本發(fā)明涉及晶硅太陽(yáng)能電池片制備領(lǐng)域，具體地涉及一種新型的臭氧發(fā)生器噴氣板的設(shè)計(jì)方法。

背景技術(shù)：

對(duì)多晶硅電池組件進(jìn)行封裝后，在惡劣環(huán)境中長(zhǎng)時(shí)間使用或雙85條件測(cè)試會(huì)出現(xiàn)功率損耗過(guò)大現(xiàn)象。采用原有的制備工藝，組件在長(zhǎng)時(shí)間使用或雙85條件下功率損耗達(dá)50%以上。目前主要通過(guò)用臭氧發(fā)生器往硅片上噴臭氧，使硅片表面生成一種氧化膜，從而降低組件功率損耗。但是，目前的臭氧發(fā)生器噴氣板氣孔的設(shè)計(jì)存在一定問(wèn)題，導(dǎo)致通氣量不均勻，生成的氧化膜不均勻?，F(xiàn)設(shè)計(jì)一種新型的臭氧發(fā)生器噴氣板氣孔結(jié)構(gòu)，使硅片表面形成均勻的氧化膜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種新型的臭氧發(fā)生器噴氣板的設(shè)計(jì)方法，解決因臭氧發(fā)生器噴氣板通氣量不均勻?qū)е律傻难趸げ痪鶆虻膯?wèn)題。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：提供一種新型的臭氧發(fā)生器噴氣板的設(shè)計(jì)方法，所述的噴氣板采用圓臺(tái)結(jié)構(gòu)氣孔組成，相鄰兩排噴氣孔采用相間排列；所述圓臺(tái)的上直徑d₂≥0.1mm，下直徑d₃≥0.2mm，下直徑d₃>上直徑d₂；所述的同一排相鄰兩個(gè)氣孔的間距C≥0.2mm，相鄰兩排氣孔的間距D≥0.2mm。

本發(fā)明的有益效果是使臭氧發(fā)生器噴氣板的通氣量較均勻，能生成均勻的氧化膜。

附圖說(shuō)明

圖1 傳統(tǒng)的臭氧發(fā)生器噴氣板氣孔的正視圖

圖2 傳統(tǒng)的臭氧發(fā)生器噴氣板氣孔的俯視圖

圖中：A表示同一排相鄰兩個(gè)氣孔的間距；B表示相鄰兩排氣孔的間距；d₁表示每個(gè)氣孔的直徑

圖3 本發(fā)明提供的臭氧發(fā)生器噴氣板氣孔的正視圖

圖4 本發(fā)明提供的臭氧發(fā)生器噴氣板氣孔的俯視圖

圖中：C表示同一排相鄰兩個(gè)氣孔的間距；D表示相鄰兩排氣孔的間距；d₂表示氣孔圓臺(tái)結(jié)構(gòu)的上底面直徑；d₃表示氣孔圓臺(tái)結(jié)構(gòu)的下底面直徑。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)地說(shuō)明。

在本實(shí)施例中，采用傳統(tǒng)的臭氧發(fā)生器噴氣板氣孔結(jié)構(gòu)和本發(fā)明中提供的噴氣板氣孔結(jié)構(gòu)分別在硅片表面制備氧化膜后，通過(guò)檢測(cè)硅片的親水性來(lái)判斷制備的氧化膜的均勻性。傳統(tǒng)的臭氧發(fā)生器噴氣板氣孔采用并列式排列結(jié)構(gòu)，其設(shè)計(jì)尺寸如下：每個(gè)氣孔的直徑d₁=1mm，同一排相鄰兩個(gè)氣孔的間距A=5mm，相鄰兩排氣孔的間距B=10mm，采用上述的結(jié)構(gòu)尺寸制備的臭氧發(fā)生器噴氣板氣孔，采用該裝置在硅片表面制備氧化膜，并進(jìn)行親水性檢測(cè)。首先講滴水計(jì)吸滿去離子水，距離硅片2cm高度滴一滴水至硅片上表面的中心點(diǎn)處，20秒后，使用測(cè)量器量測(cè)水滴直徑大小，其直徑在20-25mm之間。

采用本發(fā)明中提供的臭氧發(fā)生器噴氣板氣孔的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案，采用交叉式排列圓臺(tái)結(jié)構(gòu)，其中氣孔圓臺(tái)結(jié)構(gòu)的上底面直徑d2=1mm，氣孔圓臺(tái)結(jié)構(gòu)的下底面直徑d3=2mm，同一排相鄰兩個(gè)氣孔的間距C=5mm，相鄰兩排氣孔的間距D=10mm，采用上述的結(jié)構(gòu)尺寸制備的臭氧發(fā)生器噴氣板氣孔，采用該裝置在硅片表面制備氧化膜，并進(jìn)行親水性檢測(cè)。首先講滴水計(jì)吸滿去離子水，距離硅片2cm高度滴一滴水至硅片上表面的中心點(diǎn)處，20秒后，使用測(cè)量器量測(cè)水滴直徑大小，其直徑在35-40mm之間。通過(guò)對(duì)上述測(cè)試結(jié)果進(jìn)行對(duì)比分析可知：本發(fā)明提供的臭氧發(fā)生器噴氣板氣孔的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的通氣量較均勻，能生成均勻的氧化膜。