晶圓級芯片規(guī)模封裝工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種晶圓級芯片規(guī)模封裝工藝，包括：在晶圓結(jié)構(gòu)上形成切割道，所述切割道從形成于所述晶圓結(jié)構(gòu)上表面的種子層向所述晶圓結(jié)構(gòu)延伸；在形成有所述切割道的晶圓結(jié)構(gòu)上涂保護膠，所述保護膠至少包裹所述晶圓結(jié)構(gòu)的四周、包裹形成于所述晶圓結(jié)構(gòu)上的焊球、植焊球的凸塊、種子層，并且填充所述切割道；研磨形成有所述保護膠的晶圓結(jié)構(gòu)，至少至所述焊球從所述保護膠中露出；沿切割道將所晶圓結(jié)構(gòu)分割成多組。晶圓結(jié)構(gòu)及形成于其上的結(jié)構(gòu)被保護膠包裹，在進行后續(xù)表面貼裝工藝時更加容易操作，且不易損傷芯片，提高良品率。
【專利說明】晶圓級芯片規(guī)模封裝工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及芯片封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓級芯片規(guī)模封裝工藝。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著芯片生產(chǎn)中對組裝厚度的要求，需要芯片封裝的厚度盡量薄，當芯片尺寸小到一定的范圍，例如單邊小于600微米時，后續(xù)的表面貼裝工藝過程就會比較困難。并且，硅材料在切割后比較脆弱，容易產(chǎn)生崩邊或缺角。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]在下文中給出關(guān)于本發(fā)明的簡要概述，以便提供關(guān)于本發(fā)明的某些方面的基本理解。應(yīng)當理解，這個概述并不是關(guān)于本發(fā)明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發(fā)明的關(guān)鍵或重要部分，也不是意圖限定本發(fā)明的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細描述的前序。
[0004]本發(fā)明提供一種晶圓級芯片規(guī)模封裝工藝，包括:在晶圓結(jié)構(gòu)上形成切割道，所述切割道從形成于所述晶圓結(jié)構(gòu)上表面的種子層向所述晶圓結(jié)構(gòu)延伸；在形成有所述切割道的晶圓結(jié)構(gòu)上涂保護膠，所述保護膠至少包裹所述晶圓結(jié)構(gòu)的四周、包裹形成于所述晶圓結(jié)構(gòu)上的焊球、植焊球的凸塊、種子層，并且填充所述切割道；研磨形成有所述保護膠的晶圓結(jié)構(gòu)，至少至所述焊球從所述保護膠中露出；沿切割道將所晶圓結(jié)構(gòu)分割成多組。
[0005]本發(fā)明至少一個有益效果是晶圓結(jié)構(gòu)及形成于其上的結(jié)構(gòu)被保護膠包裹，在進行后續(xù)表面貼裝工藝時更加容易操作，且不易損傷芯片，提聞良品率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0007]圖1為本發(fā)明的工藝流程圖；
[0008]圖2為在本發(fā)明晶圓結(jié)構(gòu)上形成切割道的示意圖；
[0009]圖3為本發(fā)明涂覆保護膠的示意圖；
[0010]圖4為本發(fā)明進行研磨步步驟后的示意圖；
[0011]圖5和圖6為本發(fā)明對晶圓結(jié)構(gòu)進行分割的不意圖；
[0012]圖7為在晶圓結(jié)構(gòu)上形成種子層的示意圖；
[0013]圖8為在種子層上涂覆光刻膠的示意圖；
[0014]圖9為對光刻膠曝光顯影形成開口的示意圖
[0015]圖10為在開口內(nèi)形成凸塊的示意圖；
[0016]圖11為去除光刻膠的示意圖；
[0017]圖12為植焊球的示意圖。
[0018]附圖標記:
[0019]1-晶圓結(jié)構(gòu)；2-種子層；3-凸塊；4-焊球；5-切割道;6_保護膠;10_光刻膠。

【具體實施方式】
