陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置，該陣列基板的制作方法包括：在襯底基板上方形成第一金屬薄膜；對(duì)所述第一金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成陰極的圖形，在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成柵極的圖形。本發(fā)明通過(guò)一次構(gòu)圖工藝將發(fā)光二極管的陰極層與薄膜晶體管的柵極層同時(shí)形成在襯底基板的不同區(qū)域，能夠減少陣列基板制作工藝的復(fù)雜度和工藝時(shí)間，簡(jiǎn)化有機(jī)電致發(fā)光面板的制作工序，降低制作成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法、陣列基板及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光顯示面板因其具有自發(fā)光、全固態(tài)、寬視角、響應(yīng)快等諸多優(yōu)點(diǎn)而被 認(rèn)為在平板顯示中有著巨大的應(yīng)用前景，是繼液晶（LCD)、等離子（PDP)之后的新一代平板 顯示產(chǎn)品。
[0003] 傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板主要包括有機(jī)發(fā)光二極管（EL部分）和驅(qū)動(dòng)薄膜晶 體管兩部分，參見(jiàn)圖1，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管主要包括形成在襯底基板1'上的有源層2'、柵極絕 緣層3'、柵極4'、中間絕緣層5'、源漏極6'和平坦層7'，EL部分主要包括位于平坦層7'上 的陽(yáng)極層8'、像素定義層（PDL)9'、陰極層11'以及陽(yáng)極層8'與陰極層11'之間的有機(jī)發(fā) 光層10'，在有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制作過(guò)程中，上述兩部分分別需要不同的制作工藝形 成，其制作EL部分的有機(jī)發(fā)光二極管工藝需要在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管工藝完成后進(jìn)行，且兩者 的制作工藝也都較為復(fù)雜，從而造成了有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作工藝步驟多、時(shí)間長(zhǎng)， 成本高的問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] (一）要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0005] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何簡(jiǎn)化有機(jī)電致發(fā)光面板的制作工序，降低制作成 本。
[0006] (二）技術(shù)方案
[0007] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案提供了一種陣列基板的制作方法，包 括：
[0008] 在襯底基板上方形成第一金屬薄膜；
[0009] 對(duì)所述第一金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成陰極 的圖形，在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成柵極的圖形。
[0010] 進(jìn)一步地，所述在襯底基板上方形成第一金屬薄膜之前還包括：
[0011] 在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成有源層的圖形、柵極絕緣層的圖形。
[0012] 進(jìn)一步地，在對(duì)所述第一金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域 上方形成陰極的圖形，在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成柵極的圖形之后還包括：
[0013] 形成絕緣層薄膜；
[0014] 對(duì)所述絕緣層薄膜以及所述柵極絕緣層圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域 上方形成像素定義層的圖形，在所述有源層的源漏區(qū)域上方形成過(guò)孔。
[0015] 進(jìn)一步地，所述絕緣層薄膜的厚度為8000 A?20000 A。
[0016] 進(jìn)一步地，所述對(duì)所述絕緣層薄膜以及所述柵極絕緣層圖案化處理，在所述襯底 基板的第一區(qū)域上方形成像素定義層的圖形，在所述有源層的源漏區(qū)域上方形成過(guò)孔之后 還包括：
[0017] 在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成有機(jī)發(fā)光層的圖形；
[0018] 形成第二金屬薄膜，所述第二金屬薄膜通過(guò)所述過(guò)孔與所述有源層相接觸；
[0019] 對(duì)所述第二金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成陽(yáng)極 的圖形，在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成源極的圖形以及與所述陽(yáng)極相連的漏極的圖 形。
[0020] 進(jìn)一步地，所述第二金屬薄膜的厚度為1500A ~ 4000人。
[0021] 進(jìn)一步地，所述第一金屬薄膜的材料為具有反光特性的金屬材料，所述第二金屬 薄膜的材料為透明金屬材料。
[0022] 進(jìn)一步地，所述第一金屬薄膜的厚度為1500A ~ 4000入。
