有機(jī)電致發(fā)光器件以及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件以及顯示裝置，其中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括基板、薄膜晶體管、陽(yáng)極、陰極以及位于陽(yáng)極、陰極之間的用于發(fā)光的有機(jī)發(fā)光層，有機(jī)發(fā)光層的出光側(cè)設(shè)置有用于遮擋紫外光的遮擋層。本發(fā)明的顯示裝置，包括本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件。本發(fā)明的技術(shù)方案，通過(guò)在有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)設(shè)置一層紫外線遮擋層，防止外界紫外線對(duì)有機(jī)發(fā)光層材料或薄膜晶體管的性質(zhì)產(chǎn)生影響，進(jìn)而保護(hù)整個(gè)有機(jī)電致發(fā)光器件的性能。
【專利說(shuō)明】有機(jī)電致發(fā)光器件以及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電致發(fā)光領(lǐng)域，特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件以及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光顯示(OLED)裝置具備能耗低、亮度高、反應(yīng)時(shí)間快、寬視角、重量輕等優(yōu)點(diǎn)，近來(lái)已普遍應(yīng)用于移動(dòng)通信終端、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、掌上電腦等。與IXD相比，制造OLED裝置的工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，可以降低生產(chǎn)成本。有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的核心部件是有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0003]OLED器件中的有機(jī)發(fā)光材料層或TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)在受到外界紫外線的照射后，會(huì)發(fā)生性質(zhì)改變或性能下降。OLED器件中的氧化物薄膜晶體管在經(jīng)過(guò)紫外光照射后，半導(dǎo)體層中的價(jià)帶電子和禁帶缺陷能使集中捕獲的電子輕易吸收能量躍遷至導(dǎo)帶，從而產(chǎn)生光生電子-空穴對(duì)，最終使Vth (閾值電壓)發(fā)生漂移，SS (亞閾值擺幅)增大，開(kāi)關(guān)比變小，進(jìn)而對(duì)整個(gè)OLED器件造成影響，嚴(yán)重影響畫(huà)面的顯示。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種有效防止紫外線侵襲、顯示效果穩(wěn)定的有機(jī)電致發(fā)光器件以及顯示裝置。
[0005]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板、薄膜晶體管、陽(yáng)極、陰極以及位于陽(yáng)極、陰極之間的用于發(fā)光的有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層的出光側(cè)設(shè)置有用于遮擋紫外光的遮擋層。
[0006]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述陰極的外側(cè)設(shè)置有鈍化層，所述鈍化層的外側(cè)設(shè)置有薄膜層，所述遮擋層設(shè)置于所述薄膜層的外側(cè)。
[0007]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述陰極的外側(cè)設(shè)置有鈍化層，所述鈍化層的外側(cè)設(shè)置有薄膜層，所述遮擋層設(shè)置于所述鈍化層與所述陰極之間。
[0008]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述陰極的外側(cè)設(shè)置有鈍化層，所述鈍化層的外側(cè)設(shè)置有薄膜層，所述遮擋層設(shè)置于所述薄膜層與所述鈍化層之間。
[0009]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述陰極的外側(cè)設(shè)置有鈍化層，所述鈍化層的外側(cè)設(shè)置有薄膜層，所述遮擋層設(shè)置于所述陰極的內(nèi)側(cè)，所述遮擋層設(shè)置于所述陰極與所述有機(jī)發(fā)光層之間。
[0010]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述有機(jī)發(fā)光層包括發(fā)光區(qū)域以及非發(fā)光區(qū)域，所述遮擋層包括多個(gè)遮擋單元，所述遮擋單元與所述有機(jī)發(fā)光層的非發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)。
[0011]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，，所述遮擋單元的長(zhǎng)度與所述有機(jī)發(fā)光層的非發(fā)光區(qū)域的長(zhǎng)度相等。
[0012]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述有機(jī)發(fā)光層由多個(gè)像素分隔墻分隔形成多個(gè)像素，多個(gè)所述薄膜晶體管設(shè)置于所述基板與所述陽(yáng)極之間，多個(gè)所述薄膜晶體管與多個(gè)像素分隔墻分別一一對(duì)應(yīng)，多個(gè)遮擋單元與多個(gè)像素分隔墻分別一一對(duì)應(yīng)。
[0013]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述遮擋層的材料為氧化鋅、銦鎵鋅氧化物、T12, SnO2, ITZO、AIZO、ZnSnO, HfInZnO, AZTO、AlZnSnO, ZnON 中的一種。
