本發(fā)明涉及半導體制作領(lǐng)域，特別涉及一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法。

背景技術(shù)：

隨著集成電路制造技術(shù)的不斷發(fā)展，MOS晶體管的特征尺寸也越來越小，為了降低MOS晶體管柵極的寄生電容，提高器件速度，高K柵介電層與金屬柵極的柵極疊層結(jié)構(gòu)被引入到MOS晶體管中。為了避免金屬柵極的金屬材料對晶體管其他結(jié)構(gòu)的影響，所述金屬柵極與高K柵介電層的柵極疊層結(jié)構(gòu)通常采用“后柵(gate last)”工藝制作。

現(xiàn)有技術(shù)采用“后柵(gate last)”工藝制作金屬柵極過程包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有替代柵結(jié)構(gòu)，所述替代柵結(jié)構(gòu)包括位于半導體襯底上的柵介質(zhì)層和位于柵介質(zhì)層上的替代柵，所述替代柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導體襯底內(nèi)形成有晶體管的源區(qū)和漏區(qū)；形成覆蓋所述半導體襯底和替代柵結(jié)構(gòu)的第一介質(zhì)材料層；采用化學機械研磨工藝平坦化所述介質(zhì)材料層，以偽柵結(jié)構(gòu)的頂部表面為停止層，形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層的表面與替代柵結(jié)構(gòu)的頂部表面齊平；去除所述替代柵結(jié)構(gòu)，形成凹槽；在凹槽的側(cè)壁和底部表面、以及第一介質(zhì)層的表面形成高K介電材料層；在高K介電材料層表面形成金屬層；平坦化去除第一介質(zhì)層表面上的高K介電材料層和金屬層，在凹槽的側(cè)壁和底部表面形成高K柵介質(zhì)層，在高K柵介質(zhì)層上形成金屬柵電極，所述金屬柵電極填充凹槽。

為了提高晶體管的性能，在金屬柵極的制作過程中，在高K介電材料層上通常還會形成功函數(shù)層，所述功函數(shù)層用于調(diào)節(jié)晶體管的功函數(shù)，在形成功函數(shù)層后，在功函數(shù)層上形成金屬層。

在NMOS晶體管中，鋁鈦作為常用的功函數(shù)層材料得以廣泛的應用。

但是現(xiàn)有鋁鈦功函數(shù)層的性能仍有待提升。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是怎樣提高鋁鈦功函數(shù)層的表面平坦度。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有偽柵結(jié)構(gòu)；

形成覆蓋所述半導體襯底和偽柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層的表面與偽柵結(jié)構(gòu)頂部表面齊平；

去除所述偽柵結(jié)構(gòu)，形成凹槽；

在所述凹槽的側(cè)壁和底部以及介質(zhì)層的表面形成高K柵介質(zhì)材料層；

在所述高K柵介質(zhì)層上形成鋁鈦成核層，所述鋁鈦成核層中鈦原子的含量大于鋁原子的含量；

在所述鋁鈦成核層上形成鋁鈦體層，所述鋁鈦體層中鈦原子的含量小于鋁原子的含量，所述鋁鈦成核層和鋁鈦體層構(gòu)成功函數(shù)材料層；

在所述鋁鈦體層上形成金屬層，所述金屬層填充滿凹槽。

可選的，所述鋁鈦成核層中鈦原子的數(shù)量大于鋁原子的數(shù)量的比例＞1。

可選的，所述鋁鈦成核層的厚度為1～2nm。

可選的，所述鋁鈦體層中鈦原子的數(shù)量大于鋁原子的數(shù)量的比例＜0.7。

可選的，所述鋁鈦體層的厚度為3～5nm。

可選的，所述鋁鈦體層的功函數(shù)為4.05ev～4.2ev。

可選的，所述鋁鈦成核層和鋁鈦體層的形成工藝為原子層沉積工藝。

可選的，形成鋁鈦成核層時的原子層沉積工藝采用的氣體為TiCl₄、二甲基乙基胺鋁和二甲基氫化鋁，載氣為Ar，其中，TiCl₄的流量為40～100sccm，二甲基乙基胺鋁的流量為30～80sccm，二甲基氫化鋁的流量為30～80sccm，腔室溫度為80～150℃，腔室壓力為1～5Torr。

