高增益雙頻陣列天線的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種高增益雙頻陣列天線，主要在一基板的一表面上設(shè)有一饋入部，所述饋入部的兩端分別延伸多條代表阻抗轉(zhuǎn)換器的信號(hào)段，其中一端的信號(hào)段連接一第一輻射體，另一端的信號(hào)段分別連接一第二輻射體與一第三輻射體；所述基板的另一表面上在饋入部的相對(duì)位置設(shè)有一接地部，所述接地部的兩端分別經(jīng)延伸后，其中一端連接一第四輻射體并與所述第一輻射體相對(duì)，所述接地部的另一端分別連接一第五輻射體與一第六輻射體，并且與第二輻射體與一第三輻射體相對(duì)；第一至第六輻射體同時(shí)可形成一組雙頻路徑。本高增益雙頻陣列天線具有提升輻射效能、縮小天線尺寸的效果。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種外接式陣列天線，尤其涉及一種小尺寸且具有較佳應(yīng)用頻寬 與輻射效能的高增益雙頻陣列天線。 高增益雙頻陣列天線

【背景技術(shù)】
[0002] 目前因?yàn)榭萍及l(fā)展相當(dāng)迅速，為了增加移動(dòng)電子設(shè)備使用的方便性，其尺寸也設(shè) 計(jì)的越來越迷你，時(shí)下可應(yīng)用的無線通信技術(shù)包括無線局域網(wǎng)（WLAN)、WiMAX、3G等通信技 術(shù)，不同于有線局域網(wǎng)，有線局域網(wǎng)是依靠線纜來傳送信息，對(duì)于現(xiàn)代科技而言已經(jīng)不能滿 足需求，而無線通信技術(shù)中又以無線局域網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展最為成熟，其應(yīng)用的范圍也相當(dāng)?shù)?廣泛，例如車站、便利商店、醫(yī)院、網(wǎng)咖等等的公共場(chǎng)所都應(yīng)用了無線局域網(wǎng)技術(shù)，其傳輸距 離最遠(yuǎn)可以達(dá)到1〇〇米，且具有高速的傳輸速率，使用者能通過個(gè)人移動(dòng)電子設(shè)備隨時(shí)隨 地使用網(wǎng)路環(huán)境。
[0003] 隨著移動(dòng)電子設(shè)備與無線局域網(wǎng)的普及，提供網(wǎng)絡(luò)傳輸服務(wù)時(shí)賴以收發(fā)信號(hào)的天 線設(shè)計(jì)是格外地重要，天線設(shè)計(jì)的好壞即影響收發(fā)信號(hào)的效能，而傳統(tǒng)天線通常為單一頻 段，而且天線尺寸龐大不易設(shè)置，也不方便使用，同時(shí)成本昂貴又容易折損，若想要增加其 使用的通信頻段，可通過增加天線的數(shù)目、增加天線結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度或改變天線的幾何形狀， 以達(dá)到增加頻段或讓天線操作在特定頻帶的需求，但也增加了制造成本，因此設(shè)計(jì)天線者 皆以縮小尺寸、提高效能為目的以增加天線的使用價(jià)值。
[0004] 然而，目前用于無線局域網(wǎng)的雙頻（如2G/5G)天線，其工作的中心頻率通常約在 2. 45GHz與5. 475GHz頻段附近，在滿足最大增益5dBi (Decibel Isotropic, dBi)的需求時(shí)， 天線設(shè)計(jì)不易，并且為了讓無線局域網(wǎng)可以接收中心頻率分別為2. 45GHz與5. 475GHz頻段 的信號(hào)同時(shí)具有最大增益5dBi，則天線結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)復(fù)雜勢(shì)必造成天線尺寸的增大，因此，若 欲設(shè)計(jì)一種具有優(yōu)異輻射效能并且尺寸較小的雙頻天線，以現(xiàn)有技術(shù)而言，確實(shí)有待提出 更佳的解決方案。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0005] 鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供一種高增益雙頻陣列天線，其利用陣 列結(jié)構(gòu)的形式來充分使用空間，達(dá)到高增益、高效率的目的。
