一種白光led芯片及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種白光LED芯片及其制作方法，該白光LED芯片包括一貼裝式LED芯片一用于轉(zhuǎn)換光色的預(yù)制成型的光轉(zhuǎn)換層，其制作方法包括以下步驟：制作一用于轉(zhuǎn)換光色的預(yù)制成型的光轉(zhuǎn)換層；所述光轉(zhuǎn)換層的表面上設(shè)置一個(gè)以上用于安裝LED芯片的安裝腔體；貼裝所述LED芯片至所述安裝腔體內(nèi)；以每個(gè)安裝有LED芯片的安裝腔體為單位，切割所述光轉(zhuǎn)換層為單顆白光LED芯片。本發(fā)明不僅能夠提升白光LED芯片的發(fā)光效率，而且能夠避免現(xiàn)有做法讓LED芯片底部電極受到污染和生產(chǎn)加工容易、產(chǎn)品良率高的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說(shuō)明】一種白光LED芯片及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于LED【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種白光LED芯片及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]白光LED芯片是采用Chip Scale Package (以下簡(jiǎn)稱為“CSP”)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的可以直接發(fā)白光的LED芯片，該類芯片具有體積小、發(fā)光角度大、可耐大電流驅(qū)動(dòng)、制造成本低、方便下游客戶燈具設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]當(dāng)前LED白光芯片的普遍結(jié)構(gòu)特征包括:倒裝芯片結(jié)構(gòu)，電極設(shè)置在底部，正上表面和4個(gè)側(cè)面均包覆熒光粉。正上表面和四個(gè)側(cè)面的熒光粉層普遍采用Molding和壓合半固化的熒光片工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)的，正上表面和四個(gè)側(cè)面的熒光粉層是相同材料一體成型的結(jié)構(gòu)。美國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)朥S2013/0183777公開(kāi)了一種LED芯片回流焊接在基板上，通過(guò)Molding上模具保護(hù)電極，Inject1n Molding方式實(shí)現(xiàn)突光膠制作,該工藝模具加工難度大,不易對(duì)準(zhǔn)。又如美國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)朥S2013/0029439公開(kāi)了一種白光LED芯片的制作方法，倒裝LED芯片先放在一個(gè)臨時(shí)載板上，四周設(shè)置擋板，點(diǎn)熒光膠再刮平，切割成單顆，該工藝出現(xiàn)底部焊盤電極污染。中國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)朇N201120150362.0，公開(kāi)一種正裝結(jié)構(gòu)的白光LED芯片，采用光阻劑阻擋電極，旋涂工藝制作熒光層，但是旋涂工藝的熒光粉層均勻性較差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種白光LED芯片及制作該白光LED芯片的方法，以解決現(xiàn)有制作工藝過(guò)程中容易污染LED芯片電極而導(dǎo)致白光LED芯片后工序的焊接不良和白光LED芯片發(fā)光均勻性的問(wèn)題。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下:
