背景技術(shù)：

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器，特別地涉及在ir光譜范圍內(nèi)（即以1mm至780nm的波長(zhǎng)，尤其是在3—50μm的中ir范圍內(nèi)）發(fā)射的量子級(jí)聯(lián)激光器（qcl）。

中ir光譜范圍對(duì)于感測(cè)應(yīng)用而言是重要的，由于大量分子在此區(qū)域中顯示出基頻諧振。量子級(jí)聯(lián)激光器（qcl）對(duì)于此類(lèi)應(yīng)用而言已變成頻繁使用且高效的激光源。示例是maulini美國(guó)專(zhuān)利7944959和faist美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)2003/0174751。在vurgaftman美國(guó)專(zhuān)利8290011中也示出了產(chǎn)生中ir光譜的qcl激光器。

用來(lái)形成用于量子級(jí)聯(lián)激光器（qcl）的波導(dǎo)的典型橫向引導(dǎo)結(jié)構(gòu)是深蝕刻脊形波導(dǎo)、淺蝕刻脊形波導(dǎo)或深埋異質(zhì)結(jié)構(gòu)（bh）波導(dǎo)。針對(duì)高功率和高性能裝置，掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)配置是有利的，因?yàn)槠涑尸F(xiàn)較高導(dǎo)熱性的inp掩埋層，并且同時(shí)保證低損耗。beck美國(guó)專(zhuān)利6665325是一示例。

更具體地，通過(guò)出現(xiàn)在fe摻雜的inp與n摻雜的inp接觸層之間的界面處的內(nèi)建電位來(lái)保證fe摻雜inp的情況下的電流阻斷。由于fe在inp中充當(dāng)深施主能級(jí)，所以其還主動(dòng)地幫助俘獲電子并因此防止漏電流?？梢酝ㄟ^(guò)調(diào)整inp中的fe摻雜來(lái)控制內(nèi)建電位的量值。遺憾的是，內(nèi)建電位的量值參數(shù)與生長(zhǎng)參數(shù)有很強(qiáng)關(guān)聯(lián)，并且內(nèi)建電位通常局限于50—100kv/cm。通常，在高電場(chǎng)中操作的qcl的情況下，因此部分地在絕緣掩埋層內(nèi)部驅(qū)動(dòng)電流。此效果減少注入到激光器活性區(qū)中的實(shí)際電流，并且同時(shí)，其耗散熱并因此降低激光器性能。

另外，眾所周知的是掩埋層內(nèi)部的fe雜質(zhì)的引入在半導(dǎo)體禁隙內(nèi)部產(chǎn)生缺陷狀態(tài)，參見(jiàn)p.b.klein等人的phys.rev.b29,1947(1984):time-dependentphoto-luminescenceofinp:fe。此能級(jí)呈現(xiàn)出吸收，尤其是在3—4μm光譜范圍內(nèi)，防止在此范圍內(nèi)產(chǎn)生掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光裝置。

然而，此光譜區(qū)域?qū)τ诠庾V學(xué)和感測(cè)應(yīng)用而言受到很大關(guān)注，由于在此光譜區(qū)域中存在許多分子的基頻諧振。本發(fā)明的目的中的一個(gè)是克服上述限制并發(fā)明一種用于制造在此光譜范圍內(nèi)也具有低光學(xué)損耗的bh激光器的方法。

然而，應(yīng)理解的是本發(fā)明不限于此波長(zhǎng)的qcl，而是一般地適用于跨光譜范圍的qcl，例如任何bh激光器設(shè)計(jì)，無(wú)論其是具有多彩色發(fā)射器的qcl還是任何其它bh激光器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

原則上，本發(fā)明公開(kāi)了一種通過(guò)將特定量子勢(shì)壘包括到多個(gè)不同的、潛在地?fù)诫s半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)中作為掩埋層而實(shí)現(xiàn)的深蝕刻掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)量子級(jí)聯(lián)激光器（即bhqcl）的新型結(jié)構(gòu)。有用的勢(shì)壘材料包括alas和inalas、ingaas、ingaasp以及ingasb。