[0006] 為達(dá)到上述目的所使用的主要技術(shù)手段在于：
[0007] 高增益雙頻陣列天線包括：
[0008] 一基板，其具有一第一表面、一第二表面；
[0009] -饋入部，其設(shè)在所述基板上的第一表面，所述饋入部的兩端分別朝所述基板的 二端延伸一第一信號(hào)段、一第二信號(hào)段與一第三信號(hào)段；
[0010] 一第一輻射體，其設(shè)在所述基板第一表面的一端，所述第一輻射體與所述饋入部 其中一端的第三信號(hào)段連接；
[0011] 一第二輻射體，其設(shè)在所述基板第一表面的二端之間，所述第二輻射體與所述饋 入部另一端的第三信號(hào)段連接；
[0012] 一第三輻射體，其設(shè)在所述基板第一表面的另一端，所述第三輻射體與所述饋入 部另一端的第三信號(hào)段連接；
[0013] 一接地部，其設(shè)在所述基板上的第二表面，所述接地部具有兩端并與所述饋入部 位置相對(duì)；
[0014] 一第四輻射體，其設(shè)在所述基板第二表面的一端，所述第四輻射體與所述接地部 其中一端連接；
[0015] 一第五輻射體，其設(shè)在所述基板第二表面的二端之間，所述第五輻射體與所述接 地部另一端連接；
[0016] 一第六輻射體，其設(shè)在所述基板第二表面的另一端，所述第六輻射體與所述接地 部另一端連接。
[0017] 根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，其中所述第一輻射體具有一第一連接部，所述第一 連接部的一端與所述饋入部第一端的第三信號(hào)段電連接，所述第一連接部的另外兩端分別 延伸一第一低頻輻射段以及一第一高頻輻射段，所述第一低頻輻射段、第一高頻輻射段分 別形成于所述第一表面上的兩側(cè)處。
[0018] 根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，所述第二輻射體具有二第二連接部，所述第二連接 部的一端與所述饋入部第二端的第三信號(hào)段電連接，各第二連接部的另一端分別延伸，并 分別在所述第一表面上兩側(cè)處相對(duì)形成一第二低頻輻射段以及一第二高頻輻射段。
[0019] 根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，所述第三輻射體具有二第三連接部，所述第三連接 部的一端共同與所述饋入部第二端的第三信號(hào)段電連接，所述第三連接部的另一端分別延 伸，并且分別在所述第一表面的兩側(cè)處形成一第三低頻輻射段以及一第三高頻輻射段。
[0020] 根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，所述第四輻射體具有一第四連接部，所述第四連接 部上端與所述接地部一端的第五信號(hào)段電連接，所述第四連接部的另外兩端分別延伸一第 四低頻輻射段以及一第四高頻輻射段，所述第四低頻輻射段、第四高頻輻射段分別形成于 所述第二表面上的兩側(cè)處。
[0021] 根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，所述第五輻射體具有二第五連接部，所述第五連接 部的一端與所述接地部另一端的第五信號(hào)段電連接，所述第五連接部的另一端分別延伸， 并分別在第二表面上的兩側(cè)處形成一第五低頻輻射段以及一第五高頻輻射段。
[0022] 根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，所述第六輻射體具有二第六連接部，所述第六連接 部的一端共同與所述接地部另一端的第五信號(hào)段電連接，所述第六連接部的另一端分別延 伸，并且分別在第二表面上的兩側(cè)處相對(duì)形成一第六低頻輻射段以及一第六高頻輻射段， 其中所述第六低頻輻射段則是朝向第二表面的上端延伸。
