技術(shù)總結(jié)
公開(kāi)了一種發(fā)光二極管及其制造方法。該發(fā)光二極管包括：第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上彼此間隔開(kāi)布置的至少兩個(gè)發(fā)光單元，其分別包括有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，并且包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層通過(guò)其而部分地暴露的一個(gè)或多個(gè)接觸孔；位于發(fā)光單元之間的附加接觸區(qū)域；與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層歐姆接觸的第二電極；下絕緣層；以及第一電極，其通過(guò)發(fā)光單元中的每一者的接觸孔以及附加接觸區(qū)域與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層進(jìn)行歐姆接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：吳世熙;金鐘奎;金在權(quán);姜珉佑;金賢兒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：首爾偉傲世有限公司
文檔號(hào)碼：201580042254
技術(shù)研發(fā)日：2015.08.04
技術(shù)公布日：2017.05.10