本發(fā)明涉及一種附著于腔室的內(nèi)部以及排氣配管上的碘氧化物、碘化合物等含碘物質(zhì)的去除方法。
背景技術(shù)：
：硅化合物是半導(dǎo)體領(lǐng)域中重要且不可缺少的材料。例如在廣泛的領(lǐng)域中所使用的作為半導(dǎo)體元件的柵絕緣膜的硅氧化膜，作為薄膜晶體管的非晶硅膜及氮化硅膜等，以及MEMS等三維結(jié)構(gòu)元件中使用的多晶硅材料，低電力消耗的晶體管等用途的碳化硅(SiC)等。特別是以DRAM、快閃式存儲(chǔ)器所含有的晶體管等為代表的半導(dǎo)體元件正在逐年推進(jìn)著高集成化，硅半導(dǎo)體器件備受矚目。通常，半導(dǎo)體制造工序中，硅、硅化合物被加工成規(guī)定形狀，或在最終工序等規(guī)定的工序中被去除。這樣進(jìn)行硅化合物的加工、去除時(shí)，一直以來廣泛使用干式蝕刻。本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，通過在蝕刻材料中使用七氟化碘，可以選擇性地蝕刻硅(參照專利文獻(xiàn)1)。但是，在該方法中，在腔室內(nèi)部、以及排氣配管中有水分的狀態(tài)下進(jìn)行蝕刻時(shí)，由于下述反應(yīng)，有時(shí)生成由化學(xué)式IxOyFz(x表示1或2的整數(shù)，y表示1以上且5以下的整數(shù)，z表示0或1的整數(shù))表示的碘氧化物，附著于腔室內(nèi)部、以及排氣配管的壁面。反應(yīng)式：IF7+nH2O→IxOyFz+HF此外，使用七氟化碘對(duì)基板上的硅薄膜進(jìn)行蝕刻時(shí)的反應(yīng)，由下式表示。Si+2IF7→SiF4+2IF5蝕刻時(shí)，由于副產(chǎn)物、蝕刻氣體的分解，所以有時(shí)五氟化碘(IF5)等碘化合物附著于腔室內(nèi)部、以及排氣配管的壁面，或堆積于基板的表面。如果在腔室內(nèi)部、以及排氣配管的壁面附著有碘氧化物、碘化合物(以下，有時(shí)將碘氧化物和碘化合物一并稱為含碘物質(zhì))的狀態(tài)下，將Si晶片等基板導(dǎo)入腔室內(nèi)時(shí)，在使腔室內(nèi)成為真空并且用惰性氣體置換時(shí)所揮發(fā)的含碘物質(zhì)會(huì)附著于Si晶片等基板上。由于附著于基板的含碘物質(zhì)的影響，存在的問題是，產(chǎn)生蝕刻速度降低、蝕刻不進(jìn)行等不良情況。此外，如果蝕刻時(shí)所產(chǎn)生的碘化合物堆積于基板的表面而不進(jìn)行處理，則在基板表面殘存碘污染。如果進(jìn)一步在該狀態(tài)下將基板表面暴露于大氣，則存在的問題是，碘化合物和大氣中的水分反應(yīng)，產(chǎn)生碘化氫(HI)、碘酸(HIO3)等，有可能引起腔室內(nèi)部、以及排氣配管等金屬部件的腐蝕。在專利文獻(xiàn)2中，作為使用七氟化碘進(jìn)行蝕刻的方法，公開的方法是，將反應(yīng)性氣體(鹵素間化合物(interhalogencompound)以及氟化氫)與惰性氣體混合，一邊將直至腔室的氣體供給路線冷卻、進(jìn)行絕熱膨脹，一邊噴出至腔室內(nèi)，由此在腔室內(nèi)生成反應(yīng)性簇，使用其進(jìn)行蝕刻以及清潔。在專利文獻(xiàn)2中，通過使反應(yīng)性氣體簇化，使蝕刻速度提高。但是，在專利文獻(xiàn)2中，作為反應(yīng)性氣體記載了鹵素間化合物以及HF，作為其中之一記載了七氟化碘，然而沒有關(guān)于副生的含碘物質(zhì)的記載，并且沒有公開含碘物質(zhì)對(duì)蝕刻造成的影響。即使在專利文獻(xiàn)2的方法中也會(huì)因腔室內(nèi)部以及排氣配管的水分所帶來的影響而生成碘氧化物，因此無法抑制蝕刻的不良情況，未能解決抑制蝕刻時(shí)的不良情況，提高生產(chǎn)率的課題。此外，在專利文獻(xiàn)3中，作為真空排氣配管的清潔方法，公開了使用鹵素間化合物的半導(dǎo)體成膜裝置和真空泵相關(guān)的吸氣配管的清潔方法。但是，在專利文獻(xiàn)3中，作為反應(yīng)性氣體記載的是七氟化碘，沒有關(guān)于副生的含碘物質(zhì)的記載，并且沒有公開含碘物質(zhì)對(duì)蝕刻造成的影響。此外，在專利文獻(xiàn)3中，雖然清潔了非晶硅、二氧化硅、摻雜劑的堆積膜，但對(duì)于源自反應(yīng)性氣體的含碘物質(zhì)，并未提及。此外，在專利文獻(xiàn)4中，作為氧化物半導(dǎo)體膜的干式蝕刻方法，公開了相對(duì)于含有In、Ga、Zn的氧化物半導(dǎo)體膜，使用Cl2或Cl2/Ar，在下述條件(腔室壓力：0.6Pa以上且5Pa以下，向基板側(cè)施加的偏置RF功率密度：大于0.02W/cm2)下進(jìn)行蝕刻的方法。記載了與作為現(xiàn)有技術(shù)的剝離(liftoff)法相比，由于可以抑制去除光致抗蝕劑時(shí)覆蓋有蒸鍍膜的圖案端的卷起，因此可以提高產(chǎn)率。但是，對(duì)比文件4的去除對(duì)象膜為含有In、Ga、Zn的氧化物半導(dǎo)體膜，沒有關(guān)于含碘物質(zhì)的去除的記載。并且，在專利文獻(xiàn)4所記載的條件下去除含物質(zhì)時(shí)，導(dǎo)致作為蝕刻裝置的構(gòu)成材料的Al系材料的腐蝕，因此不優(yōu)選?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開2014-150169號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：日本特開2013-46001號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3：日本特開2011-208193號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4：日本特許第4999400號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的問題如上所述，沒有關(guān)于腔室內(nèi)部、以及排氣配管的水分導(dǎo)致的碘氧化物的產(chǎn)生的記載，由碘氧化物的產(chǎn)生所導(dǎo)致的蝕刻的不良情況、生產(chǎn)率的降低等問題也是未知的。此外，現(xiàn)狀中，對(duì)于這樣的含有碘氧化物、蝕刻時(shí)產(chǎn)生的碘化合物的含碘物質(zhì)成為原因的蝕刻的不良情況的對(duì)應(yīng)方法，也是未知的，為了進(jìn)行含碘物質(zhì)的去除，存在的問題是，需要將腔室解體進(jìn)行清洗。本發(fā)明是鑒于上述的問題而完成的，其目的在于抑制使用含有七氟化碘等的蝕刻氣體進(jìn)行蝕刻時(shí)的不良情況。用于解決問題的方案根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，為一種附著物的去除方法，其使用含有含氟氣體的清潔氣體去除附著于構(gòu)成腔室的部件或與所述腔室連接的配管的表面的含有碘氧化物的附著物。本發(fā)明的其他方式為一種干式蝕刻方法，其包括：向腔室內(nèi)供給含有含碘氣體的蝕刻氣體而對(duì)基板表面進(jìn)行蝕刻的工序，以及在對(duì)所述基板表面進(jìn)行蝕刻后，使用含有含氟氣體的清潔氣體去除附著于構(gòu)成所述腔室的部件或與所述腔室連接的配管的表面的含有碘氧化物的附著物的工序。本發(fā)明的進(jìn)一步的其他方式為一種附著物的去除方法，其使用含有不含有碘的含氟氣體的清潔氣體去除附著于構(gòu)成腔室的部件或與所述腔室連接的配管的表面的含有碘化合物的附著物。本發(fā)明的進(jìn)一步的其他方式為一種干式蝕刻方法，其具有：通過含碘氣體去除基板上的膜的蝕刻工序，以及將由所述蝕刻工序而生成的碘化合物去除的后處理工序，在所述后處理工序中，向所述基板的表面供給含有不含有碘的含氟氣體的后處理用氣體，去除所述碘化合物。