面，一種多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，包括介電層，當(dāng) 陶瓷主體的寬度為W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿足t/w〉l. 0,陶瓷主體具有沿寬度方向彼 此相對(duì)的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面；第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，堆疊為彼此面對(duì)，使介電層 置于第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間，并且在陶瓷主體內(nèi)；第一側(cè)邊緣部，形成在第一內(nèi)電極 和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的一側(cè)與所述第一側(cè)表面之間，并且包括位于第一側(cè)邊緣部的 下部處的第一聲學(xué)噪聲減小部；第二側(cè)邊緣部，形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度 方向的另一側(cè)與第二側(cè)表面之間，并且包括位于第二側(cè)邊緣部的下部處的第二聲學(xué)噪聲減 小部。
[0028] 第一聲學(xué)噪聲減小部和第二聲學(xué)噪聲減小部的平均寬度可W比第一側(cè)邊緣部和 第二側(cè)邊緣部的平均寬度寬。
[0029] 當(dāng)在陶瓷主體的沿厚度方向的上部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬 度為M1，并且在陶瓷主體的沿厚度方向的下部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬 度為M2時(shí)，滿足MDM2。
[0030] 當(dāng)在陶瓷主體的沿厚度方向的上部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬 度為M1，并且在陶瓷主體的沿厚度方向的下部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬 度為M2時(shí)，滿足0. 85《M2/M1《0. 97。
[0031] 當(dāng)從第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的具有最小寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到陶瓷主體的 第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離分別為al和a2,并且從第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的具 有最大寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到陶瓷主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離分別為bl和b2 時(shí)，滿足 0. 70《（bl+b2V(al+a2)《0. 93。
[0032] 第一內(nèi)電極的寬度和第二內(nèi)電極的寬度可W逐漸地減小。
[0033] 根據(jù)本公開的另一方面，一種多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，包括介電層，當(dāng) 陶瓷主體的寬度為W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿足t/w〉l. 0 ;第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極， 被堆疊為彼此面對(duì)，使介電層置于第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間，并且在陶瓷主體內(nèi)，其 中，當(dāng)在陶瓷主體的沿厚度方向的上部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為 M1，并且在陶瓷主體的沿厚度方向的下部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為 M2時(shí)，M2/M1值在聲學(xué)噪聲小于20地且電容減小率小于8%的范圍內(nèi)。
[0034] 根據(jù)本公開的另一方面，一種其上安裝有多層陶瓷電子組件的板，所述板包括：印 刷電路板，第一電極焊盤和第二電極焊盤設(shè)置在印刷電路板上；多層陶瓷電子組件，安裝在 印刷電路板上，其中，多層陶瓷電子組件包括陶瓷主體W及堆疊為彼此面對(duì)的第一內(nèi)電極 和第二內(nèi)電極，陶瓷主體包括介電層，當(dāng)陶瓷主體的寬度為W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿 足t/w〉l. 0 ;第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極在陶瓷主體內(nèi)使介電層置于第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電 極之間，當(dāng)在陶瓷主體的沿厚度方向的上部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度 為M1，并且在陶瓷主體的沿厚度方向的下部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度 為M2時(shí)，滿足MDM2。
[00巧]根據(jù)本公開的另一方面，一種其上安裝有多層陶瓷電子組件的板，所述板包括：印 刷電路板，第一電極焊盤和第二電極焊盤設(shè)置在印刷電路板上；多層陶瓷電子組件，安裝在 印刷電路板上。其中，多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，包括介電層，當(dāng)陶瓷主體的寬度為 W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿足t/w〉l. 0,陶瓷主體具有沿寬度方向彼此相對(duì)的第一側(cè)表 面和第二側(cè)表面；第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，堆疊為彼此面對(duì)，在陶瓷主體內(nèi)使介電層置于 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間；第一側(cè)邊緣部，形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度 方向的一側(cè)與第一側(cè)表面之間，并且包括位于第一側(cè)邊緣部的下部處的第一聲學(xué)噪聲減小 部；第二側(cè)邊緣部，形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的另一側(cè)與第二側(cè)表面 之間，并且包括位于第二側(cè)邊緣部的下部處的第二聲學(xué)噪聲減小部。
[0036] 根據(jù)本公開的另一方面，一種多層陶瓷電子組件包括；主體，厚度（t)和寬度（W) 滿足式子t/w〉1.0,其中，主體包括其間設(shè)置有介電層且沿厚度方向水平設(shè)置的多個(gè)內(nèi)電 極；主體的上部，包括平均寬度為Ml的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極；主體的下部，包括平均寬 度為M2的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，Ml大于M2 (M1〉M。。
