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      掩膜板、掩膜板的制造方法以及oled面板的制造方法

      文檔序號:7060003閱讀:199來源:國知局
      掩膜板、掩膜板的制造方法以及oled面板的制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種掩膜板、掩膜板的制造方法以及OLED面板的制造方法。其中,掩膜板的制造方法包括以下步驟:提供金屬板材,并定義出第一遮擋區(qū)域、第二遮擋區(qū)域以及位于第一遮擋區(qū)域和第二遮擋區(qū)域之間的涂布區(qū)域;消減涂布區(qū)域的厚度;對涂布區(qū)域進(jìn)行間隔的鏤空處理,使得其形成間隔設(shè)置且連接于第一遮擋區(qū)域和第二遮擋區(qū)域之間的骨架以及由第一遮擋區(qū)域、第二遮擋區(qū)域以及骨架圍設(shè)的鏤空區(qū)。因此,本發(fā)明可以提高產(chǎn)品的良率。
      【專利說明】掩膜板、掩膜板的制造方法以及OLED面板的制造方法

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其是涉及一種掩膜板、掩膜板的制造方法以及OLED面板的制造方法。

      【背景技術(shù)】
      [0002]有機電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting D1de, 0LED)因具備主動發(fā)光、響應(yīng)速度快、可彎曲以及超輕薄等優(yōu)點,被全球各大廠商紛紛持續(xù)投入資金與技術(shù)進(jìn)行研發(fā),并已達(dá)成量產(chǎn),市場需求高漲。
      [0003]由于OLED對水氣和氧氣非常敏感,如果有水氣或氧氣滲入OLED器件內(nèi),會腐蝕OLED器件的有機功能層及電極材料,嚴(yán)重影響OLED器件壽命,因此為了延長OLED器件壽命以及提高OLED器件穩(wěn)定性,需要對OLED器件進(jìn)行封裝處理以形成OLED封裝結(jié)構(gòu)?,F(xiàn)有技術(shù)的封裝方法為:使用點膠或者絲網(wǎng)印刷的方式將玻璃漿料涂布在封裝蓋板(也可稱為基板)上,以達(dá)到封裝OLED器件的目的。
      [0004]但是,現(xiàn)有技術(shù)的點膠的方式速度慢,點膠的壓力不易控制,容易造成斷膠、多涂膠或少涂膠的現(xiàn)象,從而造成封裝不良的缺點。而絲網(wǎng)印刷的方式雖然提高涂膠速度,但絲網(wǎng)印刷板存在絲網(wǎng)易斷、使用壽命不長、絲網(wǎng)不在一個平面上以及通常在玻璃上留下十字型印痕等缺點,同樣會造成封裝不良。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種掩膜板、掩膜板的制造方法以及OLED面板的制造方法,能夠改善現(xiàn)有技術(shù)中封裝不良的缺點。
      [0006]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種掩膜板的制造方法,該方法包括以下步驟:提供一金屬板材;在金屬板材上定義出第一遮擋區(qū)域、第二遮擋區(qū)域以及位于第一遮擋區(qū)域和第二遮擋區(qū)域之間的涂布區(qū)域;消減涂布區(qū)域的厚度,使得涂布區(qū)域的厚度低于第一遮擋區(qū)域和第二遮擋區(qū)域的厚度;對涂布區(qū)域進(jìn)行間隔的鏤空處理,使得涂布區(qū)域形成間隔設(shè)置且連接于第一遮擋區(qū)域和第二遮擋區(qū)域之間的骨架以及由第一遮擋區(qū)域、第二遮擋區(qū)域以及骨架圍設(shè)的鏤空區(qū)。
      [0007]其中,方法進(jìn)一步包括:提供一框架,將經(jīng)過鏤空處理后的金屬板材安裝到框架上,以制得掩膜板。
      [0008]其中,消減涂布區(qū)域的厚度的步驟包括:對涂布區(qū)域進(jìn)行蝕刻,以沿涂布區(qū)域的厚度方向蝕刻掉部分涂布區(qū)域。
      [0009]其中,對涂布區(qū)域進(jìn)行蝕刻的步驟進(jìn)一步包括:對涂布區(qū)域的單面或雙面進(jìn)行蝕刻。
      [0010]其中,對涂布區(qū)域進(jìn)行間隔的鏤空處理的步驟包括:通過蝕刻或激光切割的方式對涂布區(qū)域進(jìn)行間隔的鏤空處理。