本發(fā)明的進(jìn)一步的其他方式提供一種基板處理裝置，其具有：收容至少形成有以硅為主成分的含硅膜的基板的腔室，向所述腔室內(nèi)供給含有含碘氣體的蝕刻氣體的蝕刻氣體供給部，向所述腔室內(nèi)供給含有含氟氣體的清潔氣體的清潔氣體供給部，以及裝置控制器，該裝置控制器至少控制所述蝕刻氣體供給部和所述清潔氣體供給部，供給所述蝕刻氣體，對(duì)所述基板進(jìn)行蝕刻后，使用所述清潔氣體去除附著于所述腔室的內(nèi)部的含有碘氧化物的附著物。本發(fā)明的進(jìn)一步的其他方式提供一種基板處理裝置，其具有：收容至少形成有以硅為主成分的含硅膜的基板的腔室，向所述腔室內(nèi)供給含有含碘氣體的蝕刻氣體的蝕刻氣體供給部，向所述腔室內(nèi)供給含有含氟氣體的后處理用氣體的后處理用氣體供給部，以及控制部，該控制部的控制方式為，至少控制所述蝕刻氣體供給部和所述后處理用氣體供給部，將所述蝕刻氣體向所述腔室供給，將所述基板暴露于所述蝕刻氣體，去除所述含硅膜，之后將所述后處理用氣體向所述腔室供給，去除堆積于所述基板的碘化合物。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，在使用七氟化碘等蝕刻氣體而進(jìn)行蝕刻后，去除生成的含碘物質(zhì)，因此可以抑制蝕刻時(shí)的不良情況。附圖說明圖1為第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中使用的蝕刻裝置1的示意圖。圖2為差示熱·熱重量測(cè)定裝置21的示意圖。圖3為表示I2O5的反應(yīng)性調(diào)查中CIF3氣體流通下的重量變化的溫度依賴性的圖。圖4為表示I2O5的反應(yīng)性調(diào)查中20％F2/N2氣體流通下重量變化的溫度依賴性的圖。圖5為表示I2O5的反應(yīng)性調(diào)查中IF7氣體流通下的重量變化的溫度依賴性的圖。圖6為表示第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的使用蝕刻裝置的干式蝕刻處理的圖。圖7為表示實(shí)施例1和比較例1中重復(fù)蝕刻試驗(yàn)時(shí)的蝕刻速度推移的圖。圖8為表示第三實(shí)施方式的使用蝕刻裝置的干式蝕刻處理的圖。圖9為第三實(shí)施方式的蝕刻裝置的基板處理時(shí)的示意圖。圖10為第三實(shí)施方式的蝕刻裝置的基板搬送時(shí)的示意圖。圖11為第三實(shí)施方式的蝕刻裝置的控制裝置的構(gòu)成圖。圖12為表示第三實(shí)施方式的干式蝕刻工序中氣體供給的時(shí)刻表的圖。圖13為表示第三實(shí)施方式的干式蝕刻的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖。具體實(shí)施方式(第一實(shí)施方式)以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。本發(fā)明的第一實(shí)施方式為一種附著物的去除方法，其使用含有含氟氣體的清潔氣體去除附著于構(gòu)成腔室的部件或與所述腔室連接的配管的表面的含有碘氧化物的附著物。需要說明的是，所述碘氧化物優(yōu)選由化學(xué)式：[IxOyFz(x表示1或2的整數(shù)，y表示1以上且5以下的整數(shù)，z表示0或1的整數(shù))]表示，該化學(xué)式表示的碘氧化物中最穩(wěn)定的是I2O5，如果能夠去除I2O5，則大多情況下也可以去除其他的碘氧化物。此外，附著物中，由IxOyFz表示的碘氧化物中，也可含有組成不同的多種碘氧化物。清潔氣體中所含有的含氟氣體優(yōu)選為選自HF、F2、XFn(X表示Cl、Br、I的任一種，n表示1以上且7以下的整數(shù))中的至少一種氣體，作為含氟氣體，可以使用HF、F2、ClF、ClF3、ClF5、BrF、BrF3、BrF5、IF、IF3、IF5、IF7。優(yōu)選在20℃以上且300℃以下的溫度區(qū)域、更優(yōu)選40℃以上且200℃以下的溫度區(qū)域中使清潔氣體與碘氧化物接觸。如果使清潔氣體為高溫，則與腔室內(nèi)部、以及排氣配管的不銹鋼等金屬部件反應(yīng)，因此不優(yōu)選。此外，如果使反應(yīng)溫度過度降低，則清潔氣體與碘氧化物的反應(yīng)不進(jìn)行，無法去除附著物，或在去除上過于花費(fèi)時(shí)間，因此不優(yōu)選。特別是，作為清潔氣體中所含有的含氟氣體，優(yōu)選使用選自F2、ClF3和IF7中的一種以上的氣體。如圖3所示，對(duì)于ClF3而言，由后述的反應(yīng)性調(diào)查而明確的是，在760torr(＝101kPa)下，自25℃開始與I2O5反應(yīng)，因此清潔氣體中含有ClF3時(shí)，優(yōu)選在25℃以上且200℃以下溫度區(qū)域使其與碘氧化物接觸。超過200℃的話，ClF3與不銹鋼的反應(yīng)性變高，腔室內(nèi)部、以及排氣配管產(chǎn)生腐蝕的可能性高。通過在清潔氣體中含有ClF3，即使在低溫下也可以去除碘氧化物。如圖3所示，從25℃開始I2O5的重量產(chǎn)生變化，在75℃時(shí)I2O5和ClF3的反應(yīng)完全結(jié)束。根據(jù)該結(jié)果，特別是短的加熱時(shí)間下可以達(dá)成高的反應(yīng)速度，因此優(yōu)選溫度區(qū)域?yàn)?0℃以上且75℃以下。如圖4所示，對(duì)于F2而言，由后述的使用了含有20體積％F2的氮稀釋氣體的反應(yīng)性調(diào)查而明確的是，在760torr(＝101kPa)下自120℃開始與I2O5反應(yīng)，因此當(dāng)在清潔氣體中含有F2時(shí)，優(yōu)選在120℃以上且200℃以下的溫度區(qū)域使其與碘氧化物接觸。超過200℃時(shí)，F(xiàn)2與不銹鋼的反應(yīng)性高，在腔室內(nèi)產(chǎn)生腐蝕的可能性高。通過在清潔氣體中含有F2，即使較低溫度下，也能夠去除碘氧化物。如圖5所示，對(duì)于IF7而言，由后述的反應(yīng)性調(diào)查而明確的是，在760torr(＝101kPa)下自230℃開始與I2O5反應(yīng)，因此當(dāng)在清潔氣體中含有IF7時(shí)，優(yōu)選在230℃以上且300℃以下的溫度區(qū)域使其與碘氧化物接觸。IF7超過300℃時(shí)，易于分解成IF5和F2，特別是F2與不銹鋼反應(yīng)，在腔室內(nèi)部、以及排氣配管中產(chǎn)生腐蝕的可能性高。此外，優(yōu)選在66Pa以上且101kPa以下的壓力區(qū)域、更優(yōu)選在66Pa以上且40kPa以下的壓力區(qū)域使清潔氣體與碘氧化物接觸。如果壓力過高，則對(duì)于以在減壓環(huán)境下的使用為前提的蝕刻裝置，可能會(huì)產(chǎn)生不良情況。另一方面，如果壓力過低，則反應(yīng)不進(jìn)行，因而附著物的去除會(huì)變得困難，或需要過多的時(shí)間。在清潔氣體中，含有對(duì)于去除碘氧化物來說充分的含氟氣體即可，但是優(yōu)選含有5體積％以上的含氟氣體，更優(yōu)選含有20體積％以上，特別優(yōu)選含有90體積％以上。特別優(yōu)選設(shè)定為，實(shí)質(zhì)上含氟氣體為100體積％，即實(shí)質(zhì)上不含有含氟氣體以外的成分。在第一實(shí)施方式中，可將腔室內(nèi)部、以及排氣配管的碘氧化物通過導(dǎo)入清潔氣體而去除，而且無需將腔室拆卸開再清洗，從而可以高效地實(shí)施使用七氟化碘的干式蝕刻方法。(第二實(shí)施方式)此外，本發(fā)明的第二實(shí)施方式為干式蝕刻方法，包括對(duì)基板表面進(jìn)行蝕刻的工序和去除附著物的工序。