[0023] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括在襯底基板上呈矩陣 排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、陰極、陽(yáng)極以及所述陰極與所述 陽(yáng)極之間的有機(jī)發(fā)光層，其中，所述陰極形成在所述襯底基板的第一區(qū)域上方，所述薄膜晶 體管結(jié)構(gòu)的柵極形成在所述襯底基板的第二區(qū)域上方，所述陰極與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的 柵極為相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0024] 進(jìn)一步地，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的有源層、柵極絕緣層形成在所述柵極的下方，每 個(gè)像素單元還包括形成在所述陰極上方的像素定義層以及形成在所述柵極上方的平坦層， 所述像素定義層與所述平坦層為相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0025] 進(jìn)一步地，所述有機(jī)發(fā)光層形成在所述陰極的上方，所述陽(yáng)極形成在所述有機(jī)發(fā) 光層的上方，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源極和漏極形成在所述平坦層的上方，所述陽(yáng)極、所述 源極和所述漏極為相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0026] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0027] (三）有益效果
[0028] 本發(fā)明通過(guò)一次構(gòu)圖工藝將發(fā)光二極管的陰極層與薄膜晶體管的柵極層同時(shí)形 成在襯底基板的不同區(qū)域，能夠減少陣列基板制作工藝的復(fù)雜度和工藝時(shí)間，簡(jiǎn)化有機(jī)電 致發(fā)光面板的制作工序，降低制作成本。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0029] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)電致發(fā)光面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030] 圖2是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖；
[0031] 圖3是本發(fā)明實(shí)施方式提供的另一種陣列基板的制作方法的流程圖；
[0032] 圖4-12是本發(fā)明實(shí)施方式提供的制作陣列基板的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施 例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0034] 圖2是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖，該陣列基板的 制作方法包括：
[0035] Sll :在襯底基板上方形成第一金屬薄膜；
[0036] S12:對(duì)所述第一金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成 陰極的圖形，在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成柵極的圖形。
[0037] 其中，上述襯底基板的第一區(qū)域用于制作有機(jī)電致發(fā)光面板中的發(fā)光二極管（EL 部分），第二區(qū)域用于制作有機(jī)電致發(fā)光面板中的薄膜晶體管部分。
[0038] 本發(fā)明實(shí)施方式提供的陣列基板的制作方法，通過(guò)一次構(gòu)圖工藝將發(fā)光二極管的 陰極層與薄膜晶體管的柵極層同時(shí)形成在襯底基板的不同區(qū)域，能夠減少陣列基板制作工 藝的復(fù)雜度和工藝時(shí)間，簡(jiǎn)化有機(jī)電致發(fā)光面板的制作工序，降低制作成本。
[0039] 參見(jiàn)圖3,圖3是本發(fā)明實(shí)施方式提供的一種有機(jī)電致發(fā)光面板中陣列基板的制 作方法的流程圖，包括：
[0040] S21 :在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成有源層的圖形、柵極絕緣層的圖形；參 見(jiàn)圖4和圖5,襯底基板1可為預(yù)先清洗的玻璃等透明基板，形成在第二區(qū)域12的有源層 2可為非晶硅層通過(guò)準(zhǔn)分子激光晶化、金屬誘導(dǎo)晶化、固相晶化等方法將非晶硅層轉(zhuǎn)變而成 的多晶硅層。需要說(shuō)明的是，采用不同的晶化方法，其具體的工藝過(guò)程及薄膜晶體管的結(jié)構(gòu) 會(huì)有所不同，在制備過(guò)程中需要根據(jù)情況增加熱處理脫氫、沉積誘導(dǎo)金屬、熱處理晶化、準(zhǔn) 分子激光照射晶化、源漏區(qū)的摻雜（P型或者N型摻雜）及摻雜雜質(zhì)的激活等工藝，但本發(fā) 明同樣會(huì)起到有益的效果，其中，有源層2的厚度為100A ~ 3000A，優(yōu)選厚度為500人~ 1000A，其形成方法可以為PECVD、LPCVD或者濺射方法，沉積溫度在600°C以下；柵極絕緣 層3可采用單層的氧化硅、氮化硅或者二者的疊層，可使用采用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué) 氣相沉積）、LPCVD (低壓化學(xué)氣相沉積）、APCVD (大氣壓化學(xué)氣相沉積）或ECR-CVD (電子 回旋諧振化學(xué)氣相沉積）等方法沉積，厚度為500A ~ 2000A，可根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需要選 擇合適的厚度，優(yōu)選厚度為60〇A ~ 1500入；
