基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種帶隙漸變的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器的制備方法，屬于光電探測(cè)領(lǐng)域。即基于單基片上集成生長(zhǎng)的帶隙漸變的CdSSe三元合金半導(dǎo)體一維納米結(jié)構(gòu)的集成基片的寬帶高靈敏、大尺度、低成本光電探測(cè)器的制作，我們通過(guò)熱蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)的蒸鍍手段，在漸變生長(zhǎng)有不同組分的CdSxSe1-x(x從0到1)納米結(jié)構(gòu)(帶隙大小漸變)的基片上制作不同形狀和寬度的電極結(jié)構(gòu)，最后將整個(gè)基片作為探測(cè)單元，并與非線性電流放大電路連接，制作出可以覆蓋整個(gè)可見光區(qū)以及近紫外的寬帶高靈敏光電導(dǎo)探測(cè)器。
【專利說(shuō)明】基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作，屬于光 電探測(cè)領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體光電導(dǎo)探測(cè)器在國(guó)民經(jīng)濟(jì)和軍事的各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，如在可見光 或近紅外波段，主要用于輻射測(cè)量和探測(cè)、光度計(jì)量、攝像管靶面等等；在紅外波段主要用 于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像等方面。其中，具有寬帶光譜響應(yīng)的高靈敏度微型光探測(cè)器由于在 光學(xué)傳感、精確光譜測(cè)量等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力，逐漸成為光電探測(cè)領(lǐng)域研究的目標(biāo) 之一。
[0003] 目前市場(chǎng)化的光電探測(cè)器存在著諸多不足之處，例如：硅（間接帶隙半導(dǎo)體材料） 基光電探測(cè)器，雖然光譜響應(yīng)范圍較寬，但是，間接帶隙材料的特點(diǎn)決定了其效率、吸收系 數(shù)以及靈敏度等都低于直接帶隙半導(dǎo)體光電探測(cè)器。其大面積探測(cè)器制備難度較大，且依 托于傳統(tǒng)的微加工設(shè)備的制備工藝，成本較高。
[0004] 直接帶隙半導(dǎo)體探測(cè)器在可見區(qū)及紫外有更高的吸收系數(shù)，具有更高的信噪比。 然而，特定的直接帶隙半導(dǎo)體材料只對(duì)帶隙附近頻率的入射光子具有較高的響應(yīng)度和靈敏 度，因此半導(dǎo)體光電探測(cè)器只對(duì)某一個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光可以進(jìn)行高靈敏度探測(cè)。
[0005] 隨著合金半導(dǎo)體納米材料研究的展開，雖然多數(shù)人運(yùn)用化學(xué)氣相沉積的方法，實(shí) 現(xiàn)了不同組分的合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)（不同帶隙）在很小基片上的漸變生成，研究發(fā)現(xiàn)單 基片上漸變生長(zhǎng)的一維合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)具備很好的可調(diào)諧發(fā)光行為，同時(shí)理論上證明 三元或四元合金納米材料集成基片在光電轉(zhuǎn)換方面也有著潛在優(yōu)勢(shì)，如寬光譜響應(yīng)等特 點(diǎn)。
