電荷傳輸性清漆、電荷傳輸性薄膜、有機(jī)電致發(fā)光元件和電荷傳輸性薄膜的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供電荷傳輸性清漆，其能夠在低于200℃的低溫下燒成，同時在這樣的燒成條件下制作的薄膜具有高平坦性且具有高電荷傳輸性，應(yīng)用于有機(jī)EL元件的情況下能夠發(fā)揮優(yōu)異的EL元件特性。電荷傳輸性清漆，是包含電荷傳輸性物質(zhì)、摻雜劑和有機(jī)溶劑的電荷傳輸性清漆，其特征在于，上述摻雜劑包含雜多酸和從鹵化四氰基醌二甲烷和鹵化或氰基化苯醌中選擇的至少1種。
【專利說明】電荷傳輸性清漆、電荷傳輸性薄膜、有機(jī)電致發(fā)光元件和電 荷傳輸性薄膜的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電荷傳輸性清漆、電荷傳輸性薄膜、有機(jī)電致發(fā)光（以下稱為有機(jī)EL) 元件和電荷傳輸性薄膜的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)EL元件中，作為發(fā)光層、電荷注入層，使用包含有機(jī)化合物的電荷傳輸性薄 膜。該電荷傳輸性薄膜的形成方法大致分為以蒸鍍法為代表的干法和以旋涂法為代表的濕 法。將干法與濕法進(jìn)行比較，濕法能夠以大面積高效率地制造平坦性高的薄膜，因此在希望 有機(jī)EL的薄膜的大面積化的領(lǐng)域中多采用濕法形成薄膜。
[0003] 鑒于這點，本發(fā)明人開發(fā)了用于采用濕法制作能夠應(yīng)用于各種電子器件的電荷傳 輸性薄膜的電荷傳輸性清漆（參照例如專利文獻(xiàn)1)。
[0004] 但是，近年的有機(jī)EL的領(lǐng)域中，由于元件的輕質(zhì)化、薄型化的潮流，逐漸開始代替 玻璃基板而使用包含有機(jī)化合物的基板，因此，也需要能夠在比以往低的溫度下燒成、而且 這種情況下也給予具有良好的電荷傳輸性的薄膜的清漆。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)1 :特開2002-151272號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 發(fā)明要解決的課題
[0009] 本發(fā)明鑒于上述實際情況而完成，目的在于提供電荷傳輸性清漆，其能夠在低于 200°C的低溫下燒成，同時在這樣的燒成條件下制作的薄膜具有高平坦性并且具有高電荷 傳輸性，應(yīng)用于有機(jī)EL元件的情況下能夠發(fā)揮優(yōu)異的特性。
[0010] 用于解決課題的手段
[0011] 本發(fā)明人為了實現(xiàn)上述目的反復(fù)深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，作為摻雜劑，將雜多酸和從 鹵化四氰基醌二甲烷和鹵化或氰基化苯醌中選擇的至少1種并用的電荷傳輸性清漆，不僅 在200°C以上的高溫度下，而且能夠在低于200°C的低溫下燒成，同時在這樣的燒成條件下 制作的薄膜為非晶質(zhì)，具有高平坦性和高電荷傳輸性，而且將該薄膜應(yīng)用于空穴注入層的 情況下，得到能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的亮度特性的有機(jī)EL元件，完成了本發(fā)明。
[0012] 即，本發(fā)明提供下述電荷傳輸性清漆、電荷傳輸性薄膜、有機(jī)電致發(fā)光元件和電荷 傳輸性薄膜的制造方法。
[0013] 1.電荷傳輸性清漆，是包含電荷傳輸性物質(zhì)、摻雜劑和有機(jī)溶劑的電荷傳輸性清 漆，其特征在于，上述摻雜劑包含雜多酸和從鹵化四氰基醌二甲烷和鹵化或氰基化苯醌中 選擇的至少1種。
[0014] 2. 1的電荷傳輸性清漆，其中，上述鹵化四氰基醌二甲烷包含氟化四氰基醌二甲 燒。
[0015] 3. 1或2的電荷傳輸性清漆，其中，上述雜多酸包含磷鎢酸。
[0016] 4. 1?3的任一項的電荷傳輸性清漆，其中，上述電荷傳輸性物質(zhì)為苯胺衍生物或 噻吩衍生物。
[0017] 5.電荷傳輸性薄膜，其使用1?4的任一項的電荷傳輸性清漆制作。
[0018] 6.有機(jī)電致發(fā)光兀件，其具有5的電荷傳輸性薄膜。
[0019] 7. 6的有機(jī)電致發(fā)光兀件，其中，上述電荷傳輸性薄膜為空穴注入層或空穴傳輸 層。
[0020] 8.電荷傳輸性薄膜的制造方法，其特征在于，在基材上涂布1?4的任一項的電荷 傳輸性清漆，在不到200°C下進(jìn)行燒成。
[0021] 9.有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，使用5的電荷傳輸性薄膜。
[0022] 10.電荷傳輸性材料，是包含電荷傳輸性物質(zhì)和摻雜劑的電荷傳輸性材料，其特征 在于，上述摻雜劑包含雜多酸和從鹵化四氰基醌二甲烷和鹵化或氰基化苯醌中選擇的至少 1種。