可選的，形成鋁鈦成核層時的原子層沉積工藝的循環(huán)次數(shù)為2～4次。

可選的，形成鋁鈦體層時的原子層沉積工藝采用的氣體為TiCl₄、二甲基乙基胺鋁和二甲基氫化鋁，載氣為Ar，其中，TiCl₄的流量為40～100sccm， 二甲基乙基胺鋁的流量為150～300sccm，二甲基氫化鋁的流量為600～1000sccm，腔室溫度為80～150℃，腔室壓力為1～5Torr。

可選的，形成鋁鈦體層時的原子層沉積工藝的循環(huán)次數(shù)為3～8次。

可選的，還包括：采用化學機械研磨工藝平坦化去除介質(zhì)層表面的金屬層、功函數(shù)材料層和高K柵介質(zhì)材料層，在所述凹槽中形成高K柵介質(zhì)層、位于柵介質(zhì)層上的功函數(shù)層、位于功函數(shù)層上的金屬柵電極，所述功函數(shù)層包括鋁鈦成核層和位于鋁鈦成核層表面上的鋁鈦體層。

可選的，所述鋁鈦成核層和高K柵介質(zhì)材料層之間還形成有第一擴散阻擋層。

可選的，所述第一擴散阻擋層的材料為TaN或TiN。

可選的，所述金屬層和鋁鈦體層之間還形成有第二擴散阻擋層。

可選的，所述第二擴散阻擋層的材料為TaN或TiN。

本發(fā)明還提供了一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成鋁鈦成核層，所述鋁鈦成核層中鈦原子的含量大于鋁原子的含量；

在所述鋁鈦成核層上形成鋁鈦體層，所述鋁鈦體層中鈦原子的含量小于鋁原子的含量。

可選的，所述鋁鈦成核層中鈦原子的數(shù)量大于鋁原子的數(shù)量的比例＞1。

可選的，所述鋁鈦體層中鈦原子的數(shù)量大于鋁原子的數(shù)量的比例＜0.7。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，在所述高K柵介質(zhì)層上形成鋁鈦成核層，所述鋁鈦成核層中鈦原子的含量大于鋁原子的含量；然后，在所述鋁鈦成核層上形成鋁鈦體層，所述鋁鈦體層中鈦原子的含量小于鋁原子的含量，所述鋁鈦成核層和鋁鈦體層構(gòu)成功函數(shù)材料層。在形成功函數(shù)材料層時，先形成鋁鈦成核層，然后在鋁鈦成核層上形成鋁鈦體層，鋁鈦成核層中鈦原子 的含量大于鋁原子的含量，一方面，鈦元素為過渡元素，高K柵介質(zhì)層材料或擴散阻擋層材料中也含有過渡元素，鈦元素相對于鋁元素與底部的高K柵介質(zhì)層材料或擴散阻擋層材料的接觸角較小，接觸性能好，因而形成含鈦更高的鋁鈦成核層容易在高K柵介質(zhì)材料層表面上或擴散阻擋層表面上孵化，形成連續(xù)的成核，形成的鋁鈦成核層的表面形貌的平坦度較高；另一方面，鋁鈦成核層材料與鋁鈦體層的材料相同，鋁鈦成核層為形成鋁鈦體層生長提供了良好的成核表面，有助于提高鋁鈦體層表面的平坦度以及鋁鈦體層功函數(shù)的調(diào)節(jié)。

進一步，所述鋁鈦成核層中鈦原子的數(shù)量大于鋁原子的數(shù)量的比例＞1，使得形成鋁鈦成核層表面具有較高平坦度的同時，利于后續(xù)鋁鈦體層的形成。

進一步，所述鋁鈦成核層的厚度為1～2nm，使得形成的鋁鈦成核層具有較平坦的表面的同時，不會影響NMOS晶體管的功函數(shù)調(diào)節(jié)或者影響較小。

