本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種整流器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體二極管具有正向?qū)?、反向阻斷的特性，廣泛應(yīng)用于諸如電源、信號處理等各類電子電路中。對于特定類型的二極管器件，正向偏置電壓在達(dá)到某特定值(正向?qū)▔航担址Q正向壓降)之前其正向電流基本可忽略不計(jì)。傳統(tǒng)的整流二極管主要有PN結(jié)二極管和肖特基二極管兩類。PN結(jié)二極管正向壓降VF較大，反向恢復(fù)時(shí)間Trr較長，但是PN結(jié)二極管的穩(wěn)定性較好，能在高電壓下工作；肖特基二極管是以貴金屬(如金、銀、鈦等)與半導(dǎo)體接觸，以形成異質(zhì)結(jié)勢壘而制成的半導(dǎo)體器件，其在低電壓時(shí)具有絕對優(yōu)勢：其正向壓降VF小，反向恢復(fù)時(shí)間Trr短，在高速領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。但是肖特基二極管存在反向泄漏電流大且制造成本高的問題。

圖1是半導(dǎo)體二極管的一種典型應(yīng)用示意圖，左邊為輸入端，右邊為輸出端，其中的二極管在電路中起到了輸出整流作用。二極管的正向?qū)▔航到o電路系統(tǒng)帶來兩個(gè)缺點(diǎn)：第一，降低轉(zhuǎn)化器的效率，比如，在5V電源輸出情況下，考慮到二極管的正向?qū)▔航?，其?shí)際負(fù)載為5.7V，在不考慮其它損耗的情況下，其輸出效率已降低了13％；第二，上述輸出效率損失會導(dǎo)致器件發(fā)熱，在許多應(yīng)用中需要采用適當(dāng)尺寸的封裝或增加散熱器來緩解器件發(fā)熱問題，從而增加了系統(tǒng)體積和制備成本。因此，為了提高電路的整流效率，盡可 能降低二極管的正向?qū)▔航稻哂蟹浅Ｖ匾囊饬x。

實(shí)際應(yīng)用中，二極管除了工作在導(dǎo)通狀態(tài)下，還常處于阻斷狀態(tài)。阻斷條件下，二極管具有反向漏電流，該漏電流將會增加電路損耗，降低電路轉(zhuǎn)換效率，特別是高溫應(yīng)用環(huán)境下。因此，除了希望二極管具有低的正向壓降外，還希望器件具有較小的反向漏電流。

在很多應(yīng)用中，電子電路存在電感裝置，電感產(chǎn)生的反向電壓有可能會加在二極管上，導(dǎo)致二極管發(fā)生雪崩擊穿。通常使用雪崩能量來表征器件在不失效的情況下從電感所能吸收的最大能量，該參數(shù)主要取決于器件耗散能量的結(jié)面積大小。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提出一種整流器件及其制備方法，該整流器件具有較低的正向?qū)▔航狄约案咦钄嚯妷海軌蚪鉀Q現(xiàn)有的作為整流器件的PN結(jié)二極管的開啟電壓高、肖特基二極管的反向耐壓低且存在電流泄漏的問題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種整流器件，包括第一導(dǎo)電類型的襯底、元胞區(qū)和終端區(qū)；

所述元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有溝槽型區(qū)；

所述溝槽型區(qū)底部設(shè)有第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)；

所述元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域設(shè)有第二導(dǎo)電類型體區(qū)；

所述元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有第一金屬電極；

所述襯底背面設(shè)有第二金屬電極。

進(jìn)一步的，所述溝槽型區(qū)包括形成于所述襯底正面的溝槽，形成于所述溝槽內(nèi)壁的氧化層，以及填充于所述溝槽內(nèi)部的多晶硅。

進(jìn)一步的，所述第一導(dǎo)電類型的襯底為正面生長有第一導(dǎo)電類型外延層的襯底。

進(jìn)一步的，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。

進(jìn)一步的，所述終端區(qū)包括場限環(huán)。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種整流器件的制備方法，包括：