      [0011]其中,將經(jīng)過鏤空處理后的金屬板材安裝到框架上之前還包括:去除金屬板材上的毛刺,使得金屬板材被切割或者蝕刻后的邊緣平滑。
      [0012]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種掩膜板,掩膜板包括:金屬板材,金屬板材包括第一遮擋區(qū)域、第二遮擋區(qū)域以及位于第一遮擋區(qū)域和第二遮擋區(qū)域之間的涂布區(qū)域,其中,涂布區(qū)域包括間隔設(shè)置且連接于第一遮擋區(qū)域和第二遮擋區(qū)域之間的骨架以及由第一遮擋區(qū)域、第二遮擋區(qū)域以及骨架圍設(shè)的鏤空區(qū),,骨架的厚度低于第一遮擋區(qū)域和第二遮擋區(qū)域的厚度;框架,金屬板材安裝在框架上。
      [0013]其中,骨架以蝕刻單面或雙面的方式形成。
      [0014]其中,鏤空區(qū)以蝕刻或激光切割的方式形成。
      [0015]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的又一個技術(shù)方案是:提供一種OLED面板的制造方法,制造方法包括:提供第一基板;在第一基板上設(shè)置上述任意一項的掩膜板;經(jīng)過鏤空區(qū)向第一基板上涂布玻璃漿料,并使得玻璃漿料流動至骨架與第一基板之間;移除掩膜板;在第一基板上貼合第二基板,并利用玻璃漿料將第二基板固定至第一基板上。
      [0016]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本發(fā)明通過消減涂布區(qū)域的厚度,使得涂布區(qū)域的厚度低于第一遮擋區(qū)域和第二遮擋區(qū)域的厚度,進(jìn)而對涂布區(qū)域進(jìn)行間隔的鏤空處理,使得涂布區(qū)域形成間隔設(shè)置且連接于第一遮擋區(qū)域和第二遮擋區(qū)域之間的骨架以及由第一遮擋區(qū)域、第二遮擋區(qū)域以及骨架圍設(shè)的鏤空區(qū)。通過上述方式,使得骨架的厚度低于第一遮擋區(qū)域和第二遮擋區(qū)域,在骨架上出現(xiàn)部分鏤空的現(xiàn)象,進(jìn)而使得在涂布玻璃漿料時,可使部分玻璃漿料流動到骨架處,在骨架處中存留,增加了骨架的玻璃漿料的膠量,使得在壓合時,骨架處能有足夠的膠量保證與鏤空區(qū)的膠量在同一水平面上,在燒結(jié)時不會在基板和基板之間廣生空隙,從而提聞了生廣良率。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0017]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0018]圖2是圖1所示的掩膜板沿虛線EF切割的剖視圖;
      [0019]圖3是本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板的制造方法的流程圖;
      [0020]圖4是本發(fā)明實施例提供的一種OLED面板的制造方法的流程圖。

      【具體實施方式】
      [0021]請參閱圖1,圖1是本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,本發(fā)明的掩膜板10包括金屬板材11,金屬板材11包括第一遮擋區(qū)域111、第二遮擋區(qū)域112以及位于第一遮擋區(qū)域111和第二遮擋區(qū)域112之間的涂布區(qū)域113。其中,涂布區(qū)域113包括間隔設(shè)置且連接于第一遮擋區(qū)域111和第二遮擋區(qū)域112之間的骨架114以及由第一遮擋區(qū)域111、第二遮擋區(qū)域112以及骨架114圍設(shè)的鏤空區(qū)115。其中,骨架114的厚度低于第一遮擋區(qū)域111和第二遮擋區(qū)域112的厚度,具體如圖2所示。
      [0022]掩膜板10還包括框架12,金屬板材11安裝在框架12上。其中,框架12是設(shè)置在金屬板材11的外圍,即第一遮擋區(qū)域111的外圍,避免阻礙金屬板材11的涂布區(qū)113進(jìn)行涂布操作。