附圖說明

圖1～圖7為本發(fā)明實施例半導體結(jié)構(gòu)的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

如背景技術(shù)所言，現(xiàn)有金屬柵工藝中形成的鋁鈦功函數(shù)層的性能仍有待提升，比如鋁鈦功函數(shù)層存在表面粗糙，厚度均勻性差的問題，影響了形成的晶體管的電學性能。

研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)通過沉積工藝形成鋁鈦功函數(shù)層，鋁鈦功函數(shù)層是直接形成在高K柵介質(zhì)層或者擴散阻擋層表面上，由于鋁鈦材料與高K柵介質(zhì)層材料和擴散阻擋層材料的接觸角較大，采用沉積工藝形成鋁鈦功函數(shù)層時，高K柵介質(zhì)層或者擴散阻擋層表面上的成核不連續(xù)，使得最終形成的鋁鈦功函數(shù)層的表面會較粗糙。

為此本發(fā)明提供了一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，在形成功函數(shù)材料層時，先形成鋁鈦成核層，然后在鋁鈦成核層上形成鋁鈦體層，鋁鈦成核層中鈦原子的含量大于鋁原子的含量，一方面，鈦元素為過渡元素，高K柵介質(zhì)層材料或擴散阻擋層材料中也含有過渡元素，鈦元素相對于鋁元素與底部的高K柵介質(zhì)層材料或擴散阻擋層材料的接觸角較小，接觸性能好，因而形成含鈦 更高的鋁鈦成核層容易在高K柵介質(zhì)材料層表面上或擴散阻擋層表面上孵化，形成連續(xù)的成核，形成的鋁鈦成核層的表面形貌的平坦度較高；另一方面，鋁鈦成核層材料與鋁鈦體層的材料相同，鋁鈦成核層為后續(xù)形成鋁鈦體層生長提供了良好的成核表面，有助于提高鋁鈦體層表面的平坦度以及鋁鈦體層功函數(shù)的調(diào)節(jié)。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，示意圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應限制本發(fā)明的保護范圍。此外，在實際制作中應包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。

圖1～圖7為本發(fā)明實施例半導體結(jié)構(gòu)的形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

參考圖1，提供半導體襯底200，所述半導體襯底200上形成有偽柵結(jié)構(gòu)201。

所述半導體襯底200的材料為硅(Si)、鍺(Ge)、或硅鍺(GeSi)、碳化硅(SiC)；也可以是絕緣體上硅(SOI)，絕緣體上鍺(GOI)；或者還可以為其它的材料，例如砷化鎵等Ⅲ-Ⅴ族化合物。所述半導體襯底200還可以根據(jù)設(shè)計需求注入一定的摻雜離子以改變電學參數(shù)。

在所述半導體襯底200內(nèi)還形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)用于隔離相鄰的有源區(qū)，防止不同有源區(qū)上形成的晶體管之間電學連接。

所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)可以單層或多層(≥2層)堆疊結(jié)構(gòu)。在一實施例中，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)為單層結(jié)構(gòu)時，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的材料可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅其中的一種或幾種。在一實施例中，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)為雙層堆疊結(jié)構(gòu)，包括襯墊氧化層和位于襯墊氧化層上的填充層。

所述偽柵結(jié)構(gòu)201作為后續(xù)形成金屬柵結(jié)構(gòu)的犧牲層，偽柵結(jié)構(gòu)201的數(shù)量至少為1個，所述偽柵結(jié)構(gòu)201的材料為多晶硅或無定形碳或其他合適的材料，偽柵結(jié)構(gòu)201的形成過程為：在所述半導體襯底200上形成偽柵材料層；在所述偽柵材料層上形成圖形化的光刻膠層；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述偽柵材料層，在所述半導體襯底200上偽柵結(jié)構(gòu)201。