在第一導(dǎo)電類型的襯底正面形成終端區(qū)，所述襯底正面除所述終端區(qū)以外的剩余區(qū)域?yàn)樵麉^(qū)；

在所述元胞區(qū)形成溝槽型區(qū)、第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)和第二導(dǎo)電類型體區(qū)，其中，所述溝槽型區(qū)設(shè)于所述元胞區(qū)的襯底正面，所述第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)設(shè)于所述溝槽型區(qū)的底部，所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)設(shè)于所述元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域；

在上述元胞區(qū)的襯底正面制備第一金屬電極；

在上述襯底背面制備第二金屬電極。

進(jìn)一步的，在所述元胞區(qū)形成溝槽型區(qū)、第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)和第二導(dǎo)電類型體區(qū)，包括：

在所述襯底正面形成溝槽；

在所述溝槽底部形成第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)；

在上述溝槽內(nèi)壁形成氧化層；

在上述溝槽內(nèi)填充多晶硅；

在所述元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域形成第二導(dǎo)電類型體區(qū)。

進(jìn)一步的，所述第一導(dǎo)電類型的襯底為正面生長有第一導(dǎo)電類型外延層的襯底。

進(jìn)一步的，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。

進(jìn)一步的，在第一導(dǎo)電類型的襯底正面形成終端區(qū)，具體為：在N型襯底正面形成P型場限環(huán)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的整流器件，包括第一導(dǎo)電類型的襯底、元胞區(qū)和終端區(qū)。其中，元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有溝槽型區(qū)，溝槽型區(qū)底部設(shè)有第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)，元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域設(shè)有第二導(dǎo)電類型體區(qū)。該整流器件中同時(shí)包含了金屬-氧化物-半導(dǎo)體(metal-oxide-semiconductor，MOS)結(jié)構(gòu)和PN結(jié)，可將MOS器件和PN二極管的優(yōu)勢結(jié)合到一起；且采用溝槽型結(jié)構(gòu)，不會產(chǎn)生結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field-Effect Transistor，JFET)寄生電阻，即不會限制正向?qū)▔航档慕档停瑫r(shí)還可增加器件在單位面積內(nèi)的溝道密度，減低器件成本；溝槽型區(qū)底部的第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)可有效提高阻斷電壓。因此，該整流器件不僅結(jié)構(gòu)簡單，而且具有低正向?qū)▔航狄约案咦钄嚯妷海阅軆?yōu)異。

本發(fā)明實(shí)施例提供的整流器件的制備方法，在第一導(dǎo)電類型的襯底正面形成終端區(qū)，在元胞區(qū)形成溝槽型區(qū)、第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)和第二導(dǎo)電類型體區(qū)。該制備方法可與現(xiàn)有的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)工藝兼容，不必增加新設(shè)備或?qū)ιa(chǎn)線進(jìn)行大范圍調(diào)整，且步驟簡單，能夠有效降低生產(chǎn)成本。

附圖說明

下面將通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，使本領(lǐng)域的普通技 術(shù)人員更清楚本發(fā)明的上述及其他特征和優(yōu)點(diǎn)，附圖中：

圖1為半導(dǎo)體二極管的一種典型應(yīng)用示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種整流器件的俯視示意圖；

圖3為圖2中一個(gè)元胞結(jié)構(gòu)的截面示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種整流器件的部分截面示意圖；

圖5為圖3所示的元胞結(jié)構(gòu)中的陽極加正電壓時(shí)的工作原理示意圖；

圖6為圖5所對應(yīng)的正向工作特性仿真曲線圖；

圖7為圖3所示的元胞結(jié)構(gòu)中的陽極加電壓時(shí)的工作原理示意圖；

圖8為圖7所對應(yīng)的反向工作特性仿真曲線圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種整流器件的制備方法的流程示意圖；

圖10為圖9所示實(shí)施例二中S920的具體流程示意圖；

圖11為圖10所示S921對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為圖10所示S922對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為圖9所示S930對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14為圖9所示S940對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15為圖9所示S950-S960對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16為圖9所示S970對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖17為圖9所示S980對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖18為圖9所示S990對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需 要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。

實(shí)施例一

本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種整流器件，該器件包括第一導(dǎo)電類型的襯底、元胞區(qū)和終端區(qū)；元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有溝槽型區(qū)；溝槽型區(qū)底部設(shè)有第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)；元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域設(shè)有第二導(dǎo)電類型體區(qū)；元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有第一金屬電極；襯底背面設(shè)有第二金屬電極。