第二實(shí)施方式的干式蝕刻方法的特征在于，包括：向腔室內(nèi)供給含有含碘氣體的蝕刻氣體而對(duì)基板表面進(jìn)行蝕刻的蝕刻工序，以及在對(duì)所述基板表面進(jìn)行蝕刻后，至少使用含有含氟氣體的清潔氣體去除附著于所述腔室的內(nèi)部的含有碘氧化物的附著物的附著物去除工序。清潔氣體中含有氟、七氟化碘時(shí)，為了有效地去除含有碘氧化物的附著物，優(yōu)選對(duì)腔室內(nèi)部以及排氣配管進(jìn)行加熱。另一方面，清潔氣體中含有ClF3時(shí)，即使低溫也可以將碘氧化物去除，此外，例如可以以同等程度的溫度進(jìn)行使用七氟化碘的蝕刻和使用ClF3的附著物去除。因此，將ClF3用作清潔氣體時(shí)，特別是在對(duì)裝置產(chǎn)生的負(fù)擔(dān)少和有助于提高產(chǎn)量方面是優(yōu)選的。需要說明的是，在第二實(shí)施方式中，無需在蝕刻工序后每次都進(jìn)行附著物去除工序，也可以在進(jìn)行了多次的蝕刻工序后進(jìn)行附著物去除工序。如果減少附著物去除工序的次數(shù)，則可以提高裝置的利用效率。附著物去除工序可以使用與第一實(shí)施方式相同的方法。需要說明的是，為了在附著物去除工序中將蝕刻工序中未反應(yīng)的碘氧化物去除，在附著物去除工序中使用含有IF7的清潔氣體時(shí)，優(yōu)選與蝕刻工序相比提高溫度或壓力而進(jìn)行附著物去除工序。(蝕刻工序)在蝕刻工序中，向腔室內(nèi)供給含有含碘氣體的蝕刻氣體而對(duì)基板表面進(jìn)行蝕刻。作為含碘氣體，由于可以選擇性地蝕刻硅，因此特別優(yōu)選使用七氟化碘。在蝕刻工序中，向七氟化碘添加氣體不是必須的要件，七氟化碘也可以單獨(dú)使用，但是在不損害蝕刻工序的效果的范圍內(nèi)，根據(jù)需要也可適宜地添加其他的添加氣體。通常，七氟化碘在蝕刻氣體中至少含有50體積％以上，優(yōu)選80體積％以上。特別是為了兼顧高的面內(nèi)均勻性和蝕刻速度，更優(yōu)選設(shè)定為實(shí)質(zhì)上七氟化碘為100體積％，即實(shí)質(zhì)上不含有七氟化碘以外的成分。需要說明的是，“實(shí)質(zhì)上不含有七氟化碘以外的成分”是指，不另外添加蝕刻中使用的七氟化碘以外的成分，也可以含有通常的七氟化碘的制造工序等中混入的源自原料的微量成分的五氟化碘、氟、氟化氫等。作為七氟化碘以外的向蝕刻氣體中添加的氣體，為了調(diào)節(jié)蝕刻的性能，根據(jù)需要也可以添加氧化性氣體、惰性氣體。通常，在加入添加氣體時(shí)，將七氟化碘的含有率適當(dāng)調(diào)節(jié)為1體積％以上且100體積％以下的范圍。作為氧化性氣體，可以例舉：O2、O3、CO2、N2O、NO、NO2等含氧氣體，F(xiàn)2、NF3、Cl2、Br2、I2、YFn(Y表示Cl、Br、I的任一種，n表示1以上且5以下的整數(shù))等鹵素氣體。在這些之中，從容易獲得的方面以及與七氟化碘混合時(shí)穩(wěn)定的方面考慮優(yōu)選O2、F2、NF3、Cl2。需要說明的是，氧化性氣體的添加量根據(jù)所使用的蝕刻裝置的性能、形狀以及蝕刻條件而適當(dāng)調(diào)節(jié)。對(duì)于七氟化碘而言，發(fā)現(xiàn)了其與現(xiàn)有的硅的蝕刻氣體相比，由于其化學(xué)性質(zhì)，所以與對(duì)硅進(jìn)行蝕刻加工時(shí)的掩模材料等耐蝕刻部件的選擇比非常優(yōu)異。需要說明的是，耐蝕刻部件是指，與本實(shí)施方式中使用的含有七氟化碘氣體的蝕刻氣體的反應(yīng)性，與現(xiàn)有的硅的蝕刻氣體相比極低的部件。第二實(shí)施方式的成為干式蝕刻方法的處理對(duì)象物的物質(zhì)，如果是硅則沒有特別限制，可以列舉：非晶硅、多晶硅、單晶硅等。特別是作為處理對(duì)象物，優(yōu)選具有硅膜的基板的表面，進(jìn)一步優(yōu)選的是，至少包含硅膜和與七氟化碘極其不易反應(yīng)的耐蝕刻部件的半導(dǎo)體元件等的結(jié)構(gòu)體。此外，也可以適用于僅含硅的處理對(duì)象物，還可以用于硅基板的表面加工，例如還可以用于對(duì)硅基板形成溝道、穿孔。作為硅膜，用于半導(dǎo)體元件形成的硅膜是合適的，例如可以列舉：非晶硅膜、多晶硅膜、單晶硅膜等。此外，對(duì)于耐蝕刻部件而言，可以列舉：用作用于將硅膜加工為規(guī)定形狀的掩模的情況；去除作為處理對(duì)象物的硅膜，將耐蝕刻部件自身形成為三維結(jié)構(gòu)等規(guī)定的形狀，將耐蝕刻部件用作半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)體的情況。將耐蝕刻部件用作掩模時(shí)，可以應(yīng)用在硅膜的表面使用已圖案化為規(guī)定形狀的掩模，使用蝕刻氣體選擇性地對(duì)硅膜進(jìn)行蝕刻的方法。用于掩模的材料如果是與七氟化碘極其不易反應(yīng)的材料，則沒有特別限制，例如可以列舉：SiO2、SiOC、SiON、SiN、TiN、TiO2、光致抗蝕劑、碳系材料、以及Ru、Cu、Ni、Co、Hf、Zr以及它們的氧化物等金屬材料。在這些之中，特別優(yōu)選SiO2、SiN、TiN等材料。此外，同樣地，將耐蝕刻部件自身用作半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)體時(shí)，耐蝕刻部件的材質(zhì)使用與七氟化碘極其不易反應(yīng)的材料，可以適當(dāng)?shù)厥褂眠x自SiO2、SiN、TiN中的至少一種以上的材料。接著，對(duì)第二實(shí)施方式的蝕刻工序的反應(yīng)條件進(jìn)行說明。在使蝕刻氣體與硅膜接觸時(shí)，腔室內(nèi)的工藝壓力為0.1Pa以上且101kPa以下，優(yōu)選0.1Pa以上且10kPa以下，更優(yōu)選10Pa以上且500Pa以下。在使蝕刻氣體與處理對(duì)象物的硅膜接觸時(shí)，基板溫度通常為-40℃以上且150℃以下，從速度以及得到更高的面內(nèi)均勻性方面考慮進(jìn)一步優(yōu)選為20℃以上且90℃以下，優(yōu)選為30℃以上且50℃以下。蝕刻時(shí)間沒有特別限制，但是如果考慮半導(dǎo)體元件制造工藝的效率，則優(yōu)選為60分鐘以內(nèi)。此處，蝕刻時(shí)間是指，向進(jìn)行蝕刻處理的、設(shè)置有基板的工藝腔室的內(nèi)部導(dǎo)入蝕刻氣體，之后，直至為了完成蝕刻處理而利用真空泵等將工藝腔室內(nèi)的蝕刻氣體進(jìn)行排氣的時(shí)間。需要說明的是，基板也可為其表面為硅的基板，以及在表面至少具有包含硅和與硅相比不易于與七氟化碘反應(yīng)的部件的半導(dǎo)體元件等構(gòu)造體的基板。第二實(shí)施方式的干式蝕刻方法可以應(yīng)用于圖1所示那樣的半導(dǎo)體制造工序中所使用的通常的蝕刻裝置，并不特別地限定所使用的蝕刻裝置的構(gòu)成。此外，氣體供給管和配置于腔室內(nèi)的半導(dǎo)體元件等被處理物的位置關(guān)系也沒有特別限制。此外，作為進(jìn)行蝕刻工序的腔室，如果是對(duì)于使用的氟系氣體具有耐性、可以減壓至規(guī)定壓力的腔室，則沒有限定，通常應(yīng)用半導(dǎo)體的蝕刻裝置所具有的一般的腔室等。此外，將七氟化碘保持為規(guī)定壓力而進(jìn)行供給的供給管、其他的配管等如果對(duì)于氟系氣體也具有耐性則沒有特別限制，可以使用一般的配管。實(shí)施例1以下，通過實(shí)施例1詳細(xì)說明本發(fā)明主要的第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式，但是本發(fā)明并不限定于該實(shí)施例1。