[0023] 根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，所述第一輻射體具有一第一連接部，所述第一連接 部的一端與所述饋入部第一端的第三信號(hào)段電連接，所述第一連接部的另外兩端分別延伸 一第一低頻輻射段以及一第一高頻輻射段，所述第一低頻輻射段、第一高頻輻射段分別形 成于所述第一表面上的兩側(cè)處；
[0024] 所述第二輻射體具有二第二連接部，所述第二連接部的一端與所述饋入部第二端 的第三信號(hào)段電連接，各第二連接部的另一端分別延伸，并分別在所述第一表面上兩側(cè)處 相對(duì)形成一第二低頻輻射段以及一第二高頻輻射段；
[0025] 所述第三輻射體具有二第三連接部，所述第三連接部的一端共同與所述饋入部第 二端的第三信號(hào)段電連接，各第三連接部的另一端分別延伸，并且分別在所述第一表面的 兩側(cè)處形成一第三低頻輻射段以及一第三高頻輻射段；
[0026] 所述第四輻射體具有一第四連接部，所述第四連接部上端與所述接地部一端的第 五信號(hào)段電連接，所述第四連接部的另外兩端分別延伸一第四低頻輻射段以及一第四高頻 輻射段，所述第四低頻輻射段、第四高頻輻射段分別形成于所述第二表面上的兩側(cè)處；
[0027] 所述第五輻射體具有二第五連接部，所述第五連接部的一端與所述接地部另一端 的第五信號(hào)段電連接，所述第五連接部的另一端分別延伸，并分別在第二表面上的兩側(cè)處 形成一第五低頻輻射段以及一第五高頻輻射段；
[0028] 所述第六輻射體具有二第六連接部，所述第六連接部的一端共同與所述接地部另 一端的第五信號(hào)段電連接，所述第六連接部的另一端分別延伸，并且分別在第二表面上的 兩側(cè)處相對(duì)形成一第六低頻輻射段以及一第六高頻輻射段，其中所述第六低頻輻射段則是 朝向第二表面的上端延伸。
[0029] 根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，所述等第一信號(hào)段分別延伸形成所述第二信號(hào)段， 且所述第二信號(hào)段的寬度大于所述第一信號(hào)段的寬度，所述第二信號(hào)段的自由端又分別延 伸形成所述第三信號(hào)段，所述第三信號(hào)段的寬度又大于所述第二信號(hào)段的寬度。
[0030] 根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，所述第一信號(hào)段、所述第二信號(hào)段以及所述第三信 號(hào)段分別為一阻抗轉(zhuǎn)換器，其阻抗值分別為1〇〇 Ω、75 Ω、50 Ω。
[0031] 根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，所述接地部寬度大于第一表面上的第三信號(hào)段的寬 度。
[0032] 根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，所述基板為一印刷電路板，所述饋入部、所述第一輻 射體、所述第二輻射體、所述第三輻射體、所述接地部、所述第四輻射體、所述第五輻射體以 及所述第六輻射體皆印刷在所述印刷電路板上。
[0033] 依據(jù)上述的高增益雙頻陣列天線的結(jié)構(gòu)，其第一至第六輻射體共同提供一組雙頻 路徑，當(dāng)一信號(hào)由所述饋入部進(jìn)入時(shí)，信號(hào)依序通過第一信號(hào)段、第二信號(hào)段與第三信號(hào)段 而分別傳至第一至第六輻射體，使得雙頻路徑產(chǎn)生低頻與高頻共振。
[0034] 本實(shí)用新型提供的高增益雙頻陣列天線可同時(shí)應(yīng)用在高頻頻帶以及低頻頻帶，反 射損耗小，并通過陣列結(jié)構(gòu)的形式使陣列天線結(jié)構(gòu)的尺寸縮小，以達(dá)到提升輻射效能，并縮 小天線尺寸的目的。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0035] 圖1 :本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的平面示意圖。