[0006]一種白光LED芯片，包括一 LED芯片和一用于轉(zhuǎn)換光色的預(yù)制成型的光轉(zhuǎn)換層，所述光轉(zhuǎn)換層設(shè)有一容納所述LED芯片的安裝腔體，所述LED芯片的四個(gè)側(cè)面和出光面均被所述安裝腔體包裹。
[0007]進(jìn)一步地，所述光轉(zhuǎn)換層的厚度為lOOum-lOOOum。
[0008]進(jìn)一步地，所述光轉(zhuǎn)換層的材料包括陶瓷基、硅膠、環(huán)氧樹(shù)脂、或玻璃中一種或多種。
[0009]進(jìn)一步地，所述光轉(zhuǎn)換層的安裝腔體的長(zhǎng)和寬的面積為L(zhǎng)ED芯片的長(zhǎng)和寬的面積的1.0-1.2倍，其高度小于或等于光轉(zhuǎn)換層厚度的30%。
[0010]進(jìn)一步地，:所述安裝腔體內(nèi)表面設(shè)有定位圖案，所述白光LED芯片包括貼倒裝型LED芯片、貼正裝型LED芯片和貼垂直型LED芯片；所述貼倒裝型LED芯片的安裝腔體內(nèi)表面設(shè)有十字形、方形或圓形開(kāi)槽；所述貼正裝型LED芯片的安裝腔體內(nèi)表面設(shè)有多于2個(gè)的方形、圓形或十字形的開(kāi)孔；所述貼垂直型LED芯片的安裝腔體內(nèi)表面設(shè)有多于I個(gè)的方形、圓形或十字形的開(kāi)孔。
[0011]進(jìn)一步地，所述白光LED芯片為貼倒裝型LED芯片，其包括外延襯底層、生長(zhǎng)在所述外延襯底層上表面的N型氮化鎵層、生長(zhǎng)在所述N型氮化鎵層部分上表面的發(fā)光層、生長(zhǎng)在所述N型氮化鎵層部分上表面的N型歐姆接觸層、生長(zhǎng)在所述發(fā)光層上表面的P型氮化鎵層和生長(zhǎng)在所述P型氮化鎵層部分上表面的P型歐姆接觸層，在所述P型氮化鎵層、P型歐姆接觸層、N型氮化鎵層和N型歐姆接觸層上表面還設(shè)置有絕緣層，在所述P型歐姆接觸層上表面的絕緣層上開(kāi)設(shè)有第一通孔，在所述N型歐姆接觸層上表面的絕緣層上開(kāi)設(shè)有第二通孔，在所述絕緣層上表面分別獨(dú)立設(shè)置有P電極鍵合層和N電極鍵合層，所述P電極鍵合層貫穿第一通孔與P型歐姆接觸層電連接，所述N電極鍵合層貫穿第二通孔與N型歐姆接觸層電連接。
[0012]一種白光LED芯片的制作方法，包括以下步驟:
[0013](I)、制作一用于轉(zhuǎn)換光色的預(yù)制成型的光轉(zhuǎn)換層；
[0014](2)、所述光轉(zhuǎn)換層的表面上設(shè)置一個(gè)以上用于安裝LED芯片的安裝腔體；
[0015](3)、貼裝所述LED芯片至所述安裝腔體內(nèi)；
[0016](4)、以每個(gè)安裝有LED芯片的安裝腔體為單位，切割所述光轉(zhuǎn)換層為單顆白光LED芯片。
[0017]進(jìn)一步的，所述安裝腔體內(nèi)設(shè)有定位圖案，所述LED芯片設(shè)有定位部，所述LED芯片的定位部對(duì)準(zhǔn)所述安裝腔體內(nèi)的定位圖案，貼裝所述LED芯片至所述安裝腔體內(nèi)。
[0018]進(jìn)一步地，所述白光LED芯片包括貼倒裝型LED芯片；所述貼倒裝型LED芯片的光轉(zhuǎn)換層通過(guò)模頂成型方式制作，其安裝腔體內(nèi)的定位圖案通過(guò)模具上預(yù)先設(shè)置定位圖案，定位圖案包括十字形、圓形或方形中的一種或多種組合。
[0019]進(jìn)一步地，所述白光LED芯片包括貼正裝型LED芯片和貼垂直型LED芯片；所述貼正裝型LED芯片和貼垂直型LED芯片通過(guò)模具沖壓出定位圖案，所述定位圖案的形狀包括十字形、圓形或方形中的一種或多種組合。
[0020]進(jìn)一步地，所述光轉(zhuǎn)換層為一種半固化的高分子基材料，所述LED芯片貼于所述光轉(zhuǎn)換層的安裝腔體內(nèi)，通過(guò)固化結(jié)合LED芯片和光轉(zhuǎn)換層。