[反應(yīng)性調(diào)查]對(duì)于IxOyFz(x表示1或2的整數(shù)，y表示1以上且5以下的整數(shù)，z表示0或1的整數(shù))中最穩(wěn)定的I2O5，實(shí)施反應(yīng)性調(diào)查。在圖2所示那樣的差示熱·熱重量測(cè)定裝置內(nèi)，分別稱量作為試驗(yàn)樣品22的I2O5，作為參照樣品23的Al2O3，設(shè)置于樣品臺(tái)。在以下的條件下，一邊流過氣體，一邊使臺(tái)溫度上升，測(cè)定相對(duì)于臺(tái)溫度的試樣溫度、重量變化量。圖3～圖5表示I2O5的反應(yīng)性調(diào)查中不同的反應(yīng)性氣體流通下的重量變化的溫度依賴性，將各自的反應(yīng)性氣體流通下的反應(yīng)起始溫度示于表1。反應(yīng)性氣體：ClF3、20％F2/N2、IF7、O2的任一種氣體流量：20sccm(standardcubiccentimeterperminutes)臺(tái)溫度：室溫→300℃(升溫速度：3℃/min)工藝壓力：760torr(＝101kPa)其結(jié)果如下表1所示確認(rèn)了，I2O5與ClF3的反應(yīng)性最高，與O2即使在300℃也不反應(yīng)。表1反應(yīng)性氣體種類ClF320％F2/N2IF7O2反應(yīng)起始溫度[℃]25120230-需要說明的是，圖2所示的差示熱·熱重量測(cè)定裝置21可以對(duì)試驗(yàn)樣品22和參照樣品23一邊用熱電偶24測(cè)定溫度、一邊用天平部25測(cè)定重量變化。測(cè)定時(shí)，可以一邊由氣體導(dǎo)入口26導(dǎo)入導(dǎo)入氣體，由排氣口27進(jìn)行排氣，同時(shí)用加熱器28對(duì)試驗(yàn)樣品22和參照樣品23進(jìn)行加熱，一邊同時(shí)測(cè)定差示熱和熱重量。實(shí)施例1·比較例1為了確認(rèn)附著物去除工序的效果，進(jìn)行重復(fù)附著物去除工序和蝕刻工序的實(shí)施例1和不進(jìn)行附著物去除工序而重復(fù)蝕刻工序的比較例1。圖1表示實(shí)施例1中使用的蝕刻裝置1的示意圖。需要說明的是，實(shí)施例1和比較例1的區(qū)別點(diǎn)在于，具有執(zhí)行對(duì)蝕刻工序附加附著物去除工序的控制程序(以后，有時(shí)稱為第一控制程序)的裝置控制器17。需要說明的是，作為控制手段的裝置控制器通過執(zhí)行該第一控制程序，實(shí)現(xiàn)后述圖6所示的示出有蝕刻工序以及附著物去除工序的流程。蝕刻裝置1具有進(jìn)行蝕刻工序、附著物去除工序的腔室2，腔室2具有用于支撐試樣3的臺(tái)4。作為試樣3，使用在硅基板上形成有硅氧化膜(20nm)并且在其上形成有多晶硅膜(30μm)的試樣。在臺(tái)4上具有能夠調(diào)節(jié)臺(tái)溫度的臺(tái)溫度調(diào)節(jié)器16。蝕刻氣體供給系統(tǒng)6、清潔氣體供給系統(tǒng)8和惰性氣體供給系統(tǒng)10分別經(jīng)由閥7、9和11而連接于腔室2。此外，腔室2具有用于將腔室內(nèi)的氣體排出至外部的排氣配管12，真空泵15經(jīng)由閥13而連接于排氣配管12。腔室2內(nèi)部的壓力通過控制閥13的壓力控制器14而進(jìn)行控制。此外，裝置控制器17連接于蝕刻氣體供給系統(tǒng)6、清潔氣體供給系統(tǒng)8、惰性氣體供給系統(tǒng)10、壓力控制器14、溫度調(diào)節(jié)器16等，并能夠控制它們。接著，使用圖6對(duì)蝕刻工序以及附著物去除工序(清潔工序)進(jìn)行說明。首先，對(duì)蝕刻工序中蝕刻裝置1的使用方法進(jìn)行說明。首先，在臺(tái)4上設(shè)置試樣3。將腔室2內(nèi)減壓至小于1Pa后，使臺(tái)4的溫度為50℃。之后，打開閥7，由蝕刻氣體供給系統(tǒng)6向腔室2內(nèi)以101kPa的壓力供給作為蝕刻氣體的七氟化碘。將此時(shí)的蝕刻氣體的流量設(shè)定為100sccm，將蝕刻壓力設(shè)定為200torr(＝26.7kPa)。導(dǎo)入蝕刻氣體2分鐘后，停止蝕刻氣體的導(dǎo)入，使腔室2的內(nèi)部成為真空，用惰性氣體進(jìn)行置換，然后取出試樣3。此外，對(duì)附著物去除工序的蝕刻裝置1的使用方法進(jìn)行說明。由腔室2取出試樣3后，將腔室2內(nèi)減壓至小于1Pa，然后使臺(tái)4以及腔室2的溫度成為50℃。之后，打開閥9，由清潔氣體供給系統(tǒng)8向腔室內(nèi)部以及排氣配管供給作為清潔氣體的ClF3。將此時(shí)的清潔氣體的流量設(shè)定為100sccm，工藝壓力設(shè)定為300torr(＝40.0kPa)。導(dǎo)入清潔氣體2分鐘后，停止清潔氣體的導(dǎo)入，使腔室2的內(nèi)部成為真空，用惰性氣體進(jìn)行置換。在實(shí)施例1中，以蝕刻工序→附著物去除工序→蝕刻工序的順序，進(jìn)行蝕刻工序100次，對(duì)100塊試樣3實(shí)施蝕刻。此外，在比較例1中，以蝕刻工序→蝕刻工序的順序，進(jìn)行蝕刻工序100次，對(duì)100塊的試樣3實(shí)施蝕刻。使用帶有多晶膜的硅基板(試樣3)，分別測(cè)定多處蝕刻前的多晶硅膜的膜厚和蝕刻后的多晶硅膜的膜厚，求出各測(cè)定處的蝕刻量(蝕刻膜和蝕刻后的膜厚差)。由各測(cè)定處的蝕刻量的平均和蝕刻時(shí)間算出Si蝕刻速度。實(shí)施例1和比較例1的各次的Si蝕刻速度匯總于以下的表2，圖7表示重復(fù)蝕刻試驗(yàn)時(shí)的Si蝕刻速度的推移。表2其結(jié)果是，在僅重復(fù)蝕刻工序的比較例1中，在第30次Si蝕刻速度降低，在第50次以后蝕刻變得無法進(jìn)行。另一方面，在蝕刻工序后進(jìn)行附著物去除工序的實(shí)施例1中，經(jīng)過100次時(shí)，也未確認(rèn)到Si蝕刻速度的降低。因此，在實(shí)施例1中，通過進(jìn)行附著物去除工序，可以在不進(jìn)行腔室的拆卸開再清洗且保持蝕刻速度的狀態(tài)下重復(fù)進(jìn)行蝕刻工序。如上所述，為了解決僅重復(fù)蝕刻工序時(shí)，規(guī)定次數(shù)以后，Si蝕刻速度降低，產(chǎn)生蝕刻不良情況的問題，本發(fā)明人等著眼于I-O、I-F的鍵能(I-O：174kJ/mol、I-F:277.5kJ/mol)。通過使含氟氣體對(duì)于腔室內(nèi)部以及排氣配管的附著物的碘氧化物發(fā)生作用，使腔室內(nèi)部以及排氣配管的碘氧化物和含氟氣體發(fā)生反應(yīng)。由此，生成HF、O2、IF5等氣體，因此可以有效地去除腔室內(nèi)部以及排氣配管的附著物。因此，在本實(shí)施方式中，可以通過導(dǎo)入清潔氣體而將腔室內(nèi)部、以及排氣配管的碘氧化物去除，而無需將腔室拆卸開再清洗，從而可以高效地實(shí)施使用七氟化碘的干式蝕刻方法。根據(jù)本實(shí)施方式，以往，如果在碘氧化物附著于腔室內(nèi)部以及排氣配管的壁面的狀態(tài)下，將Si晶片等基板導(dǎo)入腔室內(nèi)，則使腔室內(nèi)成為真空、用惰性氣體進(jìn)行置換時(shí)揮發(fā)的碘氧化物附著于Si晶片等基板上。在該狀態(tài)下，如果使用七氟化碘進(jìn)行蝕刻，則存在的問題是，會(huì)產(chǎn)生蝕刻速度降低、蝕刻不進(jìn)行等不良情況，但是通過實(shí)施通過含有含氟氣體的清潔氣體進(jìn)行的附著物去除工序(清潔工序)，優(yōu)異地消除了蝕刻時(shí)的不良情況。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，可以在不產(chǎn)生使用現(xiàn)有技術(shù)而產(chǎn)生的蝕刻的不良情況的前提下進(jìn)行生產(chǎn)，可以期待生產(chǎn)率的提高。