利用同型結(jié)監(jiān)控n型源漏離子注入對準(zhǔn)度的結(jié)構(gòu)及方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了利用同型結(jié)監(jiān)控N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的結(jié)構(gòu)及方法，該監(jiān)控結(jié)構(gòu)包括光阻區(qū)和N型源漏離子注入?yún)^(qū)，N型源漏離子注入?yún)^(qū)由N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)構(gòu)成，包括：N型阱、N型源漏極、柵極、介質(zhì)層以及對應(yīng)于N型源漏極的接觸孔；光阻區(qū)由N型阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成，包括：N型阱、柵極、介質(zhì)層，以及對應(yīng)于N型阱的接觸孔；對N型源漏離子注入?yún)^(qū)注入N型源漏離子；經(jīng)正電勢電子束掃描得到電壓襯度影像中，根據(jù)發(fā)生變化的接觸孔即可監(jiān)控光阻區(qū)的對準(zhǔn)度，從而實現(xiàn)對CMOS中N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的實時監(jiān)控，避免N型源漏離子注入到PMOS的N型阱中而導(dǎo)致PMOS漏電現(xiàn)象的發(fā)生。
【專利說明】利用同型結(jié)監(jiān)控N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的結(jié)構(gòu)及方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種在CMOS中利用同型結(jié)來監(jiān)控N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的結(jié)構(gòu)及監(jiān)控方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路工藝的發(fā)展以及關(guān)鍵尺寸按比例縮小，各種工藝的工藝窗口越來越小，CMOS器件成為現(xiàn)有集成電路中重要的電子元件之一，在CMOS器件的制備過程中，對各種工藝制程的要求越來越高，比如源漏極離子注入對準(zhǔn)度等；如圖1所示，為經(jīng)電子束掃描得到的PMOS的漏電缺陷示意圖，經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，PMOS產(chǎn)生漏電缺陷的形成原因之一是在N型源漏離子注入時產(chǎn)生對準(zhǔn)度偏差，從而導(dǎo)致在PMOS中的N型阱中注入了 N型源漏離子，如圖1中，在負(fù)電勢電子束掃描模式下，虛線框中本應(yīng)為亮孔的位置顯示為暗孔，這說明PMOS的N型阱中注入了 N型源漏離子，也即是N型源漏離子注入產(chǎn)生對準(zhǔn)度偏差。PMOS產(chǎn)生漏電缺陷將導(dǎo)致整個CMOS器件甚至良率失效，從而增加成本。因此，針對此N型源漏離子注入對準(zhǔn)度進(jìn)行監(jiān)控是十分必要的。N型源漏離子注入產(chǎn)生對準(zhǔn)度偏差歸根到底是由于N型源漏離子注入時，覆蓋在PMOS的N型阱上方的光阻發(fā)生對準(zhǔn)度偏差導(dǎo)致的。因此，監(jiān)控N型源漏離子注入對準(zhǔn)度偏差可以通過監(jiān)控該N型源漏離子注入過程中的光阻對準(zhǔn)度偏差來實現(xiàn)。
[0003]如圖2所示，N型源漏離子注入時光阻產(chǎn)生對準(zhǔn)度偏差的各種情況示意圖，其中，虛線表示異常位置，實線表示正常位置，可以看到，光阻發(fā)生偏差的情況包括:單一方向偏移型(圖2(a))、外溢型(圖2(b))、內(nèi)收型(圖2(c))、旋轉(zhuǎn)型(圖2(d))、綜合性(圖2(e))。目前業(yè)界都采用光學(xué)檢測進(jìn)行監(jiān)控，但是由于分辨率的限制和實際光刻膠工藝中對準(zhǔn)度偏差的復(fù)雜性，因而很難得到準(zhǔn)確的監(jiān)控，更重要的是，其檢測結(jié)果無法與所導(dǎo)致的漏電問題建立直接的聯(lián)系。
[0004]因此，急需能夠準(zhǔn)確地對CMOS中N型源漏離子注入對準(zhǔn)度進(jìn)行實時監(jiān)控的測試結(jié)構(gòu)和方法，從而避免PMOS器件產(chǎn)生漏電而導(dǎo)致整個器件失效的問題發(fā)生。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了克服以上問題，本發(fā)明旨在提供一種CMOS中利用同型結(jié)的特性來監(jiān)控N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的結(jié)構(gòu)及方法，并利用N型源漏離子注入時采用的光阻的對準(zhǔn)度，來監(jiān)控N型源漏離子注入對準(zhǔn)度，從而實現(xiàn)對N型源漏離子注入對準(zhǔn)度進(jìn)行準(zhǔn)確而有效的實時監(jiān)控，避免PMOS器件的N型阱中注入N型源漏離子而產(chǎn)生漏電。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種利用同型結(jié)監(jiān)控N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的結(jié)構(gòu)，所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體襯底的非功能區(qū)域中，其中，所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)包括N型源漏離子注入?yún)^(qū)和光阻區(qū)，通過所述光阻區(qū)的對準(zhǔn)度來監(jiān)控所述N型源漏離子注入對準(zhǔn)度，其中，
[0007]所述N型源漏離子注入?yún)^(qū)由N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)構(gòu)成，包括:在非功能區(qū)中設(shè)置的N型阱，在所述N型阱中設(shè)置的N型源漏極，位于所述N型源漏離子阱之間的柵極，位于所述非功能區(qū)表面的介質(zhì)層，以及位于所述介質(zhì)層中且對應(yīng)于所述N型源漏極的接觸孔；
[0008]所述光阻區(qū)由N型阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成，包括:在非功能區(qū)中設(shè)置的N型講，位于所述N型阱之間的柵極，位于非功能區(qū)表面的介質(zhì)層，以及位于所述介質(zhì)層中且對應(yīng)于所述N型阱的接觸孔；