[0021]或所述光轉(zhuǎn)換層為一種陶瓷基熒光片，所述LED芯片貼于所述安裝腔體內(nèi)，通過(guò)加熱透明的膠材固化結(jié)合所述光轉(zhuǎn)換層和所述LED芯片。
[0022]進(jìn)一步的，所述白光LED芯片為貼倒裝型LED芯片，其包括外延襯底層、生長(zhǎng)在所述外延襯底層上表面的N型氮化鎵層、生長(zhǎng)在所述N型氮化鎵層部分上表面的發(fā)光層、生長(zhǎng)在所述N型氮化鎵層部分上表面的N型歐姆接觸層、生長(zhǎng)在所述發(fā)光層上表面的P型氮化鎵層和生長(zhǎng)在所述P型氮化鎵層部分上表面的P型歐姆接觸層，在所述P型氮化鎵層、P型歐姆接觸層、N型氮化鎵層和N型歐姆接觸層上表面還設(shè)置有絕緣層，在所述P型歐姆接觸層上表面的絕緣層上開(kāi)設(shè)有第一通孔，在所述N型歐姆接觸層上表面的絕緣層上開(kāi)設(shè)有第二通孔，在所述絕緣層上表面分別獨(dú)立設(shè)置有P電極鍵合層和N電極鍵合層，所述P電極鍵合層貫穿第一通孔與P型歐姆接觸層電連接，所述N電極鍵合層貫穿第二通孔與N型歐姆接觸層電連接。
[0023]進(jìn)一步的，所述白光LED芯片為正裝型LED芯片，其包括外延襯底層、生長(zhǎng)在所述外延襯底層上表面的N型氮化鎵層、生長(zhǎng)在所述N型氮化鎵層部分上表面的發(fā)光層、在所述N型氮化鎵層部分上表面的N型歐姆接觸層、在所述發(fā)光層上表面的P型氮化鎵層和在所述P型氮化鎵層部分上表面的P型歐姆接觸層，一透明導(dǎo)電層覆蓋在該第一 LED芯片的P型歐姆接觸層，一絕緣層覆蓋在該第一透明導(dǎo)電層的部分表面，第一、二金屬焊墊分別設(shè)置在所述N型歐姆接觸層和該絕緣層表面。
[0024]進(jìn)一步的，所述白光LED芯片為垂直型LED芯片，其包括金屬襯底層、鍵合在在所述金屬襯底層上表面的P型氮化鎵層、生長(zhǎng)在所述P型氮化鎵層部分上表面的發(fā)光層、生長(zhǎng)在所述發(fā)光層上表面的N型氮化鎵層和生長(zhǎng)在所述N型氮化鎵層部分上表面的N型歐姆接觸層。所述N型歐姆接觸層設(shè)置有金屬焊墊。
[0025]本發(fā)明在同一構(gòu)思下，將LED芯片直接貼裝在一預(yù)制成型的光轉(zhuǎn)換層上，實(shí)現(xiàn)光轉(zhuǎn)換層包覆LED芯片。本發(fā)明的這種結(jié)構(gòu)有利于選擇倒貼型LED芯片于預(yù)制成型的光轉(zhuǎn)換層上，避免現(xiàn)有做法讓LED芯片底部電極受到污染，提高白光LED芯片后工序應(yīng)用的焊接良率。
[0026]因此，本發(fā)明不僅能夠提升白光LED芯片的發(fā)光效率，而且能夠避免現(xiàn)有做法讓LED芯片底部電極受到污染和生產(chǎn)加工容易、產(chǎn)品良率高的優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1a是本發(fā)明倒裝型白光LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖(有光轉(zhuǎn)換層)；
圖1b是本發(fā)明倒裝型白光LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖(無(wú)光轉(zhuǎn)換層)；
[0028]圖2是本發(fā)明正裝型白光LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3是本發(fā)明垂直型白光LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖4a-圖4b是本發(fā)明實(shí)施例1的一種安裝腔體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖5a-圖5b是本發(fā)明實(shí)施例1的另一種安裝腔體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖6a-圖6b是本發(fā)明實(shí)施例1的第三種安裝腔體