在第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中，至少產(chǎn)生(a)～(h)中一種以上的效果。(a)在本實(shí)施方式中，可以通過導(dǎo)入清潔氣體而去除腔室內(nèi)部、以及排氣配管的碘氧化物，而無需將腔室拆卸開再清洗，可以高效地實(shí)施使用七氟化碘的干式蝕刻方法。(b)在本實(shí)施方式中，優(yōu)選在20℃以上且300℃以下的溫度區(qū)域且66Pa以上且101kPa以下的壓力區(qū)域使清潔氣體與碘氧化物接觸。在這樣的清潔條件下，通過使含氟氣體對(duì)腔室內(nèi)部以及排氣配管的附著物的碘氧化物起作用，可以使腔室內(nèi)部以及排氣配管的碘氧化物與含氟氣體反應(yīng)，高效地去除腔室內(nèi)部以及排氣配管的附著物。(c)在本實(shí)施方式中，在含氟氣體為ClF3時(shí)，優(yōu)選溫度區(qū)域?yàn)?5℃以上且200℃以下，在含氟氣體為F2時(shí)，優(yōu)選溫度區(qū)域?yàn)?20℃以上且200℃以下，在含氟氣體為IF7時(shí)，優(yōu)選溫度區(qū)域?yàn)?30℃以上且300℃以下。在這樣的清潔條件下，通過使各含氟氣體對(duì)腔室內(nèi)以及排氣配管的附著物的由IxOyFz(x表示1或2的整數(shù)，y表示1以上且5以下的整數(shù)，z表示0或1的整數(shù))表示的碘氧化物起作用，可以使腔室內(nèi)部以及排氣配管的碘氧化物與含氟氣體反應(yīng)，高效地去除腔室內(nèi)部以及排氣配管的附著物。(d)在本實(shí)施方式中，由于是使附著于腔室內(nèi)以及排氣配管的附著物的由IxOyFz(x表示1或2的整數(shù)，y表示1以上且5以下的整數(shù)，z表示0或1的整數(shù))表示的碘氧化物中最穩(wěn)定的I2O5和含氟氣體進(jìn)行反應(yīng)的清潔條件，所以可以高效地去除腔室內(nèi)部以及排氣配管的附著物。(e)并非蝕刻工序后每次必須進(jìn)行附著物去除工序，也可以在進(jìn)行多次蝕刻工序后進(jìn)行附著物去除工序。由此，如果減少附著物去除工序的次數(shù)，則可以提高裝置的利用效率。(f)特別地，在使用七氟化碘(IF7)作為蝕刻氣體時(shí)，IF7鍵能高，作為化合物是穩(wěn)定的，因此與ClF3、XeF2相比與掩模材料的反應(yīng)性低，因此對(duì)于掩模材料的反應(yīng)性低。由此，與硅膜以外的膜的選擇性優(yōu)異，可以應(yīng)用于含有硅以外的膜的半導(dǎo)體元件等構(gòu)造體。(g)特別地，清潔氣體含有ClF3，在溫度區(qū)域25℃以上且200℃以下且66Pa以上且101kPa以下的壓力區(qū)域使所述清潔氣體與碘氧化物接觸，由此可以高效地去除腔室內(nèi)部和排氣配管的附著物。由此，在維持蝕刻效率的狀態(tài)下，可以重復(fù)蝕刻工序。(h)特別地，在清潔氣體中含有ClF3時(shí)，即便是低溫也可以去除碘氧化物，因此可以在相同程度的溫度下進(jìn)行利用七氟化碘的蝕刻和利用ClF3的附著物去除，對(duì)蝕刻裝置的負(fù)擔(dān)小，在這方面而言是優(yōu)選的。(第三實(shí)施方式)本發(fā)明的第三實(shí)施方式為干式蝕刻技術(shù)，包括利用含碘氣體去除硅的蝕刻處理和去除由于蝕刻處理而產(chǎn)生的碘化合物的后處理。以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。本發(fā)明的第三實(shí)施方式為干式蝕刻方法，其具有：通過含碘氣體去除基板上的膜的蝕刻工序、以及去除由所述蝕刻工序而生成的碘化合物的后處理工序；在后處理工序中，使基板的表面與含有不含碘(I)的含氟氣體的后處理用氣體接觸，去除堆積于所述基板的表面的碘化合物。特別地，作為含碘氣體，優(yōu)選七氟化碘(IF7)，此外，作為含氟氣體，優(yōu)選三氟化氯(ClF3)、氟(F2)。進(jìn)一步地，在后處理工序中，優(yōu)選使基板溫度升高至比蝕刻工序時(shí)高。這是因?yàn)?，可以高效地去除作為副產(chǎn)物而堆積于基板上的五氟化碘(IF5)等碘化合物。此外，說明第三實(shí)施方式中的基板處理的概要。第三實(shí)施方式的基板處理工序具有：將基板搬入處理室內(nèi)的工序，將處理室內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)至規(guī)定的壓力的工序，供給含有含碘氣體的蝕刻氣體，去除基板上的硅膜的蝕刻工序，供給所述不含碘的含氟氣體，去除附著于所述基板的表面的碘化合物的后處理工序，將基板由處理腔內(nèi)搬出的工序。此外，在后處理工序后，通過將基板的溫度加熱至碘化合物的升華溫度以上，可以進(jìn)行更有效地去除所述碘化合物的加熱工序。此外，在本發(fā)明的第三實(shí)施方式中，對(duì)基板上的薄膜進(jìn)行蝕刻的反應(yīng)由下式表示。Si+2IF7→SiF4+2IF5蝕刻工序后，停止含有含碘氣體的蝕刻氣體(此處為IF7)的供給。此時(shí)，在基板的表面堆積五氟化碘(IF5)等碘化合物。因此在本實(shí)施方式中，通過實(shí)施后處理工序，供給三氟化氯(ClF3)等含氟氣體，高效地去除了碘化合物。由此，通過在蝕刻工序后實(shí)施后處理工序，可以至少去除附著于基板的表面的碘化合物。進(jìn)一步地，與第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式同樣，將基板由腔室取出后，也可以進(jìn)行附著物去除工序。此時(shí)，附著物去除工序由于可以使用與第一實(shí)施方式或第二實(shí)施方式同樣的方法，因此省略詳細(xì)說明。此外，在附著物去除工序中，當(dāng)然也可以使用本實(shí)施方式(第三實(shí)施方式)中的蝕刻方法。附著物去除工序與此處所說明的蝕刻處理的區(qū)別，僅在于在腔室內(nèi)部不存在基板，因此省略說明。需要說明的是，在附著物去除工序中，也去除附著于腔室內(nèi)部以及排氣配管的含有五氟化碘等碘化合物的附著物。需要說明的是，第三實(shí)施方式的干式蝕刻方法可以應(yīng)用于圖9以及圖10所示的半導(dǎo)體制造工序中使用的通常的蝕刻裝置，并不特別地限定所使用的蝕刻裝置的構(gòu)成。例如，也可以應(yīng)用于用于如下半導(dǎo)體裝置的制造方法的基板處理裝置，該方法具有：在保持多個(gè)基板的狀態(tài)下將皿裝入處理爐的工序，對(duì)基板實(shí)施規(guī)定的處理的工序，處理后將所述皿由處理爐搬出的工序。實(shí)施例2使用圖9以及圖10，對(duì)于在第三實(shí)施方式中使用的蝕刻裝置100的概略進(jìn)行說明。(1)基板處理裝置的構(gòu)成圖9為用于實(shí)施半導(dǎo)體裝置的制造方法的葉片式(日語為枚葉式)基板處理裝置(以下簡(jiǎn)稱為基板處理裝置)中的基板處理容器的概略縱截面圖，表示基板處理時(shí)的狀態(tài)。圖10同樣地為基板處理容器的概略縱截面圖，表示基板搬送時(shí)的狀態(tài)。在圖10中，接受器(susceptor，或稱為感受器)位于能夠下降而進(jìn)行搬送工序的搬送位置。如圖9以及圖10所示，作為蝕刻裝置100的基板處理裝置，具有處理硅晶片的圓形基板101的處理容器(腔室)130，與處理容器130鄰接、在與處理容器130之間搬送基板101的基板搬送容器139。處理容器130由上部開口的容器本體131和塞住容器本體131的上部開口的蓋體132構(gòu)成，在內(nèi)部形成有密閉構(gòu)造的處理室50。需要說明的是，也可以由蓋體132和接受器102(susceptor，或稱為感受器)圍成的空間(處理空間)來形成處理室50。