通過(guò)引入特定的量子勢(shì)壘并修改組成掩埋層的各種層的數(shù)目、厚度和/或摻雜，可以調(diào)整（一個(gè)或多個(gè)）掩埋層的傳導(dǎo)性；尤其是在高施加場(chǎng)的情況下可以將其降低。

本發(fā)明的概念適用于未摻雜/本征inp以及作為掩埋層的主要結(jié)構(gòu)組件的fe摻雜inp。有利地，在掩埋層中不存在fe雜質(zhì)允許在不會(huì)通過(guò)引入附加損耗而損害激光器性能的情況下制造甚至在3—4μm光譜區(qū)域內(nèi)的高性能bh激光器。

在附圖中圖示出的多個(gè)示例的以下描述中將示出本發(fā)明的細(xì)節(jié)和其它優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

附圖在以下圖中示出：

圖1a現(xiàn)有技術(shù)掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，

圖1b用于圖1a的現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)的示意性能帶結(jié)構(gòu)，

圖2a根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，

圖2b用于圖2a的實(shí)施例的示意性能帶結(jié)構(gòu)，

圖3a根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，

圖3b用于圖3a的實(shí)施例的示意性能帶結(jié)構(gòu)，

圖4第三實(shí)施例的示意性能帶結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

以下描述涉及示出了本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)和某些實(shí)施例的附圖。

圖1a和1b示意性地示出了現(xiàn)有技術(shù)掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)量子級(jí)聯(lián)激光器bhqcl以及在此現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)中使用的n:inp-inp:fe-ar結(jié)的示意性能帶結(jié)構(gòu)。ar通常代表活性區(qū)。

在典型的現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)中，具有后面或背面電極6（通常為au）的基板5（通常為inp）在其頂部上承載活性區(qū)（ar）2，通常為ingaas/alinas，橫向地受到阻擋或掩埋層4（即fe摻雜inp或fe摻雜ingaas）的限制。頂部電極3（通常也為au）以及n摻雜包層1（通常由inp和/或諸如inalas或ingaas之類(lèi)的三元組（ternary）構(gòu)成）使該結(jié)構(gòu)完整。

由于n摻雜包層1是導(dǎo)體，所以其具有到橫向限制/阻擋層4中的漏電流。通常通過(guò)如上所述那樣在inp阻擋層中使用fe雜質(zhì)來(lái)解決掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)裝置存在的這個(gè)主要問(wèn)題。

在圖1b中示出了此現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)中的n:inp-inp:fe-ar結(jié)的示意性能帶結(jié)構(gòu)。如所述，通過(guò)在inp阻擋層4中引入fe摻雜來(lái)減少?gòu)膎摻雜inp包層1移動(dòng)到inp阻擋層4中的載流子的數(shù)目。這樣形成的n:inp-inp:fe結(jié)阻擋從n摻雜inp包層1到（一個(gè)或多個(gè)）inp:fe阻擋層4的載流子泄露。因此，電流受到限制，并且所述多個(gè)載流子被注入到活性區(qū)（ar）2中。

事實(shí)上，fe在inp中產(chǎn)生深施主態(tài)，將費(fèi)米能級(jí)釘扎在半導(dǎo)體禁隙的中間。n摻雜包層與（一個(gè)或多個(gè)）fe摻雜阻擋層之間的界面處的內(nèi)建電位充當(dāng)用以阻擋電子的勢(shì)壘。遺憾的是，此內(nèi)建電位取決于可以結(jié)合在inp中并因此不能任意地增加的最大fe摻雜。可以通過(guò)外延生長(zhǎng)而結(jié)合的最大fe受到生長(zhǎng)溫度的嚴(yán)重影響。增加生長(zhǎng)溫度由于fe前體分子的改善的裂開(kāi)而導(dǎo)致較高的fe摻雜水平。

遺憾的是，可以在明顯低于獲得高fe摻雜所必需的溫度的溫度下執(zhí)行qcl的生長(zhǎng)。因此，尤其是對(duì)于高度應(yīng)變結(jié)構(gòu)而言，不能任意地增加用于生長(zhǎng)掩埋層的溫度而不使活性層的質(zhì)量退化。