[0020]為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。在本發(fā)明的一個附圖或一種實施方式中描述的元素和特征可以與一個或更多個其它附圖或?qū)嵤┓绞街惺境龅脑睾吞卣飨嘟Y(jié)合。應(yīng)當注意，為了清楚的目的，附圖和說明中省略了與本發(fā)明無關(guān)的、本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0021]在本發(fā)明以下各實施例中，實施例的序號和/或先后順序僅僅便于描述，不代表實施例的優(yōu)劣。對各個實施例的描述都各有側(cè)重，某個實施例中沒有詳述的部分，可以參見其他實施例的相關(guān)描述。
[0022]本發(fā)明涉及一種晶圓級芯片規(guī)模封裝工藝，參見圖1，包括:步驟10，在晶圓結(jié)構(gòu)I上形成切割道5，切割道5從形成于晶圓結(jié)構(gòu)I上表面的種子層2向所述晶圓結(jié)構(gòu)I延伸(如圖2所示)；8卩，切割道5從種子層2開始，向晶圓結(jié)構(gòu)I方向延伸。步驟20，如圖3所示，在形成有切割道5的晶圓結(jié)構(gòu)I上涂保護膠，保護膠至少包裹晶圓結(jié)構(gòu)I的四周、包裹形成于晶圓結(jié)構(gòu)I上的焊球4、植焊球4的凸塊3、種子層2，并且填充切割道5 ;步驟30，研磨形成有保護膠的晶圓結(jié)構(gòu)1，至少至焊球4從所述保護膠中露出(參見圖4);步驟40，如圖5和6所示沿切割道5將晶圓結(jié)構(gòu)I分割成多組。
[0023]需要理解，步驟30中研磨時，參見圖4到圖6，會先從保護膠開始進行，研磨至焊球4，為了保證焊球4露出的部分足夠多以滿足使用要求，可以繼續(xù)進行研磨以露出更多的焊球4，只是研磨時同需要同時研磨焊球4和保護膠。即使研磨完成，焊球4的四周也是被保護膠包裹的。
[0024]另外，因為切割道5中填充油保護膠，沿切割道5將晶圓結(jié)構(gòu)I分割成多組后，每組晶圓結(jié)構(gòu)I四周還是有保護膠，這些保護膠就是之前填充在切割道5之中的，這樣，不僅方便了晶圓結(jié)構(gòu)I的制造，保護膠還能避免后續(xù)工作中受損或損壞。
[0025]可選的，上述保護膠為所述保護膠為環(huán)氧樹脂。
[0026]在一種可選的實施方式中，所述保護膠還包裹所述晶圓結(jié)構(gòu)I的底面。這樣，晶圓結(jié)構(gòu)I的各個面都有保護膠的保護，更能夠避免受損。
[0027]在一種可選的實施方式中，切割道5豎直延伸到晶圓結(jié)構(gòu)I高度的二分之一處。切割道5的這個深度方便后續(xù)分割工序，切割道5越深越容易分割，當然如果切割道5過深，也可能在切割前就斷裂，影響了工藝步驟的有序進行。當然，此處延伸到二分之一處為優(yōu)選的方式，例如延伸至三分之二等其他范圍同樣可以用于本發(fā)明。
[0028]上述步驟40中，沿切割道5將晶圓結(jié)構(gòu)I分割成多組的方式具有多種形式，例如沿所述切割道5對晶圓結(jié)構(gòu)進行切割，將晶圓結(jié)構(gòu)分割成多組?；蛘邚乃鼍A結(jié)構(gòu)的下表面對所屬晶圓結(jié)構(gòu)進行研磨，直至露出切割道5，將晶圓結(jié)構(gòu)分割成多組。參見圖5和圖6，示出了對晶圓結(jié)構(gòu)進行分割的示意圖?？梢岳斫?，切割道5將晶圓結(jié)構(gòu)分割成多個部分，經(jīng)過研磨，多個部分也就彼此分離。當然，在采用研磨方法時，晶圓結(jié)構(gòu)的底面就可以不涂覆保護膠6，等研磨結(jié)束在涂覆保護膠6。需要理解，使用研磨方法時，研磨道切割道露出，但是由于切割道內(nèi)填充有保護膠6，各個部分的晶圓結(jié)構(gòu)還是通過保護膠6連接在一起(如圖5所示)，此時，可以沿切割道內(nèi)保護膠6的中線進行切割，使各部分分開，形成如圖6所示的多組。圖6中的晶圓結(jié)構(gòu)底部，在研磨結(jié)束，并且切割成多組后，又涂覆了保護膠6，該圖6中所示意出的為將晶圓結(jié)構(gòu)切割成三份，這僅僅是示意圖，并不能用于限制本發(fā)明。
[0029]在上述的研磨中，可選的，將焊球4的上表面研磨至平面結(jié)構(gòu)。該平面結(jié)構(gòu)容易研磨制成。進一步，焊球4從保護膠6中露出的部分與四周的保護膠6齊平，或低于四周的保護膠6。這樣，保護膠對焊球4能起到保護作用，并且在大量生產(chǎn)時，這種結(jié)構(gòu)不會使焊球4劃到其他零部件，也不會由雜質(zhì)貼于焊球4上，能夠避免例如在焊接時，雜質(zhì)影響產(chǎn)品的性倉泛。