[0037] 根據(jù)本公開的另一方面，一種多層陶瓷電子組件包括；主體，厚度（t)和寬度（W) 滿足式t/w〉1.0并且具有沿寬度方向的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面，其中，主體包括其間設(shè) 置有介電層且沿厚度方向水平設(shè)置的具有一致的和/或改變的寬度的多個(gè)內(nèi)電極；主體的 上部，包括平均寬度為Ml的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，上部還包括形成在第一內(nèi)電 極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的一側(cè)與所述第一側(cè)表面之間的側(cè)邊緣；主體的下部，包括 平均寬度為M2的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，下部還包括形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi) 電極的沿寬度方向的一側(cè)與所述第一側(cè)表面之間的側(cè)邊緣，其中，主體的上部的側(cè)邊緣在 寬度上比下部的側(cè)邊緣平均更窄。
[0038] 根據(jù)本公開的另一方面，一種安裝有多層電子陶瓷組件的板，所述板包括；印刷電 路板，第一電極焊盤和第二電極焊盤設(shè)置在印刷電路板上；多層陶瓷電子組件，安裝在印 刷電路板上。其中，所述多層電子陶瓷組件包括：主體，厚度（t)和寬度（W)滿足式子V w〉1.0,其中，主體包括其間設(shè)置有介電層且沿厚度方向水平設(shè)置的多個(gè)內(nèi)電極；主體的上 部，包括平均寬度為Ml的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極；主體的下部，包括平均寬度為M2的第 一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，Ml大于M2 (MDM2)。
[0039] 根據(jù)本公開的另一方面，一種安裝有多層陶瓷電子組件的板，所述板包括；印刷電 路板，第一電極焊盤和第二電極焊盤設(shè)置在印刷電路板上；多層陶瓷電子組件，安裝在印刷 電路板上。其中，所述多層陶瓷電子組件包括；主體，厚度（t)和寬度（W)滿足式t/w〉1.0 并且具有沿寬度方向的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面，其中，主體包括其間設(shè)置有介電層且沿 厚度方向水平設(shè)置的具有一致的和/或改變的寬度的多個(gè)內(nèi)電極；主體的上部，包括平均 寬度為Ml的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，上部還包括形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極 的沿寬度方向的一側(cè)與所述第一側(cè)表面之間的側(cè)邊緣；主體的下部，包括平均寬度為M2的 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，下部還包括形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方 向的一側(cè)與所述第一側(cè)表面之間的側(cè)邊緣，其中，主體的上部的側(cè)邊緣在寬度方面比下部 的側(cè)邊緣平均更窄。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0040] 通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開的W上和其它方面、特征和其它優(yōu)點(diǎn) 將會(huì)被更清楚地理解，在附圖中：
[0041] 圖1是示意性地示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器的局部剖開 透視圖；
[0042] 圖2A至圖2G是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器的沿寬度-厚度方 向截取的剖視圖；
[0043] 圖3是其上安裝有圖1的多層陶瓷電容器的印刷電路板的透視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044] 現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述本公開的示例性實(shí)施例。
[0045] 然而，本公開可很多不同的形式來舉例說明，并不應(yīng)該被解釋為局限于在此 闡述的特定實(shí)施例。相反，提供該些實(shí)施例使得本公開將是徹底的和完整的，且該些實(shí)施例 將把本公開的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0046] 在附圖中，為了清晰起見，可夸大元件的形狀和尺寸，將始終使用相同的附圖標(biāo)號(hào) 來表示相同或相似的元件。
[0047] 《房陶瓷由子紐件
[0048] 圖1是示意性地示出根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器的局部剖開 透視圖。
[0049] 圖2A是圖1的多層陶瓷電容器的沿寬度-厚度方向截取的剖視圖。
[0050] 參照?qǐng)D1和圖2A，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件可W包括；陶 瓷主體10,包括介電層11，當(dāng)陶瓷主體的寬度為W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿足下式t/ w〉l. 0,陶瓷主體具有六面體形狀；堆疊為彼此面對(duì)的第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22,使介 電層置于第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22之間，并且在陶瓷主體10內(nèi)，其中，當(dāng)在陶瓷主體 的沿厚度方向的上部T1處堆疊的第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22的平均寬度為M1，在陶 瓷主體的沿厚度方向的下部T2處堆疊的第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22的平均寬度為M2 時(shí)，滿足下式；MDM2。
[0051] 在下文中，將描述根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件，具體地，多層 陶瓷電容器。然而，本公開不限于此。
[0052] 陶瓷主體10的形狀不受具體限制。例如，陶瓷主體10可具有六面體的形狀。
[0053] 在根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器中，"長度方向"指圖1的"L"方 向，"寬度方向"指圖1的"W"方向，"厚度方向"指圖1的"T"方向。該里，"厚度方向"指 介電層堆疊所沿的方向，即，"堆疊方向"。
[0054] 在本公開的示例性實(shí)施例中，陶瓷主體10具有沿寬度方向彼此相對(duì)的第一側(cè)表 面和第二側(cè)表面、沿長度方向彼此相對(duì)的第一端表面和第二端表面W及沿厚度方向彼此相 對(duì)的第一主表面和第二主表面。第一主表面和第二主表面指上表面和下表面。