其中，終端區(qū)中包含終端結(jié)構(gòu)，該終端結(jié)構(gòu)具體可為場限環(huán)、場限環(huán)加場板、由結(jié)終端擴(kuò)展(Junction termination extension，JTE)技術(shù)制備的終端結(jié)構(gòu)或橫向變摻雜(VLD)技術(shù)制備的終端結(jié)構(gòu)等，在本實(shí)施例中，以場限環(huán)為例進(jìn)行說明。元胞區(qū)可包含成千上萬個(gè)相同的元胞結(jié)構(gòu)，元胞結(jié)構(gòu)的排布方式可根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種整流器件的俯視示意圖，如圖2所示，該整流器件包括終端區(qū)201和元胞區(qū)202，元胞區(qū)202中包含了多個(gè)元胞結(jié)構(gòu)203。圖3為圖2中一個(gè)元胞結(jié)構(gòu)的截面示意圖。

在本發(fā)明實(shí)施例中，第一導(dǎo)電類型具體可為N型，第二導(dǎo)電類型具體可為P型。相應(yīng)的，圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種整流器件的部分截面示意圖，如圖4所示，該整流器件包括：N型襯底401、元胞區(qū)402和終端區(qū)403；元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有溝槽型區(qū)404；溝槽型區(qū)404底部設(shè)有P型埋層區(qū)405；元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)404以外的剩余區(qū)域設(shè)有P型體區(qū)406；元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有第一金屬電極407；襯底401背面設(shè)有第二金屬電極408。其中，N型襯底401優(yōu)選為晶向?yàn)?lt;100>的N型硅襯底；第一金屬電極407和第二金屬電極408優(yōu)選為金屬引線。

更具體的，終端區(qū)403包括場限環(huán)409；溝槽型區(qū)404包括形成于襯底正面的溝槽4041，形成于溝槽內(nèi)壁的氧化層4042，以及填充于溝槽內(nèi)部的多晶硅4043。

優(yōu)選的，N型襯底為正面生長有N型外延層410的襯底。外延層410的厚度范圍可為2～50um，電阻率的范圍可為0.2～20ohm·cm。該外延層110可增強(qiáng)器件耐壓性。

由于本發(fā)明實(shí)施例提供的整流器件中實(shí)際起到整流作用的為元胞結(jié)構(gòu)，下面以圖3中所示的元胞結(jié)構(gòu)為例對該整流器件的工作原理作出說明。

可將第一金屬電極命名為陽極，將第二金屬電極命名為陰極。

圖5為圖3所示的元胞結(jié)構(gòu)中的陽極加正電壓時(shí)的工作原理示意圖，圖6為圖5所對應(yīng)的正向工作特性仿真曲線圖。如圖5所示，陽極加正電壓時(shí)，在金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(Metal-Insulator-Semiconductor，MIS)(MOS)結(jié)構(gòu)中P型硅表面反型，形成一N型薄層，電子從陰極向陽極流動，形成電子電流，此時(shí)為正向?qū)顟B(tài)。

圖7為圖3所示的元胞結(jié)構(gòu)中的陽極加電壓時(shí)的工作原理示意圖，圖8為圖7所對應(yīng)的反向工作特性仿真曲線圖。如圖7所示，陽極加負(fù)電壓時(shí)，利用PN結(jié)以及P型埋層區(qū)的電荷補(bǔ)償，形成空間電荷區(qū)，阻擋載流子的移動，器件反向漏電較小，反向電壓增大。P型埋層區(qū)的引入可以有效的降低器件內(nèi)部電場，使得器件能夠承受較高的耐壓。