[0009]在正電勢電子束掃描模式下得到的電壓襯度影像圖中，所述N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為亮孔，所述N型阱結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為暗孔。
[0010]優(yōu)選地，所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)中的N型阱呈若干平行的列等間距排布，所述柵極呈若干平行的行等間距排布；且所述柵極所在的行與所述N型阱所在的列呈正交分布；
[0011]所述光阻區(qū)中，所述柵極之間僅為N型阱；所述N型源漏離子注入?yún)^(qū)中，所述柵極之間設(shè)置有N型阱及N型源漏極。
[0012]優(yōu)選地，所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)中，所述柵極之間的間距、所述N型阱之間的間距、所述柵極的寬度、以及所述N型阱的寬度均相同。
[0013]優(yōu)選地，所述光阻區(qū)各個輪廓線均能在相鄰兩個所述接觸孔構(gòu)成的直線中找到與之平行的直線。
[0014]優(yōu)選地，所述光阻區(qū)在所述N型源漏離子注入?yún)^(qū)周圍環(huán)繞設(shè)置。
[0015]本發(fā)明還提供了一種利用同型結(jié)對N型源漏離子注入對準(zhǔn)度進(jìn)行監(jiān)控的方法，其包括監(jiān)控結(jié)構(gòu)的制備和電子束掃描兩個過程，其中，
[0016]所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)的制備包括:
[0017]步驟SOl:提供一個半導(dǎo)體襯底的非功能區(qū)，并在所述非功能區(qū)中設(shè)置N型源漏離子注入?yún)^(qū)和光阻區(qū)；
[0018]步驟S02:在所述非功能區(qū)中依次進(jìn)行N型阱和柵極的制備；
[0019]步驟S03:在所述光阻區(qū)上覆蓋一層N型源漏離子注入光阻；
[0020]步驟S04:向所述N型源漏離子注入?yún)^(qū)的N型阱中進(jìn)行N型源漏離子注入，從而在該N型阱中形成N型源漏極；
[0021]步驟S05:去除所述N型源漏離子注入光阻；
[0022]步驟S06:在所述非功能區(qū)表面形成介質(zhì)層，在所述介質(zhì)層中且分別對應(yīng)于所述N型源漏極和所述光阻區(qū)的所述N型阱上方形成接觸孔；
[0023]所述電子束掃描過程包括:
[0024]步驟S07:在正電勢電子束掃描模式下，采用電子束對所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描，得到所述測試結(jié)構(gòu)的實際電壓襯度影像圖；其中，所述N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為亮孔，所述光阻區(qū)的所述N型阱結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為暗孔；
[0025]步驟S08:設(shè)置所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)在無對準(zhǔn)度偏差情況下的標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖；其中，所述N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為亮孔，所述光阻區(qū)的所述N型阱結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為暗孔；
[0026]步驟S09:將所述實際電壓襯度影像圖與所述標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖進(jìn)行對比，找出發(fā)生亮度變化的接觸孔:其中，包括所述N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)中由亮孔變?yōu)榘悼椎慕佑|孔或者所述N型阱結(jié)構(gòu)中由暗孔變?yōu)榱量椎慕佑|孔；
[0027]步驟SlO:根據(jù)所找出的發(fā)生亮度變化的所述接觸孔的數(shù)據(jù)得到所述光阻區(qū)的對準(zhǔn)度偏差，也即是所述N型源漏離子注入對準(zhǔn)度偏差。
[0028]優(yōu)選地，所述步驟S07中，所述電子束對所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描的參數(shù)包括:像素為30?80nm，著陸能量為500?1200eV,電流為50?10nA0
[0029]優(yōu)選地，所述步驟SlO具體包括:
[0030]步驟SlOl:根據(jù)所述發(fā)生亮度變化的所述接觸孔判斷出所述光阻區(qū)的偏移方向；
[0031]步驟S102:再根據(jù)所述偏移方向分析所述接觸孔的偏移量是否為所述偏移方向上相鄰所述接觸孔間距的整數(shù)倍；
[0032]步驟S103:如果不是，則將所述接觸孔間距分為若干段，根據(jù)所述每個段的間距值重新制備所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)和電子束掃描過程，直至所述實際電壓襯度影像圖與所述標(biāo)準(zhǔn)電壓影像數(shù)據(jù)相同。
[0033]優(yōu)選地，所述光阻區(qū)在所述N型源漏離子注入?yún)^(qū)周圍環(huán)繞設(shè)置。
[0034]本發(fā)明的利用同型結(jié)特性來監(jiān)控N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的結(jié)構(gòu)及方法，采用了在正電勢電子束掃描模式下同型NN結(jié)為導(dǎo)通狀態(tài)而單獨N阱為不導(dǎo)通狀態(tài)的原理，從而設(shè)計出具有N型阱-N型源漏離子阱結(jié)構(gòu)和單獨N型阱結(jié)構(gòu)的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，監(jiān)控結(jié)構(gòu)中，劃分出光阻區(qū)和N型源漏離子注入?yún)^(qū)，光阻區(qū)由單獨的N型阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成，N型源漏離子注入?yún)^(qū)由N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)構(gòu)成；在正電勢電子束掃描模式下，N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)上的接觸孔顯示為亮孔，單獨N型阱結(jié)構(gòu)上的接觸孔顯示為暗孔，因此，一旦光阻區(qū)發(fā)生對準(zhǔn)度偏差，將導(dǎo)致所對應(yīng)的接觸孔發(fā)生亮度變化；然后根據(jù)發(fā)生亮度變化的接觸孔的數(shù)據(jù)比如位置數(shù)據(jù)、數(shù)量等得到光阻區(qū)的對準(zhǔn)度偏差，也即是N型源漏離子注入對準(zhǔn)度偏差；從而實現(xiàn)對CMOS中N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的實時監(jiān)控，避免PMOS器件失效和成本的不必要的浪費。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0035]圖1為經(jīng)電子束掃描得到的PMOS的漏電缺陷示意圖