[0041] S22 :在襯底基板上方形成第一金屬薄膜，參見(jiàn)圖6,第一金屬薄膜100可為單層、 兩層或兩層以上結(jié)構(gòu)，由透明導(dǎo)電材料如氧化銦錫、氧化銦鋅等構(gòu)成，或金屬、金屬合金如 銀或銀合金和形成在金屬上層的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，厚度可在400A ~ 6000A范圍內(nèi)，優(yōu) 選厚度為1500A ~ 4000A,用以形成有機(jī)發(fā)光二極管的陰極層和薄膜晶體管的柵極層；
[0042] S23 :對(duì)所述第一金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，參見(jiàn)圖7,在所述襯底基板的第一區(qū) 域上方形成陰極11的圖形，在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成柵極4的圖形；
[0043] S24 :形成絕緣層薄膜，參見(jiàn)圖8,絕緣層薄200可以為有機(jī)材料，可選用聚酰亞胺、 亞克力等有機(jī)光阻材料，厚度可在8000 A?20000
[0044] S25:對(duì)所述絕緣層薄膜以及所述柵極絕緣層圖案化處理，在所述襯底基板的第一 區(qū)域上方形成像素定義層的圖形，在所述有源層的源漏區(qū)域上方形成過(guò)孔，具體地，參見(jiàn)圖 9,對(duì)絕緣層薄膜200進(jìn)行刻蝕，在在第一區(qū)域11中陰極層11的上方形成通孔210,形成像 素定義層9,在有源層的源漏區(qū)域上方形成源漏極過(guò)孔220,從而使該圖案化后的絕緣層薄 膜即可以作為像素定義層，還可以作為平坦層和中間絕緣層；
[0045] S26:在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成有機(jī)發(fā)光層的圖形，具體地，參見(jiàn)圖 10,在通孔210的區(qū)域中形成有機(jī)發(fā)光層10 ;
[0046] S27 :形成第二金屬薄膜，參見(jiàn)圖11，第二金屬薄膜300也可為單層、兩層或兩層以 上結(jié)構(gòu)，通過(guò)過(guò)孔220與所述有源層2相接觸，第二金屬薄膜可由透明導(dǎo)電材料如氧化銦 錫、氧化銦鋅等構(gòu)成，或金屬、金屬合金如銀或銀合金和形成在金屬上層的透明導(dǎo)電材料構(gòu) 成，厚度可在400A ~ 6000A范圍內(nèi)，優(yōu)選厚度為1500A ~ 4000人，用以形成有機(jī)發(fā)光材 料的陽(yáng)極層以及薄膜晶體管的源漏極；
[0047] S28 :對(duì)所述第二金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，參見(jiàn)圖12,在所述襯底基板的第一區(qū) 域11上方形成陽(yáng)極8的圖形，在所述襯底基板的第二區(qū)域12上方源漏極6的圖形，包括源 極的圖形以及與陽(yáng)極8相連的漏極的圖形，本發(fā)明中，第一金屬薄膜和第二金屬薄膜種需 至少有一層采用透明材料，以使EL部分發(fā)出的光可以照射出來(lái)，例如，所述第一金屬薄膜 可采用具有反光特性的金屬材料，所述第二金屬薄膜可采用透明金屬材料。
[0048] 本發(fā)明實(shí)施方式提供的陣列基板的制作方法，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成有機(jī) 發(fā)光二極管的陰極層與薄膜晶體管的柵極層，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝對(duì)絕緣層薄膜進(jìn)行圖案 化處理，該圖案化后的絕緣層薄膜即可以作為像素定義層，還可以作為平坦層和中間絕緣 層，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極層與薄膜晶體管的源漏極，相比 現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)電致發(fā)光面板的制作方法，能夠大大減少陣列基板制作工藝的復(fù)雜度和 工藝時(shí)間，簡(jiǎn)化有機(jī)電致發(fā)光面板的制作工序，降低制作成本。
[0049] 此外，本發(fā)明實(shí)施方式還提供了一種陣列基板，包括在襯底基板上呈矩陣排布的 多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、陰極、陽(yáng)極以及所述陰極與所述陽(yáng)極之 間的有機(jī)發(fā)光層，其中，所述陰極形成在所述襯底基板的第一區(qū)域上方，所述薄膜晶體管結(jié) 構(gòu)的柵極形成在所述襯底基板的第二區(qū)域上方，所述陰極與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極為 相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0050] 優(yōu)選地，在上述陣列基板中，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的有源層、柵極絕緣層形成在所 述柵極的下方，每個(gè)像素單元還包括形成在所述陰極上方的像素定義層以及形成在所述柵 極上方的平坦層，所述像素定義層與所述平坦層為相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0051] 優(yōu)選地，在上述陣列基板中，所述有機(jī)發(fā)光層形成在所述陰極的上方，所述陽(yáng)極形 成在所述有機(jī)發(fā)光層的上方，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源極和漏極形成在所述平坦層的上 方，所述陽(yáng)極、所述源極和所述漏極為相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形成。