偽柵結(jié)構(gòu)201和半導體襯底200之間還可以形成氧化硅層。

所述偽柵結(jié)構(gòu)201的兩側(cè)側(cè)壁上還形成有側(cè)墻，所述側(cè)墻可以為單層或多層(≥2層)堆疊結(jié)構(gòu)。

在一實施例中，所述側(cè)墻為雙層堆疊結(jié)構(gòu)，包括位于偽柵結(jié)構(gòu)201側(cè)壁表面上的偏移側(cè)墻和位于偏移側(cè)墻上的主側(cè)墻。

所述偏移側(cè)墻的材料為氧化硅或替他合適的材料，偏移側(cè)墻的形成工藝為熱氧化或沉積工藝，所述主側(cè)墻的材料為氮化硅，形成工藝為沉積和刻蝕工藝。

在形成偏移側(cè)墻后，還包括：以所述偽柵和偏移側(cè)墻為掩膜，對所述半導體襯底進行第一離子注入，在所述偽柵結(jié)構(gòu)201和偏移側(cè)墻兩側(cè)的半導體襯底上形成淺摻雜區(qū)。

在形成淺摻雜區(qū)后，在所述偏移側(cè)墻的表面上形成主側(cè)墻，所述主側(cè)墻的形成過程為：形成覆蓋所述偽柵結(jié)構(gòu)201、偏移側(cè)墻和半導體襯底200表面的側(cè)墻材料層；無掩膜刻蝕所述側(cè)墻材料層，在偏移側(cè)墻表面形成主側(cè)墻。所述主側(cè)墻可以為單層或多層堆疊結(jié)構(gòu)。

在形成主側(cè)墻后，還包括：以所述主側(cè)墻和偽柵結(jié)構(gòu)201為掩膜，進行第二離子注入，在偽柵結(jié)構(gòu)201和主側(cè)墻兩側(cè)的半導體襯底200內(nèi)形成深摻雜區(qū)，所述深摻雜區(qū)和淺摻雜區(qū)構(gòu)成晶體管的源區(qū)或漏區(qū)。

所述第一離子注入和第二離子注入注入的雜質(zhì)離子的類型相同，本實施例中，待形成的晶體管為NMOS晶體管，第一離子注入和第二離子注入的雜質(zhì)離子為N型的雜質(zhì)離子，所述N型雜質(zhì)離子為磷離子、砷離子或銻離子。

在本發(fā)明的其他實施例中，在形成偽柵結(jié)構(gòu)201和側(cè)墻后，還可以以所述偽柵結(jié)構(gòu)201和側(cè)墻為掩膜，刻蝕所述半導體襯底200，在所述偽柵結(jié)構(gòu)201和側(cè)墻兩側(cè)的半導體襯底200內(nèi)形成溝槽；然后在溝槽中填充應力層，形成應力源區(qū)和應力漏區(qū)，所述應力層的材料為碳化硅。

參考圖2，形成覆蓋所述半導體襯底200和偽柵結(jié)構(gòu)201側(cè)壁的介質(zhì)層202，所述介質(zhì)層202的表面與偽柵結(jié)構(gòu)201頂部表面齊平。

所述介質(zhì)層202的形成過程為：在半導體襯底200上形成介質(zhì)材料層，介質(zhì)層材料層覆蓋所述偽柵結(jié)構(gòu)201；采用化學機械研磨工藝平坦化所述介質(zhì)層材料，以偽柵結(jié)構(gòu)201的表面為停止層，形成介質(zhì)層202。

在一實施例中，所述介質(zhì)層202的材料為氧化硅或其他合適的材料。

參考圖3，去除所述偽柵結(jié)構(gòu)201(參考圖2)，形成凹槽203。

去除所述偽柵結(jié)構(gòu)采用濕法刻蝕、干法刻蝕、或者濕法刻蝕和干法刻蝕相結(jié)合的工藝。本實施例中，采用濕法刻蝕去除所述偽柵結(jié)構(gòu)，濕法刻蝕采用的溶液為KOH或TMAH(四甲基氫氧化銨)或NH₃.H₂O。