[0036]圖2為N型源漏離子注入時光阻產(chǎn)生對準(zhǔn)度偏差的各種情況示意圖
[0037]圖3為本發(fā)明的一個較佳實施例的N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的俯視示意圖
[0038]圖4為本發(fā)明的一個較佳實施例的N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的局部截面結(jié)構(gòu)示意圖
[0039]圖5本發(fā)明的N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的監(jiān)控方法的流程示意圖
[0040]圖6-11為本發(fā)明的一個較佳實施例的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的各個制備步驟所對應(yīng)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖
[0041]圖12為本發(fā)明的一個較佳實施例的正電勢電子束掃描模式下含有N型源漏離子注入?yún)^(qū)和光阻區(qū)的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的截面結(jié)構(gòu)及其接觸孔的電壓襯度影像示意圖
[0042]圖13為本發(fā)明的一個較佳實施例的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖
[0043]圖14為本發(fā)明的一個較佳實施例的進(jìn)行電子束掃描后所形成的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的實際電壓襯度影像與標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像的對比示意圖

【具體實施方式】
[0044]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
[0045]本發(fā)明的監(jiān)控結(jié)構(gòu)和監(jiān)控方法的原理是:根據(jù)正電勢電子束掃描過程中，N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)導(dǎo)通，而N型阱結(jié)構(gòu)不導(dǎo)通，從而所對應(yīng)的接觸孔顯示不同的亮度的特性來進(jìn)行對準(zhǔn)度判斷，在正電勢條件下，前者對應(yīng)的接觸孔顯示為亮孔，后者對應(yīng)的接觸孔顯示為暗孔；當(dāng)N型源漏離子注入過程中的光阻的位置發(fā)生對準(zhǔn)度偏差時，則在監(jiān)控結(jié)構(gòu)中的光阻區(qū)也會發(fā)生變化，原本應(yīng)當(dāng)顯示為亮孔(或暗孔)的接觸孔則顯示為暗孔(或亮孔)，根據(jù)產(chǎn)生變化的接觸孔的位置得到光阻區(qū)的對準(zhǔn)度偏差也即為N型源漏離子注入的對準(zhǔn)度偏差。
[0046]之所以N型阱結(jié)構(gòu)不導(dǎo)通，顯示為暗孔，是由于:在正電勢條件下，電子束中入射的二次電子大部分被阻擋在該結(jié)構(gòu)表面，從而該結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為暗孔；同理，N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)導(dǎo)通，顯示為亮孔，是由于:在正電勢條件下，電子束中入射的二次電子大部分被該結(jié)構(gòu)吸收，由N型源漏極流向N型阱，從而該結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為亮孔。
[0047]本發(fā)明的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，設(shè)置于半導(dǎo)體襯底上，本發(fā)明采用的半導(dǎo)體襯底具有功能區(qū)和非功能區(qū)，非功能區(qū)是指不會影響半導(dǎo)體襯底功能的區(qū)域比如切割道、虛擬區(qū)域等。半導(dǎo)體襯底可以但不限于為硅襯底；本發(fā)明的監(jiān)控結(jié)構(gòu)則位于半導(dǎo)體襯底的非功能區(qū)域中，其包括有N型源漏離子注入?yún)^(qū)和光阻區(qū)。
[0048]這是因為，PMOS漏電現(xiàn)象的原因之一是N型源漏離子注入時所采用的遮擋無需進(jìn)行N型源漏離子注入?yún)^(qū)域的光阻發(fā)生對準(zhǔn)度偏差，從而導(dǎo)致在PMOS的N型阱中注入了 N型源漏離子；由此，監(jiān)控N型源漏離子注入對準(zhǔn)度可以通過監(jiān)控該光阻的對準(zhǔn)度來實現(xiàn)，而該光阻的對準(zhǔn)度可以利用監(jiān)控結(jié)構(gòu)中的光阻區(qū)的對準(zhǔn)度來進(jìn)行監(jiān)控。因此，在監(jiān)控結(jié)構(gòu)中設(shè)置N型源漏離子注入?yún)^(qū)和光阻區(qū)，N型源漏離子注入?yún)^(qū)為用于注入N型源漏離子的區(qū)域，光阻區(qū)為不注入任何類型源漏離子的區(qū)域，在注入N型源漏離子的過程中，光阻區(qū)上設(shè)置光阻用于阻擋N型源漏離子注入到光阻區(qū)中，如果光阻區(qū)發(fā)生對準(zhǔn)度偏差，則會導(dǎo)致N型源漏離子注入發(fā)生對準(zhǔn)度偏差，因此，通過監(jiān)控光阻區(qū)的對準(zhǔn)度偏差即可找到N型源漏離子注A的對準(zhǔn)度偏差。
[0049]N型源漏離子注入?yún)^(qū)由N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)構(gòu)成，包括:在非功能區(qū)中設(shè)置的N型阱，在N型阱中設(shè)置的N型源漏極，位于N型源漏極之間的柵極，位于非功能區(qū)表面的介質(zhì)層，以及位于介質(zhì)層中且對應(yīng)于N型源漏極的接觸孔。