[0036] 圖2 :本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的另一平面示意圖。
[0037] 圖3 :本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的電壓駐波比特性曲線圖。
[0038] 圖4 :本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的返射損耗特性曲線圖。
[0039] 圖5A :本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中較低頻段的E平面輻射場(chǎng)型圖。
[0040] 圖5B :本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中較低頻段的Η平面輻射場(chǎng)型圖。
[0041] 圖6Α :本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中較高頻段的Ε平面輻射場(chǎng)型圖。
[0042] 圖6Β :本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中較高頻段的Η平面輻射場(chǎng)型圖。
[0043] 符號(hào)說明：
[0044] 10 基板
[0045] 11第一表面12第二表面
[0046] 20饋入部21第一信號(hào)段
[0047] 22第二信號(hào)段23第三信號(hào)段
[0048] 30第一輻射體31第一連接部
[0049] 32第一低頻輻射段33第一高頻輻射段
[0050] 40第二輻射體41第二連接部
[0051] 42第二低頻輻射段43第二高頻輻射段
[0052] 50第三輻射體51第三連接部
[0053] 52第三低頻輻射段53第三高頻輻射段
[0054] 60接地部61第四信號(hào)段
[0055] 62第五信號(hào)段
[0056] 70第四輻射體71第四連接部
[0057] 72第四低頻輻射段73第四高頻輻射段
[0058] 80第五輻射體81第五連接部
[0059] 82第五低頻輻射段83第五高頻輻射段
[0060] 90第六輻射體91第六連接部
[0061] 92第六低頻輻射段93第六高頻輻射段

【具體實(shí)施方式】
[0062] 關(guān)于本實(shí)用新型高增益雙頻陣列天線之一的較佳實(shí)施例，請(qǐng)參考圖1與圖2所示， 高增益雙頻陣列天線包括一基板10、一饋入部20、一第一輻射體30、一第二輻射體40、一第 三輻射體50、一接地部60、一第四輻射體70、一第五輻射體80以及一第六輻射體90 ;在本 實(shí)施例中，上述結(jié)構(gòu)材質(zhì)皆可由銅箔構(gòu)成，所述基板10為一印刷電路板，所述饋入部20、所 述第一輻射體30、所述第二輻射體40、所述第三輻射體50、所述接地部60、所述第四輻射體 70、所述第五輻射體80以及所述第六輻射體90皆印刷在所述印刷電路板上。
[0063] 所述基板10具有一第一表面11、一第二表面12,且所述第一表面11與第二表 面12分別具有上、下兩端以及左、右兩側(cè)邊；本實(shí)施例中，所述基板10呈長(zhǎng)方矩形，且具有 上、下兩平行短邊以及左、右兩平行長(zhǎng)邊，其中兩平行短邊分別具有一寬度W，所述寬度W為 17. 5mm，另外兩平行長(zhǎng)邊分別具有一長(zhǎng)度L，所述長(zhǎng)度L為155mm，利用上述的基板10尺寸 大小可使本實(shí)用新型具有小尺寸的優(yōu)點(diǎn)。
