一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一電極層、若干個(gè)發(fā)光單元層和第二電極層，所述的發(fā)光單元層包括依次設(shè)置在所述第一電極層上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層，所述空穴傳輸層是由第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料制備而成，所述第一空穴傳輸材料的三線態(tài)能級(jí)T1≥2.48eV，HOMO能級(jí)≤-5.5eV，所述第二空穴傳輸材料的HOMO能級(jí)＞-5.5eV，且所述第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料的HOMO能級(jí)差≤0.2eV。其空穴傳輸層具有較高的三線態(tài)能級(jí)T1和遷移率且制備工藝簡(jiǎn)單，進(jìn)而帶來器件的功耗明顯降低，效率大為提高的有益效果。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是一種空穴傳輸層材料具有較高的 三線態(tài)能級(jí)T1和遷移率的有機(jī)電致發(fā)光器件。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件0LED的發(fā)光層主要米用全突光材料、全磷光材料或突光材料 和磷光材料混合的方式進(jìn)行制作。由于藍(lán)光、綠光、紅光器件對(duì)空穴傳輸層HTL的要求不 同，尤其是綠光和紅光對(duì)HTL材料要具有高的三線態(tài)能級(jí)T1，但是具有高的三線態(tài)能級(jí)T1 的HTL材料，一般都具有低的遷移率，驅(qū)動(dòng)電壓高，壽命短，所以為了同時(shí)滿足紅綠藍(lán)器件 的性能對(duì)HTL材料既要有高的T1又要有高的遷移率，目前這類材料很難找到。
[0003] 在0LED顯示器件制備過程中，為了降低工藝難度與生產(chǎn)成本，一般采用精密mask 分別真空蒸鍍紅、綠、藍(lán)子像素的發(fā)光層，而發(fā)光層之外的空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳 輸層、空穴/激子阻擋層等共用統(tǒng)一蒸鍍成膜。由于紅、綠色子像素發(fā)光層采用的磷光染料 的三線態(tài)激子壽命較長(zhǎng)，容易擴(kuò)散至電子傳輸層，導(dǎo)致激子淬滅失活，因此在發(fā)光層和電子 傳輸層之間設(shè)置一層激子阻擋層（HBL)。激子阻擋層材料一般要求具有較高的三線態(tài)能級(jí) 以及較高的HOMO能級(jí)，從而阻擋三線態(tài)激子進(jìn)入電子傳輸層。
[0004] 三星公司在201210395191. 7公開了一種電致發(fā)光器件，如圖1所示，其按下列順 序依次包含基底110、第一電極120、空穴注入層130、空穴傳輸層140、緩沖層150、發(fā)光層 160、電子傳輸層170、電子注入層180和第二電極190。所述空穴傳輸層140包括以下列 順序依次沉積的第一電荷產(chǎn)生層141、第一混合層142、第二電荷產(chǎn)生層143和第二混合層 144。第一電荷產(chǎn)生層141的材料，可以使用包括第一化合物和第二化合物且摻入第一電荷 產(chǎn)生材料的混合物；第一混合層142的材料，可以使用包含第一化合物和第二化合物的混 合物；第二電荷產(chǎn)生層143的材料，可以使用包含第三化合物和第四化合物且摻入第二電 荷產(chǎn)生材料的混合物；成第二混合層144的材料，在這方面，第三化合物相對(duì)于第四化合物 的重量比可以為6:4至8:2。該方案由于設(shè)置了多層空穴傳輸層，且每層空穴傳輸層都是采 用混合材料制備，每層蒸鍍都需要掩膜板對(duì)位，而且材料源多樣，工藝復(fù)雜，引進(jìn)多層混合 蒸鍍?cè)谠O(shè)備上需要增加蒸鍍腔室，在設(shè)備上也增加成本，不利于量產(chǎn)化生產(chǎn)。
[0005] CN200510077967公開了一種電致發(fā)光器件，如圖2所示，該器件是在綠光像素區(qū) 域200和第一空穴傳輸層18-1之間設(shè)置第二空穴傳輸層18-2,紅光像素區(qū)域300和第一空 穴傳輸層18-1之間設(shè)置第二空穴傳輸層18-2和第三空穴傳輸層18-3。所述第一空穴傳輸 層18-1、第二空穴傳輸層18-2和第三空穴傳輸層18-3可以分別采用不同的材料制備，但是 每層的空穴傳輸層采用同一種材料制備。盡管該專利采用了混合結(jié)構(gòu)的空穴傳輸層來提高 發(fā)光效率，這種設(shè)置方式雖然在一定程度上改善了發(fā)光層的厚度，但是適用于綠光光學(xué)補(bǔ) 償層的HTL材料要求具有較高的三線態(tài)能級(jí)T1且HOMO能級(jí)< -5. 5eV，這類材料的遷移率 普遍較低，無法做厚，因此器件的驅(qū)動(dòng)電壓較高。此外，該專利申請(qǐng)中紅光發(fā)光像素單獨(dú)引 第三空穴傳輸層，而綠光沒有，需要使用精密掩膜板。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于現(xiàn)有技術(shù)中具有較高的三線態(tài)能級(jí)T1和 遷移率空穴傳輸層制備工藝復(fù)雜的問題，進(jìn)而提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其空穴傳輸層 具有較高的三線態(tài)能級(jí)T1和遷移率且制備工藝簡(jiǎn)單，進(jìn)而帶來器件的功耗明顯降低，效率 大為提1?的有益效果。
[0007] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