[0014]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述有機(jī)電致發(fā)光器件的薄膜晶體管是頂柵結(jié)構(gòu)或底柵結(jié)構(gòu)。
[0015]本發(fā)明的顯示裝置，包括本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0016]本發(fā)明的技術(shù)方案，通過(guò)在有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)設(shè)置一層紫外線遮擋層，防止外界紫外線對(duì)有機(jī)發(fā)光層材料或薄膜晶體管的性質(zhì)產(chǎn)生影響，進(jìn)而保護(hù)整個(gè)有機(jī)電致發(fā)光器件的性能。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的第一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的第二種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖3為本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的第三種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4為本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的第四種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖5為本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的第五種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實(shí)施，但所舉實(shí)施例不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
[0023]本發(fā)明公開(kāi)了一種OLED器件，防止外界紫外線對(duì)有機(jī)發(fā)光層或薄膜晶體管的性質(zhì)產(chǎn)生影響，進(jìn)而保護(hù)整個(gè)OLED器件的性能。
[0024]實(shí)施例一
[0025]如圖1所示，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例，包括基板1、薄膜晶體管2、陽(yáng)極3、陰極4以及位于陽(yáng)極3、陰極4之間的用于發(fā)光的有機(jī)發(fā)光層5,有機(jī)發(fā)光層5的出光側(cè)設(shè)置有用于遮擋紫外光的遮擋層6。
[0026]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例，其中，薄膜晶體管2包括源極21、有源層22、柵極23、漏極24。
[0027]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例，其中，陽(yáng)極3設(shè)置于有機(jī)發(fā)光層5與基板I之間，陽(yáng)極3與基板I之間設(shè)置有第一鈍化層11，陰極4的外側(cè)設(shè)置有第二鈍化層12，第二鈍化層12的外側(cè)設(shè)置有薄膜層7。
[0028]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例，其中，遮擋層6設(shè)置于薄膜層7的外側(cè)。
[0029]實(shí)施例二
[0030]結(jié)合圖2所示，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于，遮擋層6設(shè)置于第二鈍化層12與陰極4之間。
[0031]實(shí)施例三
[0032]結(jié)合圖3所示，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于，遮擋層6設(shè)置于薄膜層7與第二鈍化層12之間。
[0033]實(shí)施例四
[0034]結(jié)合圖4所示，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于，遮擋層6設(shè)置于所述陰極4的內(nèi)側(cè)，遮擋層6設(shè)置于陰極4與有機(jī)發(fā)光層5之間。
[0035]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例，其中，有機(jī)發(fā)光層5包括發(fā)光區(qū)域以及非發(fā)光區(qū)域，遮擋層6包括多個(gè)遮擋單元61，遮擋單元61與有機(jī)發(fā)光層5的非發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)。
[0036]有機(jī)發(fā)光層5由多個(gè)像素分隔墻51分隔形成多個(gè)像素，多個(gè)薄膜晶體管2設(shè)置于基板I與陽(yáng)極3之間，多個(gè)薄膜晶體管2與多個(gè)像素分隔墻51分別一一對(duì)應(yīng)，多個(gè)遮擋單兀61與多個(gè)像素分隔墻51分別對(duì)應(yīng)。
[0037]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例，其中，遮擋單61兀的長(zhǎng)度與有機(jī)發(fā)光層5的非發(fā)光區(qū)域的長(zhǎng)度相等，即遮擋層6經(jīng)圖案化后只遮住像素分隔墻51。
[0038]實(shí)施例五
[0039]結(jié)合圖5所示，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例，其中，遮擋層6設(shè)置于薄膜層7與第二鈍化層12之間。
[0040]有機(jī)發(fā)光層5由多個(gè)像素分隔墻51分隔形成多個(gè)像素，多個(gè)薄膜晶體管設(shè)置于基板與陽(yáng)極3之間，多個(gè)薄膜晶體管2與多個(gè)像素分隔墻51分別一一對(duì)應(yīng)，遮擋層6包括多個(gè)遮擋單元61，多個(gè)遮擋單元61與多個(gè)像素分隔墻51分別一一對(duì)應(yīng)。