[0006] 本發(fā)明利用單基片上集成生長(zhǎng)的帶隙漸變的CdSSe合金納米結(jié)構(gòu)（從CdS均勻過(guò) 渡到CdSe的一維納米結(jié)構(gòu)的基片），通過(guò)對(duì)其光電性質(zhì)的研究，發(fā)現(xiàn)其具有優(yōu)良的光電導(dǎo) 性能。以此為基礎(chǔ)，我們實(shí)現(xiàn)寬帶高靈敏、大面積光電探測(cè)，克服了傳統(tǒng)光電探測(cè)器的缺點(diǎn) 并推進(jìn)了三元合金納米材料在光電探測(cè)領(lǐng)域的發(fā)展。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有光電探測(cè)技術(shù)中探測(cè)范圍內(nèi)響應(yīng)不均一、制作大面 積光電探測(cè)器成本高的問(wèn)題，提供一種基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的 制作，該方法實(shí)現(xiàn)了以單基片上漸變生長(zhǎng)的帶隙可調(diào)的CdSSe三元合金半導(dǎo)體一維納米結(jié) 構(gòu)為基礎(chǔ)的大面積1?靈敏響應(yīng)均一的光電探測(cè)器。
[0008] 本發(fā)明的目的是通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。
[0009] 基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作，具體步驟如下：
[0010] 步驟一：利用溫度和壓力可控的低成本CVD方法，通過(guò)控制反應(yīng)溫度（1000°C )升 溫速率（l〇°C /S-20°C /S)氣流和生長(zhǎng)時(shí)間（氣體流量：6sccm-20sccm，生長(zhǎng)時(shí)間：1小時(shí)-4 小時(shí)）條件，在單基片上集成組分漸變的合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)；
[0011] 步驟二：從步驟一所得的產(chǎn)物中選取優(yōu)良的樣品；
[0012] 步驟三：制作具有間隔的條形電極和叉指形電極的掩模板；
[0013] 步驟四：通過(guò)熱蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)的蒸鍍手段，在漸變分布的納米結(jié)構(gòu)的基片上 制作優(yōu)化的不同形狀和寬度的金屬電極結(jié)構(gòu)；
[0014] 步驟五：將步驟四中得到的產(chǎn)物與外圍非線性放大電路連接，得到基于大面積單 基片上集成生長(zhǎng)的帶隙漸變的CdSSe (硒硫化鎘）三元合金半導(dǎo)體一維納米結(jié)構(gòu)的光電探 測(cè)器。
[0015] 步驟一所述的單基片在使用前需要經(jīng)過(guò)預(yù)處理，處理方法為：在單基片上通過(guò)化 學(xué)氣相沉積方法得到三元CdSSe合金納米結(jié)構(gòu)，其中所用單基片在放入可快速升溫且可 長(zhǎng)時(shí)間維持恒溫的加熱裝置之前需經(jīng)小型離子濺射儀鍍金，在單基片表面形成厚度約為 200-500納米的金薄膜層。
[0016] 步驟二所述的優(yōu)良樣品的標(biāo)準(zhǔn)為：在室溫照明下可以看出生長(zhǎng)的樣品顏色從黃色 (顏色同CdS)漸變至黑色（顏色同CdSe)，在離焦下的266nm脈沖激光激發(fā)下樣品豐富的 光致發(fā)光情況：顏色從綠色（光致發(fā)光情況同純的CdS情況相同）漸變至紅色（光致發(fā)光 情況同純的CdSe情況相同）。
[0017] 步驟四所述的不同形狀和寬度的電極結(jié)構(gòu)包括叉指電極結(jié)構(gòu)和條形電極結(jié)構(gòu)，電 極結(jié)構(gòu)具體要求為：叉指電極覆蓋整個(gè)基片，電極的長(zhǎng)度和間距由基片大小決定，通常電極 的寬度為基片寬度的1/10到1/20之間。條形電極之間間隔要涵蓋所有微納結(jié)構(gòu)，電極寬 度為0. 5毫米至2毫米之間，厚度在微米量級(jí)。
[0018] 步驟四所述的通過(guò)熱蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)的手段在漸變生長(zhǎng)有不同組分納米結(jié)構(gòu) 的基片上制作條形電極結(jié)構(gòu)和叉指金屬電極結(jié)構(gòu)，后續(xù)的測(cè)試是基于半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)，采 用兩探針光電導(dǎo)測(cè)量方法。其中為了減小探針材料（此處所用為鎢）與金屬電極材料之間 的勢(shì)壘，此處電極材料優(yōu)選為鋁。（具體優(yōu)選材料要視探針材料而定。