因此，fe摻雜一般地局限于在2×10e16cm^-3與8×10e16cm^-3之間的值，導(dǎo)致50與100kv/cm之間的阻斷場(chǎng)。這足以阻斷qcl中一般地小于100kv/cm的操作場(chǎng)在中ir范圍的較長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域中發(fā)射的電子。然而，這對(duì)于短波長(zhǎng)qcl而言是不夠的，特別是對(duì)于在3—5μm范圍內(nèi)進(jìn)行發(fā)射的激光器而言，其中，操作場(chǎng)可以超過(guò)10kv/cm，導(dǎo)致漏電流流過(guò)掩埋層。

此外，fe摻雜層的生長(zhǎng)受到被用于生長(zhǎng)的機(jī)器的所謂“本底摻雜”的嚴(yán)重影響。此本底摻雜是在生長(zhǎng)期間非故意地添加的載流子的數(shù)目。例如已知inp在“未摻雜”生長(zhǎng)的情況下具有被略微n摻雜的趨勢(shì)。本底摻雜的量取決于在其中執(zhí)行生長(zhǎng)的設(shè)備，即生長(zhǎng)室條件。必須采取附加預(yù)防措施以防止在外延再生長(zhǎng)開(kāi)始時(shí)引入任何泄露路徑。例如o.ostinelli等人在出版于journalofappliedphysics,108卷,11號(hào),14502頁(yè),2010中的“growthandcharacterizationofiron-dopedsemi-insulatinginpbufferlayersforal-freegainp/galnashighelectronmobilitytransistors”中對(duì)此進(jìn)行了描述。

為了規(guī)避上述問(wèn)題，本發(fā)明引入了由例如alinas/alas、ingaas、ingaasp或ingasb組成的附加量子勢(shì)壘，其改善了電子的阻擋。這些勢(shì)壘獨(dú)立于其摻雜而阻擋載流子輸運(yùn)，并且因此可以被引入而不增加光學(xué)損耗。

通過(guò)修改此類(lèi)量子載流子的數(shù)目和厚度，可以調(diào)整和/或降低掩埋層內(nèi)部的傳導(dǎo)性，這使得這樣的qcl適合于施加的高電場(chǎng)。

顯著的優(yōu)點(diǎn)是此類(lèi)量子載流子的生長(zhǎng)完全獨(dú)立于摻雜，并且因此對(duì)生長(zhǎng)條件遠(yuǎn)不那么敏感。如上所述，掩埋層內(nèi)部的fe摻雜對(duì)于由于能級(jí)fe3+和fe2+的吸收線的存在而在3—5μm光譜區(qū)域中引入損耗而言是眾所周知的。這由于c-h、o-h和n-h鍵的基頻諧振的存在而阻止在感興趣的光譜學(xué)窗口（即針對(duì)對(duì)于許多醫(yī)學(xué)和感測(cè)應(yīng)用而言感興趣的波長(zhǎng)）中制造高性能激光器。

用本發(fā)明，創(chuàng)造了一種用以在掩埋層中阻擋電子的新型技術(shù)。特別地，可以根據(jù)激光器的操作場(chǎng)且獨(dú)立于任何fe摻雜而調(diào)整“阻擋”量子勢(shì)壘的數(shù)目。

此外，根據(jù)本發(fā)明的量子勢(shì)壘的使用與fe摻雜的使用完全相容以進(jìn)一步減小該區(qū)域中的電導(dǎo)，其中，這將不會(huì)在激光器中引入附加光學(xué)損耗。

概括地說(shuō)，本發(fā)明介紹了一種用于產(chǎn)生掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)量子級(jí)聯(lián)激光器的新型方法，該方法不受生長(zhǎng)條件（尤其是生長(zhǎng)溫度）的限制，并且該方法可以產(chǎn)生在期望的中ir光譜范圍內(nèi)具有低損耗的光學(xué)波導(dǎo)。