[0041]通常，有機(jī)發(fā)光層包括發(fā)光區(qū)域以及非發(fā)光區(qū)域，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件中的實(shí)施例一、二、三、五中，均可以設(shè)置所述遮擋層的多個(gè)遮擋單元與有機(jī)發(fā)光層5的非發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)。進(jìn)一步的，均可以如實(shí)施例四一樣，多個(gè)遮擋單元與多個(gè)像素分隔墻分別一一對(duì)應(yīng)且遮擋單元的長(zhǎng)度與有機(jī)發(fā)光層的非發(fā)光區(qū)域的長(zhǎng)度相等，即遮擋層經(jīng)圖案化后只遮住像素分隔墻。
[0042]上述五個(gè)實(shí)施例展示了遮擋層6的不同位置以及形態(tài)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)生產(chǎn)條件、工藝水平進(jìn)行靈活選擇。
[0043]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例，其中，遮擋層6的材料為氧化鋅、銦鎵鋅氧化物、T12, SnO2, ITZO、AIZO、ZnSnO, HfInZnO, AZTO、AlZnSnO, ZnON 中的一種。
[0044]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例，其中，薄膜晶體管2可以是頂柵結(jié)構(gòu)也可以是底柵結(jié)構(gòu)。
[0045]本發(fā)明的顯示裝置，包括本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0046]本發(fā)明公開(kāi)了一種OLED器件，通過(guò)設(shè)置一層金屬氧化物紫外線遮擋層(遮擋層6)，防止外界紫外線對(duì)有機(jī)發(fā)光層材料或薄膜晶體管的性質(zhì)產(chǎn)生影響，進(jìn)而保護(hù)整個(gè)OLED器件的性能。
[0047]遮擋層6材料可以為ZnO或IGZO。ZnO或IGZO等氧化物半導(dǎo)體材料作為透明導(dǎo)電薄膜，在可見(jiàn)光區(qū)具有很高的透射率，同時(shí)又具有能改變紫外線光譜，吸收紫外線輻射的性質(zhì)。遮擋層6材料選取ZnO或IGZ0，既不影響頂發(fā)射OLED器件的出光，又能有效吸收外界環(huán)境光中的紫外線。
[0048]本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的實(shí)施例，其中，本發(fā)明的金屬氧化物紫外線遮擋層也可以選用其他金屬氧化物半導(dǎo)體材料，例如打02、51102、幾20、4120、21^110、!^1112110421'0、AlZnSnO、ZnON 等。
[0049]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板、薄膜晶體管、陽(yáng)極、陰極以及位于陽(yáng)極、陰極之間的用于發(fā)光的有機(jī)發(fā)光層，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光層的出光側(cè)設(shè)置有用于遮擋紫外光的遮擋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的外側(cè)設(shè)置有鈍化層，所述鈍化層的外側(cè)設(shè)置有薄膜層，所述遮擋層設(shè)置于所述薄膜層的外側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的外側(cè)設(shè)置有鈍化層，所述鈍化層的外側(cè)設(shè)置有薄膜層，所述遮擋層設(shè)置于所述鈍化層與所述陰極之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的外側(cè)設(shè)置有鈍化層，所述鈍化層的外側(cè)設(shè)置有薄膜層，所述遮擋層設(shè)置于所述薄膜層與所述鈍化層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的外側(cè)設(shè)置有鈍化層，所述鈍化層的外側(cè)設(shè)置有薄膜層，所述遮擋層設(shè)置于所述陰極的內(nèi)側(cè)，所述遮擋層設(shè)置于所述陰極與所述有機(jī)發(fā)光層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-5任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光層包括發(fā)光區(qū)域以及非發(fā)光區(qū)域，所述遮擋層包括多個(gè)遮擋單元，所述遮擋單元與所述有機(jī)發(fā)光層的非發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述遮擋單元的長(zhǎng)度與所述有機(jī)發(fā)光層的非發(fā)光區(qū)域的長(zhǎng)度相等。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光層由多個(gè)像素分隔墻分隔形成多個(gè)像素，多個(gè)所述薄膜晶體管設(shè)置于所述基板與所述陽(yáng)極之間，多個(gè)所述薄膜晶體管與多個(gè)像素分隔墻分別一一對(duì)應(yīng)，多個(gè)遮擋單元與多個(gè)像素分隔墻分別--對(duì)應(yīng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述遮擋層的材料為氧化鋅、銦鎵鋅氧化物、T12, SnO2, ITZO、AIZO、ZnSnO, HfInZnO, AZTO、AlZnSnO, ZnON 中的一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光器件的薄膜晶體管是頂柵結(jié)構(gòu)或底柵結(jié)構(gòu)。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104300085SQ201410602660
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】程鴻飛, 張玉欣 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司