[00巧]根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器1包括；陶瓷主體10,包括介電層 11，當(dāng)陶瓷主體的寬度為W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿足下式t/w〉l. 0 ;堆疊為彼此面對(duì) 的第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22,使介電層11置于第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22之間， 并且在陶瓷主體10內(nèi)。
[0056] 另外，為了保護(hù)內(nèi)電極免受外部沖擊的影響，陶瓷主體10包括上覆蓋層和下覆蓋 層，上覆蓋層設(shè)置在最上面的內(nèi)電極之上，下覆蓋層設(shè)置在最下面的內(nèi)電極之下。上覆蓋層 和下覆蓋層可W由與介電層的材料相同的材料形成。
[0057] 第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22不受具體限制，例如，可W由導(dǎo)電膏形成，所述導(dǎo) 電膏由從貴金屬材料、媒（Ni)和銅（化）組成的組中選擇的至少一種形成，所述貴金屬材料 為諸如把（Pd)或把-銀（Pd-Ag)合金等。
[0058] 介電層11可W包括具有高介電常數(shù)的陶瓷粉末，例如，鐵酸頓炬aTi〇3)基粉末或 鐵酸餓（SrTi〇3)基粉末。然而，本公開不限于此。
[0059] 同時(shí)，作為具有不同極性的一對(duì)電極一第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22可通過在 介電層11上W預(yù)定的厚度印刷包括導(dǎo)電金屬的導(dǎo)電膏來形成。
[0060] 第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22在燒制（fire)之后的平均厚度不受具體限制，只 要可W產(chǎn)生電容即可。例如，平均厚度可W為大約〇.6um或更小。
[0061] 如圖2A所示，可從圖像來測量第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22的平均厚度，其中， 通過使用掃描電子顯微鏡（SEM)掃描陶瓷主體10的沿寬度方向的橫截面來獲得該圖像。
[0062] 例如，如圖2A所示，對(duì)于從圖像（通過使用掃描電子顯微鏡（SEM)掃描陶瓷主體 10的沿陶瓷主體10的長度（L)方向的中也部分截取的在寬度和厚度（W-T)方向上的橫截 面而獲得）提取的任意內(nèi)電極，可沿寬度方向相等的間隔而設(shè)置的H十個(gè)點(diǎn)來測量介 電層的厚度。
[0063] 可W在電容形成部（屬于第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極彼此疊置的區(qū)域）中測量 W相等間隔設(shè)置的H十個(gè)點(diǎn)。
[0064] 另外，當(dāng)測量了十個(gè)或更多個(gè)內(nèi)電極的平均厚度時(shí)，可W進(jìn)一步地歸納內(nèi)電極的 平均厚度。
[0065] 另外，第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22可W通過陶瓷主體的在介電層11堆疊所沿 的方向上的兩個(gè)端表面交替地暴露，并且可通過設(shè)置在它們之間的介電層11彼此電絕緣。
[0066] 第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22通過它們的通過陶瓷主體10的兩個(gè)端表面而交 替地暴露的部分，分別電連接到第一外電極31和第二外電極32。
[0067] 因此，當(dāng)對(duì)第一外電極31和第二外電極32施加電壓時(shí)，電荷積聚在彼此面對(duì)的第 一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22之間。在該種情況下，多層陶瓷電容器1的電容可W與第一 內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22彼此疊置的區(qū)域的面積成比例。
[0068] 為了形成電容，第一外電極31和第二外電極32可W形成在陶瓷主體10的外部 上，并且可W分別電連接到第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22。
[0069] 第一外電極31和第二外電極32可W由與內(nèi)電極的材料相同的導(dǎo)電材料形成，但 是不限于此。例如，第一外電極31和第二外電極32可W由銅（化）、銀（Ag)或媒（Ni)等形 成。
[0070] 第一外電極31和第二外電極32可W通過涂敷然后燒結(jié)導(dǎo)電膏（通過將玻璃粉添 加到金屬粉末而制備）來形成。
[0071] 陶瓷主體10可W通過將多個(gè)介電層11層疊然后燒制來形成。陶瓷主體10的形 狀和尺寸W及堆疊的介電層11的數(shù)量不限于本實(shí)施例中示出的情況。
[0072] 另外，形成陶瓷主體10的多個(gè)介電層11可W處于燒結(jié)態(tài)。鄰近的介電層11可W 彼此成為一體，使得它們之間的邊界在不使用掃描電子顯微鏡（SEM)的情況下是不容易顯 見的。
[0073] 根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，介電層11的平均厚度可W依據(jù)多層陶瓷電容器1的 電容設(shè)計(jì)而任意地改變，但是在燒結(jié)介電層11之后為大約0. 1 y m至大約0. 6 y m。
[0074] 如圖2A所示，可W通過圖像（使用掃描電子顯微鏡（SEM)掃描陶瓷主體10的沿 寬度方向的橫截面而獲得）來測量介電層11的平均厚度td，可W通過與測量內(nèi)電極的平均 厚度的方法相似的方法來執(zhí)行上述測量。
[00巧]堆疊的介電層11的數(shù)量不受具體限制，但是，例如可W為500個(gè)或更多個(gè)。
[0076] 堆疊的介電層11的數(shù)量可W為500個(gè)或更多個(gè)，從而可W實(shí)現(xiàn)包括厚度t大于寬 度W的陶瓷主體的高電容多層陶瓷電容器。
[0077] 同時(shí)，當(dāng)陶瓷主體10的寬度為W且陶瓷主體10的厚度為t時(shí)，滿足下式；t/w〉l. 0。
[0078] 在根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的為了實(shí)現(xiàn)高電容而增加了堆疊的層的數(shù)量的多 層陶瓷電容器1中，陶瓷主體10的厚度t大于陶瓷主體10的寬度W。
[0079] 一般的多層陶瓷電容器已經(jīng)被制造為具有大體上彼此相同的寬度和厚度。
[0080] 然而，因?yàn)楦鶕?jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器被小型化，所W當(dāng)在板 上安裝該多層陶瓷電容器時(shí)可W保證足夠的空間。因此，為了實(shí)現(xiàn)高電容多層陶瓷電容器， 可W增加堆疊的層的數(shù)量。
[0081] 隨著如上所述地增加堆疊的層的數(shù)量，因?yàn)樘沾芍黧w中的堆疊方向?yàn)楹穸确较颍?所W陶瓷主體10的厚度t和寬度W之間的關(guān)系滿足下式；t/w〉1.0。更恰當(dāng)?shù)?，可W將陶瓷 主體10構(gòu)造為厚度與寬度之比滿足下式；1. 2《t/w《3. 0。
[0082] 在將多層陶瓷電容器制造為陶瓷主體的厚度t和寬度W之間的關(guān)系滿足式子t/ w〉l. 0的情況下，當(dāng)在板上安裝多層陶瓷電容時(shí)會(huì)進(jìn)一步地增大由于壓電現(xiàn)象而導(dǎo)致的聲 學(xué)噪聲。