[0019] 所述的外圍放大電路為非線性直流微電流放大電路（放大電路具有非線性增益， 暗電流放大倍數(shù)為1，而光電流越大放大倍數(shù)越大，最大增益1〇 3)。
[0020] 有益效果
[0021] 1、本發(fā)明的基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作，因?yàn)楸景l(fā)明 是以集成生長(zhǎng)的帶隙漸變的CdSSe三元合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)了可以覆蓋整個(gè) 可見光區(qū)以及近紫外的寬帶響應(yīng)較均一、高靈敏光電導(dǎo)探測(cè)，所以本發(fā)明集納米線光電導(dǎo) 探測(cè)器高靈敏的特點(diǎn)以及合金納米線峰值響應(yīng)可調(diào)的優(yōu)勢(shì)于一體，一定程度上克服了單一 半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的響應(yīng)不均一的問(wèn)題。
[0022] 2、本發(fā)明的基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作，由于CdSSe 合金納米結(jié)構(gòu)產(chǎn)生暗電流的有效界面很小，導(dǎo)致暗電流為其相應(yīng)的歸一化體相光探測(cè)器的 千分之一，所以大大增加探測(cè)器自身的信噪比。
[0023] 3、本發(fā)明的基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作，同樣可以利 用其他類的三元和四元合金制備此類光電探測(cè)器。拓寬了探測(cè)器的應(yīng)用領(lǐng)域
[0024] 4、本發(fā)明的基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作，由于采用成 本較低的化學(xué)氣相沉積的方法及熱蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)的蒸鍍的手段即可實(shí)現(xiàn)探測(cè)器的制 作，大大降低的探測(cè)器的制作成本，且可以制作較大面積的光電探測(cè)器。相對(duì)現(xiàn)有的大量使 用的硅基探測(cè)器，制作成本低，有效探測(cè)面積可以達(dá)到十幾 cm2。將在軍事和民用探測(cè)器領(lǐng) 域部分替代現(xiàn)有硅基探測(cè)器。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025] 圖1為實(shí)施例1中得到的鍍了不同形狀電極的不同基底的CdSSe單基片；
[0026] 圖2為實(shí)施例2得到的不同電極形狀下的相同功率的光照射下的光電流對(duì)比（偏 壓 10V);
[0027] 圖3為單基片集成的CdSSe合金納米結(jié)構(gòu)基片在不同電壓下的明暗電流示意圖；
[0028] 圖4為實(shí)施例4得到的在云母基底上的集成CdSSe納米結(jié)構(gòu)基片對(duì)不同照射波長(zhǎng) 的響應(yīng)度的變化；
[0029] 圖5為實(shí)施例4得到的低頻光照射下的光電流的變化。

【具體實(shí)施方式】
[0030] 下面結(jié)合具體實(shí)施例給出具體的實(shí)施方案。
[0031] 實(shí)施例1
[0032] 基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作，具體步驟如下：
