語音芯片sop8封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及語音芯片SOP8封裝結(jié)構(gòu)，其包括一晶圓、用于固定所述晶圓的框架、與所述框架隔開的八根管腳以及用于封裝所述晶圓、框架和管腳的殼體，所述晶圓的七個(gè)功能端分別通過七根金線與其中七根管腳一一對(duì)應(yīng)連接，所述晶圓的接地端與框架連接，所述框架通過另一金線與剩余的一根管腳連接；所述晶圓的厚度為250μm以下。將晶圓研磨至250μm以下，能便于打線；將晶圓固定在框架上，在打線過程中不容易出現(xiàn)金絲漂移；采用大直徑的金絲，較粗的金絲不容易出現(xiàn)金絲漂移，同時(shí)也增大了抗電磁干擾的性能；改進(jìn)了打線線路，將I/O口同一列，電源正負(fù)極相鄰，將地線打到框架上，提高了打線封裝的出廠良率，增強(qiáng)了抗EMC干擾性。
【專利說明】語音芯片S0P8封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及語音芯片S0P8封裝結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]目前的語音芯片由于晶圓體積較大，封裝S0P8困難。所以市面上對(duì)目前的語音芯片，大多采用體積較大的封裝，如S0P24。較小體積的S0P8封裝，只能用于封裝較小晶圓的集成電路。
[0003]此外，由于晶圓體積較大，所以打線跨度很大，封裝過程中很容易造成沖絲不良(即金絲漂移)，另外，由于拉線較長(zhǎng)，造成晶圓抗干擾電磁性很差。所以這也是語音芯片S0P8封裝大晶圓的難點(diǎn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提出一種語音芯片S0P8封裝結(jié)構(gòu)，其能解決目前的語音芯片不能進(jìn)行S0P8封裝的問題。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案如下:
[0006]語音芯片S0P8封裝結(jié)構(gòu)，其包括一晶圓、用于固定所述晶圓的框架、與所述框架隔開的八根管腳以及用于封裝所述晶圓、框架和管腳的殼體，所述晶圓的七個(gè)功能端分別通過七根金線與其中七根管腳一一對(duì)應(yīng)連接，所述晶圓的接地端與框架連接，所述框架通過另一金線與剩余的一根管腳連接；所述晶圓的厚度為250 μ m以下。
[0007]優(yōu)選的，所述金線的直徑為50 μ m。
[0008]優(yōu)選的，所述殼體為環(huán)保膠殼體。
[0009]優(yōu)選的，所述語音芯片為NVC語音芯片。
[0010]優(yōu)選的，所述七個(gè)功能端包括三個(gè)I/O 口、二個(gè)DAC 口、一個(gè)編程電源口和一個(gè)供電口。進(jìn)一步優(yōu)選的，與供電口連接的管腳和與接地端連接的管腳相鄰；與I/O 口連接的三個(gè)管腳和與其中一個(gè)DAC 口連接的管腳位于殼體的一側(cè)，與編程電源口連接的管腳、與另一個(gè)DAC 口連接的管腳、與供電口連接的管腳以及與接地端連接的管腳位于殼體的另一側(cè)。
[0011]本實(shí)用新型具有如下有益效果:
[0012]將晶圓研磨至250μπι以下，能便于打線；將晶圓固定在框架上，在打線過程中不容易出現(xiàn)金絲漂移；采用大直徑的金絲，較粗的金絲不容易出現(xiàn)金絲漂移，同時(shí)也增大了抗電磁干擾的性能；改進(jìn)了打線線路，將I/o 口同一列，電源正負(fù)極相鄰，將地線打到框架上，提高了打線封裝的出廠良率，增強(qiáng)了抗EMC干擾性；采用環(huán)保膠，提高了耐溫性，不會(huì)由于冷縮熱漲而產(chǎn)生金絲漂移；另外，本實(shí)用新型首次將DAC輸出管腳引出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的語音芯片S0P8封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的語音芯片S0P8封裝結(jié)構(gòu)的外部結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015]下面，結(jié)合附圖以及【具體實(shí)施方式】，對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述。
[0016]結(jié)合圖1和圖2所不，一種語音芯片S0P8封裝結(jié)構(gòu),其包括一晶圓10、用于固定所述晶圓10的框架20、與所述框架20隔開的八根管腳30以及用于封裝所述晶圓10、框架20和管腳30的殼體(圖2未標(biāo)出)，所述晶圓10的七個(gè)功能端分別通過七根金線40與其中七根管腳30 —一對(duì)應(yīng)連接，所述晶圓10的接地端與框架20連接，所述框架20通過另一金線40與剩余的一根管腳30連接。圖1中的標(biāo)記1-8表示管腳30的序號(hào)。