[0008] -種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一電極層、若 干個(gè)發(fā)光單元層和第二電極層，所述的發(fā)光單元層包括依次設(shè)置在所述第一電極層上的空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層，所述空穴傳輸層是由第一空穴傳輸材料和第 二空穴傳輸材料制備而成，所述第一空穴傳輸材料的三線態(tài)能級(jí)T1 > 2. 48eV，HOMO能級(jí) < -5. 5eV，所述第二空穴傳輸材料的HOMO能級(jí)> -5. 5eV，且所述第一空穴傳輸材料和第二 空穴傳輸材料的HOMO能級(jí)差< 0. 2eV。
[0009] 所述空穴傳輸層包括第一空穴傳輸層和設(shè)置在所述第一空穴傳輸層上的第二空 穴傳輸層，所述第一空穴傳輸層是由第一空穴傳輸材料制備而成，所述第二空穴傳輸層是 由第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料共蒸鍍制備而成。
[0010] 所述空穴傳輸層的厚度為0_40nm，優(yōu)選20nm ;所述第一空穴傳輸層的厚度為 0-40nm，優(yōu)選10nm ;所述第二空穴傳輸層的厚度為0-40nm，優(yōu)選10nm。
[0011] 所述第一空穴傳輸材料為式（1)、式（2)或式（3)所示結(jié)構(gòu)：

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一電極層（I)、 若干個(gè)發(fā)光單元層和第二電極層（8)，所述的發(fā)光單元層包括依次設(shè)置在所述第一電極層 (1)上的空穴注入層（2)、空穴傳輸層（3)、發(fā)光層和電子傳輸層（7)，其特征在于， 所述空穴傳輸層（3)是由第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料制備而成，所述第 一空穴傳輸材料的三線態(tài)能級(jí)Tl> 2. 48eV，HOMO能級(jí)< -5. 5eV，所述第二空穴傳輸材 料的HOMO能級(jí)> -5. 5eV，且所述第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料的HOMO能級(jí)差 ^ 0. 2eV〇
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層包括第一空 穴傳輸層（31)和設(shè)置在所述第一空穴傳輸層（31)上的第二空穴傳輸層（32)，所述第一空 穴傳輸層（31)是由第一空穴傳輸材料制備而成，所述第二空穴傳輸層（32)是由第一空穴 傳輸材料和第二空穴傳輸材料共蒸制備而成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層（3)的 厚度為〇_40nm，所述第一空穴傳輸層（31)的厚度為0-40nm，，所述第二空穴傳輸層（32)的 厚度為〇_40nm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層（3)的厚 度為20nm，所述第一空穴傳輸層（31)的厚度為10nm，所述第二空穴傳輸層（32)的厚度為 10nm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一空穴傳輸材料為式 (1)、式（2)或式（3)所示結(jié)構(gòu)：
其中，所述A和B分別獨(dú)立選自苯基、萘基或苯胺基； 札、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18相同或不同，分別獨(dú)立選自氫元素、鹵族元 素、cn、no2、氨基、c6-c3Q亞稠環(huán)芳基、C6-C3tl的亞稠雜環(huán)芳基、C6-C2tl的烷基或C6-C3tl的醇基； RpIVR1JPR12相同或不同，分別獨(dú)立選自C6-C3tl的芳基； R13選自C^C6烷基或羥基； 式（3)中Al和A2分別獨(dú)立選自C6-C3tl芳基或C6-C3(l雜環(huán)芳基，R1'為氫、烷基、烷氧基 或鹽基； 并且，式（3)同時(shí)滿足以下條件： Al或A2至少一個(gè)具有縮環(huán)構(gòu)造。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述R13選自甲基、乙基、丙基、 異丙基、丁基、異丁基、正戊基或者正己基。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一空穴傳輸材料為式 (HTLl-I)-(HTLl-IO)所示結(jié)構(gòu)：

8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，第二空穴傳輸材料為式（6) 或式（7)所示結(jié)構(gòu)的茚并芴衍生物：
其中Ar1、Ar2、Ar3、Ar4分別獨(dú)立選自取代或未取代的C6-C6(l的芳香族環(huán)基或者取代未 取代的C6-C6tl芳香族雜環(huán)基，L為取代或未取代的C6-C4(l的亞芳基。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述的第二空穴傳輸材料 為式A-I至A-16所示結(jié)構(gòu)：
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK104505464SQ201410851894
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2014年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月31日
【發(fā)明者】李維維, 劉嵩 申請(qǐng)人:昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司, 北京維信諾科技有限公司