[0064] 所述饋入部20設(shè)在所述第一表面11，所述饋入部20在長(zhǎng)度L方向上具有一第 一端與一第二端，所述第一端與第二端分別朝第一表面11的上、下兩端延伸一第一信號(hào)段 21，各第一信號(hào)段21又分別朝長(zhǎng)度L方向延伸并形成一第二信號(hào)段22,且所述第二信號(hào)段 22的寬度大于所述第一信號(hào)段21的寬度，各第二信號(hào)段22的自由端又分別朝長(zhǎng)度L方向 延伸并形成一第三信號(hào)段23,所述第三信號(hào)段23的寬度大于所述第二信號(hào)段22的寬度。 [0065] 本實(shí)施例中，所述第一信號(hào)段21、所述第二信號(hào)段22以及所述第三信號(hào)段23可分 別為一阻抗轉(zhuǎn)換器，其阻抗值分別為100 Ω、75 Ω、50 Ω。
[0066] 所述第一輻射體30設(shè)在所述基板10的第一表面11且鄰近其下端，所述第一輻射 體30具有一第一連接部31，所述第一連接部31與基板10的短邊平行且其一端與所述饋入 部20第一端的第三信號(hào)段23電連接，所述第一連接部31的另外兩端分別朝所述第一表面 11的下端延伸一第一低頻輻射段32以及一第一高頻輻射段33,所述第一低頻輻射段32、第 一高頻輻射段33分別形成于所述第一表面11上的兩平行長(zhǎng)邊的邊緣附近。
[0067] 所述第二輻射體40設(shè)在基板10的第一表面11上，所述第二輻射體40具有二第 二連接部41，各第二連接部41與基板10的長(zhǎng)邊平行且其一端與所述饋入部20第二端的第 三信號(hào)段23電連接，且各第二連接部41的另一端朝第一輻射體30方向延伸，并分別在所 述第一表面11上兩平行長(zhǎng)邊的邊緣附近相對(duì)形成一第二低頻輻射段42以及一第二高頻輻 射段43。
[0068] 所述第三輻射體50設(shè)在所述基板10的第一表面11上且鄰近其上端，所述第三輻 射體50具有二平行的第三連接部51，各第三連接部51的一端共同與所述饋入部20第二 端的第三信號(hào)段23電連接，各第三連接部51的另一端分別朝第一表面11的兩平行長(zhǎng)邊延 伸，并且分別在所述第一表面11上兩平行長(zhǎng)邊的邊緣附近相對(duì)形成一第三低頻輻射段52 以及一第三高頻輻射段53,其中兩第三低頻輻射段52呈相對(duì)的L形狀，第三高頻輻射段53 呈長(zhǎng)條狀而與第一表面11的兩平行長(zhǎng)邊平行。
[0069] 本實(shí)施例中，所述第一低頻輻射段32、第二低頻輻射段42以及第三低頻輻射段52 的結(jié)構(gòu)形狀大致相同，并且第一高頻輻射段33、第二高頻輻射段43以及第三高頻輻射段53 的結(jié)構(gòu)形狀大致相同。
[0070] 如圖2所示，所述接地部60設(shè)在上述基板10的第二表面12,所述接地部60在長(zhǎng) 度L方向上具有一第一端與一第二端，所述接地部60與所述饋入部20的位置相對(duì)應(yīng)；本實(shí) 施例中，所述接地部60呈中空矩形，其寬度大于第一表面11上的第三信號(hào)段23的寬度，所 述接地部60在長(zhǎng)度L方向上的第一端與第二端分別朝第二表面12的上、下兩端延伸一第 四信號(hào)段61，所述第四信號(hào)段61又分別朝長(zhǎng)度L方向延伸并形成一第五信號(hào)段62,所述第 五信號(hào)段62的寬度大于所述第四信號(hào)段61的寬度。
[0071] 所述第四輻射體70設(shè)在所述基板10的第二表面12且鄰近其下端，所述第四輻射 體70具有一第四連接部71，第四連接部71呈一凸字型，其上端與所述接地部60第一端的 第五信號(hào)段62電連接，第四連接部71的另一端分別朝所述第二表面12的接地部60方向 延伸一第四低頻輻射段72以及一第四高頻輻射段73,所述第四低頻輻射段72、第四高頻輻 射段73分別形成于所述第二表面12上的兩平行長(zhǎng)邊的邊緣附近。