      [0023]因此,在本實施例中,通過設(shè)置骨架114的厚度低于第一遮擋區(qū)域111和第二遮擋區(qū)域112,在骨架114上出現(xiàn)部分鏤空的現(xiàn)象,使得在涂布玻璃漿料時,可使部分玻璃漿料流動到骨架114處中存留,增加了骨架114的玻璃漿料的膠量,使得在壓合時,骨架114處能有足夠的膠量保證與鏤空區(qū)115的膠量保持在同一水平位置,在燒結(jié)時不會在基板和基板之間產(chǎn)生空隙,從而提高了生產(chǎn)良率。
      [0024]本實施例中,框架12優(yōu)選為不銹鋼,金屬板材11優(yōu)選為不銹鋼片或金屬合金片,材質(zhì)為SUS304或INVAR36或其他類似的金屬片。厚度可以為0.02mm至0.5mm的范圍??傻玫降耐坎己蟮牟A{料的厚度最小可達(dá)到0.004——0.006mm。其中,金屬板材11的高度可根據(jù)實際需求通過使用不同厚度的金屬板材來進(jìn)行調(diào)整。
      [0025]骨架114優(yōu)選以蝕刻的方式形成。鏤空區(qū)115以蝕刻或激光切割的方式形成。具體來說,首先對涂布區(qū)域113進(jìn)行蝕刻,以沿涂布區(qū)域113的厚度方向蝕刻掉部分涂布區(qū)域
      113。然后對涂布區(qū)域進(jìn)行間隔的蝕刻或激光切割以進(jìn)行鏤空處理的,從而得到骨架114和鏤空區(qū)115。
      [0026]進(jìn)一步的,在對涂布區(qū)域113進(jìn)行第一次蝕刻,以沿涂布區(qū)域113的厚度方向蝕刻掉部分涂布區(qū)域113時,具體可以對涂布區(qū)域113的單面或者雙面進(jìn)行蝕刻,以得到單面或雙面被蝕刻的骨架114。如圖2所示的為雙面被蝕刻的骨架114,其兩個面的高度均低于第一區(qū)域111和第二區(qū)域112的高度。
      [0027]其中,本實施例的骨架114的寬度為幾微米至幾百微米,骨架114的數(shù)量和寬度可以根據(jù)金屬板材11的張力設(shè)置。在金屬板材11的張力一定的情況下,若骨架114的數(shù)量設(shè)置得較多,那么就相應(yīng)的設(shè)置較窄的寬度,反之亦然。
      [0028]此外,骨架114在板材中的位置可以是完全對稱設(shè)置的,也可以是錯開位置設(shè)置的,具體可以根據(jù)實際需要設(shè)置。同樣,在一個金屬板材11中,各骨架114的寬度可以是完全相同的,也可以根據(jù)金屬板材11的張力以及鏤空區(qū)15的分布來設(shè)置寬度不同的骨架
      114。如圖1所示的骨架114,其寬度就有Wl和W2兩種。
      [0029]其中,在將進(jìn)行鏤空處理后的金屬板材11安裝在框架12上之前,本發(fā)明還會去除金屬板材11上的毛刺,使得金屬板材11被切割或者蝕刻后的邊緣平滑。具體可以利用化學(xué)電拋光的方式去除金屬板材11上的毛刺。
      [0030]其中,將進(jìn)行鏤空處理后的金屬板材11安裝在框架12上的具體操作為:首先將金屬板材11與框架12對位后,利用激光焊接的方式進(jìn)行焊接,然后將超過框架12部分的金屬板材11切掉,以使得框架12處于金屬板材11的外圍位置。
      [0031]承前所述,通過設(shè)置骨架114的厚度低于第一遮擋區(qū)域111和第二遮擋區(qū)域112,使得在涂布玻璃漿料時,可增加骨架114處的玻璃漿料的膠量,從而使得在燒結(jié)時不會在基板和基板之間廣生空隙,提聞了生廣良率。
      [0032]本發(fā)明還基于前文所述的掩膜板10提供一種掩膜板10的制造方法,具體請參閱圖3所示。
      [0033]如圖3所示,本發(fā)明的掩膜板10的制造方法包括以下步驟:
      [0034]步驟S1:提供一金屬板材11。
      [0035]本步驟中,金屬板材11優(yōu)選為不銹鋼片或金屬合金片,材質(zhì)為SUS304或INVAR36或其他類似的金屬片。厚度可以為0.02mm至0.5mm的范圍。
      [0036]選用金屬板材11來制造掩膜板10,可有效延長掩膜板10的使用壽命,并且,金屬板材11在同一個平面內(nèi),在涂布玻璃漿料時不會對基板造成壓傷,也不會留下十字印點,保持美觀,并提高生產(chǎn)良率。
      [0037]步驟S2:在金屬板材11上定義出第一遮擋區(qū)域111、第二遮擋區(qū)域112以及位于第一遮擋區(qū)域111和第二遮擋區(qū)域112之間的涂布區(qū)域113。