在本實(shí)施方式的例子中，容器本體131、蓋體132、處理室50的俯視圖(從上方觀察到的形狀)均為大致圓形。(氣體供給部)在蓋體132上設(shè)置有噴頭105、處理氣體供給管線106a、106b和惰性氣體供給管線112。噴頭105與處理室50內(nèi)的基板101相對(duì)設(shè)置，將來自處理氣體供給管線106a、106b的處理氣體供給至處理室50內(nèi)。該噴頭105的構(gòu)成，包括：設(shè)置于蓋體132的內(nèi)面上部，具有多個(gè)氣孔、使氣體淋浴狀分散的氣體分散板(省略圖示)和混合多種氣體的混合室(省略圖示)。例如，由處理氣體供給管線106a、106b供給處理氣體時(shí)，在上述混合室中混合惰性氣體等稀釋氣體。氣體供給管線106a、106b連接于噴頭105。具體而言，構(gòu)成處理氣體供給管線106a、106b處理氣體供給管115a、115b在噴頭105的上部，在上述混合室上開口。此外，惰性氣體供給管線112貫穿噴頭105而設(shè)置。例如，構(gòu)成惰性氣體供給管線112的惰性氣體供給管120貫穿與基板101的中心部相對(duì)的噴頭105的中心部，在處理室50上開口。由此，處理氣體供給管線106a、106b的構(gòu)成方式是，連接于噴頭105，經(jīng)由噴頭105向基板處理室50內(nèi)供給處理氣體。此外，惰性氣體供給管線112的構(gòu)成方式是，貫穿噴頭105而設(shè)置，以不經(jīng)由噴頭105的方式向基板處理室50內(nèi)供給惰性氣體。處理氣體供給管線106a、106b的具體的構(gòu)成方式是，分別具有連接于噴頭105而與上述混合室連通的處理氣體供給管115a、115b、以及在處理氣體供給管115a、11b上設(shè)置的氣體流量控制器(質(zhì)量流量控制器：MFC)116a、116b，能夠以所期望的氣體流量、所期望的氣體流量比率將所期望的氣體種類供給至基板處理室50內(nèi)。該處理氣體在本實(shí)施方式中為含碘氣體，例如IF7氣體。需要說明的是，作為處理氣體，例如也可以使用：對(duì)含碘氣體用惰性氣體(例如N2氣體)進(jìn)行稀釋后而得到的氣體。特別是，IF7氣體，作為一種含碘氣體，可以選擇性地去除以硅為主成分的硅膜。此處，“選擇性”是指，例如使硅膜的蝕刻速率比其他膜(例如金屬膜、氧化膜、氮化膜、氧氮化膜等)的蝕刻速率高。此處，以硅為主成分的硅膜是指，硅成分為至少50質(zhì)量％以上的硅膜。需要說明的是，根據(jù)基板處理的內(nèi)容，構(gòu)成方式也能夠是，由處理氣體供給管線106a、106b供給互不相同的處理氣體。此外，構(gòu)成方式也能夠是，由處理氣體供給管線106a、106b的任一方供給作為載氣、稀釋氣體的惰性氣體。惰性氣體供給管線112的構(gòu)成方式是，具有惰性氣體供給管120和MFC121，能夠以所期望的氣體流量供給供給至處理室50內(nèi)的惰性氣體的流量。惰性氣體供給管線112進(jìn)一步具有加熱部123，加熱供給至處理室50內(nèi)的惰性氣體的溫度。加熱部123連接于后述的控制器500，接收來自控制器500的控制，能夠?qū)⒍栊詺怏w的溫度設(shè)定為所期望的溫度。在本實(shí)施方式中，由惰性氣體供給管線112供給的惰性氣體為N2(氮)氣。處理氣體供給部的構(gòu)成方式是，包含處理氣體供給管115a、115b，MFC116a、116b，以及噴頭105。需要說明的是，也可以采用將處理氣體供給源117a、117b包含于處理氣體供給部(處理氣體供給管線)的構(gòu)成。此外，惰性氣體供給部的構(gòu)成方式是，包含惰性氣體供給管120和MFC121。需要說明的是，也可以采用將惰性氣體供給源122包含于惰性氣體供給部(惰性氣體供給管線)的構(gòu)成。而且，由處理氣體供給部和惰性氣體供給部來構(gòu)成氣體供給部。需要說明的是，根據(jù)需要也能夠在蓋體132上設(shè)置將能夠去除改性層(自然氧化膜)的氟化氫氣體等去除劑供給至基板101的去除劑供給管線、供給清潔用氣體(例如三氟化氯(ClF3)氣體等)的清潔氣體供給管線、供給后述的后處理用氣體的后處理用氣體供給管線等，并可以作為氣體供給部的一部分。在容器本體131的上側(cè)部設(shè)置排氣口107。排氣口107的構(gòu)成方式是，與形成在容器本體131的上部?jī)?nèi)周的環(huán)狀路114連通，經(jīng)由環(huán)狀路114對(duì)基板處理室50內(nèi)進(jìn)行排氣。環(huán)狀路114的俯視圖為環(huán)狀。排氣配管142與排氣口107連接，排氣配管142上設(shè)置有APC閥V(自動(dòng)壓力調(diào)節(jié)閥)和真空泵P。通過APC閥V和上述氣體供給部的MFC來調(diào)節(jié)氣體的供給量和排氣量，由此將處理室50的壓力控制為所期望的值。需要說明的是，排氣口107和環(huán)狀路114也可以設(shè)置在蓋體132的下側(cè)部。此外，在容器本體131的比排氣口107的更下方的一側(cè)部設(shè)置搬送口108。搬送口108的構(gòu)成方式是，由形成在搬送容器139內(nèi)的基板搬送腔室140，經(jīng)由搬送口108，將處理前的基板101搬入至處理容器130內(nèi)的基板處理室50，或由基板處理室50將處理后的基板101搬出至基板搬送腔室140。需要說明的是，在容器本體131的搬送口108開閉自如地設(shè)置有進(jìn)行基板搬送腔室140和基板處理室50的環(huán)境隔離的開閉閥109。此外，在處理容器130內(nèi)設(shè)置內(nèi)藏有加熱器單元H(省略圖示)的接受器(基板載置臺(tái))102。接受器102升降自如地設(shè)置在處理容器130的基板處理室50內(nèi)，基板101被保持在接受器102的表面?；?01通過加熱器單元H而被加熱。在基板支撐銷上下機(jī)構(gòu)111上立設(shè)多個(gè)支撐銷104。這些支撐銷104的構(gòu)成方式是，能夠貫穿加熱器單元H以及接受器102，根據(jù)接受器102以及基板支撐銷上下機(jī)構(gòu)111的升降，由接受器102的表面自如地出沒?；逄幚硌b置的構(gòu)成方式是，當(dāng)位于能夠通過接受器102下降而進(jìn)行搬送工序的位置時(shí)(圖10所示的位置。以下，將該位置稱為搬送位置A)，多個(gè)支撐銷104由接受器102突出，能夠?qū)⒒?01支撐于多個(gè)支撐銷104上，在基板處理室50和基板搬送腔室140之間經(jīng)由搬送口108，能夠進(jìn)行基板101的搬送和搬出。此外，基板處理裝置的構(gòu)成方式是，當(dāng)位于能夠通過接受器102上升、經(jīng)由比搬送位置A更上方的中間位置而進(jìn)行處理工序的位置時(shí)(圖9所示的位置。以下，將該位置稱為基板處理位置B)，支撐銷104與基板101的支撐無關(guān)，在接受器102上載置基板101。接受器102的設(shè)置方式是，其支撐軸124連接于升降機(jī)構(gòu)UD(省略圖示)，而在基板處理室50內(nèi)升降。在支撐軸124的外周設(shè)置用于密封進(jìn)行上下運(yùn)動(dòng)的支撐軸124的箱體(bellows，省略圖示)。升降機(jī)構(gòu)UD的構(gòu)成方式是，在基板搬入工序、基板處理工序、基板搬出工序等各工序中，可多階段地調(diào)節(jié)基板處理室50內(nèi)的接受器的102的上下方向的位置(搬送位置A、基板處理位置B等)。此外，接受器102能夠在水平方向旋轉(zhuǎn)。