[0072] 所述第五輻射體80設(shè)在基板10的第二表面12上，所述第五輻射體80具有二第 五連接部81，所述第五連接部81與基板10的長(zhǎng)邊平行且一端與所述接地部60第二端的第 五信號(hào)段62電連接，各第五連接部81的另一端分別朝所述接地部60方向延伸，并分別在 第二表面12上兩平行長(zhǎng)邊的邊緣附近相對(duì)形成一第五低頻輻射段82以及一第五高頻輻射 段83,其中兩第五低頻輻射段82呈相對(duì)的L形狀，第五高頻輻射段83呈長(zhǎng)條狀而與第二表 面12的兩平行長(zhǎng)邊平行。
[0073] 本實(shí)施例中，所述第四低頻輻射段72以及所述第五低頻輻射段82結(jié)構(gòu)形狀大致 相同，并且第四高頻輻射段72以及第五高頻輻射段82的結(jié)構(gòu)形狀大致相同。
[0074] 所述第六輻射體90設(shè)在所述基板10的第二表面12上且鄰近其上端，所述第六輻 射體90具有二平行的第六連接部91，所述第六連接部91的一端共同與所述接地部60第二 端的第五信號(hào)段62電連接，各第六連接部91的另一端分別朝第二表面12的兩平行長(zhǎng)邊延 伸，并且分別在第二表面12上兩平行長(zhǎng)邊的邊緣附近相對(duì)形成一第六低頻輻射段92以及 一第六高頻輻射段93,其中所述第六高頻輻射段93呈長(zhǎng)條狀而與第二表面12的兩平行長(zhǎng) 邊平行，而所述第六低頻輻射段92則是朝向第二表面12的上端延伸，使得所述第六低頻輻 射段92的結(jié)構(gòu)與上述第五低頻輻射段82、第四低頻輻射段72完全不同。
[0075] 由上述高增益雙頻陣列天線的具體結(jié)構(gòu)可知，所述基板10上的第一至第 六低頻輻射段32, 42, 52, 72, 82, 92構(gòu)成一組低頻路徑，且第一至第六高頻輻射段 33, 43, 53, 73, 83, 93又構(gòu)成一組高頻路徑，其輻射場(chǎng)具有堆疊效果，使得最大增益可達(dá)到 5dBi,因此，本實(shí)用新型可通過第一至第六輻射體30?50, 70?90所構(gòu)成的雙頻路徑，提 供較佳的頻寬以及輻射效能，當(dāng)一電流進(jìn)入所述饋入部20與所述接地部60時(shí)，所述電流通 過第一信號(hào)段21、第二信號(hào)段22、第三信號(hào)段23以及第四信號(hào)段61、第五信號(hào)段62,使得 第一至第六輻射體30?50, 70?90可分別產(chǎn)生一低頻段與一高頻段的輻射模態(tài)，并通過 陣列結(jié)構(gòu)的形式讓所述基板10的使用空間僅需155mmX 17. 5mm,相對(duì)于一般雙頻天線已大 幅縮小其尺寸，因此，本實(shí)用新型確實(shí)可達(dá)到提升輻射效能并達(dá)到縮小天線尺寸的效果。
[0076] 如圖3所示，前述實(shí)施例的電壓駐波比（VSWR)特性曲線圖，由特性曲線圖中可以 看出，在較低頻段的2. 45GHz附近以及較高頻段的5. 47附近的電壓駐波比皆遠(yuǎn)低于2,當(dāng) 電壓駐波比越小即代表效率越高；如圖4所示，前述實(shí)施例的返射損耗（ReturnLoss)特性 曲線圖，由特性曲線圖中可以看出，本實(shí)用新型分別在較低頻段的2. 45GHz附近及較高頻 段的5. 47GHz附近產(chǎn)生較佳的響應(yīng)，不僅皆小于-10dB，其中，在2. 4GHz頻段的返射損耗 為-17. 23dB，又在5. 47GHz頻段的返射損耗為-23. 745dB，當(dāng)返射損耗越小即代表效率越 商。
[0077] 如圖5A與圖5B所示，根據(jù)本實(shí)用新型較佳實(shí)施例所產(chǎn)生2. 45GHz頻段的水平輻 射場(chǎng)型（E-Plane)及垂直輻射場(chǎng)型（H-Plane)，又如圖6A與6B所示，根據(jù)本實(shí)用新型較 佳實(shí)施例而產(chǎn)生5. 47GHz頻段的水平輻射場(chǎng)型（E-Plane)及垂直輻射場(chǎng)型（H-Plane);由 前述特性曲線圖與各個(gè)輻射場(chǎng)型圖可以看出，本實(shí)用新型可通過第一至第六輻射體30? 50, 70?90所構(gòu)成的雙頻路徑，可提供較佳的輻射場(chǎng)型。