[0052] 此外，本發(fā)明實(shí)施方式還提供了 一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。本發(fā)明實(shí)施 方式提供的顯示裝置可以是筆記本電腦顯示屏、液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平 板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0053] 以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本發(fā)明，而并非對(duì)本發(fā)明的限制，有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通 技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有 等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1. 一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括： 在襯底基板上方形成第一金屬薄膜； 對(duì)所述第一金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成陰極的圖 形，在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成柵極的圖形。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上方形 成第一金屬薄膜之前還包括： 在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成有源層的圖形、柵極絕緣層的圖形。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在對(duì)所述第一金屬薄膜 進(jìn)行圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成陰極的圖形，在所述襯底基板的第 二區(qū)域上方形成柵極的圖形之后還包括： 形成絕緣層薄膜； 對(duì)所述絕緣層薄膜以及所述柵極絕緣層圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方 形成像素定義層的圖形，在所述有源層的源漏區(qū)域上方形成過(guò)孔。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述絕緣層薄膜的厚度 為 8000 A ?20000 A。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述對(duì)所述絕緣層薄膜 以及所述柵極絕緣層圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成像素定義層的圖 形，在所述有源層的源漏區(qū)域上方形成過(guò)孔之后還包括： 在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成有機(jī)發(fā)光層的圖形； 形成第二金屬薄膜，所述第二金屬薄膜通過(guò)所述過(guò)孔與所述有源層相接觸； 對(duì)所述第二金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，在所述襯底基板的第一區(qū)域上方形成陽(yáng)極的圖 形，在所述襯底基板的第二區(qū)域上方形成源極的圖形以及與所述陽(yáng)極相連的漏極的圖形。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二金屬薄膜的厚 度為 1500A~4000A。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬薄膜的材 料為具有反光特性的金屬材料，所述第二金屬薄膜的材料為透明金屬材料。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬薄 膜的厚度為1500A~4000A。
9. 一種陣列基板，包括在襯底基板上呈矩陣排布的多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括 薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、陰極、陽(yáng)極以及所述陰極與所述陽(yáng)極之間的有機(jī)發(fā)光層，其特征在于，所 述陰極形成在所述襯底基板的第一區(qū)域上方，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極形成在所述襯底 基板的第二區(qū)域上方，所述陰極與所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的柵極為相同材料且在一次構(gòu)圖工 藝中形成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的有源層、柵 極絕緣層形成在所述柵極的下方，每個(gè)像素單元還包括形成在所述陰極上方的像素定義層 以及形成在所述柵極上方的平坦層，所述像素定義層與所述平坦層為相同材料且在一次構(gòu) 圖工藝中形成。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光層形成在所述陰極 的上方，所述陽(yáng)極形成在所述有機(jī)發(fā)光層的上方，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的源極和漏極形成 在所述平坦層的上方，所述陽(yáng)極、所述源極和所述漏極為相同材料且在一次構(gòu)圖工藝中形 成。
12. -種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9-11任一所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104393017SQ201410602733
【公開(kāi)日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】劉政, 陸小勇, 李小龍, 劉建宏, 龍春平 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司