參考圖4，在所述凹槽203的側(cè)壁和底部以及介質(zhì)層202的表面形成高K柵介質(zhì)材料層204；在所述高K柵介質(zhì)層204上形成鋁鈦成核層205，所述鋁鈦成核層205中鈦原子的含量大于鋁原子的含量。

在一實施例中，所述高K柵介質(zhì)層204的材料為HfO₂、TiO₂、HfZrO、HfSiNO、Ta₂O₅、ZrO₂、ZrSiO₂、Al₂O₃、SrTiO₃或BaSrTiO。

本實施例中，所述鋁鈦成核層205形成在高K柵介質(zhì)層204上。

所述鋁鈦成核層205中鈦原子的含量大于鋁原子的含量，即鋁鈦成核層205中鈦元素含量較高，一方面，鈦元素為過渡元素，高K柵介質(zhì)層204材料中也含有過渡元素，鈦元素相對于鋁元素與底部的高K柵介質(zhì)層204材料的接觸角較小，接觸性能好，因而形成含鈦更高的鋁鈦成核層205容易在高K柵介質(zhì)材料層204表面上孵化，形成連續(xù)的成核，形成的鋁鈦成核層205的表面形貌的平坦度較高；另一方面，鋁鈦成核層205材料與鋁鈦體層的材料相同，鋁鈦成核層205為后續(xù)形成鋁鈦體層生長提供了良好的成核表面，有助于提高鋁鈦體層表面的平坦度以及鋁鈦體層功函數(shù)的調(diào)節(jié)。

在另一實施例中，在形成鋁鈦成核層205之前，還包括：在所述高K柵介質(zhì)材料層204上還形成第一擴散阻擋層，所述第一擴散阻擋層適于防止功函數(shù)層中的金屬向高K柵介質(zhì)材料層204中擴散；然后在第一擴散阻擋層上形成鋁鈦成核層205。所述第一擴散阻擋層的材料為含鈦或含鉭的氮化物，比如TaN或TiN或其他合適的材料。

在第一擴散阻擋層上形成鋁鈦成核層205時，由于鈦元素與第一擴散阻擋層材料的性質(zhì)更接近，鈦元素與底部的第一擴散阻擋層材料(比如TaN或TiN)的接觸角更小，因而鋁鈦成核層205更容易在第一擴散阻擋層(或高K柵介質(zhì)材料層204)孵化，形成連續(xù)的成核，形成的鋁鈦成核層205的表面形貌的平坦度更高，更有利于后續(xù)在鋁鈦成核層205上形成鋁鈦體層。

所述鋁鈦成核層205中鈦原子的數(shù)量大于鋁原子的數(shù)量的比例不能太大也不能太小，太大的話，使得鋁鈦成核層與鋁鈦體層之間的性質(zhì)差異(比如晶格結(jié)構(gòu)等)會增大，不利于后續(xù)鋁鈦體層的形成，太小的話形成的鋁鈦成核層205與底部材料的接觸性能會變差，形成的鋁鈦成核層205的表面平坦度會不佳，在一實施例中，所述鋁鈦成核層205中鈦原子的數(shù)量大于鋁原子的數(shù)量的比例＞1，可以為1.1:1、1.2:1、1.3:1、1.4:1、1.5:1、1.6:1、1.7:1、1.8:1、1.9:1、2:1。

由于鋁鈦成核層205中鈦含量相對偏高，鋁鈦成核層205不能太厚，太厚的話，NMOS晶體管的功函數(shù)很難調(diào)節(jié)，鋁鈦成核層205也不能太薄，太薄的話，鋁鈦成核層205的表面平坦度難以保證，在一實施例中，所述鋁鈦成核層205的厚度為1～2nm。