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖7a_圖7b是本發(fā)明實(shí)施例1的第四種安裝腔體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]圖8是本發(fā)明實(shí)施例1的白光LED燈的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]圖9a-圖9b是本發(fā)明實(shí)施例2的一種安裝腔體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036]圖1Oa-圖1Ob是本發(fā)明實(shí)施例2的另一種安裝腔體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]圖1la-圖1lb是本發(fā)明實(shí)施例2的第三種安裝腔體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]圖12a-圖12b是本發(fā)明實(shí)施例3的一種安裝腔體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0039]圖13a-圖13b是本發(fā)明實(shí)施例3的另一種安裝腔體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0040]圖14a-圖14b是本發(fā)明實(shí)施例3的第三種安裝腔體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041]圖中:
[0042]100、倒裝型LED芯片
[0043]101、外延襯底層102、N型氮化鎵層
[0044]103、發(fā)光層104、N型歐姆接觸層
[0045]105、P型氮化鎵層106、P型歐姆接觸層
[0046]107、絕緣層108、P電極鍵合層
[0047]109、N電極鍵合層
[0048]200、光轉(zhuǎn)換層薄片
[0049]300、電極鍵合層
[0050]400、電極鍵合層

【具體實(shí)施方式】
[0051]為了充分地了解本發(fā)明的目的、特征和效果，以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0052]如圖la、圖2和圖3所示，本實(shí)施例公開(kāi)了一種白光LED芯片，包括一 LED芯片100和一預(yù)制成型的用于光色轉(zhuǎn)換的光轉(zhuǎn)換層200，所述LED芯片100為貼裝式芯片。所述光轉(zhuǎn)換層200設(shè)有一容納所述LED芯片100的安裝腔體，LED芯片100的四個(gè)側(cè)面和出光面均被所述安裝腔體包裹。LED芯片100發(fā)出的藍(lán)光或其它顏色的光經(jīng)過(guò)光轉(zhuǎn)換層的轉(zhuǎn)換后變成白光。
[0053]優(yōu)選的,所述光轉(zhuǎn)換層為薄片，其厚度在于100um-1000um之間。光轉(zhuǎn)換層的材料為陶瓷基、硅膠、環(huán)氧、玻璃中一種或多種組合。其制作方法如I)、熒光粉混入陶瓷中經(jīng)壓制、燒結(jié)、研磨、切割等制成一平整的光轉(zhuǎn)換層，再利用感光型環(huán)氧基樹(shù)脂材料涂覆在陶瓷基光轉(zhuǎn)層上經(jīng)曝光、顯影層、成型后，制作出帶有安裝腔體的光轉(zhuǎn)換層。2)、先把熒光粉和制作玻璃的原材料中混合經(jīng)過(guò)高溫煅燒、研磨、拋光、切割制成平整的玻璃基熒光片，再混有熒光粉的硅膠材料點(diǎn)涂在玻璃基熒光片，形成帶有若干個(gè)安裝腔體的光轉(zhuǎn)換層薄片。優(yōu)選地，所述光轉(zhuǎn)換層為一種半固化的高分子基材料，所述LED芯片貼于所述光轉(zhuǎn)換層的安裝腔體內(nèi)，通過(guò)固化結(jié)合LED芯片和光轉(zhuǎn)換層?；蛩龉廪D(zhuǎn)換層為一種陶瓷基熒光片，所述LED芯片貼于所述安裝腔體內(nèi)，通過(guò)加熱透明的膠材固化結(jié)合所述光轉(zhuǎn)換層和所述LED芯片。