[0050]光阻區(qū)由N型阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成，包括:在非功能區(qū)中設(shè)置的N型阱，在N型阱之間的柵極，位于非功能區(qū)表面的介質(zhì)層，以及位于介質(zhì)層中且對應(yīng)于N型阱的接觸孔。需要說明的是，光阻區(qū)應(yīng)當(dāng)不遮擋在N型源漏離子注入?yún)^(qū)的N型阱上方，比如光阻區(qū)的輪廓線可以位于柵極的上方或N型阱之間的區(qū)域上方。
[0051]在正電勢電子束掃描模式下得到的電壓襯度影像圖中，N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為亮孔，N型阱結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為暗孔。
[0052]需要說明的是，在本發(fā)明中，在光阻區(qū)或N型源漏離子注入?yún)^(qū)中的柵極上方的介質(zhì)層中也可以設(shè)置有接觸孔。
[0053]以下將結(jié)合附圖3-4和具體實施例對利用同型結(jié)特性監(jiān)控N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步詳細(xì)說明。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說明本實施例的目的。
[0054]請參閱圖3，為本發(fā)明的一個較佳實施例的N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；在本實施例中，監(jiān)控結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體襯底的非功能區(qū)I中，N型阱2設(shè)置成若干等間距排布的平行列，柵極3設(shè)置成若干等間距排布的平行行，且與N型阱2呈正交排布；兩條虛線框構(gòu)成的區(qū)域為光阻區(qū)a，內(nèi)部虛線框框住的區(qū)域為N型源漏離子注入?yún)^(qū)b ；光阻區(qū)a中，柵極3之間為N型阱2 ;N型源漏離子注入?yún)^(qū)b中，柵極3之間為N型阱2和N型源漏極5 ;在柵極3之間且分別在光阻區(qū)的N型阱2和N型源漏極5上方設(shè)置有接觸孔6 ;需要說明的是，為了便于表達(dá)，在附圖3中未顯示介質(zhì)層。
[0055]本發(fā)明中光阻區(qū)a還可以具有以下特點:光阻區(qū)a各個輪廓線均能在相鄰兩個接觸孔構(gòu)成的直線中找到與之平行的直線。這樣，在光阻區(qū)a發(fā)生偏移時，可以保證與之各個輪廓線相平行的接觸孔構(gòu)成的直線上的各個接觸孔發(fā)生亮度變化較為一致，從而能夠有效的判斷出光阻區(qū)a發(fā)生偏移的方向；或者，當(dāng)光阻區(qū)a發(fā)生旋轉(zhuǎn)時，根據(jù)與其輪廓線相平行的直線上的接觸孔的亮度變化的情況，也可以有效的判斷出旋轉(zhuǎn)角度等數(shù)據(jù)。也即是與接觸孔所在直線相平行的輪廓對光阻區(qū)a的偏移或旋轉(zhuǎn)均非常敏感，從而有效的檢測出光阻區(qū)的對準(zhǔn)度情況。需要說明的是，無論光阻區(qū)a的輪廓線如何設(shè)置，其都不能遮擋到N型源漏離子注入?yún)^(qū)中的N型阱上方，這就要求光阻區(qū)a的輪廓線在N型阱之間的區(qū)域上方或柵極上方。
[0056]本實施例中，如圖3中所示，光阻區(qū)a在N型源漏離子注入?yún)^(qū)b周圍環(huán)繞設(shè)置。光阻區(qū)a為鏤空的正方形，中間鏤空的區(qū)域可以但不限于為菱形，還可以為其它多邊形、或不規(guī)則圖形等。光阻區(qū)a的外輪廓的各個邊與相鄰接觸孔形成的水平線或豎直線相平行，中間鏤空的菱形的各條邊均能夠在相鄰兩個接觸孔構(gòu)成的直線中找到與之平行的直線。例如，菱形的各條邊與相鄰接觸孔組成的且與水平線夾角為45度的直線相平行；或者菱形的各條邊與相鄰接觸孔組成的且與水平夾角為60度的直線相平行等。
[0057]為了便于后續(xù)計算對準(zhǔn)度偏差，本實施例的監(jiān)控結(jié)構(gòu)中，柵極之間的間距、N型阱之間的間距、柵極的寬度、以及N型阱的寬度均相同。但本發(fā)明不限于此。
[0058]為了便于清楚完整的表達(dá)本發(fā)明的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，請參閱圖4，列出了本發(fā)明的一個較佳實施例的含有N型源漏離子注入?yún)^(qū)和光阻區(qū)的截面結(jié)構(gòu)示意圖；其中，虛線框內(nèi)為光阻區(qū)；N型源漏離子注入?yún)^(qū)中包括:在非功能區(qū)I中設(shè)置的N型阱2，在N型阱2中設(shè)置的N型源漏極5，位于N型源漏極5之間的柵極(未顯示)，位于非功能區(qū)I表面的介質(zhì)層7，以及位于介質(zhì)層7中且對應(yīng)于N型源漏極5的接觸孔6。光阻區(qū)包括:在非功能區(qū)I中設(shè)置的N型阱2，在N型阱2之間的柵極(未顯示)，位于非功能區(qū)I表面的介質(zhì)層7，以及位于介質(zhì)層7中且對應(yīng)于N型阱2的接觸孔7。
[0059]以下將結(jié)合附圖5-14和具體實施例對N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的監(jiān)控方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說明本實施例的目的。
[0060]請參閱圖5，為本發(fā)明的N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的監(jiān)控方法的流程示意圖；本發(fā)明的N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的監(jiān)控方法包括監(jiān)控結(jié)構(gòu)的制備和電子束掃描兩個過程:
[0061]首先，請參閱圖6-11，為本發(fā)明的一個較佳實施例的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的各個制備步驟所對應(yīng)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；本實施例的監(jiān)控結(jié)構(gòu)采用上述附圖3和附圖4中的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，以制備和采用電子束掃描附圖3和附圖4中的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的方法為例進(jìn)行說明；本實施例的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的制備包括:
[0062]步驟SOl:請參閱圖6，提供一個半導(dǎo)體襯底的非功能區(qū)1，并在非功能區(qū)I中設(shè)置N型源漏離子注入?yún)^(qū)b和光阻區(qū)a ；
[0063]具體的，本發(fā)明中，半導(dǎo)體襯底包括用于制備CMOS器件的功能區(qū)以及用于制備監(jiān)控結(jié)構(gòu)的非功能區(qū)；半導(dǎo)體襯底可以為任意半導(dǎo)體襯底，在本實施例中，半導(dǎo)體襯底為娃襯底；為便于描述，在圖6-11中，僅顯示非功能區(qū)I的監(jiān)控結(jié)構(gòu)示意圖，而功能區(qū)中的CMOS器件的結(jié)構(gòu)和制備為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。光阻區(qū)a為不進(jìn)行任何類型源漏離子注入的區(qū)域，為如圖6中兩條虛線框構(gòu)成的區(qū)域；N型源漏離子注入?yún)^(qū)b為內(nèi)部虛線框框住的區(qū)域。本方法中的監(jiān)控結(jié)構(gòu)采用上述實施例中圖3所示的結(jié)構(gòu)，對其結(jié)構(gòu)不再贅述。
[0064]步驟S02:請參閱圖7，在非功能區(qū)I中依次進(jìn)行N型阱2和柵極3的制備；
[0065]具體的，本實施例中，可以采用現(xiàn)有方法在非功能區(qū)I中依次進(jìn)行N型阱2和柵極3的制備，本發(fā)明對此不再贅述；需要說明的是，為了實現(xiàn)對CMOS制備工藝中的N型源漏離子注入的實時監(jiān)控，在制備本發(fā)明中的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的過程中，在功能區(qū)也在同步制備CMOS器件，這樣，一旦在監(jiān)控結(jié)構(gòu)中發(fā)現(xiàn)光阻區(qū)出現(xiàn)對準(zhǔn)度偏差，則可以知道NMOS器件的N型源漏離子注入出現(xiàn)對準(zhǔn)度偏差，從而可以停止制備，并作出相應(yīng)的修正來消除N型源漏離子注入對準(zhǔn)度偏差。N型阱2設(shè)置成若干等間距排布的平行列，柵極3設(shè)置成若干等間距排布的平行行，且與N型阱2呈正交排布；相鄰柵極的間距、相鄰N型阱之間的間距、柵極的寬度、以及N型阱的寬度均相同。
[0066]步驟S03:請參閱圖8，在光阻區(qū)上覆蓋一層N型源漏離子注入光阻4 ；
[0067]具體的，本實施例中，由于在整個硅襯底的非功能區(qū)I上均進(jìn)行N型源漏離子注入過程，則需要采用光阻將不進(jìn)行任何類型源漏離子注入?yún)^(qū)域遮擋??；這里，監(jiān)控結(jié)構(gòu)的制備過程中，N型源漏離子注入時采用的光阻稱為N型源漏離子注入光阻4，N型源漏離子注入光阻4對應(yīng)的區(qū)域則為光阻區(qū)；也即是，光阻區(qū)是不用進(jìn)行任何類型源漏離子注入的區(qū)域，N型源漏離子注入光阻4的形狀與光阻區(qū)的形狀且大小相同。
[0068]步驟S04:請參閱圖9，向N型源漏離子注入?yún)^(qū)中的N型阱2中進(jìn)行N型源漏離子注入，從而在該N型阱中形成N型源漏極5 ；
[0069]具體的，本實施例中，在N型源漏離子注入光阻4的保護下，僅對光阻區(qū)之外的區(qū)域需要進(jìn)行N型源漏離子注入的N型阱2中進(jìn)行N型源漏離子注入；N型源漏離子注入的各個工藝參數(shù)可以根據(jù)實際工藝要求來設(shè)定，本發(fā)明對此不作限制。
[0070]步驟S05:請參閱圖10，去除N型源漏離子注入光阻4 ；
[0071]具體的，本實施例中，在N型源漏離子注入完成后，可以但不限于濕法刻蝕去除N型源漏離子注入光阻4。
[0072]步驟S06:請參閱圖11，在非功能區(qū)表面形成介質(zhì)層(圖11中未顯示介質(zhì)層)，在介質(zhì)層中且分別對應(yīng)于N型源漏極5和光阻區(qū)a中的N型阱2上方形成接觸孔6 ；
[0073]具體的，本實施例中，可以但不限于采用化學(xué)氣相沉積法沉積介質(zhì)層，介質(zhì)層的材料可以但不限限于為氧化硅。
[0074]本實施例中，可以采用現(xiàn)有技術(shù)形成接觸孔，包括采用光刻和等離子體干法刻蝕工藝在介質(zhì)層中形成接觸孔結(jié)構(gòu)，然后在接觸孔結(jié)構(gòu)中填充導(dǎo)電材料，比如金屬鎢，從而形成具有導(dǎo)電功能的接觸孔。
[0075]至此，本實施例中的監(jiān)控結(jié)構(gòu)就制作完畢，以下結(jié)合附圖12-14對實施例的電子束掃描過程作進(jìn)一步說明，本實施例的電子束掃描過程包括以下步驟:
[0076]步驟S07:在正電勢電子束掃描模式下，采用電子束對監(jiān)控結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描，得到測試結(jié)構(gòu)的實際電壓襯度影像圖；
[0077]具體的，本實施例中，電子束對監(jiān)控結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描的參數(shù)可以根據(jù)實際工藝要求來設(shè)定，較佳的，可以為:像素為30?80nm，著陸能量為500?1200eV，電流為50?ΙΟΟηΑ。電壓襯度影像反映成圖形稱之為電壓襯度影像圖；在正電勢電子束掃描模式下，監(jiān)控結(jié)構(gòu)中的N型源漏離子注入?yún)^(qū)中的N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為亮孔，光阻區(qū)中N型阱結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為暗孔，如圖12所示，為本發(fā)明的一個較佳實施例的正電勢電子束掃描模式下含有N型源漏離子注入?yún)^(qū)和光阻區(qū)的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的截面結(jié)構(gòu)及其接觸孔的電壓襯度影像示意圖，其中，兩個虛線框構(gòu)成的區(qū)域為光阻區(qū)；接觸孔顯示亮孔或暗孔是根據(jù)接觸孔所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)對電子束中的二次電子的吸收程度來決定的；在正電勢電子束掃描模式下，當(dāng)接觸孔所對應(yīng)的結(jié)構(gòu)導(dǎo)通時，則吸收大量的二次電子，從而接觸孔顯示為亮孔，反之，則顯示為暗孔；在本實施例中，在正電勢電子束掃描模式下，N型阱2-N型源漏極5構(gòu)成的同型NN結(jié)構(gòu)呈導(dǎo)通狀態(tài)，其可以吸收大量的二次電子，二次電子從N型源漏極5流向其下面的N型阱2，從而該結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔6顯示為亮孔；而光阻區(qū)a中的N型阱2結(jié)構(gòu)呈不導(dǎo)通狀態(tài)，大量的二次電子聚集在N型阱2表面，從而該結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔6顯示為暗孔。