      [0038]其中,第一遮擋區(qū)域111較第二遮擋區(qū)域112和涂布區(qū)域113位于金屬板材11的最外圍的位置。
      [0039]步驟S3:消減涂布區(qū)域113的厚度,使得涂布區(qū)域113的厚度低于第一遮擋區(qū)域111和第二遮擋區(qū)域112的厚度。
      [0040]本步驟中,具體為對涂布區(qū)域113進(jìn)行蝕刻,以沿涂布區(qū)域113的厚度方向蝕刻掉部分涂布區(qū)域。進(jìn)一步的,本步驟是對涂布區(qū)域113的單面或雙面進(jìn)行蝕刻,以使得涂布區(qū)域113的單面或雙面的厚度被蝕刻掉部分。其中,在進(jìn)行雙面蝕刻時,涂布區(qū)域113的剖視圖如圖2所示。
      [0041]步驟S4:對涂布區(qū)域113進(jìn)行間隔的鏤空處理,使得涂布區(qū)域113形成間隔設(shè)置且連接于第一遮擋區(qū)域111和第二遮擋區(qū)域112之間的骨架114以及由第一遮擋區(qū)域111、第二遮擋區(qū)域112以及骨架114圍設(shè)的鏤空區(qū)115。
      [0042]本步驟中,具體為通過蝕刻或激光切割的方式對涂布區(qū)域進(jìn)行間隔的鏤空處理。
      [0043]在進(jìn)行鏤空處理之后,進(jìn)一步去除金屬板材11上的毛刺,使得金屬板材11被切割或者蝕刻后的邊緣平滑。具體可以利用化學(xué)電拋光的方式去除金屬板材11上的毛刺。
      [0044]本實施例還進(jìn)一步包括:提供一框架12,將經(jīng)過鏤空處理后的金屬板材11安裝到框架12上,以制得掩膜板10。其中,框架12是設(shè)置在金屬板材11的外圍,避免阻礙金屬板材11的涂布區(qū)113進(jìn)行涂布操作。
      [0045]將經(jīng)過鏤空處理后的金屬板材11安裝到框架12上的具體操作為:首先將金屬板材11與框架12對位后,利用激光焊接的方式進(jìn)行焊接,然后將超過框架12部分的金屬板材11切掉,以使得框架12處于金屬板材11的外圍位置。
      [0046]本發(fā)明還基于前文所述的掩膜板10提供一種OLED面板的制造方法,具體請參閱圖4所示。
      [0047]如圖4所示,本實施例的OLED面板的制造方法包括以下步驟:
      [0048]步驟Sll:提供第一基板,其中,第一基板包括了顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。
      [0049]步驟S12:在第一基板上設(shè)置掩膜板10。
      [0050]其中,掩膜板10的第一遮擋區(qū)域111和第二遮擋區(qū)域112均位于第一基板的非顯示區(qū)域,掩膜板10的鏤空區(qū)115對準(zhǔn)第一基板的顯示區(qū)域。由此可通過鏤空區(qū)115對顯示區(qū)域中的發(fā)光元件進(jìn)行封裝。
      [0051]步驟S13:經(jīng)過鏤空區(qū)115向第一基板上涂布玻璃漿料,并使得玻璃漿料流動至骨架114與第一基板之間。由此使得骨架114處存留有玻璃漿料,并且該處的玻璃漿料和鏤空區(qū)115處的玻璃漿料處于同一水平面。
      [0052]步驟S14:移除掩膜板10。
      [0053]步驟S15:在第一基板上貼合第二基板,并利用玻璃漿料將第二基板固定至第一基板上。
      [0054]由于步驟S13使得鏤空區(qū)115和骨架114處均涂布有玻璃漿料,因此,不會在第一基板和第二基板之間產(chǎn)生空隙,從而提高了封裝良率。
      [0055]綜上所述,本發(fā)明設(shè)置骨架114的厚度低于第一遮擋區(qū)域111和第二遮擋區(qū)域112,在骨架114上出現(xiàn)部分鏤空的現(xiàn)象,使得在涂布玻璃漿料時,可使部分玻璃漿料可以流動到骨架114處中存留,增加了骨架114的玻璃漿料的膠量,使得在壓合時,骨架114處能有足夠的膠量保證與鏤空區(qū)115的膠量保持在同一水平位置,在燒結(jié)時不會在第一基板和第二基板之間產(chǎn)生空隙,從而提高了生產(chǎn)良率。