[0083] 然而，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，可W控制內(nèi)電極和邊緣部分（margin part)的 寬度，從而可w獲得使聲學(xué)噪聲減小的多層陶瓷電容器。
[0084] 當(dāng)對(duì)形成在陶瓷主體的兩個(gè)端部上的第一外電極和第二外電極施加具有不同極 性的電壓時(shí)，陶瓷主體會(huì)因介電層11的逆壓電效應(yīng)而沿厚度方向擴(kuò)張和收縮，并且第一外 電極和第二外電極的兩個(gè)端部會(huì)因泊松效應(yīng)而在與陶瓷主體的在厚度方向上的擴(kuò)張和收 縮相反的方向上收縮和擴(kuò)張。由陶瓷主體與第一外電極和第二外電極的收縮和擴(kuò)張而導(dǎo)致 的多層陶瓷電容器的振動(dòng)會(huì)傳遞到板，板會(huì)變成振動(dòng)的聲福射表面而產(chǎn)生噪聲（稱作聲學(xué) 噪聲）。
[0085] 在本公開的示例性實(shí)施例中，為了減小聲學(xué)噪聲，內(nèi)電極21和內(nèi)電極22可W按如 下方式形成：當(dāng)在陶瓷主體的沿厚度方向的上部T1處堆疊的第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極 22的平均寬度為Ml，在陶瓷主體的沿厚度方向的下部T2處堆疊的第一內(nèi)電極21和第二內(nèi) 電極22的平均寬度為M2時(shí)，滿足下式；MDM2。
[0086] 如圖2A所示，內(nèi)電極的寬度是按內(nèi)電極的沿寬度方向的兩側(cè)之間的距離We來測 量的。
[0087] 在本公開的示例性實(shí)施例中，可與陶瓷主體的厚度的一半對(duì)應(yīng)的點(diǎn)為基準(zhǔn)來 劃分陶瓷主體的沿厚度方向的上部和下部。
[0088] 形成在陶瓷主體的上部和下部處的內(nèi)電極的寬度彼此不同，從而從內(nèi)電極的側(cè)部 到陶瓷主體的在其上部和下部處的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離可W彼此不同。因此， 依賴逆壓電效應(yīng)的在陶瓷主體的上部和下部處的變形率彼此不同，從而可W減小聲學(xué)噪 聲。目P，可W減小在陶瓷主體的下部處的內(nèi)電極的寬度，W減小陶瓷主體的下部處的變形 率。在陶瓷主體的鄰近板的下部處的變形率減小的情況下，傳遞到板的振動(dòng)減小，從而降低 了聲學(xué)噪聲。
[0089] 具體地，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，形成在陶瓷主體的上部處的內(nèi)電極的寬度 可W比形成在陶瓷主體的下部處的內(nèi)電極的寬度寬，從而在減小聲學(xué)噪聲的同時(shí)基本上使 電容最小化。
[0090] 更恰當(dāng)?shù)?，Ml和M2滿足下式；0. 85《M2/M1《0. 97。
[0091] 在M2/M1超過0.97的情況下，聲學(xué)噪聲的減小效果不會(huì)充分大，在M2/M1在0.85 至0.97范圍內(nèi)的情況下，顯著地減小了聲學(xué)噪聲。然而，在M2/M1小于0.85(邊界值）的 情況下，與M2/M1在0. 85至0. 97范圍內(nèi)的情況相比，會(huì)無法顯著地改善聲學(xué)噪聲的減小效 果，而是會(huì)連續(xù)地減小電容。
[0092] 因此，鑒于使聲學(xué)噪聲和電容減小最小化，內(nèi)電極形成為滿足下式是有利的： 0. 85《M2/M1《0. 97。
[0093] 此外，當(dāng)從第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的具有最小寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到陶瓷主 體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離分別為al和a2,并且從第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中 的具有最大寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到陶瓷主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離分別為bl 和b2時(shí)，滿足下式；0. 70《化l+b2V(al+a2)《0. 93。
[0094] 在滿足0.70《（bl+b2V(al+a2)《0.93的情況下，改善了聲學(xué)噪聲并保證了目 柄電各。
[0095] 此外，參照?qǐng)D2A，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電子組件可W包括；陶 瓷主體10,包括介電層11，當(dāng)陶瓷主體的寬度為W并且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿足下式t/ w〉l. 0,陶瓷主體10具有沿寬度方向彼此相對(duì)的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面，并且具有六面 體形狀；第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22,堆疊為彼此面對(duì)，使介電層置于第一內(nèi)電極21和 第二內(nèi)電極22之間，并且在陶瓷主體10內(nèi)；第一側(cè)邊緣部41，形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi) 電極的沿寬度方向的一側(cè)與第一側(cè)表面之間，并包括位于第一側(cè)邊緣部41的下部處的第 一聲學(xué)噪聲減小部41' ；第二側(cè)邊緣部42,形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向 的另一側(cè)與第二側(cè)表面之間，并包括位于第二側(cè)邊緣部42的下部處的第二聲學(xué)噪聲減小 部 42'。
[0096] 可W控制形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的一側(cè)與第一側(cè)表面之 間的第一側(cè)邊緣部的寬度W及形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的另一側(cè)與 第二側(cè)表面之間的第二側(cè)邊緣部分的寬度，從而減小聲學(xué)噪聲。
[0097] 具體地，第一側(cè)邊緣部41和第二側(cè)邊緣部42可W包括分別位于第一側(cè)邊緣部41 和第二側(cè)邊緣部42的下部處的聲學(xué)噪聲減小部41'和42'。聲學(xué)噪聲減小部的平均寬度 可W比第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部的平均寬度寬。換言之，第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣 部可W包括位于第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部的下部處的寬的側(cè)邊緣部（聲學(xué)噪聲減小 部），W減小在陶瓷主體的下部處的變形率，從而減小聲學(xué)噪聲。
[0098] 目P，側(cè)邊緣部分的沿著與使第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極暴露的方向垂直的方向的寬 度可W彼此不同，W不同地控制在陶瓷主體的在內(nèi)電極堆疊所沿的方向上的上部和下部的 變形率，從而使聲學(xué)噪聲減小。
[0099] 圖2B至圖2G是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層電容器的沿寬度-厚度方向截 取的剖視圖。