[0078]步驟S08:設(shè)置監(jiān)控結(jié)構(gòu)在無對準(zhǔn)度偏差情況下的標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖；
[0079]具體的，請參閱圖13，為本發(fā)明的一個較佳實施例的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖；根據(jù)前述原理，在無對準(zhǔn)度偏差的情況下，N型源漏離子注入?yún)^(qū)中N型阱2-N型源漏極5結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為亮孔，光阻區(qū)中N型阱2結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為暗孔。標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖為無對準(zhǔn)度偏差情況下的數(shù)據(jù)，可以根據(jù)現(xiàn)有的圖形模擬軟件將相關(guān)數(shù)據(jù)輸入得到標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖。
[0080]這里，標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像還可以通過以下方式得到:在電子束掃描儀中設(shè)置缺陷掃描程式，設(shè)定本發(fā)明的監(jiān)控結(jié)構(gòu)中至少一個接觸孔發(fā)生異常，根據(jù)監(jiān)控結(jié)構(gòu)的類型模擬出監(jiān)控結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖。
[0081]還可以通過設(shè)定監(jiān)控結(jié)構(gòu)中的一特定位置為坐標(biāo)原點，將每個接觸孔的位置數(shù)據(jù)和尺寸數(shù)據(jù)輸入到模擬軟件中，經(jīng)仿真模擬得到標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖。
[0082]步驟S09:將實際電壓襯度影像圖與標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖進(jìn)行對比，找出亮度變化的接觸孔；其中，包括N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)中由亮孔變?yōu)榘悼椎慕佑|孔或者N型阱結(jié)構(gòu)中由暗孔變?yōu)榱量椎慕佑|孔；
[0083]具體的，請參閱圖14，為本發(fā)明的一個較佳實施例的進(jìn)行電子束掃描后所形成的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的實際電壓襯度影像與標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像的對比示意圖，為了便于表達(dá)，圖14中不顯示監(jiān)控結(jié)構(gòu)中的N型源漏極，以及半導(dǎo)體襯底的非功能區(qū)。
[0084]實際電壓襯度影像圖與標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖對比之下，光阻區(qū)發(fā)生對準(zhǔn)度偏差情況則可以有效的檢測出來；當(dāng)光阻區(qū)發(fā)生對準(zhǔn)度偏差時，也即是實際光阻區(qū)發(fā)生各種不對準(zhǔn)的情況下，某一接觸孔在標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖中所對應(yīng)的數(shù)據(jù)與實際電壓襯度影像圖中所對應(yīng)的數(shù)據(jù)會出現(xiàn)差異，這就表明實際光阻區(qū)產(chǎn)生了對準(zhǔn)度偏差，產(chǎn)生影像變化的這些接觸孔的位置或數(shù)量等數(shù)據(jù)則可以反映出光阻區(qū)發(fā)生對準(zhǔn)偏差的情況。
[0085]在圖14中，粗虛線表示實際光阻區(qū)，細(xì)虛線表示未發(fā)生偏移的光阻區(qū)，實際光阻區(qū)向右發(fā)生整體偏移，則標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖中，光阻區(qū)的N型阱結(jié)構(gòu)上顯示暗孔的接觸孔在實際電壓襯度影像圖中顯示為亮孔，N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)上顯示為亮孔的接觸孔在實際電壓襯度影像圖中顯示為暗孔。
[0086]步驟SlO:根據(jù)所找出的發(fā)生亮度變化的接觸孔的數(shù)據(jù)得到光阻區(qū)的對準(zhǔn)度偏差，也即是N型源漏離子注入對準(zhǔn)度偏差。
[0087]具體的，請參閱圖14，根據(jù)發(fā)生影像變化的接觸孔的數(shù)據(jù)比如接觸孔間距、接觸孔與光阻區(qū)的距離等位置數(shù)據(jù)，以及發(fā)生異常變化的接觸孔的數(shù)量等，則可以計算出光阻區(qū)偏移量，即對準(zhǔn)度偏差；圖14中顯示，光阻區(qū)向右發(fā)生偏移，偏移量為水平方向上相鄰的兩個接觸孔的間距，也即是N型源漏極離子注入對準(zhǔn)度偏差。需要說明的是，在實際監(jiān)控過程中，光阻區(qū)偏移量可能存在不是接觸孔間距的整數(shù)倍的情況，然當(dāng)光阻區(qū)偏移造成光阻區(qū)的N型阱區(qū)中注入了 N型源漏離子時，該注入位置也會顯示為亮孔，這就難免造成僅僅取接觸孔間距的整數(shù)倍的數(shù)值的不準(zhǔn)確性，此時，只要通過調(diào)整使實際的光阻區(qū)遮擋住其下面所有的N型阱即可。比如，該步驟SlO可以包括以下過程:
[0088]步驟SlOl:根據(jù)發(fā)生亮度變化的接觸孔判斷出光阻區(qū)的偏移方向；
[0089]這里，可以通過對比發(fā)現(xiàn)發(fā)生亮度變化的接觸孔的偏移方向，例如，如圖14中，在標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖中光阻區(qū)最左邊的暗孔變?yōu)榱肆量?，而光阻區(qū)的鏤空區(qū)域的右邊的暗孔變?yōu)榱肆量祝筮叺牧量鬃優(yōu)榘悼?，這表明，光阻區(qū)向右發(fā)生偏移。
[0090]步驟S102:再根據(jù)偏移方向分析接觸孔的偏移量是否為偏移方向上相鄰接觸孔間距的整數(shù)倍；