      [0056]以上所述僅為本發(fā)明的實施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】,均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種掩膜板的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟: 提供一金屬板材; 在所述金屬板材上定義出第一遮擋區(qū)域、第二遮擋區(qū)域以及位于所述第一遮擋區(qū)域和所述第二遮擋區(qū)域之間的涂布區(qū)域; 消減所述涂布區(qū)域的厚度,使得所述涂布區(qū)域的厚度低于所述第一遮擋區(qū)域和所述第二遮擋區(qū)域的厚度; 對所述涂布區(qū)域進(jìn)行間隔的鏤空處理,使得所述涂布區(qū)域形成間隔設(shè)置且連接于所述第一遮擋區(qū)域和所述第二遮擋區(qū)域之間的骨架以及由所述第一遮擋區(qū)域、所述第二遮擋區(qū)域以及所述骨架圍設(shè)的鏤空區(qū)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法進(jìn)一步包括: 提供一框架,將所述經(jīng)過鏤空處理后的所述金屬板材安裝到所述框架上,以制得所述掩膜板。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述消減所述涂布區(qū)域的厚度的步驟包括: 對所述涂布區(qū)域進(jìn)行蝕刻,以沿所述涂布區(qū)域的厚度方向蝕刻掉部分所述涂布區(qū)域。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述對所述涂布區(qū)域進(jìn)行蝕刻的步驟進(jìn)一步包括: 對所述涂布區(qū)域的單面或雙面進(jìn)行蝕刻。
      5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述對所述涂布區(qū)域進(jìn)行間隔的鏤空處理的步驟包括: 通過蝕刻或激光切割的方式對所述涂布區(qū)域進(jìn)行間隔的鏤空處理。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述將所述經(jīng)過鏤空處理后的所述金屬板材安裝到所述框架上之前還包括: 去除所述金屬板材上的毛刺,使得金屬板材被切割或者蝕刻后的邊緣平滑。
      7.—種掩膜板,其特征在于,所述掩膜板包括: 金屬板材,所述金屬板材包括第一遮擋區(qū)域、第二遮擋區(qū)域以及位于所述第一遮擋區(qū)域和所述第二遮擋區(qū)域之間的涂布區(qū)域,其中,所述涂布區(qū)域包括間隔設(shè)置且連接于所述第一遮擋區(qū)域和所述第二遮擋區(qū)域之間的骨架以及由所述第一遮擋區(qū)域、所述第二遮擋區(qū)域以及所述骨架圍設(shè)的鏤空區(qū),所述骨架的厚度低于所述第一遮擋區(qū)域和所述第二遮擋區(qū)域的厚度; 框架,所述金屬板材安裝在所述框架上。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜板,其特征在于,所述骨架以蝕刻單面或雙面的方式形成。
      9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜板,其特征在于,所述鏤空區(qū)以蝕刻或激光切割的方式形成。
      10.一種OLED面板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括: 提供第一基板; 在所述第一基板上設(shè)置權(quán)利要求7-9任意一項所述的掩膜板; 經(jīng)過所述鏤空區(qū)向所述第一基板上涂布玻璃漿料,并使得所述玻璃漿料流動至所述骨架與所述第一基板之間; 移除所述掩膜板; 在所述第一基板上貼合第二基板,并利用所述玻璃漿料將所述第二基板固定至所述第一基板上。
      【文檔編號】H01L51/56GK104393195SQ201410531214
      【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年10月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月10日
      【發(fā)明者】李金川 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司
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