[0078] 為舉例說明本實(shí)用新型具體應(yīng)用的效果，請(qǐng)參考下表所示：
[0079] 頻段（MHz) 12400~12450 12500 15150 15250~15350 15475~15600~15785~15850 增益值（dBi)~Th~ 5?2~ 5. 3 5. 0~ 5?2~ 5. 4 6. 2~ 5?9~ 5?3~ 5Λ 效率值（％ )~ 72.3 77.3 73.1 68.2 66.4 66.2 65.3 64.2 73.1~76?2
[0080] 本實(shí)用新型的高增益雙頻陣列天線，主要以陣列結(jié)構(gòu)的形式設(shè)計(jì)，并且使所有輻 射體30?50, 70?90可分別產(chǎn)生一低頻段與一高頻段的輻射模態(tài)，以產(chǎn)生由前述特性曲 線圖、各個(gè)福射場(chǎng)型圖以及本實(shí)用新型的最大增益值（Peak Gain)與效率值（Efficiency), 如上表所示，根據(jù)本實(shí)用新型所分別產(chǎn)生2. 45GHz頻段附近、5. 47GHz頻段附近的最大增益 值與效率值，其中2. 45GHz頻段的最大增益值為5. 2dBi、效率值為77. 3%，5. 47GHz頻段的 最大增益值為6. 2dBi、效率值為65. 3%，由上述最大增益值與效率值可代表本實(shí)用新型的 物理特性，其確實(shí)可產(chǎn)生較佳輻射模態(tài)的天線特性。
【權(quán)利要求】
1. 一種高增益雙頻陣列天線，其特征在于，包括： 一基板，具有一第一表面、一第二表面； 一饋入部，其設(shè)在所述基板上的第一表面，所述饋入部的兩端分別朝所述基板的二端 延伸一第一信號(hào)段、一第二信號(hào)段與一第三信號(hào)段； 一第一輻射體，其設(shè)在所述基板第一表面的一端，所述第一輻射體與所述饋入部其中 一端的第三信號(hào)段連接； 一第二輻射體，其設(shè)在所述基板第一表面的二端之間，所述第二輻射體與所述饋入部 另一端的第三信號(hào)段連接； 一第三輻射體，其設(shè)在所述基板第一表面的另一端，所述第三輻射體與所述饋入部另 一端的第三信號(hào)段連接； 一接地部，其設(shè)在所述基板上的第二表面，所述接地部具有兩端并與所述饋入部位置 相對(duì)； 一第四輻射體，其設(shè)在所述基板第二表面的一端，所述第四輻射體與所述接地部其中 一端連接； 一第五輻射體，其設(shè)在所述基板第二表面的二端之間，所述第五輻射體與所述接地部 另一端連接； 一第六輻射體，其設(shè)在所述基板第二表面的另一端，所述第六輻射體與所述接地部另 一端連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的高增益雙頻陣列天線，其特征在于，所述第一輻射體具有一第 一連接部，所述第一連接部的一端與所述饋入部第一端的第三信號(hào)段電連接，所述第一連 接部的另外兩端分別延伸一第一低頻輻射段以及一第一高頻輻射段，所述第一低頻輻射 段、第一高頻輻射段分別形成于所述第一表面上的兩側(cè)處。
3. 如權(quán)利要求1所述的高增益雙頻陣列天線，其特征在于，所述第二輻射體具有二第 二連接部，所述第二連接部的一端與所述饋入部第二端的第三信號(hào)段電連接，所述第二連 接部的另一端分別延伸，并分別在所述第一表面上兩側(cè)處相對(duì)形成一第二低頻輻射段以及 一第二高頻輻射段。
4. 如權(quán)利要求1所述的高增益雙頻陣列天線，其特征在于，所述第三輻射體具有二第 三連接部，所述第三連接部的一端共同與所述饋入部第二端的第三信號(hào)段電連接，所述第 三連接部的另一端分別延伸，并且分別在所述第一表面的兩側(cè)處形成一第三低頻輻射段以 及一第三高頻輻射段。
5. 如權(quán)利要求1所述的高增益雙頻陣列天線，其特征在于，所述第四輻射體具有一第 四連接部，所述第四連接部上端與所述接地部一端的第五信號(hào)段電連接，所述第四連接部 的另外兩端分別延伸一第四低頻輻射段以及一第四高頻輻射段，所述第四低頻輻射段、第 四高頻輻射段分別形成于所述第二表面上的兩側(cè)處。