[0100] 如圖2B所示，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，第一內(nèi)電極21的寬度和第二內(nèi)電極22 的寬度可W從陶瓷主體的沿堆疊方向的上部向陶瓷主體的沿堆疊方向的下部逐漸地減小。 換言之，由陶瓷主體的W-T橫截面表示的內(nèi)電極的整個(gè)外形可W具有其寬度朝向下部減小 的倒梯形形狀。當(dāng)在陶瓷主體的沿厚度方向的上部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平 均寬度為M1，在陶瓷主體的沿厚度方向的下部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬 度為M2時(shí)，在內(nèi)電極的寬度逐漸地改變同時(shí)滿足式子0. 85《M2/M1《0. 97的情況下，可 W顯著地減少由于內(nèi)電極的寬度之間的不同而導(dǎo)致的臺(tái)階的產(chǎn)生。
[0101] 根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，如圖2C所示，第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22可W 在陶瓷主體的上部處具有一致的寬度，而在陶瓷主體的下部處具有朝向陶瓷主體的底表面 逐漸變窄的寬度。
[0102] 根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，如圖2D所示，第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22的寬 度可W在陶瓷主體的上部處和下部的與陶瓷主體的上部相鄰的部分處相對(duì)地寬，第一內(nèi)電 極21和第二內(nèi)電極22的寬度可W在陶瓷主體的下部的剩余部分處相對(duì)地窄。
[0103] 根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，如圖2E所示，第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22的寬 度可W在陶瓷主體的上部處和下部的與陶瓷主體的上部相鄰的部分處相對(duì)地寬，第一內(nèi)電 極21和第二內(nèi)電極22的寬度可W在陶瓷主體的下部的剩余部分處相對(duì)地窄并且可W朝向 陶瓷主體的底表面逐漸地變窄。
[0104] 根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，如圖2F所示，第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22可W 在陶瓷主體的上部處相對(duì)寬，第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22可W在陶瓷主體的下部處相 對(duì)窄，其中，設(shè)置在陶瓷主體的下部處的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的寬度可w按兩個(gè)或更 多個(gè)部分逐步地變得更窄。
[0105] 可選擇地，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，如圖2G所示，第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電 極22的寬度可W在陶瓷主體的上部處一致地寬，而第一內(nèi)電極21和第二內(nèi)電極22的寬度 可W在陶瓷主體的下部的與陶瓷主體的上部相鄰的部分處逐漸地減小，第一內(nèi)電極21和 第二內(nèi)電極22的寬度可W在陶瓷主體的下部的與陶瓷主體的底表面相鄰的剩余部分處一 致地窄。
[0106] 為了使根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的多層陶瓷電容器安裝在板上產(chǎn)生聲學(xué)噪聲 減小效果，需要將多層陶瓷電容器在板上安裝成使得陶瓷主體的使內(nèi)電極的平均寬度窄的 下部與板相鄰。
[0107] 因此，為了使陶瓷主體的上部和下部區(qū)別開，陶瓷主體的上覆蓋層或下覆蓋層可 W包括由具有亮度或顏色差異的介電層形成的區(qū)別部（未示出）。根據(jù)本公開的示例性實(shí) 施例，區(qū)別部可W是通過燒結(jié)單個(gè)陶瓷生片或?qū)盈B多個(gè)陶瓷生片而形成的介電層。形成區(qū) 別部的介電層可W通過將從由Ni、Mn、化和V組成的組中選擇的至少一種金屬添加其中而 在陶瓷主體10的外部處具有的亮度或顏色的差異。
[0108] 可選擇地，可W對(duì)上覆蓋層或下覆蓋層執(zhí)行激光標(biāo)記，從而即使在燒結(jié)陶瓷生片 之后也允許標(biāo)記或符號(hào)留在上覆蓋層或下覆蓋層上，由此使得陶瓷主體的上部和下相互區(qū) 分開。
[0109] 根據(jù)本公開的另一個(gè)示例性實(shí)施例，多層陶瓷電子組件可W包括；陶瓷主體，包括 介電層，當(dāng)陶瓷主體的寬度為W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿足下式t/w〉l. 0,陶瓷主體具有 六面體形狀；第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，堆疊為彼此面對(duì)，使介電層置于第一內(nèi)電極和第二 內(nèi)電極之間，并且在陶瓷主體10內(nèi)，其中，當(dāng)在陶瓷主體的沿厚度方向的上部處堆疊的第 一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為M1，在陶瓷主體的沿厚度方向的下部處堆疊的第一內(nèi) 電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為M2時(shí)，M2/M1之值在聲學(xué)噪聲小于20地并且電容減小率 小于8%的范圍內(nèi)。
[0110] 因?yàn)楦鶕?jù)本公開的本實(shí)施例的多層陶瓷電容器的特征與根據(jù)本公開的上述實(shí)施 例的多層陶瓷電容器的特征相同，所W將省略對(duì)其詳細(xì)的描述。
[0111] 在下文中，盡管將參照示例詳細(xì)地描述本公開，但是不限于此。 ?！璢巧h安裝有《房陶瓷由容器的板
[0113] 圖3是其上安裝有圖1的多層陶瓷電容器的印刷電路板的透視圖。
[0114] 參照?qǐng)D3,根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的其上安裝有多層陶瓷電容器1的板200可 W包括；印刷電路板210,多層陶瓷電容器1安裝在印刷電路板210上；第一電極焊盤221 和第二電極焊盤222,形成在印刷電路板210的上表面上，W彼此分隔開。
[0115] 該里，多層陶瓷電容器1的第一外電極31和第二外電極32可W在它們分別接觸 第一電極焊盤221和第二電極焊盤222的狀態(tài)下通過焊料230電連接到印刷電路板210。
[0116] 根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，其上安裝有多層陶瓷電子組件的板可W包括；印刷 電路板210,第一電極焊盤221和第二電極焊盤222設(shè)置在印刷電路板210上；多層陶瓷電 子組件1，安裝在印刷電路板上，其中，多層陶瓷電子組件包括陶瓷主體W及第一內(nèi)電極和 第二內(nèi)電極，所述陶瓷主體包括介電層，當(dāng)陶瓷主體的寬度為W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)， 滿足下式t/w〉l. 0,陶瓷主體具有六面體形狀；第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極堆疊為彼此面對(duì)， 使介電層置于第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間層，并且在陶瓷主體內(nèi)，當(dāng)在陶瓷主體的沿厚 度方向的上部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為Ml，在陶瓷主體的沿厚度方 向的下部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為M2時(shí)，滿足下式；MDM2。