[0054]所述安裝腔體的體積為長(zhǎng)寬高之積。其中，光轉(zhuǎn)換層的安裝腔體的長(zhǎng)和寬之積，即長(zhǎng)寬面積為L(zhǎng)ED芯片的長(zhǎng)寬面積的1.0-1.2倍，其高度不超過(guò)光轉(zhuǎn)換層厚度的30%，達(dá)到微型化的目的。
[0055]其中，光轉(zhuǎn)換層200是一種預(yù)制成型的薄片狀材料，可以是條狀，也可以是塊狀。該光轉(zhuǎn)換層200用于轉(zhuǎn)換光色，比如貼裝式LED芯片100為藍(lán)光的LED芯片時(shí)，光轉(zhuǎn)換層薄片200就選用黃色光轉(zhuǎn)換材料，從而將藍(lán)光轉(zhuǎn)換成白光，需要說(shuō)明的是本專利并不局限于藍(lán)光LED芯片和黃色光轉(zhuǎn)換材料這種例子，其他將LED芯片發(fā)出的光轉(zhuǎn)換成白光的情況也是本發(fā)明的保護(hù)范圍。光轉(zhuǎn)換層200由一種載體材料和分散于所述載體材料中的光轉(zhuǎn)換材料制成，所述光轉(zhuǎn)換材料包括基質(zhì)材料和發(fā)光材料，所述基質(zhì)材料由釔鋁石榴石、镥鋁石榴石、硅酸鹽、氮化物、氟化物、磷酸鹽中的一種或多種組成，所述發(fā)光材料為摻雜的稀土離子為Eu2+、Pr3+、Ce3+、Eu3+、Tb3+、Yb2+、Dy3+中的一種或多種組合材料。所述載體材料為透明的無(wú)機(jī)陶瓷基材料，所述無(wú)機(jī)陶瓷基材料為氧化鋁、二氧化硅。該預(yù)制成型帶有光轉(zhuǎn)換層200的具體制作方式可以是把無(wú)機(jī)陶瓷基氧化鋁粉末、熒光粉材料經(jīng)過(guò)混合、壓錠、高溫下燒結(jié)、還原燒結(jié)、研磨、切割等工序加工成薄片狀的光轉(zhuǎn)換層，其制備方式都是常規(guī)技術(shù)，其材料和物質(zhì)也與現(xiàn)有熒光粉層或熒光片一致，只是本發(fā)明是將預(yù)制成型的光轉(zhuǎn)換層與LED粘接在一起，而不是通過(guò)點(diǎn)膠的方式在LED芯片上形成光轉(zhuǎn)換物質(zhì)材料層。
[0056]實(shí)施例1
[0057]如圖1b所示，本實(shí)施例選用的貼裝式LED芯片100為倒裝LED芯片，其包括外延襯底層101、生長(zhǎng)在所述外延襯底層101上表面的N型氮化鎵層102、生長(zhǎng)在所述N型氮化鎵層102部分上表面的發(fā)光層103、生長(zhǎng)在所述N型氮化鎵層102部分上表面的N型歐姆接觸層104、生長(zhǎng)在所述發(fā)光層103上表面的P型氮化鎵層105和生長(zhǎng)在所述P型氮化鎵層105部分上表面的P型歐姆接觸層106，在所述P型氮化鎵層105、P型歐姆接觸層106、N型氮化鎵層102和N型歐姆接觸層104上表面還設(shè)置有絕緣層107，在所述P型歐姆接觸層106上表面的絕緣層107上開(kāi)設(shè)有第一通孔，在所述N型歐姆接觸層104上表面的絕緣層107上開(kāi)設(shè)有第二通孔，在所述絕緣層107上表面分別獨(dú)立設(shè)置有P電極鍵合層108和N電極鍵合層109，所述P電極鍵合層108貫穿第一通孔與P型歐姆接觸層106電連接，所述N電極鍵合層109貫穿第二通孔與N型歐姆接觸層104電連接。
[0058]本發(fā)明實(shí)施例所述白光LED芯片的制作方法，包括以下步驟:
[0059](I)、制作一用于轉(zhuǎn)換光色的預(yù)制成型的光轉(zhuǎn)換層。
[0060]光轉(zhuǎn)換層200必須先制作好，制作好后等待使用。
[0061](2)、所述光轉(zhuǎn)換層的表面上設(shè)置一個(gè)以上用于安裝LED芯片的安裝腔體。