即，構(gòu)成方式是，通過旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)R(省略圖示)而使前述的筒狀的支撐軸124旋轉(zhuǎn)自如，以支撐軸124作為旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)自如地設(shè)置接受器102，在保持基板101的狀態(tài)下，可以以任意的速度使接受器102旋轉(zhuǎn)。另一方面，將在接受器102內(nèi)設(shè)置的電阻加熱的加熱器單元H固定，通過在筒狀的支撐軸124內(nèi)插通的固定部(省略圖示)而進(jìn)行支撐。由此使接受器102旋轉(zhuǎn)自如，將電阻加熱器H固定，由此使接受器102相對(duì)于電阻加熱器H相對(duì)地旋轉(zhuǎn)。需要說明的是，作為控制升降機(jī)構(gòu)UD、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)R、電阻加熱器H、MFC121、116(116a、116b)等各部的控制手段的控制器500的構(gòu)成例示于后述的圖11。為了在上述那樣的基板處理裝置中去除基板上的薄膜，通過搬送工序?qū)⒒?01搬入處理室50內(nèi)，通過處理工序?qū)Π崛胩幚硎?0內(nèi)的基板101經(jīng)由噴頭105供給處理氣體(蝕刻氣體)而對(duì)基板101進(jìn)行處理，通過搬出工序?qū)⑻幚淼幕?01由處理室50內(nèi)搬出。在搬入工序中，接受器102位于搬送位置A，處于支撐銷104能夠接受基板101的狀態(tài)，處理容器130的開閉閥109打開。至少形成有含有硅的膜的基板101通過搬送機(jī)構(gòu)T(省略圖示)，經(jīng)由搬送口108由基板搬送腔室140搬入至基板處理室50，由多個(gè)支撐銷104支撐(圖10)。開閉閥109在基板搬入后關(guān)閉。通過真空泵P由排氣口107經(jīng)由環(huán)狀路114對(duì)基板處理室50內(nèi)進(jìn)行排氣。在處理工序中，首先通過升降機(jī)構(gòu)UD，接受器102由搬送位置A(圖10)上升至基板處理位置B(圖9)，在到達(dá)基板處理位置B前，基板101由支撐銷104轉(zhuǎn)載至接受器102，通過加熱器單元H經(jīng)由接受器102對(duì)基板101加熱。在基板處理位置B已轉(zhuǎn)載至接受器102上的基板101面對(duì)噴頭105(圖9)。在該狀態(tài)下，根據(jù)需要，通過旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)R使接受器102旋轉(zhuǎn)而使基板101旋轉(zhuǎn)。而且，如圖9箭頭所示，經(jīng)由噴頭105從處理氣體供給管線106(106a、106b)，向處理室50內(nèi)的、旋轉(zhuǎn)的基板101的表面供給處理氣體，同時(shí)由排氣口107進(jìn)行排氣。在這個(gè)過程中，形成在基板101上的硅膜被去除。硅膜去除后，與作為蝕刻氣體的處理氣體同樣，在本實(shí)施方式中，用于去除反應(yīng)副產(chǎn)物的處理氣體(以后，稱為后處理用氣體)由處理氣體供給管線106a、106b如圖9的箭頭所示進(jìn)行供給。此處，處理氣體由處理氣體供給管線106a、106b導(dǎo)入至噴頭105內(nèi)。此外，惰性氣體由連接于與基板101的中心部相對(duì)的噴頭105的中心部的惰性氣體供給管線112而供給至處理室50內(nèi)。此時(shí)，導(dǎo)入至噴頭105內(nèi)的處理氣體的構(gòu)成方式也可以是，通過由噴頭105而導(dǎo)入至處理室50內(nèi)的惰性氣體控制其流動(dòng)。例如，通過設(shè)置在惰性氣體供給管線112的MFC121，以易于產(chǎn)生不良情況的基板101的中心部的膜厚或膜品質(zhì)被調(diào)節(jié)為最合適的方式，調(diào)節(jié)通過惰性氣體供給管120的惰性氣體的流量?；逄幚砗?，在搬出工序中，接受器102下降至搬送位置A(圖10)。下降時(shí)，支撐銷104再次頂起基板101，在接受器102和基板101之間形成用于搬送的間隙。處理結(jié)束后的基板101由搬送口108通過搬送機(jī)構(gòu)T向基板搬送腔室140運(yùn)出。(2)控制器構(gòu)成的說明控制器500控制上述各部，以進(jìn)行上述的搬入工序、處理工序、搬出工序。如圖11所示，作為控制部(控制手段)的控制器500的構(gòu)成方式為，具有CPU(CentralProcessingUnit)500a、RAM(RandomAccessMemory)500b、存儲(chǔ)裝置500c、I/O接口500d的計(jì)算機(jī)。RAM500b、存儲(chǔ)裝置500c、I/O接口500d的構(gòu)成方式是，經(jīng)由內(nèi)部總線500e而能夠與CPU500a進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。例如作為觸摸面板等而構(gòu)成的輸入輸出裝置501連接于控制器500。存儲(chǔ)裝置500c例如由快閃式存儲(chǔ)器、HDD(HardDiskDrive)等存儲(chǔ)介質(zhì)而構(gòu)成。在存儲(chǔ)裝置500c內(nèi)可讀取地容納有控制基板處理裝置的動(dòng)作的控制程序、記載有后述基板處理的次序、條件等的工藝制程(processrecipe)等。需要說明的是，工藝制程為以使控制器500執(zhí)行后述基板處理工序(蝕刻處理工序)中的各次序、能夠得出規(guī)定結(jié)果的方式的組合，作為程序而起作用。以下，將該工藝制程、控制程序等進(jìn)行總稱，也簡(jiǎn)稱為程序。需要說明的是，在本說明書中，使用程序這樣的措辭時(shí)，包括：僅包含工藝制程單一程序的情況、僅包含控制程序單一程序的情況，或者包含這兩者的情況。此外，RAM500b的構(gòu)成方式是，臨時(shí)保持由CPU500a讀出的程序、數(shù)據(jù)等的存儲(chǔ)器區(qū)域(工作區(qū)域)。需要說明的是，相對(duì)于在第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中使用的第一控制程序，有時(shí)將本實(shí)施方式中的控制程序稱為第二控制程序。I/O接口500d連接于上述的加熱器單元H、基板支撐銷上下機(jī)構(gòu)111、加熱部123、搬送機(jī)構(gòu)T、APC閥V、排氣泵(真空泵)P、開閉閥109、MFC121、116a、116b、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)R、升降機(jī)構(gòu)UD等。CPU500a的構(gòu)成方式是，由存儲(chǔ)裝置500c讀取控制程序并執(zhí)行，同時(shí)根據(jù)來自由輸入輸出裝置501的操作命令的輸入等，由存儲(chǔ)裝置500c讀取工藝制程并執(zhí)行。而且，CPU500a的構(gòu)成方式是，依據(jù)所讀取的工藝制程的內(nèi)容，控制采用基板支撐銷上下機(jī)構(gòu)111的支撐銷104的上下動(dòng)作、采用加熱器單元H的基板101的加熱·冷卻動(dòng)作、采用MFC121、116a、116b的處理氣體的流量調(diào)節(jié)動(dòng)作等。需要說明的是，控制器500不限于以專用計(jì)算機(jī)而構(gòu)成的情況，也可以以普通計(jì)算機(jī)的形式而構(gòu)成。例如，準(zhǔn)備容納有上述的程序的外部存儲(chǔ)裝置(例如磁帶、軟盤、硬盤等磁盤、CD、DVD等光盤、MO等光磁盤、USB存儲(chǔ)器(USBFlashDrive)、存儲(chǔ)卡等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器)502，使用該外部存儲(chǔ)裝置502將程序安裝至普通計(jì)算機(jī)等，由此可以構(gòu)成本實(shí)施方式的控制器500。