[0117] 此外，根據(jù)本公開的另一個(gè)示例性實(shí)施例，其上安裝有多層陶瓷電子組件的板可 W包括第一電極焊盤221和第二電極焊盤222設(shè)置在其上的印刷電路板210 W及安裝在印 刷電路板上的多層陶瓷電子組件1，其中，多層陶瓷電子組件包括；陶瓷主體，包括介電層， 當(dāng)陶瓷主體的寬度為W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿足式子t/w〉l. 0,陶瓷主體具有沿寬度 方向彼此相對(duì)的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面，并且具有六面體形狀；第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電 極堆疊為彼此面對(duì)，使介電層置于第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間，并且在陶瓷主體內(nèi)；第一 側(cè)邊緣部，形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的一側(cè)與第一側(cè)表面之間，并包 括位于第一側(cè)邊緣部的下部處的第一聲學(xué)噪聲減小部；第二側(cè)邊緣部，形成在第一內(nèi)電極 和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的另一側(cè)與第二側(cè)表面之間，并包括位于第二側(cè)邊緣部的下部 處的第二聲學(xué)噪聲減小部。
[0118] 該里，為了避免兀余的描述，將省略對(duì)于與上述多層陶瓷電容器的內(nèi)容相同的內(nèi) 容的描述。 。。引 連輪示例
[0120] 執(zhí)行實(shí)驗(yàn)示例，從而當(dāng)在陶瓷主體的沿厚度方向的上部堆疊的第一內(nèi)電極和第二 內(nèi)電極的平均寬度為M1，在陶瓷主體的沿厚度方向的下部堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極 的平均寬度為M2時(shí)，根據(jù)M2/M2的值，測量聲學(xué)噪聲W及是否在多層陶瓷電容器中實(shí)現(xiàn)了 目標(biāo)電容。
[0121] 如下制造根據(jù)實(shí)驗(yàn)示例的多層陶瓷電容器。
[0122] 首先，將包括諸如鐵酸頓炬aTi〇3)粉末等的平均粒度為0. 1 y m的粉末的漿料涂 敷到載體膜并將其干燥，W制備具有1. 05 y m至0. 95 y m厚度的多個(gè)陶瓷生片，從而形成介 電層。
[0123] 接下來，制備包含40重量份至50重量份的媒粉末的用于內(nèi)電極的導(dǎo)電膏，其中， 媒粉末的平均粒度為0. 1 y m至0. 2 y m。
[0124] 通過絲網(wǎng)印刷法將用于內(nèi)電極的導(dǎo)電膏涂覆到陶瓷生片，W形成內(nèi)電極，將500 個(gè)或更多個(gè)陶瓷生片堆疊，W制造具有不同M2/M1值的多個(gè)堆疊主體。
[0125] 然后，壓制并切割堆疊主體，W制造厚度與寬度之比超過1的0603 (長度X寬度） 尺寸的片，在&為0. 1%或更少的還原氣氛下W l〇5(TC至120(TC的溫度燒結(jié)片。
[0126] 在燒結(jié)片之前，通過拋光裝置對(duì)片的各個(gè)角和頂點(diǎn)執(zhí)行拋光工藝。
[0127] 接下來，執(zhí)行諸如外電極形成工藝和鍛層形成工藝等的工藝，W制造多層陶瓷電 容器。
[0128] 下面的表1示出了在M2/M1值依據(jù)陶瓷主體內(nèi)的內(nèi)電極的各種形狀而改變的情況 下的聲學(xué)噪聲和是否已經(jīng)實(shí)現(xiàn)目標(biāo)電容。
[0129] [表 U
[0130]
【權(quán)利要求】
1. 一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括： 陶瓷主體，包括介電層，當(dāng)陶瓷主體的寬度為W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿足t/ w〉l. 0 ; W及 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，堆疊為彼此面對(duì)，在陶瓷主體內(nèi)使介電層置于第一內(nèi)電極 和第二內(nèi)電極之間， 其中，當(dāng)在陶瓷主體的沿厚度方向的上部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬 度為M1，并且在陶瓷主體的沿厚度方向的下部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬 度為M2時(shí)，滿足MDM2。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，Ml和M2滿足0.85《M2/ Ml《0. 97。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，當(dāng)從第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中 的具有最小寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到陶瓷主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離分別為al 和a2,并且從第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的具有最大寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到陶瓷主體的第 一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離分別為bl和b2時(shí)，滿足0. 70《化l+b2V(al+a2)《0. 93。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，第一內(nèi)電極的寬度和第二內(nèi)電極 的寬度逐漸地減小。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，第一內(nèi)電極的寬度和第二內(nèi)電極 的寬度在陶瓷主體的沿厚度方向的上部處一致，并且在陶瓷主體的沿厚度方向的下部處逐 漸地減小。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，第一內(nèi)電極的寬度和第二內(nèi)電極 的寬度減小同時(shí)形成臺(tái)階。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，第一內(nèi)電極的寬度和第二內(nèi)電極 的寬度在陶瓷主體的沿厚度方向的上部處一致，并且在陶瓷主體的沿厚度方向的下部處減 小W形成臺(tái)階。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，第一內(nèi)電極的寬度和第二內(nèi)電極 的寬度在陶瓷主體的上部處和所述下部的與陶瓷主體的上部相鄰的部分處一致，并且在下 部的剩余部分處減小。