[0033] 1.將硫化鎘和硒化鎘按照摩爾比為1 :1在研缽里均勻攪拌10分鐘；硅片用無(wú)水 乙醇在超聲波清洗儀里清洗10分鐘，干燥后用離子濺射儀鍍金60秒，清洗小型瓷質(zhì)容器和 耐高溫玻璃容器備用。然后把CdS (硫化鎘）和CdSe (硒化鎘）的混合物放入瓷質(zhì)容器內(nèi) 內(nèi)，并將瓷質(zhì)容器放在耐高溫玻璃容器的中央。在另外的瓷質(zhì)容器內(nèi)放入1片鍍金的硅片， 放在耐高溫玻璃容器氣流的下游，距離耐高溫玻璃容器中心位置11厘米處。把高溫玻璃容 器放入可快速升溫且可長(zhǎng)時(shí)間維持恒溫的加熱裝置內(nèi)，耐高溫玻璃容器的上游先連接流量 計(jì)，在連接排氣系統(tǒng)，下游連接廢氣處理系統(tǒng)，再通入氬氣和氫氣的混合氣，排氣1小時(shí)后， 將氣流量調(diào)整為6 SCCm，開始加熱，10分鐘之后加熱到1000°C，恒溫兩小時(shí)后，關(guān)閉可快速 升溫且可長(zhǎng)時(shí)間維持恒溫的加熱裝置，繼續(xù)通氣，直至冷卻到室溫，在襯底表面生成了顏色 從黃色漸變至黑色的絨狀產(chǎn)物，得到集成生長(zhǎng)的帶隙漸變的CdSSe三元合金半導(dǎo)體一維納 米結(jié)構(gòu)。
[0034] 2.從步驟1所得的產(chǎn)物中選取優(yōu)良的樣品；
[0035] 3.制作具有間隔的條形電極和叉指形電極的掩模板；
[0036] 4.然后通過(guò)熱蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)的蒸鍍手段，在漸變生長(zhǎng)有不同組分的 CdSxSel-X(X從0到1)納米結(jié)構(gòu)（帶隙大小漸變）的基片上制作不同形狀和寬度的金屬電 極結(jié)構(gòu)；
[0037] 通過(guò)以上步驟得到的樣品的形貌圖如圖1所示。
[0038] 實(shí)施例2
[0039] 基于半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)（Keithley-4200)，研究了鍍了不同電極材料，不同電極厚 度，不同電極形狀的漸變組分的CdSSe合金納米結(jié)構(gòu)基片在復(fù)色光（白光）照射下的光電 導(dǎo)特性，以及光電流的變化情況。步驟為：
[0040] 1.將硫化鎘和硒化鎘按照摩爾比為1 :1在研缽里均勻攪拌15分鐘；硅片（η型 硅，晶向?yàn)椤?〇〇>)用無(wú)水乙醇在超聲波清洗儀里清洗10分鐘，干燥后用離子濺射儀鍍金60 秒，清洗小型瓷質(zhì)容器和耐高溫玻璃容器備用。然后把CdS (硫化鎘）和CdSe (硒化鎘）的 混合物放入瓷質(zhì)容器內(nèi)內(nèi)，并將瓷質(zhì)容器放在耐高溫玻璃容器的中央。在另外的瓷質(zhì)容器 內(nèi)放入1片鍍金的硅片，放在耐高溫玻璃容器氣流的下游，距離耐高溫玻璃容器中心位置 11厘米處。把耐高溫玻璃容器放入可快速升溫且可長(zhǎng)時(shí)間維持恒溫的加熱裝置內(nèi)，耐高溫 玻璃容器的上游先連接流量計(jì)，在連接排氣系統(tǒng)，下游連接廢氣處理系統(tǒng)，再通入氬氣和氫 氣的混合氣，排氣2小時(shí)后，將氣流量調(diào)整為lOsccm，開始加熱，15分鐘之后加熱到1000°C， 恒溫兩小時(shí)后，關(guān)閉可快速升溫且可長(zhǎng)時(shí)間維持恒溫的加熱裝置，繼續(xù)通氣，直至冷卻到 室溫，在硅片表面生成了顏色從黃色漸變至黑色的絨狀產(chǎn)物，得到集成生長(zhǎng)的帶隙漸變的 CdSSe三元合金半導(dǎo)體一維納米結(jié)構(gòu)。
[0041] 2.從步驟1所得產(chǎn)物中選擇優(yōu)良的樣品；
[0042] 3.制作具有間隔的條形電極和叉指形電極的掩模板；
[0043] 4.通過(guò)利用熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)在硅基底生長(zhǎng)的CdSSe合金納米結(jié)構(gòu)上通過(guò)真空蒸鍍 的方法蒸鍍?nèi)鐖D2所示的不同厚度的帶狀和叉指型的金屬鋁電極，金電極，銀電極；
[0044] 5.對(duì)電極的材料，電極的厚度進(jìn)行優(yōu)化和選擇。電極材料優(yōu)選為鋁，厚度在 100-200nm范圍內(nèi)其光電導(dǎo)性能最佳；
[0045] 6.米用兩探針光電導(dǎo)測(cè)量方法，在有光照情況下（入射光功率為?5mW/cm2,寬光 譜光源），測(cè)量在一定偏壓下，不同電極形狀在相同功率的光照射下的光電流的變化情況， 如圖2所示，為偏壓為10伏時(shí)，鍍有叉指型電極和條形電極的硅基在光照下的光電流的變 化情況。.