[0091]這里，根據(jù)光阻區(qū)發(fā)生偏移方向，初步設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖和實際電壓襯度影像圖中相對應(yīng)的接觸孔的變化狀態(tài)；當(dāng)偏移量為整數(shù)倍時，光阻區(qū)沿偏移方向的首末兩端的接觸孔的亮度均會發(fā)生變化；當(dāng)偏移量不是整數(shù)倍時，光阻區(qū)沿偏移方向的首末兩端的接觸孔的亮度只有一端發(fā)生變化。
[0092]步驟S103:如果不是，則將所述接觸孔間距分為若干段，將所述每個段的間距值作為所述偏移量的非整數(shù)部分，得到所述測試偏移量；
[0093]這里，初步設(shè)定實際偏移量非整數(shù)部分在偏移方向上的相鄰兩個接觸孔間距范圍內(nèi)，將該范圍再分為多個區(qū)間，比如1.2、1.4、1.6、1.8等；
[0094]步驟S104:根據(jù)測試偏移量重新制備監(jiān)控結(jié)構(gòu)和電子束掃描過程，直至實際電壓襯度影像圖與所述標(biāo)準(zhǔn)電壓影像數(shù)據(jù)相同。
[0095]利用這些偏移量來調(diào)整實際光阻區(qū)，直至實際監(jiān)控結(jié)構(gòu)的電壓襯度影像圖與標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖相同。然而，根據(jù)實際電壓襯度影像圖與標(biāo)準(zhǔn)電壓影像數(shù)據(jù)的對比，還可以采用現(xiàn)有的其它數(shù)學(xué)方法來得到光阻區(qū)的對準(zhǔn)度偏差，本發(fā)明對此不作限制。例如，設(shè)定偏移量在X?x+1范圍內(nèi)，其中X為非負(fù)整數(shù)，采用二次迭代法或其它迭代法，來逐步選取偏移量，并根據(jù)此偏移量來調(diào)整光阻區(qū)的位置，重新制備監(jiān)控結(jié)構(gòu)和電子束掃描，直至實際電壓襯度影像圖與所述標(biāo)準(zhǔn)電壓影像數(shù)據(jù)相同。
[0096]需要說明的是，針對CMOS的電子束掃描過程中，由于CMOS器件中存在不同類型的缺陷，則需要建立多個不同類型的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，那么如何在電子束掃描時準(zhǔn)確的找到所需要的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的電壓襯度影像也是十分重要的；因此，在本發(fā)明的另一個較佳實施例中，電子束掃描過程還可以具體包括:
[0097]步驟AOl:利用電子束掃描儀器根據(jù)缺陷檢測程式對監(jiān)控結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描得到監(jiān)控結(jié)構(gòu)中的接觸孔的實際位置的電壓襯度影像圖；這里，接觸孔的實際位置的電壓襯度影像圖可以通過拍攝電子掃描圖片得到。
[0098]具體的，在缺陷檢測程式中，設(shè)定不同類型的監(jiān)控結(jié)構(gòu)中至少有一個接觸孔出現(xiàn)缺陷；所說的缺陷不一定是真正的缺陷，只是一種假設(shè)；根據(jù)假設(shè)出現(xiàn)缺陷的位置得到監(jiān)控結(jié)構(gòu)的類型數(shù)據(jù)，并與接觸孔實際位置的影像圖進(jìn)行對照，找到本發(fā)明中的監(jiān)控結(jié)構(gòu)的接觸孔實際位置的影像圖。
[0099]步驟A02:在電子束掃描儀器中建立缺陷檢測程式，根據(jù)缺陷檢測程式得到監(jiān)控結(jié)構(gòu)中的接觸孔的標(biāo)準(zhǔn)位置的電壓襯度影像圖；這里，接觸孔的標(biāo)準(zhǔn)位置的電壓襯度影像圖可以通過數(shù)據(jù)模擬程序得到；
[0100]步驟A03:根據(jù)實際位置的電壓襯度影像圖與標(biāo)準(zhǔn)位置的電壓襯度影像圖進(jìn)行對t匕，得到接觸孔的實際位置的對準(zhǔn)度偏差分布數(shù)據(jù)；
[0101]步驟A04:根據(jù)上述對準(zhǔn)度偏差分布數(shù)據(jù)得到光阻區(qū)的對準(zhǔn)度偏差。
[0102]綜上所述，本發(fā)明的利用同型結(jié)特性來監(jiān)控N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的結(jié)構(gòu)及方法，采用了在正電勢掃描模式下同型NN結(jié)為導(dǎo)通狀態(tài)而單獨N阱為不導(dǎo)通狀態(tài)的原理，從而設(shè)計出具有N型阱-N型源漏離子阱結(jié)構(gòu)和單獨N型阱結(jié)構(gòu)的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，監(jiān)控結(jié)構(gòu)中，劃分出光阻區(qū)和N型源漏離子注入?yún)^(qū)，光阻區(qū)由單獨的N型阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成，N型源漏離子注入?yún)^(qū)由N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)構(gòu)成；在正電勢電子束掃描模式下，N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)上的接觸孔顯示為亮孔，單獨N型阱結(jié)構(gòu)上的接觸孔顯示為暗孔，因此，一旦光阻區(qū)發(fā)生對準(zhǔn)度偏差，將導(dǎo)致所對應(yīng)的接觸孔發(fā)生亮度變化；然后根據(jù)發(fā)生亮度變化的接觸孔的數(shù)據(jù)比如位置數(shù)據(jù)、數(shù)量等得到光阻區(qū)的對準(zhǔn)度偏差，也即是N型源漏離子注入對準(zhǔn)度偏差；從而實現(xiàn)對CMOS中N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的實時監(jiān)控，避免PMOS器件失效和成本的不必要的浪費。