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，陶瓷主體的寬度和厚度滿足 1. 2《t/w《3. 0。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述陶瓷主體包括用于使陶瓷主 體的上部和下部相互區(qū)別開的區(qū)別部。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述區(qū)別部包括介電層，從由 Ni、Mn、化和V組成的組中選擇的至少一種金屬被添加到所述介電層中。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層陶瓷電子組件，其中，區(qū)別部是通過激光標(biāo)記產(chǎn)生的 標(biāo)記。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，介電層W 500個(gè)或更多個(gè)層的量 堆疊。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極沿陶瓷 主體的厚度方向堆疊。
15. -種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括： 陶瓷主體，包括介電層，當(dāng)陶瓷主體的寬度為W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿足t/ w〉l. 0,陶瓷主體具有沿寬度方向彼此相對(duì)的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面； 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，堆疊為彼此面對(duì)，在陶瓷主體內(nèi)使介電層置于具第一內(nèi)電 極和第二內(nèi)電極； 第一側(cè)邊緣部，形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的一側(cè)與所述第一側(cè)表 面之間，并且包括位于第一側(cè)邊緣部的下部處的第一聲學(xué)噪聲減小部；W及 第二側(cè)邊緣部，形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的另一側(cè)與所述第二側(cè) 表面之間，并且包括位于第二側(cè)邊緣部的下部處的第二聲學(xué)噪聲減小部。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層陶瓷電子組件，其中，第一聲學(xué)噪聲減小部和第二聲 學(xué)噪聲減小部的平均寬度比第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部的平均寬度寬。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層陶瓷電子組件，其中，當(dāng)在陶瓷主體的沿厚度方向的 上部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為M1，并且在陶瓷主體的沿厚度方向的 下部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為M2時(shí)，滿足MDM2。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層陶瓷電子組件，其中，當(dāng)在陶瓷主體的沿厚度方向的 上部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為M1，并且在陶瓷主體的沿厚度方向的 下部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為M2時(shí)，滿足0.85《M2/M1《0.97。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層陶瓷電子組件，其中，當(dāng)從第一內(nèi)電極和第二內(nèi) 電極中的具有最小寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到陶瓷主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離 分別為al和a2,并且從第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的具有最大寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到 陶瓷主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離分別為bl和b2時(shí)，滿足0. 70《（bl+b2)/ (al+a。《0. 93。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的多層陶瓷電子組件，其中，第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的寬 度逐漸地減小。
21. -種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括： 陶瓷主體，包括介電層，當(dāng)陶瓷主體的寬度為W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿足t/ w〉l. 0 ; W及 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，堆疊為彼此面對(duì)，在陶瓷主體內(nèi)使介電層置于第一內(nèi)電極 和第二內(nèi)電極之間， 其中，當(dāng)在陶瓷主體的沿厚度方向的上部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬 度為M1，并且在陶瓷主體的沿厚度方向的下部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬 度為M2時(shí)，M2/M1的值在聲學(xué)噪聲小于20地且電容減小率小于8%的范圍內(nèi)。
22. -種安裝有多層陶瓷電子組件的板，所述板包括： 印刷電路板，第一電極焊盤和第二電極焊盤設(shè)置在印刷電路板上擬及 多層陶瓷電子組件，安裝在印刷電路板上， 其中，多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，包括介電層，當(dāng)陶瓷主體的寬度為W且陶瓷 主體的厚度為t時(shí)，滿足t/w〉1.0;第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，堆疊為彼此面對(duì)，在陶瓷主體 內(nèi)使介電層置于第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間， 當(dāng)在陶瓷主體的沿厚度方向的上部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為 Ml,并且在陶瓷主體的沿厚度方向的下部處堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為 M2時(shí)，滿足MDM2。