本發(fā)明實(shí)施例一提供的整流器件，包括第一導(dǎo)電類型的襯底、元胞區(qū)和終端區(qū)。其中，元胞區(qū)的襯底正面設(shè)有溝槽型區(qū)，溝槽型區(qū)底部設(shè)有第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)，元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域設(shè)有第二導(dǎo)電類型體區(qū)。該整流器件中同時(shí)包含了MOS(MIS)結(jié)構(gòu)和PN結(jié)，可將MOS器件和 PN二極管的優(yōu)勢結(jié)合到一起；且采用溝槽型結(jié)構(gòu)，不會產(chǎn)生JFET寄生電阻，即不會限制正向?qū)▔航档慕档?，同時(shí)還可增加器件在單位面積內(nèi)的溝道密度，減低器件成本；溝槽型區(qū)底部的第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)可有效提高阻斷電壓。因此，該整流器件不僅結(jié)構(gòu)簡單，而且具有較低的正向?qū)▔航狄约案咦钄嚯妷?，性能?yōu)異。

實(shí)施例二

本發(fā)明實(shí)施例提供一種整流器件的制備方法，該方法包括：在第一導(dǎo)電類型的襯底正面形成終端區(qū)，襯底正面除終端區(qū)以外的剩余區(qū)域?yàn)樵麉^(qū)；在元胞區(qū)形成溝槽型區(qū)、第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)和第二導(dǎo)電類型體區(qū)，其中，溝槽型區(qū)設(shè)于元胞區(qū)的襯底正面，第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)設(shè)于溝槽型區(qū)的底部，第二導(dǎo)電類型體區(qū)設(shè)于元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域；在上述元胞區(qū)的襯底正面制備第一金屬電極；在上述襯底背面制備第二金屬電極

其中，對于溝槽型區(qū)、第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)和第二導(dǎo)電類型體區(qū)的制備步驟的順序不做限定?？上戎苽錅喜坌蛥^(qū)和第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)，再制備第二導(dǎo)電類型體區(qū)；也可先制備第二導(dǎo)電類型體區(qū)，再制備溝槽型區(qū)和第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)。

優(yōu)選的，第一導(dǎo)電類型的襯底為正面生長有第一導(dǎo)電類型外延層的襯底。

優(yōu)選的，第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型。

優(yōu)選的，在第一導(dǎo)電類型的襯底正面形成終端區(qū)，具體為：在N型襯底正面形成P型場限環(huán)。

以下僅給出一種優(yōu)選的具體實(shí)施方式。

圖9為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種整流器件的制備方法的流程示意圖。如 圖9所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種整流器件的制備方法包括如下步驟：

S910、提供N型襯底。

具體的，可采用晶向?yàn)?lt;100>的N型硅襯底。優(yōu)選的，為了增強(qiáng)器件的耐壓性，采用正面生長有N型外延層的襯底。示例性的，N型外延層的厚度范圍可為2～50um，電阻率的范圍可為0.2～20ohm·cm。

S920、在N型襯底正面形成終端區(qū)，襯底正面除終端區(qū)以外的剩余區(qū)域?yàn)樵麉^(qū)。

示例性的，終端區(qū)包括場限環(huán)。圖10為圖9所示實(shí)施例二中S920的具體流程示意圖，如圖10所示，S920可具體包括如下步驟：

S921、采用光刻及離子注入工藝形成P型場限環(huán)。

圖11為圖10所示S921對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，為了與圖4中所示的整流器件的部分截面示意圖進(jìn)行對比，在圖11以及后續(xù)的附圖中，保留了圖4中相同部分的附圖標(biāo)記，不再另行說明。具體的，如圖11所示，可先在襯底正面進(jìn)行涂膠(光刻膠)，隨后采用場限環(huán)掩膜版對襯底正面進(jìn)行遮擋并進(jìn)行曝光、顯影，得到具有一定形狀的圖形光刻膠1101，利用該圖形光刻膠1101作為掩蔽層進(jìn)行離子注入(如硼離子)，形成P型終端保護(hù)環(huán)，即P型場限環(huán)1102。最后去除圖形光刻膠1101。

優(yōu)選的，在進(jìn)行涂膠之前，還可生長一層薄氧化層1103，可降低注入損傷。

S922、在上述襯底正面生長氧化層，并對上述P型場限環(huán)進(jìn)行高溫推阱。

圖12為圖10所示S922對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖12所示，淀積厚度為(埃)的氧化層1201，并對上述P型場限環(huán)1102進(jìn)行高溫推阱(推結(jié))，形成P型場限環(huán)409。