[0062]將已經(jīng)制作好的光轉(zhuǎn)換層200的表面上設(shè)置多個(gè)用于安裝LED芯片的安裝腔體。各安裝腔體內(nèi)制作定位圖案。安裝腔體內(nèi)的定位圖案有十字形、方形、圓形等其它形狀。如圖1a所示，本實(shí)施例選用的貼裝式LED芯片100為倒裝LED芯片，其P電極鍵合層108和N電極鍵合層109均朝下，光轉(zhuǎn)換層200并不會(huì)覆蓋P電極鍵合層108和N電極鍵合層109。所以定位圖案僅需要開(kāi)槽形狀，不能開(kāi)孔，以防止未經(jīng)過(guò)光轉(zhuǎn)換層轉(zhuǎn)換的光溢出外界。
[0063](3)、貼裝所述LED芯片至所述安裝腔體內(nèi)。
[0064]如圖1a所示，將貼裝式LED芯片貼裝到所述LED安裝腔體內(nèi)。
[0065](4)以每個(gè)安裝有LED芯片的安裝腔體為單位，切割所述光轉(zhuǎn)換層為單顆白光LED
-H-* I I
心/T O
[0066]貼裝好后，由于光轉(zhuǎn)換層中有很多個(gè)安裝腔體，每個(gè)安裝腔體內(nèi)斗安裝有一 LED芯片。將光轉(zhuǎn)換層切割成單顆白光LED芯片，每一顆白光LED芯片除了 P電極鍵合層108和N電極鍵合層109外，都被光轉(zhuǎn)換層材料覆蓋。圖4 (b)、圖5 (b)、圖6 (b)、圖7 (b)分別為每個(gè)設(shè)有安裝腔體的光轉(zhuǎn)換層的俯視圖，對(duì)應(yīng)地，圖4(a)為圖4(b)的Al-Al方向截面圖；圖5(a)為圖5(b)的A2-A2方向截面圖；圖6(&)為圖6(b)的A3-A3方向截面圖；圖7 (a)為圖7(b)的A4-A4方向截面圖。從如圖4、圖5、圖6和圖7可以看出，本實(shí)施例在安裝腔體的底部刻有圓形、方形、十字形等刻槽用于定位。選擇表面貼裝機(jī)、固晶機(jī)、倒裝邦定機(jī)的一種進(jìn)行貼裝，采用透明膠體粘接方式實(shí)現(xiàn)LED芯片100與光轉(zhuǎn)換層200的物理連接。如圖8所示，采用切割機(jī)沿虛線位置進(jìn)行切割成單顆的直接貼裝式帶有光轉(zhuǎn)換層的白光LED芯片。
[0067]本方法完全區(qū)別于傳統(tǒng)制作突光粉層的方式，將LED芯片的光轉(zhuǎn)換層材料層米用預(yù)制薄片方式形成一光轉(zhuǎn)換層200，并將LED芯片貼裝在光轉(zhuǎn)換層200的安裝腔體內(nèi)，光轉(zhuǎn)換層200包圍LED芯片四周和頂面，而不是直接做在LED芯片上，這樣就不容易引起LED芯片底部電極受:到污染，進(jìn)而提聞白光LED芯片后工序應(yīng)用的焊接良率。
[0068]實(shí)施例2
[0069]如圖2、圖9、圖10和圖11所示，本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同僅在于，本實(shí)施例所述白光LED芯片為正裝型LED芯片，其包括外延襯底層、生長(zhǎng)在所述外延襯底層上表面的N型氮化鎵層、生長(zhǎng)在所述N型氮化鎵層部分上表面的發(fā)光層、在所述N型氮化鎵層部分上表面的N型歐姆接觸層、在所述發(fā)光層上表面的P型氮化鎵層和在所述P型氮化鎵層部分上表面的P型歐姆接觸層，一透明導(dǎo)電層覆蓋在該第一 LED芯片的P型歐姆接觸層，一絕緣層覆蓋在該第一透明導(dǎo)電層的部分表面，第一、二金屬焊墊分別設(shè)置在所述N型歐姆接觸層和該絕緣層表面。
[0070]本實(shí)施例的白光LED芯片的制作方法與實(shí)施例一的區(qū)別具體如下:所述光轉(zhuǎn)換層的表面上設(shè)置一個(gè)以上用于安裝LED芯片的安裝腔體是通過(guò)模具沖壓方式從而圍成具有開(kāi)孔的多個(gè)LED芯片安裝腔體。開(kāi)孔圖案用于正裝型LED芯片的電極對(duì)準(zhǔn)，方便電極引線。如圖9、圖10和圖11所示，圖9(b)、圖10(b)、圖11(b)分別為每個(gè)設(shè)有安裝腔體的光轉(zhuǎn)換層的俯視圖，對(duì)應(yīng)地，圖9 (a)為圖9(b)的Bl-Bl方向截面圖；圖10(a)為圖10(b)的B2-B2方向截面圖；圖11(a)為圖11(b)的B3-B3方向截面圖。所述定位圖案的形狀包括十字形、圓形或方形中的一種或多種組合。