[0023] 11.電荷傳輸性薄膜的平坦化方法，是使用從鹵化四氰基醌二甲烷和鹵化或氰基 化苯醌中選擇的至少1種的電荷傳輸性薄膜的平坦化方法，其特征在于，使用電荷傳輸性 清漆，該電荷傳輸性清漆包含電荷傳輸性物質(zhì)、摻雜劑和有機(jī)溶劑，上述摻雜劑包含雜多酸 和從鹵化四氰基醌二甲烷和鹵化或氰基化苯醌中選擇的至少1種。
[0024] 發(fā)明的效果
[0025] 通過使用包含雜多酸和從鹵化四氰基醌二甲烷和鹵化或氰基化苯醌中選擇的至 少1種作為摻雜劑的本發(fā)明的電荷傳輸性清漆，不僅在200°C以上的高溫度下，而且在低于 200°C的低溫下燒成的情況下，也能夠得到薄膜，該薄膜為非晶質(zhì)，具有高平坦性和高電荷 傳輸性，應(yīng)用于有機(jī)EL元件的空穴注入層時能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的亮度特性。其原因并不確定， 但推測是由于下述的作用：通過同時使用具有高電子接受能力的鹵化四氰基醌二甲烷等和 雜多酸作為摻雜劑，能夠抑制只使用任一方的情況下可引起的薄膜的結(jié)晶化、摻雜不足。
[0026] 此外，通過使用本發(fā)明的電荷傳輸性清漆，即使在采用了旋涂法、狹縫涂布法等能 夠大面積地成膜的各種濕法的情況下也能夠再現(xiàn)性良好地制造電荷傳輸性優(yōu)異的薄膜，因 此對于近年的有機(jī)EL元件的領(lǐng)域中的進(jìn)展也能夠充分地應(yīng)對。
[0027] 而且，由本發(fā)明的電荷傳輸性清漆得到的薄膜，也能夠作為抗靜電膜、有機(jī)薄膜太 陽能電池的陽極緩沖層等使用。

【具體實施方式】
[0028][電荷傳輸性清漆]
[0029] 本發(fā)明的電荷傳輸性清漆包含電荷傳輸性物質(zhì)、摻雜劑和有機(jī)溶劑，上述摻雜劑 包含雜多酸、和從鹵化四氰基醌二甲烷和鹵化或氰基化苯醌中選擇的至少1種，即，從鹵化 四氰基醌二甲烷、鹵化苯醌和氰基化苯醌中選擇的至少1種。
[0030] [電荷傳輸性物質(zhì)]
[0031] 本發(fā)明的電荷傳輸性清漆中所含的電荷傳輸性物質(zhì)，是具有電荷傳輸性即導(dǎo)電性 的物質(zhì)，可以是其自身具有電荷傳輸性的物質(zhì)，也可以是與摻雜劑一起使用時具有電荷傳 輸性的物質(zhì)。特別優(yōu)選具有空穴傳輸性的物質(zhì)。
[0032] 作為這樣的電荷傳輸性物質(zhì)，能夠使用有機(jī)EL的領(lǐng)域等中使用的電荷傳輸性化 合物，作為其具體例，可列舉低聚苯胺衍生物、N，N' -二芳基聯(lián)苯胺衍生物、N，N，N'，N' -四 芳基聯(lián)苯胺衍生物等芳基胺衍生物（苯胺衍生物）、低聚噻吩衍生物、噻吩并噻吩衍生物、 噻吩并苯并噻吩衍生物等噻吩衍生物、低聚吡咯等吡咯衍生物等。
[0033] 作為苯胺衍生物，優(yōu)選不能形成醌二亞胺結(jié)構(gòu)的苯胺衍生物，S卩，不具有下述式所 示的部分結(jié)構(gòu)的苯胺衍生物。
[0034]

【權(quán)利要求】
1. 電荷傳輸性清漆，是包含電荷傳輸性物質(zhì)、摻雜劑和有機(jī)溶劑的電荷傳輸性清漆，其 特征在于，上述摻雜劑包含雜多酸和從鹵化四氰基醌二甲烷和鹵化或氰基化苯醌中選擇的 至少1種。
2. 權(quán)利要求1所述的電荷傳輸性清漆，其中，上述鹵化四氰基醌二甲烷包含氟化四氰 基醌二甲烷。
3. 權(quán)利要求1或2所述的電荷傳輸性清漆，其中，上述雜多酸包含磷鎢酸。
4. 權(quán)利要求1?3的任一項所述的電荷傳輸性清漆，其中，上述電荷傳輸性物質(zhì)為苯胺 衍生物或噻吩衍生物。
5. 電荷傳輸性薄膜，其使用權(quán)利要求1?4的任一項所述的電荷傳輸性清漆制作。
6. 有機(jī)電致發(fā)光兀件，其具有權(quán)利要求5所述的電荷傳輸性薄膜。
7. 權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其中，上述電荷傳輸性薄膜為空穴注入層或 空穴傳輸層。
8. 電荷傳輸性薄膜的制造方法，其特征在于，在基材上涂布權(quán)利要求1?4的任一項所 述的電荷傳輸性清漆，在不到200°C下進(jìn)行燒成。
9. 有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，使用權(quán)利要求5所述的電荷傳輸性薄 膜。
10. 電荷傳輸性材料，是包含電荷傳輸性物質(zhì)和摻雜劑的電荷傳輸性材料，其特征在 于，上述摻雜劑包含雜多酸和從鹵化四氰基醌二甲烷和鹵化或氰基化苯醌中選擇的至少1 種。
11. 電荷傳輸性薄膜的平坦化方法，是使用從鹵化四氰基醌二甲烷和鹵化或氰基化苯 醌中選擇的至少1種的電荷傳輸性薄膜的平坦化方法，其特征在于，使用電荷傳輸性清漆， 該電荷傳輸性清漆包含電荷傳輸性物質(zhì)、摻雜劑和有機(jī)溶劑，上述摻雜劑包含雜多酸和從 鹵化四氰基醌二甲烷和鹵化或氰基化苯醌中選擇的至少1種。
【文檔編號】H01B1/12GK104517665SQ201410519952
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月4日
【發(fā)明者】中家直樹, 中澤太一 申請人:日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會社