[0046] 實(shí)施例3
[0047] 基于半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)，對(duì)不同基底下生長(zhǎng)的合金納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)試，著重測(cè)試了 各種基片上合成的納米結(jié)構(gòu)的光電導(dǎo)特性，，以及光電流/暗電流的變化情況。步驟為：
[0048] 1.將硫化鎘和硒化鎘按照摩爾比為1 :1在研缽里均勻攪拌20分鐘；不同厚度以 及不同種類的單基片[硅片（η型硅，晶向?yàn)椤?00>)，寶石片，云母片]用無(wú)水乙醇在超聲波 清洗儀里清洗10分鐘，干燥后用離子濺射儀鍍金60秒，清洗小型瓷質(zhì)容器和耐高溫玻璃容 器備用。然后把CdS (硫化鎘）和CdSe (硒化鎘）的混合物放入瓷質(zhì)容器內(nèi)內(nèi)，并將瓷質(zhì)容 器放在耐高溫玻璃容器的中央。在另外的瓷質(zhì)容器內(nèi)放入1片鍍金的單基片[硅片（η型 硅，晶向?yàn)椤?00>)，寶石片，云母片]，放在耐高溫玻璃容器氣流的下游，距離耐高溫玻璃容 器中心位置11厘米處。把耐高溫玻璃容器放入可快速升溫且可長(zhǎng)時(shí)間維持恒溫的加熱裝 置內(nèi)，耐高溫玻璃容器的上游先連接流量計(jì)，在連接排氣系統(tǒng)，下游連接廢氣處理系統(tǒng)，再 通入氦氣和氫氣的混合氣，排氣2小時(shí)后，將氣流量調(diào)整為15sccm，開始加熱，20分鐘之后 加熱到l〇〇〇°C，恒溫2. 5小時(shí)后，關(guān)閉可快速升溫且可長(zhǎng)時(shí)間維持恒溫的加熱裝置，繼續(xù)通 氣，直至冷卻到室溫，在襯底表面生成了顏色從黃色漸變至黑色的絨狀產(chǎn)物，得到集成生長(zhǎng) 的帶隙漸變的CdSSe三元合金半導(dǎo)體一維納米結(jié)構(gòu)。
[0049] 2.從步驟1所得產(chǎn)物中選擇優(yōu)良的樣品；
[0050] 3.制作具有間隔的條形電極和叉指形電極的掩模板；
[0051] 4.通過(guò)熱蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)的蒸鍍手段，在組分漸變分布的納米結(jié)構(gòu)上制作電極 結(jié)構(gòu)；
[0052] 5.用兩探針光電導(dǎo)測(cè)量方法，在有無(wú)光照（顯微鏡光功率為5mW/cm2,寬光譜光 源），測(cè)量特定偏壓的條件下，明暗電流的ι-v曲線；
[0053] 6.優(yōu)化并選擇合適的基片厚度；
[0054] 7.用兩探針光電導(dǎo)測(cè)量方法，在有無(wú)光照（顯微鏡光功率為5mW/cm2,寬光譜光 源），測(cè)量不同偏壓的條件下，明暗電流的ι-v曲線
[0055] 8.對(duì)所得數(shù)據(jù)進(jìn)行記錄與處理得到不同基底下明暗電流的變化情況，如圖3(虛 線以上為給光條件下，不同基底下集成的CdSSe納米結(jié)構(gòu)整體基片的電流值，虛線以下為 不同基底下對(duì)應(yīng)的暗電流）所見，以云母為基底的CdSSe合金納米結(jié)構(gòu)整體在不同電壓下 的明暗電流比值最大，硅次之，藍(lán)寶石最小以及不同襯底下明暗電流比的最大值以及平均 值，如表1所示。
[0056] 表1幾種不同基底的基片的明暗電流比
[0057]

【權(quán)利要求】
1. 基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作，其特征在于：具體步驟如 下： 步驟一：利用溫度和壓力可控的低成本CVD方法，通過(guò)控制反應(yīng)溫度（1000°C )升溫速 率（10°C /S-20°C S)氣流和生長(zhǎng)時(shí)間（氣體流量：6sccm-20sccm，生長(zhǎng)時(shí)間：1小時(shí)-2小 時(shí)）條件，在單基片上集成組分漸變的合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)； 