技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

在位于一埋層上的一緩沖層上形成一疊層，該疊層由交替的多個(gè)導(dǎo)電層和多個(gè)絕緣層構(gòu)成；

形成穿過該疊層及一部分的該緩沖層的一第一開口；以及

在該第一開口的一側(cè)壁上形成一間隔物。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，還包括：

在該疊層上形成一第一硬掩膜層且在該第一硬掩膜層上形成一第二硬掩膜層，其中在形成穿過該疊層及一部分的該緩沖層的該第一開口的步驟中，該第一開口也穿過該第一硬掩膜層及該第二硬掩膜層。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，在在該第一開口的該側(cè)壁上形成該間隔物的步驟之后，還包括：

施加一第一蝕刻劑以形成停止于該埋層上的一第二開口；以及

施加一第二蝕刻劑以移除該間隔物，其中該第一蝕刻劑對于該埋層及該緩沖層分別具有一第一蝕刻速率及一第二蝕刻速率，該第二蝕刻速率大于該第一蝕刻速率。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，還包括：

在施加該第一蝕刻劑的步驟之前，對該第一開口進(jìn)行一蝕刻工藝，其中該第一蝕刻工藝包括一干蝕刻。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該第一蝕刻劑包括氨水(NH₄OH)或四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide，TMAOH)。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該緩沖層的厚度在1500埃至的范圍之間。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該間隔物的厚度在至的范圍之間。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該間隔物的厚度在至的范圍之間。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該間隔物的材料包括氮化硅(SiN)、鍺化硅(SiGe)或鍺(Ge)。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該緩沖層包括N型摻雜的多晶硅。