所述鋁鈦成核層205的形成工藝為原子層沉積工藝。

在一實施例中，形成鋁鈦成核層205時的原子層沉積工藝采采用的氣體為TiCl₄、二甲基乙基胺鋁和二甲基氫化鋁，載氣為Ar，其中，TiCl₄的流量為40～100sccm，二甲基乙基胺鋁的流量為30～80sccm，二甲基氫化鋁的流量為30～80sccm，腔室溫度為80～150℃，腔室壓力為1～5Torr，形成鋁鈦成核層時的原子層沉積工藝的循環(huán)次數(shù)為2～4次，形成的鋁鈦成核層205與底部的第一擴散阻擋層的接觸性能較好并具有良好的表面平坦度。

在另一實施例中，所述鋁鈦成核層205也可以直接形成在高K柵介質(zhì)層204的表面上。

參考圖5，在所述鋁鈦成核層205上形成鋁鈦體層206，所述鋁鈦體層206中鈦原子的含量小于鋁原子的含量，所述鋁鈦成核層205和鋁鈦體層206構(gòu)成功函數(shù)材料層。

所述鋁鈦體層206適于調(diào)節(jié)晶體管的功函數(shù)。在一實施例中，所述鋁鈦體層206的功函數(shù)為4.05ev～4.2ev。所述鋁鈦體層206的厚度為3～5nm。

所述鋁鈦體層206中鈦原子的數(shù)量大于鋁原子的數(shù)量的比例＜0.7，可以為0.65:1、0.60:1、0.55:1、0.5:1。所述鋁鈦體層206的形成工藝為原子層沉積工藝。

形成鋁鈦體層206時的原子層沉積工藝采用的氣體為TiCl₄、二甲基乙基胺鋁和二甲基氫化鋁，載氣為Ar，其中，TiCl₄的流量為40～100sccm，二甲基乙基胺鋁的流量為150～300sccm，二甲基氫化鋁的流量為600～1000sccm，腔室溫度為80～150℃，腔室壓力為1～5Torr，形成鋁鈦體層時的原子層沉積工藝的循環(huán)次數(shù)為3～8次。形成的鋁鈦體層206在滿足一定的功函數(shù)同時，具有較好的表面平坦度。

參考圖6，在所述鋁鈦體層206上形成金屬層207，所述金屬層207填充滿凹槽203(參考圖5)。

所述金屬層207的材料為W、Al或其他合適的材料。金屬層207的形成工藝為濺射、電鍍或其他合適的工藝。

在一實施例中，所述金屬層207和鋁鈦體層206之間還形成有第二擴散阻擋層，所述第二擴散阻擋層用于阻擋金屬層中的金屬元素向功函數(shù)層中擴散。所述第二擴散阻擋層的材料為TaN或TiN。

參考圖7，采用化學機械研磨工藝平坦化去除介質(zhì)層202表面的金屬層、功函數(shù)材料層和高K柵介質(zhì)材料層，在所述凹槽中形成高K柵介質(zhì)層213、位于柵介質(zhì)層上的功函數(shù)層、位于功函數(shù)層上的金屬柵電極216，所述功函數(shù)層包括鋁鈦成核層214和位于鋁鈦成核層214表面上的鋁鈦體層215。

本發(fā)明另一實施例中還提供了一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成鋁鈦成核層，所述鋁鈦成核層中鈦原子的含量大于鋁原子的含量；

在所述鋁鈦成核層上形成鋁鈦體層，所述鋁鈦體層中鈦原子的含量小于 鋁原子的含量。

具體的，所述基底可以為半導體材料(比如硅襯底或鍺襯底)或介質(zhì)層材料(比如氧化硅或氮化硅)，所述基底還可以為其他合適的材料(比如氮化鉭或氮化鈦)。

所述鋁鈦成核層中鈦原子的數(shù)量大于鋁原子的數(shù)量的比例＞1。

所述鋁鈦體層中鈦原子的數(shù)量大于鋁原子的數(shù)量的比例＜0.7。

所述鋁鈦成核層和鋁鈦體層的形成工藝為原子層沉積工藝。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應當以權(quán)利要求所限定的范圍為準。