步驟二：從步驟一所得的產(chǎn)物中選取優(yōu)良的樣品； 步驟三：制作具有間隔的條形電極和叉指形電極的掩模板； 步驟四：通過(guò)熱蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)的蒸鍍手段，在漸變分布的納米結(jié)構(gòu)的基片上制作 優(yōu)化的不同形狀和寬度的金屬電極結(jié)構(gòu)； 步驟五：將步驟四中得到的產(chǎn)物與外圍非線性放大電路連接，得到基于大面積單基片 上集成生長(zhǎng)的帶隙漸變的CdSSe三元合金半導(dǎo)體一維納米結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器。
2. 如權(quán)利要求1所述的基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作，其 特征在于：步驟一所述的單基片在使用前需要經(jīng)過(guò)預(yù)處理，處理方法為：在單基片上通過(guò) 化學(xué)氣相沉積方法得到三元CdSSe合金納米結(jié)構(gòu)，其中所用單基片在放入可快速升溫且可 長(zhǎng)時(shí)間維持恒溫的加熱裝置之前需經(jīng)小型離子濺射儀鍍金，在單基片表面形成厚度約為 200-500納米的金薄膜層。
3. 基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作，其特征在于：步驟二所述 的優(yōu)良樣品的標(biāo)準(zhǔn)為：在室溫照明下可以看出生長(zhǎng)的樣品顏色從黃色漸變至黑色，在離焦 下的266nm脈沖激光激發(fā)下樣品豐富的光致發(fā)光情況：顏色從綠色漸變至紅色。
4. 基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作，其特征在于：步驟四所述 的不同形狀和寬度的電極結(jié)構(gòu)包括叉指電極結(jié)構(gòu)和條形電極結(jié)構(gòu)，電極結(jié)構(gòu)具體要求為： 叉指電極覆蓋整個(gè)基片，電極的長(zhǎng)度和間距由基片大小決定，通常電極的寬度為基片寬度 的1/10到1/20之間；條形電極之間間隔要涵蓋所有微納結(jié)構(gòu)，電極寬度為0. 5毫米至2毫 米之間，厚度在微米量級(jí)。
5. 基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作，其特征在于：步驟四所述 的通過(guò)熱蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)的手段在漸變生長(zhǎng)有不同組分納米結(jié)構(gòu)的基片上制作條形電 極結(jié)構(gòu)和叉指金屬電極結(jié)構(gòu)，后續(xù)的測(cè)試是基于半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)，采用兩探針光電導(dǎo)測(cè)量 方法；其中為了減小探針材料與金屬電極材料之間的勢(shì)壘，此處電極材料優(yōu)選為鋁；具體 優(yōu)選材料要視探針材料而定。
6. 基于合金半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)集成基片的光電探測(cè)器的制作，其特征在于：所述的外圍 放大電路為非線性直流微電流放大電路；放大電路具有非線性增益，暗電流放大倍數(shù)為1， 而光電流越大放大倍數(shù)越大，最大增益1〇 3。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK104143586SQ201410326461
【公開日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2014年7月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月10日
【發(fā)明者】劉瑞斌 申請(qǐng)人:北京理工大學(xué)