[0071]正裝型LED芯片100貼裝到所述LED安裝腔體內(nèi)，并切割成上方和四周具有光轉(zhuǎn)換層單顆白光LED芯片即可供后續(xù)使用。
[0072]實(shí)施例3
[0073]如圖3、圖12、圖13和圖14所示，本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同僅在于，所述白光LED芯片為垂直型LED芯片，其包括金屬襯底層、鍵合在在所述金屬襯底層上表面的P型氮化鎵層、生長(zhǎng)在所述P型氮化鎵層部分上表面的發(fā)光層、生長(zhǎng)在所述發(fā)光層上表面的N型氮化鎵層和生長(zhǎng)在所述N型氮化鎵層部分上表面的N型歐姆接觸層。所述N型歐姆接觸層設(shè)置有金屬焊墊。
[0074]本實(shí)施例的白光LED芯片的制作方法與實(shí)施例一的區(qū)別具體如下:貼垂直型LED芯片通過(guò)模具沖壓方式從而圍成具有開(kāi)孔的多個(gè)LED芯片安裝腔體。開(kāi)孔圖案用作電極對(duì)準(zhǔn)，方便電極引線。如圖12、圖13和圖14所示，圖12(b)、圖13(b)、圖14(b)分別為每個(gè)設(shè)有安裝腔體的光轉(zhuǎn)換層的俯視圖，對(duì)應(yīng)地，圖12(a)為圖12(b)的Cl-Cl方向截面圖；圖13(a)為圖13(b)的C2-C2方向截面圖；圖14(a)為圖14(b)的C3-C3方向截面圖所述定位圖案的形狀包括十字形、圓形或方形中的一種或多種組合。
[0075]垂直型LED芯片100貼裝到所述LED安裝腔體內(nèi)，并切割成上方和四周具有光轉(zhuǎn)換層單顆白光LED芯片即可供后續(xù)使用。
[0076]以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)就可以根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思做出諸多修改和變化。因此，凡本【技術(shù)領(lǐng)域】中技術(shù)人員依本發(fā)明構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上通過(guò)邏輯分析、推理或者根據(jù)有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，均應(yīng)該在本權(quán)利要求書所確定的保護(hù)范圍之中。
【權(quán)利要求】
1.一種白光LED芯片，其特征在于，包括一LED芯片和一用于轉(zhuǎn)換光色的預(yù)制成型的光轉(zhuǎn)換層，所述光轉(zhuǎn)換層設(shè)有一容納所述LED芯片的安裝腔體，所述LED芯片的四個(gè)側(cè)面和出光面均被所述安裝腔體包裹。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于:所述光轉(zhuǎn)換層的厚度為lOOum-lOOOum。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于:所述光轉(zhuǎn)換層的材料包括陶瓷基、硅膠、環(huán)氧樹(shù)脂、或玻璃中一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的白光LED芯片，其特征在于:所述光轉(zhuǎn)換層的安裝腔體的長(zhǎng)和寬的面積為L(zhǎng)ED芯片的長(zhǎng)和寬的面積的1.0-1.2倍，其高度小于或等于光轉(zhuǎn)換層厚度的30%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光LED芯片，其特征在于:所述安裝腔體內(nèi)表面設(shè)有定位圖案，所述白光LED芯片包括貼倒裝型LED芯片、貼正裝型LED芯片和貼垂直型LED芯片；所述貼倒裝型LED芯片的安裝腔體內(nèi)表面設(shè)有十字形、方形或圓形開(kāi)槽；所述貼正裝型LED芯片的安裝腔體內(nèi)表面設(shè)有多于2個(gè)的方形、圓形或十字形的開(kāi)孔；所述貼垂直型LED芯片的安裝腔體內(nèi)表面設(shè)有多于I個(gè)的方形、圓形或十字形的開(kāi)孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的白光LED芯片，其特征在于: 