多個(gè)實(shí)施例的以下描述制定了將在執(zhí)行本發(fā)明時(shí)使用的某些材料，例如inp（本征的（i:inp）和摻雜的兩者，尤其是fe摻雜的（inp:fe））以及inalas。應(yīng)顯而易見(jiàn)的是在不脫離本發(fā)明的精神和主旨的情況下，如ingaas、alas、inas、ingaasp、inalgaas等其它材料可以替換所提到的那些材料。

下面描述本發(fā)明的三個(gè)實(shí)施例。

實(shí)施例a

本實(shí)施例是在3.3μm處發(fā)射的掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)qcl。

圖2a示出了具有分層布置的此qcl，其包括限制掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)的幾個(gè)勢(shì)壘。該結(jié)構(gòu)包括嵌入本征未摻雜inp的層中的inalas的六個(gè)量子勢(shì)壘。根據(jù)本發(fā)明，此異質(zhì)結(jié)構(gòu)提供低損耗波導(dǎo)和電子阻擋序列。下面描述其細(xì)節(jié)。

具有后面或背面電極16（通常為au）的基板15（在這里為inp）在其頂部上承載橫向地受到異質(zhì)結(jié)構(gòu)14a/14b/14c限制的ingaas/inalas的活性區(qū)12。此異質(zhì)結(jié)構(gòu)包括三組不同的層。每個(gè)層14a包括本征或未摻雜i:inp，并且每個(gè)層14b包括半導(dǎo)體（在這里為i:inp或ingaas）。第三組是alinas的勢(shì)壘層14c；其在圖2a中被用黑色實(shí)線示為薄層。

在圖2a中還示出了通常為au的頂部電極3以及inp的n摻雜包層11和諸如inalas或ingaas之類(lèi)的三元組。勢(shì)壘14a—c的傾斜末端18是由于圍繞著蝕刻區(qū)域發(fā)生的外延再生長(zhǎng)過(guò)程而引起的。其取決于通常垂直于蝕刻表面的生長(zhǎng)方向。

在這里是圖2a中所示的結(jié)構(gòu)的某個(gè)近似尺寸。活性區(qū)ar12為約3μm厚和3—20μm寬。勢(shì)壘層異質(zhì)結(jié)構(gòu)為約6μm厚，如活性區(qū)ar12加包層1一樣，其通常為幾μm（在這里為3μm）厚。

下面進(jìn)一步詳細(xì)地描述勢(shì)壘層的異質(zhì)結(jié)構(gòu)?；?5具有約0.1—0.5mm的厚度。圖2a中所示的整個(gè)結(jié)構(gòu)為約2mm長(zhǎng)和0.5mm寬。請(qǐng)注意，這些僅僅是近似尺寸；其根據(jù)優(yōu)選波長(zhǎng)和/或裝置的預(yù)定用途而改變。并且，圖2a如所有圖一樣并未按比例。

圖2b顯示圖2a中所示的qcl的量子勢(shì)壘序列的示意性能帶結(jié)構(gòu)。請(qǐng)注意，“i:inp”或“i-inp”代表本征inp，即未摻雜inp。勢(shì)壘層14c充當(dāng)量子勢(shì)壘17，其位置以及數(shù)目可以改變（在圖2a中示出了六個(gè)此類(lèi)勢(shì)壘14c）減少電子傳遞而不增加光學(xué)損耗。重要的是要理解在實(shí)施例a中通過(guò)使用所示的勢(shì)壘可以甚至在不使用inp.fe的情況下防止載流子泄露。

下表公開(kāi)了包括量子勢(shì)壘14a—c的厚度的物理結(jié)構(gòu)。通過(guò)引入這些量子勢(shì)壘，在不增加光學(xué)損耗的情況下降低了異質(zhì)結(jié)構(gòu)14a/14b/14c的導(dǎo)電性，如上所述。

如圖1a中所示的現(xiàn)有技術(shù)掩埋或阻擋層與如圖2a中描繪的根據(jù)本發(fā)明的阻擋層之間的差別是明顯的：鑒于現(xiàn)有技術(shù)阻擋層自始至終由fe摻雜inp、即inp:fe組成，而根據(jù)本發(fā)明的新型阻擋層包括多個(gè)不同的層，其包括本征/未摻雜inp。