[0030]在形成上述切割道之前，包括步驟I在晶圓結(jié)構(gòu)的上表面沉積形成種子層2 (參見圖7);步驟2在種子層2上涂覆光刻膠10，對光刻膠10曝光顯影形成開口，開口深至種子層2從所述開口露出(參見圖8和圖9);步驟3，在開口中形成凸塊3 (參見圖10)，去除剩余的光刻膠(參見圖11)，并在凸塊3上植焊球44(參見圖12)。
[0031]最后應(yīng)說明的是:雖然以上已經(jīng)詳細說明了本發(fā)明及其優(yōu)點，但是應(yīng)當理解在不超出由所附的權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以進行各種改變、替代和變換。而且，本發(fā)明的范圍不僅限于說明書所描述的過程、設(shè)備、手段、方法和步驟的具體實施例。本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員從本發(fā)明的公開內(nèi)容將容易理解，根據(jù)本發(fā)明可以使用執(zhí)行與在此所述的相應(yīng)實施例基本相同的功能或者獲得與其基本相同的結(jié)果的、現(xiàn)有和將來要被開發(fā)的過程、設(shè)備、手段、方法或者步驟。因此，所附的權(quán)利要求旨在在它們的范圍內(nèi)包括這樣的過程、設(shè)備、手段、方法或者步驟。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓級芯片規(guī)模封裝工藝，其特征在于，包括: 在晶圓結(jié)構(gòu)上形成切割道，所述切割道從形成于所述晶圓結(jié)構(gòu)上表面的種子層向所述晶圓結(jié)構(gòu)延伸； 在形成有所述切割道的晶圓結(jié)構(gòu)上涂保護膠，所述保護膠至少包裹所述晶圓結(jié)構(gòu)的四周、包裹形成于所述晶圓結(jié)構(gòu)上的焊球、植焊球的凸塊、種子層，并且填充所述切割道；研磨形成有所述保護膠的晶圓結(jié)構(gòu)，至少至所述焊球從所述保護膠中露出； 沿切割道將所晶圓結(jié)構(gòu)分割成多組。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于， 所述保護膠還包裹所述晶圓結(jié)構(gòu)的底面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于， 所述切割道豎直延伸到所述晶圓結(jié)構(gòu)高度的二分之一處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于， 沿所述切割道切割所述晶圓結(jié)構(gòu)，以將所述晶圓結(jié)構(gòu)分割成多組。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于， 從所述晶圓結(jié)構(gòu)的下表面對所屬晶圓結(jié)構(gòu)進行研磨，直至露出所述切割道，以將所述晶圓結(jié)構(gòu)分割成多組。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于， 在晶圓結(jié)構(gòu)上形成所述切割道之前，還包括: 在晶圓結(jié)構(gòu)的上表面沉積形成種子層； 在所述種子層上涂覆光刻膠，對所述光刻膠曝光顯影形成開口，所述開口深至所述種子層從所述開口露出； 在所述開口中形成凸塊，去除剩余的光刻膠，并在所述凸塊上植焊球。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征在于， 研磨形成有所述保護膠的晶圓結(jié)構(gòu)，將所述焊球的上表面研磨至平面結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述的工藝，其特征在于， 所述焊球從所述保護膠中露出的部分與四周的保護膠齊平，或低于四周的保護膠。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項所述的工藝，其特征在于， 所述保護膠為環(huán)氧樹脂。
【文檔編號】H01L21/78GK104362102SQ201410510413
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年9月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月28日
【發(fā)明者】丁萬春 申請人:南通富士通微電子股份有限公司