23. -種安裝有多層陶瓷電子組件的板，所述板包括：印刷電路板，第一電極焊盤和第 二電極焊盤設(shè)置在印刷電路板上；多層陶瓷電子組件，安裝在印刷電路板上， 其中，多層陶瓷電子組件包括： 陶瓷主體，包括介電層，當(dāng)陶瓷主體的寬度為W且陶瓷主體的厚度為t時(shí)，滿足t/ w〉l. 0,陶瓷主體具有沿寬度方向彼此相對(duì)的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面； 第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，堆疊為彼此面對(duì)，在陶瓷主體內(nèi)使介電層置于第一內(nèi)電極 和第二內(nèi)電極之間； 第一側(cè)邊緣部，形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的一側(cè)與所述第一側(cè)表 面之間，并且包括位于第一側(cè)邊緣部的下部處的第一聲學(xué)噪聲減小部；W及 第二側(cè)邊緣部，形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的另一側(cè)與所述第二側(cè) 表面之間，并且包括位于第二側(cè)邊緣部的下部處的第二聲學(xué)噪聲減小部。
24. -種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括： 主體，厚度t和寬度W滿足式子t/w〉l. 0,其中，主體包括其間設(shè)置有介電層且沿厚度方 向水平設(shè)置的多個(gè)內(nèi)電極； 主體的上部，包括平均寬度為Ml的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極； 主體的下部，包括平均寬度為M2的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，Ml大于M2。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的多層陶瓷電子組件，其中，Ml和M2滿足0.85《M2/ Ml《0. 97。
26. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的多層陶瓷電子組件，其中，與M2/M1《0. 99的同樣的多層 陶瓷電子組件相比，由多層陶瓷電子組件產(chǎn)生的聲學(xué)噪聲小于20地，同時(shí)電容減小率小于 8%。
27. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的多層陶瓷電子組件，其中，t和W滿足1. 2《t/w《3. 0。
28. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的多層陶瓷電子組件，其中，多個(gè)內(nèi)電極包括具有一致的和/ 或變化的寬度的電極。
29. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的多層陶瓷電子組件，其中，多層陶瓷電子組件包括500個(gè)或 更多個(gè)設(shè)置在內(nèi)電極之間的介電層。
30. -種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括： 主體，厚度t和寬度W滿足式t/w〉l. 0并且具有沿寬度方向的第一側(cè)表面和第二側(cè)表 面，其中，主體包括其間設(shè)置有介電層且沿厚度方向水平設(shè)置的具有一致的和/或改變的 寬度的多個(gè)內(nèi)電極； 主體的上部，包括平均寬度為Ml的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，上部還包括形成 在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的一側(cè)與所述第一側(cè)表面之間的側(cè)邊緣； 主體的下部，包括平均寬度為M2的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，下部還包括形成 在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的一側(cè)與所述第一側(cè)表面之間的側(cè)邊緣； 其中，主體的上部的側(cè)邊緣的平均寬度比下部的側(cè)邊緣的平均寬度窄。
31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的多層陶瓷電子組件，其中，Ml大于M2。
32. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的多層陶瓷電子組件，其中，Ml和M2滿足0.85《M2/ Ml《0. 97。
33. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的多層陶瓷電子組件，其中，與M2/M1《0. 99的同樣的多層 陶瓷電子組件相比，由多層陶瓷電子組件產(chǎn)生的聲學(xué)噪聲小于20地，同時(shí)電容減小率小于 8%。
34. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的多層陶瓷電子組件，其中，t和W滿足1. 2《t/w《3. 0。
35. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的多層陶瓷電子組件，其中，多層陶瓷電子組件包括500個(gè)或 更多個(gè)設(shè)置在內(nèi)電極之間的介電層。
36. -種安裝有多層電子陶瓷組件的板，所述板包括：印刷電路板，第一電極焊盤和第 二電極焊盤設(shè)置在印刷電路板上；多層陶瓷電子組件，安裝在印刷電路板上， 其中，所述多層電子陶瓷組件包括： 主體，厚度t和寬度W滿足式子t/w〉1.0,其中，主體包括其間設(shè)置有介電層且沿厚度方 向水平設(shè)置的多個(gè)內(nèi)電極； 主體的上部，包括平均寬度為Ml的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極； 主體的下部，包括平均寬度為M2的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，Ml大于M2。
37. -種安裝有多層陶瓷電子組件的板，所述板包括：印刷電路板，第一電極焊盤和第 二電極焊盤設(shè)置在印刷電路板上；多層陶瓷電子組件，安裝在印刷電路板上， 其中，所述多層陶瓷電子組件包括： 主體，厚度t和寬度W滿足式t/w〉l. 0并且具有沿寬度方向的第一側(cè)表面和第二側(cè)表 面，其中，主體包括其間設(shè)置有介電層且沿厚度方向水平設(shè)置的具有一致的和/或改變的 寬度的多個(gè)內(nèi)電極； 主體的上部，包括平均寬度為Ml的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，上部還包括形成 在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的一側(cè)與所述第一側(cè)表面之間的側(cè)邊緣； 主體的下部，包括平均寬度為M2的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，其中，下部還包括形成 在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的一側(cè)與所述第一側(cè)表面之間的側(cè)邊緣； 其中，主體的上部的側(cè)邊緣的平均寬度比下部的側(cè)邊緣的平均寬度窄。
【文檔編號(hào)】H01G4/232GK104465085SQ201410326571
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年7月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月17日
【發(fā)明者】柳泰列, 小野雅章 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社