技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種光電裝置，所述光電裝置包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括p型有源區(qū)和n型有源區(qū)。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)僅由一個(gè)或多個(gè)超晶格構(gòu)成，其中每個(gè)超晶格由多個(gè)單位晶胞構(gòu)成。每個(gè)單位晶胞包括至少兩個(gè)不同的基本單晶層。

技術(shù)研發(fā)人員：P.阿塔納科維奇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：希拉納集團(tuán)有限公司
文檔號(hào)碼：201580027680
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.06
技術(shù)公布日：2017.05.10