[0103]雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然所述實施例僅為了便于說明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動與潤飾，本發(fā)明所主張的保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所述為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種利用同型結(jié)監(jiān)控N型源漏離子注入對準(zhǔn)度的結(jié)構(gòu)，所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)位于半導(dǎo)體襯底的非功能區(qū)域中，其特征在于，所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)包括N型源漏離子注入?yún)^(qū)和光阻區(qū)，通過所述光阻區(qū)的對準(zhǔn)度來監(jiān)控所述N型源漏離子注入對準(zhǔn)度，其中， 所述N型源漏離子注入?yún)^(qū)由N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)構(gòu)成，包括:在非功能區(qū)中設(shè)置的N型阱，在所述N型阱中設(shè)置的N型源漏極，位于所述N型源漏離子阱之間的柵極，位于所述非功能區(qū)表面的介質(zhì)層，以及位于所述介質(zhì)層中且對應(yīng)于所述N型源漏極的接觸孔； 所述光阻區(qū)由N型阱結(jié)構(gòu)構(gòu)成，包括:在非功能區(qū)中設(shè)置的N型阱，位于所述N型阱之間的柵極，位于非功能區(qū)表面的介質(zhì)層，以及位于所述介質(zhì)層中且對應(yīng)于所述N型阱的接觸孔； 在正電勢電子束掃描模式下得到的電壓襯度影像圖中，所述N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為亮孔，所述N型阱結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為暗孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)中的N型阱呈若干平行的列等間距排布，所述柵極呈若干平行的行等間距排布；且所述柵極所在的行與所述N型阱所在的列呈正交分布； 所述光阻區(qū)中，所述柵極之間僅為N型阱；所述N型源漏離子注入?yún)^(qū)中，所述柵極之間設(shè)置有N型阱及N型源漏極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)中，所述柵極之間的間距、所述N型阱之間的間 距、所述柵極的寬度、以及所述N型阱的寬度均相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述光阻區(qū)各個輪廓線均能在相鄰兩個所述接觸孔構(gòu)成的直線中找到與之平行的直線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)控結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述光阻區(qū)在所述N型源漏離子注入?yún)^(qū)周圍環(huán)繞設(shè)置。
6.一種利用同型結(jié)對N型源漏離子注入對準(zhǔn)度進(jìn)行監(jiān)控的方法，其特征在于，包括監(jiān)控結(jié)構(gòu)的制備和電子束掃描兩個過程，其中， 所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)的制備包括: 步驟SOl:提供一個半導(dǎo)體襯底的非功能區(qū)，并在所述非功能區(qū)中設(shè)置N型源漏離子注入?yún)^(qū)和光阻區(qū)； 步驟S02:在所述非功能區(qū)中依次進(jìn)行N型阱和柵極的制備； 步驟S03:在所述光阻區(qū)上覆蓋一層N型源漏離子注入光阻； 步驟S04:向所述N型源漏離子注入?yún)^(qū)的N型阱中進(jìn)行N型源漏離子注入，從而在該N型阱中形成N型源漏極； 步驟S05:去除所述N型源漏離子注入光阻； 步驟S06:在所述非功能區(qū)表面形成介質(zhì)層，在所述介質(zhì)層中且分別對應(yīng)于所述N型源漏極和所述光阻區(qū)的所述N型阱上方形成接觸孔； 所述電子束掃描過程包括: 步驟S07:在正電勢電子束掃描模式下，采用電子束對所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描，得到所述測試結(jié)構(gòu)的實際電壓襯度影像圖；其中，所述N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為亮孔，所述光阻區(qū)的所述N型阱結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為暗孔； 步驟S08:設(shè)置所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)在無對準(zhǔn)度偏差情況下的標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖；其中，所述N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為亮孔，所述光阻區(qū)的所述N型阱結(jié)構(gòu)對應(yīng)的接觸孔顯示為暗孔； 步驟S09:將所述實際電壓襯度影像圖與所述標(biāo)準(zhǔn)電壓襯度影像圖進(jìn)行對比，找出發(fā)生亮度變化的接觸孔:其中，包括所述N型阱-N型源漏極結(jié)構(gòu)中由亮孔變?yōu)榘悼椎慕佑|孔或者所述N型阱結(jié)構(gòu)中由暗孔變?yōu)榱量椎慕佑|孔； 步驟SlO:根據(jù)所找出的發(fā)生亮度變化的所述接觸孔的數(shù)據(jù)得到所述光阻區(qū)的對準(zhǔn)度偏差，也即是所述N型源漏離子注入對準(zhǔn)度偏差。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的監(jiān)控方法，其特征在于，所述步驟S07中，所述電子束對所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)進(jìn)行掃描的參數(shù)包括:像素為30~80nm，著陸能量為500~1200eV，電流為50~10nA0
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的監(jiān)控方法，其特征在于，所述步驟SlO具體包括: 步驟SlOl:根據(jù)所述發(fā)生亮度變化的所述接觸孔判斷出所述光阻區(qū)的偏移方向； 步驟S102:再根據(jù)所述偏移方向分析所述接觸孔的偏移量是否為所述偏移方向上相鄰所述接觸孔間距的整數(shù)倍； 步驟S103:如果不是，則將所述接觸孔間距分為若干段，根據(jù)所述每個段的間距值重新制備所述監(jiān)控結(jié)構(gòu)和 電子束掃描過程，直至所述實際電壓襯度影像圖與所述標(biāo)準(zhǔn)電壓影像數(shù)據(jù)相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的監(jiān)控方法，其特征在于，所述光阻區(qū)在所述N型源漏離子注入?yún)^(qū)周圍環(huán)繞設(shè)置。
【文檔編號】H01L21/66GK104078380SQ201410357283
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月25日
【發(fā)明者】范榮偉, 龍吟, 陳宏璘, 顧曉芳 申請人:上海華力微電子有限公司