所述白光LED芯片為貼倒裝型LED芯片，其包括外延襯底層、生長(zhǎng)在所述外延襯底層上表面的N型氮化鎵層、生長(zhǎng)在所述N型氮化鎵層部分上表面的發(fā)光層、生長(zhǎng)在所述N型氮化鎵層部分上表面的N型歐姆接觸層、生長(zhǎng)在所述發(fā)光層上表面的P型氮化鎵層和生長(zhǎng)在所述P型氮化鎵層部分上表面的P型歐姆接觸層，在所述P型氮化鎵層、P型歐姆接觸層、N型氮化鎵層和N型歐姆接觸層上表面還設(shè)置有絕緣層，在所述P型歐姆接觸層上表面的絕緣層上開(kāi)設(shè)有第一通孔，在所述N型歐姆接觸層上表面的絕緣層上開(kāi)設(shè)有第二通孔，在所述絕緣層上表面分別獨(dú)立設(shè)置有P電極鍵合層和N電極鍵合層，所述P電極鍵合層貫穿第一通孔與P型歐姆接觸層電連接，所述N電極鍵合層貫穿第二通孔與N型歐姆接觸層電連接。
7.一種白光LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)、制作一用于轉(zhuǎn)換光色的預(yù)制成型的光轉(zhuǎn)換層； (2)、所述光轉(zhuǎn)換層的表面上設(shè)置一個(gè)以上用于安裝LED芯片的安裝腔體； (3)、貼裝所述LED芯片至所述安裝腔體內(nèi)； (4)、以每個(gè)安裝有LED芯片的安裝腔體為單位，切割所述光轉(zhuǎn)換層為單顆白光LED芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的白光LED芯片的制作方法，其特征在于: 所述安裝腔體內(nèi)設(shè)有定位圖案，所述LED芯片設(shè)有定位部，所述LED芯片的定位部對(duì)準(zhǔn)所述安裝腔體內(nèi)的定位圖案，貼裝所述LED芯片至所述安裝腔體內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的白光LED芯片的制作方法，其特征在于: 所述白光LED芯片包括貼倒裝型LED芯片；所述貼倒裝型LED芯片的光轉(zhuǎn)換層通過(guò)模頂成型方式制作，其安裝腔體內(nèi)的定位圖案通過(guò)模具上預(yù)先設(shè)置定位圖案，定位圖案包括十字形、圓形或方形中的一種或多種組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的白光LED芯片的制作方法，其特征在于: 所述白光LED芯片包括貼正裝型LED芯片和貼垂直型LED芯片；所述貼正裝型LED芯片和貼垂直型LED芯片通過(guò)模具沖壓出定位圖案，所述定位圖案的形狀包括十字形、圓形或方形中的一種或多種組合。
11.根據(jù)利要求7所述的白光LED芯片的制作方法，其特征在于: 所述光轉(zhuǎn)換層為一種半固化的高分子基材料，所述LED芯片貼于所述光轉(zhuǎn)換層的安裝腔體內(nèi)，通過(guò)固化結(jié)合LED芯片和光轉(zhuǎn)換層。 或所述光轉(zhuǎn)換層為一種陶瓷基熒光片，所述LED芯片貼于所述安裝腔體內(nèi)，通過(guò)加熱透明的膠材固化結(jié)合所述光轉(zhuǎn)換層和所述LED芯片。
【文檔編號(hào)】H01L33/50GK104167482SQ201410367889
【公開(kāi)日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2014年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月29日
【發(fā)明者】萬(wàn)垂銘, 姜志榮, 吳倚輝, 姚述光, 曾照明, 肖國(guó)偉 申請(qǐng)人:晶科電子（廣州）有限公司