下表示出了圖2a描繪的限制分層異質(zhì)結(jié)構(gòu)的尺寸，其具有根據(jù)本實(shí)施例a的量子勢(shì)壘14a—c。著眼于下表和圖2a，請(qǐng)注意，“開(kāi)始”定義異質(zhì)結(jié)構(gòu)的底部，因?yàn)檫@是開(kāi)始再生長(zhǎng)的位置。這意味著表中所示的序列在圖2a中所示的堆疊中是顛倒的。此外，層14b可以包括本征inp（即如表中所示的i:inp）或inalas，如上文所解釋的。因此，層14a和14b可以包括不同的材料。最后，如上所述，圖2a并未真正按比例，即在圖中并未反映表中給定的樣本尺寸和關(guān)系。請(qǐng)注意，用黑體字示出了勢(shì)壘層。

實(shí)施例a

實(shí)施例b

實(shí)施例b是在3.3μm處發(fā)射的另一掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)qcl。其總尺寸類(lèi)似于實(shí)施例a的尺寸。

然而，為了進(jìn)一步降低用于給定數(shù)目的量子勢(shì)壘的導(dǎo)電性，部分地再引入inp區(qū)域的fe摻雜，但是僅僅遠(yuǎn)離活性區(qū)。在這種情況下，fe摻雜僅在接近于與在該處注入電子的n摻雜接點(diǎn)的結(jié)處存在且不在該處光模相關(guān)的活性區(qū)ar附近存在，在該n摻雜接點(diǎn)處注入電子。

圖3a示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例。該結(jié)構(gòu)包括基板25（此處為inp），其具有后面或背面電極26（通常為au）、頂部電極23（通常也為au）以及n摻雜包層21，其包括inp和/或在其ingaas/inalas的活性區(qū)22的頂部上的三元組（諸如inalas或ingaas）。

如在實(shí)施例a中，活性區(qū)22在兩側(cè)橫向地受到具有三組層24a/24b/24c的勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)構(gòu)的限制，層24a/24b/24c中的六個(gè)層24c充當(dāng)阻擋層，其由inalas組成。如在實(shí)施例a中，inalas的六個(gè)量子勢(shì)壘24c被用于電子阻擋：此外，層24c的傾斜末端28是由于圍繞著蝕刻區(qū)域發(fā)生的外延再生長(zhǎng)過(guò)程而引起的。

實(shí)施例b與實(shí)施例a的不同之處在于用fe、inp:fe摻雜最接近于電接點(diǎn)23的五個(gè)inp層24a和24b。與實(shí)施例a的另一差別是由fe摻雜inp（inp:fe）的沉積物以及本征inp（i:inp）的沉積物（每個(gè)在所示示例中具有300nm厚度）組成的雙組分掩埋層24a。

替換地，實(shí)施例b中的所有層24a和24b可以是fe摻雜的，即包括inp:fe，由此在活性區(qū)22的附近降低fe摻雜水平。

層24b還可以由ingaas而不是如實(shí)施例a、圖2a中的inp組成。此類(lèi)ingaas層將是fe摻雜的，如上文結(jié)合相應(yīng)的inp層所解釋的。如所述，限制或分離掩埋層24a和24b的量子勢(shì)壘24c由未摻雜inalas組成，再次地如在實(shí)施例a中。因此，與實(shí)施例a的差別在于層24a和b的所述fe摻雜和如上所述的提供至少一個(gè)雙組分掩埋層24a。

圖3b顯示圖3a中所示的qcl的量子勢(shì)壘序列的示意性能帶結(jié)構(gòu)。在這種情況下量子勢(shì)壘24c及fe摻雜層24a和24b用于阻擋載流子。下表示出了根據(jù)圖3a的結(jié)構(gòu)的樣本尺寸：