S930、在上述襯底正面形成溝槽。

圖13為圖9所示S930對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖13所示，可先在上述襯底正面進(jìn)行涂膠，隨后采用溝槽掩膜版對襯底正面進(jìn)行遮擋并進(jìn)行曝光、顯影，得到具有一定形狀的圖形光刻膠1301，利用該圖形光刻膠1301作為掩蔽層進(jìn)行氧化層1201刻蝕及硅刻蝕，形成溝槽(Trench)4041。

S940、在溝槽底部形成P型埋層區(qū)。

圖14為圖9所示S940對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖14所示，利用上述圖形光刻膠1301作為掩蔽層進(jìn)行離子注入，形成P型埋層區(qū)405。

S950、在上述襯底正面生成氧化層。

S960、在上述襯底正面淀積多晶硅。

圖15為圖9所示S950-S960對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖15所示，去除上述圖形光刻膠1301，在上述襯底正面熱生長氧化層1501，其中，生長在上述溝槽內(nèi)壁的部分氧化層1501為氧化層。然后再淀積摻雜多晶硅1502，使多晶硅填滿上述溝槽。利用上述圖形光刻膠1301作為掩蔽層進(jìn)行離子注入，形成P型埋層區(qū)405。

S970、刻蝕上述多晶硅。

圖16為圖9所示S970對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖16所示，對上述摻雜多晶硅1502進(jìn)行回刻，留下填充于上述溝槽內(nèi)的多晶硅，該部分多晶硅即為多晶硅4043。

S980、刻蝕上述氧化層。

圖17為圖9所示S980對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖17所示，可先在上述襯底正面進(jìn)行涂膠，隨后采用元胞區(qū)(有源區(qū))掩膜版對襯底正面進(jìn)行遮擋并進(jìn)行曝光、顯影，得到具有一定形狀的圖形光刻膠1701，利用該圖形光刻膠1701作為掩蔽層進(jìn)行氧化層1201刻蝕，露出元胞區(qū)(有源區(qū))，且留下 溝槽內(nèi)的氧化層4042。

S990、在元胞區(qū)的襯底正面除溝槽型區(qū)以外的剩余區(qū)域形成P型體區(qū)。

圖18為圖9所示S990對應(yīng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體的，如圖18所示，可利用上述圖形光刻膠1701作為掩蔽層先后進(jìn)行兩次硼(B)離子注入，第一次采用能量為60～120KeV，劑量為1e11～1e14，以形成P型體區(qū)(pbody區(qū))，第二次采用能量20～40KeV，劑量為1e14～1e15，以形成良好的歐姆接觸。最終形成P型體區(qū)406。隨后，去除圖形光刻膠1701。

優(yōu)選的，之后還可進(jìn)行快速熱退火處理，激活上述注入的離子(雜質(zhì))。

S9100、在上述元胞區(qū)的襯底正面制備第一金屬電極，在上述襯底背面制備第二金屬電極。

具體的，當(dāng)P型體區(qū)表面存在氧化層時(shí)，需進(jìn)行氧化層刻蝕。隨后在襯底正面濺射金屬，并采用金屬光刻掩膜版進(jìn)行光刻、刻蝕等工藝形成正面金屬引線，即第一金屬電極407；之后對襯底背面做減薄處理，并濺射金屬，采用金屬光刻掩膜版進(jìn)行光刻、刻蝕等工藝形成背面金屬引線，即第二金屬電極408。最終形成如圖4所示的整流器件。

本發(fā)明實(shí)施例二提供的整流器件的制備方法，在第一導(dǎo)電類型的襯底正面形成終端區(qū)，在元胞區(qū)形成溝槽型極區(qū)、第二導(dǎo)電類型埋層區(qū)和第二導(dǎo)電類型體區(qū)。該制備方法可與現(xiàn)有的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS工藝兼容，不必增加新設(shè)備或?qū)ιa(chǎn)線進(jìn)行大范圍調(diào)整，且步驟簡單，整個(gè)工藝可僅采用4張光刻掩膜版，一次高溫推阱過程，在不增加工藝難度的情況下，大大的降低了器件的制造成本。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域技 術(shù)人員而言，本發(fā)明可以有各種改動和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。