6. 如權(quán)利要求1所述的高增益雙頻陣列天線，其特征在于，所述第五輻射體具有二第 五連接部，所述第五連接部的一端與所述接地部另一端的第五信號(hào)段電連接，所述第五連 接部的另一端分別延伸，并分別在第二表面上的兩側(cè)處形成一第五低頻輻射段以及一第五 高頻輻射段。
7. 如權(quán)利要求1所述的高增益雙頻陣列天線，其特征在于，所述第六輻射體具有二第 六連接部，所述第六連接部的一端共同與所述接地部另一端的第五信號(hào)段電連接，所述第 六連接部的另一端分別延伸，并且分別在第二表面上的兩側(cè)處相對(duì)形成一第六低頻輻射段 以及一第六高頻輻射段，其中所述第六低頻輻射段則是朝向第二表面的上端延伸。
8. 如權(quán)利要求1所述的高增益雙頻陣列天線，其特征在于，所述第一輻射體具有一第 一連接部，所述第一連接部的一端與所述饋入部第一端的第三信號(hào)段電連接，所述第一連 接部的另外兩端分別延伸一第一低頻輻射段以及一第一高頻輻射段，所述第一低頻輻射 段、第一高頻輻射段分別形成于所述第一表面上的兩側(cè)處； 所述第二輻射體具有二第二連接部，所述第二連接部的一端與所述饋入部第二端的第 三信號(hào)段電連接，所述第二連接部的另一端分別延伸，并分別在所述第一表面上兩側(cè)處相 對(duì)形成一第二低頻輻射段以及一第二高頻輻射段； 所述第三輻射體具有二第三連接部，所述第三連接部的一端共同與所述饋入部第二端 的第三信號(hào)段電連接，所述第三連接部的另一端分別延伸，并且分別在所述第一表面的兩 側(cè)處形成一第三低頻輻射段以及一第三高頻輻射段； 所述第四輻射體具有一第四連接部，所述第四連接部上端與所述接地部一端的第五信 號(hào)段電連接，所述第四連接部的另外兩端分別延伸一第四低頻輻射段以及一第四高頻輻射 段，所述第四低頻輻射段、第四高頻輻射段分別形成于所述第二表面上的兩側(cè)處； 所述第五輻射體具有二第五連接部，所述第五連接部的一端與所述接地部另一端的第 五信號(hào)段電連接，所述第五連接部的另一端分別延伸，并分別在第二表面上的兩側(cè)處形成 一第五低頻輻射段以及一第五高頻輻射段； 所述第六輻射體具有二第六連接部，所述第六連接部的一端共同與所述接地部另一端 的第五信號(hào)段電連接，所述第六連接部的另一端分別延伸，并且分別在第二表面上的兩側(cè) 處相對(duì)形成一第六低頻輻射段以及一第六高頻輻射段，其中所述第六低頻輻射段則是朝向 第二表面的上端延伸。
9. 如權(quán)利要求1至8項(xiàng)中任一項(xiàng)所述的高增益雙頻陣列天線，其特征在于，所述第一 信號(hào)段分別延伸形成所述第二信號(hào)段，且所述第二信號(hào)段的寬度大于所述第一信號(hào)段的寬 度，所述第二信號(hào)段的自由端又分別延伸形成所述第三信號(hào)段，所述第三信號(hào)段的寬度又 大于所述第二信號(hào)段的寬度。
10. 如權(quán)利要求9所述的高增益雙頻陣列天線，其特征在于，所述第一信號(hào)段、所述第 二信號(hào)段以及所述第三信號(hào)段分別為一阻抗轉(zhuǎn)換器，其阻抗值分別為1〇〇 Ω、75 Ω、50 Ω。
11. 如權(quán)利要求10所述的高增益雙頻陣列天線，其特征在于，所述接地部寬度大于第 一表面上的第三信號(hào)段的寬度。
12. 如權(quán)利要求11所述的高增益雙頻陣列天線，其特征在于，所述基板為一印刷電路 板，所述饋入部、所述第一輻射體、所述第二輻射體、所述第三輻射體、所述接地部、所述第 四輻射體、所述第五輻射體以及所述第六輻射體皆印刷在所述印刷電路板上。
【文檔編號(hào)】H01Q5/10GK203895598SQ201420208084
【公開日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2014年4月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月25日
【發(fā)明者】楊政穎, 蔡旻倫, 王俊凱 申請(qǐng)人:信邦電子股份有限公司