實(shí)施例b

實(shí)施例c

本實(shí)施例是第三掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)qcl，具有高操作場(chǎng)以減少電子泄露的在4.3μm的波長(zhǎng)處發(fā)射的結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例的基本結(jié)構(gòu)與實(shí)施例a的結(jié)構(gòu)相同，即限制分層勢(shì)壘異質(zhì)結(jié)構(gòu)包括三組層，由inalas組成的勢(shì)壘組、inp的第二組和inp或ingaas層的第三組。與兩個(gè)上述實(shí)施例的差別是所有inp或ingaas層都是fe摻雜的。因此量子勢(shì)壘和fe摻雜兩者都用于阻擋載流子，這對(duì)于在高電場(chǎng)中操作的qcl而言可以是重要且決定性的。

下表示出了本第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和尺寸：

實(shí)施例c

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的本第三qcl實(shí)施例的示意性能帶結(jié)構(gòu)。作為根據(jù)上表的結(jié)構(gòu)的替換，在這種情況下可以將八個(gè)量子勢(shì)壘用于電子阻擋。

本發(fā)明的功能和各種實(shí)施例的以上詳細(xì)描述允許本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下設(shè)計(jì)其它實(shí)施方式。

權(quán)利要求書(shū)(按照條約第19條的修改)

1.一種半導(dǎo)體量子級(jí)聯(lián)激光器，尤其是以在中ir范圍內(nèi)的波長(zhǎng)處發(fā)射，具有基板（15；25）、活性區(qū)（12；22）、包層（11；21）、提供到所述活性區(qū)（12；22）中的電流注入的至少兩個(gè)電極（13、16；23、26）以及掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)波導(dǎo)（14a—14c；24a、24b），

其特征在于

所述異質(zhì)結(jié)構(gòu)波導(dǎo)包括第一iii-v半導(dǎo)體化合物的多個(gè)勢(shì)壘層（14c；24c）的堆疊，其與至少一個(gè)第二iii-v半導(dǎo)體化合物的多個(gè)掩埋層（14a、14b；24a、24b）交替地交錯(cuò)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子級(jí)聯(lián)激光器，其中，

所述勢(shì)壘層（14c；24c）中的至少一個(gè)由alas、inalas、ingaas、ingaasp或ingasb的組中的一個(gè)的化合物組成。

3.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的量子級(jí)聯(lián)激光器，其中，所述掩埋層（14a；24a）中的至少一個(gè)包括第一iii-v半導(dǎo)體化合物，并且所述掩埋層（14b；24b）中的至少另一個(gè)包括第二、不同的iii-v半導(dǎo)體化合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子級(jí)聯(lián)激光器，其中，

所述掩埋層（14a、14b；24a、24b）的第一半導(dǎo)體化合物是本征化合物，特別是i:inp，而第二化合物是摻雜化合物，特別是fe摻雜化合物，尤其是fe摻雜inp。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子級(jí)聯(lián)激光器，其中，

所述掩埋層（24a）中的至少一個(gè)包括本征化合物和第二、摻雜化合物兩者，所述本征化合物特別是i:inp，所述摻雜化合物特別是fe摻雜化合物、尤其是fe摻雜inp。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子級(jí)聯(lián)激光器，其中，

所述掩埋層（14a、14b；24a、24b）的第一半導(dǎo)體化合物和所述第二化合物兩者都是摻雜化合物，特別是fe摻雜化合物，尤其是fe摻雜inp。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的量子級(jí)聯(lián)激光器，包括

第一數(shù)目的、優(yōu)選地六個(gè)勢(shì)壘層（14c；24c）和第二數(shù)目的、優(yōu)選地六個(gè)掩埋層（14a14b；24a、24b）的掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)波導(dǎo)，所述勢(shì)壘層與所述掩埋層交替地堆疊。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子級(jí)聯(lián)激光器，其中，

每個(gè)勢(shì)壘層（14c；24c）在5和200nm之間、優(yōu)選地約50nm厚，而掩埋層在約50nm與約3μm之間、優(yōu)選地600nm厚。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的量子級(jí)聯(lián)激光器，包括以下結(jié)構(gòu)的掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)波導(dǎo):

。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的量子級(jí)聯(lián)激光器，包括以下結(jié)構(gòu)的掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)波導(dǎo):

。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的量子級(jí)聯(lián)激光器，包括以下結(jié)構(gòu)的掩埋式異質(zhì)結(jié)構(gòu)波導(dǎo):

。