[0017]本實(shí)施例的晶圓10的厚度為250μπι以下，優(yōu)選采用250μπι。金線的直徑為50 μ m。殼體為環(huán)保膠殼體，采用環(huán)保膠材料制成。
[0018]本實(shí)施例的語音芯片為NVC語音芯片。
[0019]本實(shí)施例僅引出晶圓10上七個(gè)功能端，所述七個(gè)功能端包括三個(gè)I/O 口(ΡΒ0、ΡΑ0和 PAl)、二個(gè)DAC 口(PWM1/DAC和 PWM2/M0DE)、一個(gè)編程電源口(VPP)和一個(gè)供電口(VDD)。其中，與供電口連接的管腳30和與接地端(GND)連接的管腳30相鄰，與I/O 口連接的三個(gè)管腳30和與其中一個(gè)DAC 口連接的管腳30位于殼體的一側(cè)，與編程電源口連接的管腳30、與另一個(gè)DAC 口連接的管腳30、與供電口連接的管腳30以及與接地端連接的管腳30位于殼體的另一側(cè)。
[0020]本實(shí)施例打破目前的S0P8封裝的偏見，首次將DAC管腳引出。
[0021]DAC即數(shù)/模轉(zhuǎn)換器，一種將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào)的裝置。DAC的位數(shù)越高，號(hào)失真就越小。聲首也更清晰穩(wěn)定。
[0022]傳統(tǒng)的音頻壓縮技術(shù)，基于人耳聽覺模型，這種理論的依據(jù)是在一定的頻率附近，大聲音壓過小聲音，從而可以刪去小聲音；如一聲巨響會(huì)讓你聽不到其他聲音。事實(shí)上，人聽不到小的聲音，但可以分辨出這個(gè)小的聲音，細(xì)聽還是有的。所以DAC創(chuàng)造了自己的自然聲學(xué)模型，保證了所有聲音的分辨感覺。
[0023]DAC格式具有以下特點(diǎn):支持AC-3、DTS同一級(jí)別的高質(zhì)量音頻壓縮算法；支持頻率從22K-1M ;支持通道數(shù)從1-32通道，包括5.1和7.1 ;支持16位到32位；每通道獨(dú)立編碼，無干擾、串?dāng)_問題；每通道位率為75、100、120、150Kbps等等。
[0024]計(jì)算效率:采用100MHZ的PDA，完全能夠?qū)崟r(shí)解碼播放高質(zhì)量的44KHZ以上音樂，CPU占用50%左右。
[0025]對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應(yīng)該屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.語音芯片S0P8封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一晶圓、用于固定所述晶圓的框架、與所述框架隔開的八根管腳以及用于封裝所述晶圓、框架和管腳的殼體，所述晶圓的七個(gè)功能端分別通過七根金線與其中七根管腳一一對(duì)應(yīng)連接，所述晶圓的接地端與框架連接，所述框架通過另一金線與剩余的一根管腳連接；所述晶圓的厚度為250 μ m以下。
2.如權(quán)利要求1所述的語音芯片SOP8封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金線的直徑為50 μ m0
3.如權(quán)利要求1所述的語音芯片SOP8封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述殼體為環(huán)保膠殼體。
4.如權(quán)利要求1所述的語音芯片SOP8封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述語音芯片為NVC語音芯片。
5.如權(quán)利要求1所述的語音芯片SOP8封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述七個(gè)功能端包括三個(gè)I/O 口、二個(gè)DAC 口、一個(gè)編程電源口和一個(gè)供電口。
6.如權(quán)利要求5所述的語音芯片SOP8封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，與供電口連接的管腳和與接地端連接的管腳相鄰。
7.如權(quán)利要求5所述的語音芯片SOP8封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，與I/O口連接的三個(gè)管腳和與其中一個(gè)DAC 口連接的管腳位于殼體的一側(cè)，與編程電源口連接的管腳、與另一個(gè)DAC 口連接的管腳、與供電口連接的管腳以及與接地端連接的管腳位于殼體的另一側(cè)。
【文檔編號(hào)】H01L23/31GK203983255SQ201420426839
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月30日
【發(fā)明者】高撫成 申請(qǐng)人:廣州市九芯電子科技有限公司