需要說明的是，用于將程序提供給計(jì)算機(jī)的手段并不限于經(jīng)由外部存儲(chǔ)裝置502而提供的情況。例如也可以為，使用互聯(lián)網(wǎng)、專用電線等通信手段，不經(jīng)由外部存儲(chǔ)裝置502而提供程序。需要說明的是，存儲(chǔ)裝置500c、外部存儲(chǔ)裝置502的構(gòu)成方式為，計(jì)算機(jī)能夠讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)。以下，對(duì)這些進(jìn)行總稱，有時(shí)也簡(jiǎn)稱為存儲(chǔ)介質(zhì)。需要說明的是，在本說明書中，使用存儲(chǔ)介質(zhì)這樣的措辭時(shí)，包括：僅包含存儲(chǔ)裝置500c的情況，僅包含外部存儲(chǔ)裝置502的情況，或包含這兩者的情況。(3)蝕刻處理工序(干式蝕刻工序)接著，使用圖8，對(duì)作為本實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體制造工序的一個(gè)工序而實(shí)施的基板處理工序(蝕刻處理工序)進(jìn)行說明。該工序通過上述的基板處理裝置而實(shí)施。需要說明的是，在以下的說明中，構(gòu)成基板處理裝置的各部的動(dòng)作通過控制器500進(jìn)行控制。(基板的搬入工序S10)首先，至少具有以硅為主成分的膜的基板101由基板搬送腔室140通過搬送機(jī)構(gòu)T經(jīng)由搬送口108搬送至處理室50內(nèi)之后，支撐于支撐銷104上。(硅膜去除工序S20)接著，使接受器102或接受器102以及基板支撐銷上下機(jī)構(gòu)111上升，向基板處理位置B移動(dòng)，在接受器102上載置基板101。接受器102所具有的加熱器H預(yù)先加熱至規(guī)定的溫度，將基板101加熱至成為規(guī)定的基板溫度。根據(jù)需要，優(yōu)選并用用于對(duì)過剩的熱(反應(yīng)熱)進(jìn)行排熱的冷卻機(jī)構(gòu)?；?01到達(dá)規(guī)定溫度后，以規(guī)定時(shí)間，由處理氣體供給管線106a、106b經(jīng)由噴頭105向基板101供給規(guī)定的蝕刻氣體，例如，在基板溫度50℃以下，進(jìn)行基板101上的硅膜的蝕刻處理。蝕刻氣體的溫度例如為室溫。此時(shí)，也可以由惰性氣體供給管120向基板101供給惰性氣體。蝕刻處理中所使用的蝕刻氣體由設(shè)置于處理室50的側(cè)面的與環(huán)狀路114連通的排氣口107排出。在供給蝕刻氣體的同時(shí)，通過APC閥V調(diào)節(jié)排氣量，由此將處理室50內(nèi)的壓力維持在規(guī)定的壓力。此外，在供給蝕刻氣體的時(shí)候即刻開始硅膜的蝕刻，因此期望將壓力、氣體流量迅速設(shè)定為規(guī)定的值。就蝕刻氣體而言，使用含碘(I)氣體。例如為含有碘(I)作為鹵素的氣體。優(yōu)選地，選擇七氟化碘(IF7)氣體。此外，IF7氣體在室溫下對(duì)于硅氧化膜、非晶碳膜、硅氮化膜的蝕刻速率大致為零，與此相對(duì)，對(duì)于硅膜，每一分鐘的時(shí)間具有1μm以上的極大的蝕刻速率。需要說明的是，在本實(shí)施方式中，硅膜去除工序S20在通過含碘氣體(蝕刻氣體)去除硅膜之后還包括去除在蝕刻氣體和硅膜的反應(yīng)中生成的反應(yīng)副產(chǎn)物的后處理工序。具體而言，在后處理工序中，與蝕刻氣體同樣，由APC閥V調(diào)節(jié)排氣量，由此將處理室50內(nèi)的壓力維持在規(guī)定的壓力，同時(shí)由處理氣體供給管線106a、106b經(jīng)由噴頭105向基板101供給規(guī)定的后處理用氣體。需要說明的是，當(dāng)在硅膜上形成有數(shù)個(gè)原子左右的改性層時(shí)，在供給處理氣體(蝕刻氣體)之前，優(yōu)選向基板供給用于去除改性層的改性層去除氣體(例如氟化氫氣體)。此處，改性層是指形成在硅膜上的自然氧化膜。即使該自然氧化膜為數(shù)原子層的厚度，也無法由上述的處理氣體去除，因此阻害硅膜的去除。通過供給改性層去除氣體，可以在維持其他的膜構(gòu)成的狀態(tài)下，去除硅膜上的改性層，能夠?qū)崿F(xiàn)采用處理氣體的硅膜的微細(xì)去除。在以規(guī)定時(shí)間進(jìn)行去除工序S20之后，停止處理氣體的供給，由排氣口107排出處理容器130內(nèi)的氣氛(氣體)。(吹掃工序S30)去除工序(蝕刻工序)S20結(jié)束后，由惰性氣體供給管120經(jīng)由噴頭105向基板101上供給例如作為惰性氣體的氮?dú)?。此時(shí)，供給的氮?dú)鈨?yōu)選為由加熱部123加熱的狀態(tài)，例如加熱到90℃以上而供給。如果將惰性氣體加熱到比蝕刻工序中產(chǎn)生的副產(chǎn)物的升華溫度高的溫度，則能夠提高蝕刻時(shí)產(chǎn)生的副產(chǎn)物的去除效率。需要說明的是，在本實(shí)施方式中，吹掃工序S30在通過后處理用氣體去除了副產(chǎn)物之后，進(jìn)一步地包括將基板的溫度加熱到所述的規(guī)定的基板溫度以上的加熱工序。具體而言，加熱到硅膜去除工序中生成的副產(chǎn)物(例如，IF5)的升華溫度以上。以往，在基板101上的硅的蝕刻時(shí)，作為針對(duì)產(chǎn)生副產(chǎn)物(硅與蝕刻氣體的化合物)的對(duì)策，在蝕刻處理后，將基板101移動(dòng)至退火腔室，將基板101加熱至副產(chǎn)物在基板101上升華的溫度。其結(jié)果是，基板101在退火腔室中進(jìn)行退火處理，因此花費(fèi)工夫，對(duì)生產(chǎn)率的提高造成障礙。但是，在本實(shí)施方式中，通過將惰性氣體在通過加熱部123進(jìn)行加熱的狀態(tài)下進(jìn)行供給，由此可以改善上述副產(chǎn)物的問題。(基板搬出工序S40)吹掃工序S30結(jié)束后，停止惰性氣體的供給，并且由排氣口107排出處理容器130內(nèi)的氣氛。此外，使支撐銷104上升，將基板101與接受器102分離，冷卻至能夠搬送的溫度?；?01被冷卻至能夠搬送的溫度，做好從處理室50搬出的準(zhǔn)備后，以與上述基板搬入工序S10相反的次序，進(jìn)行搬出。圖12為表示圖8所示的基板處理工序的S20以及S30的細(xì)節(jié)的圖。圖12所示的本實(shí)施方式的蝕刻處理工序包括：前吹掃工序(S101)、蝕刻工序(S102)、真空吹掃工序(S103)、處理(treatment，后處理)工序(S104)、升溫吹掃工序(S105)、加熱工序(S106)、降溫吹掃工序(S107)的七個(gè)工序。需要說明的是，蝕刻工序(S20)至少包括蝕刻工序(S102)和處理工序(S104)，吹掃工序(S30)包括加熱工序(S106)。由此，從碘化合物去除的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選吹掃工序(S30)加上加熱工序(S106)。但是，由于會(huì)隨著基板溫度的變化，所以從產(chǎn)量的觀點(diǎn)出發(fā)，稍稍劣化，因此構(gòu)成方式是，選擇實(shí)施適當(dāng)?shù)募訜峁ば?。此外，在圖12中，在各工序中具有相同的時(shí)間軸，但是實(shí)際的各工序時(shí)間當(dāng)然是不同的。以下，對(duì)各工序進(jìn)行說明。此外，不言而喻的是，可以通過執(zhí)行控制程序來進(jìn)行圖12所示的各工序。在前吹掃工序(S101)中，其為用于作為下一工序的蝕刻處理的進(jìn)行準(zhǔn)備的工序，維持在規(guī)定的基板溫度、規(guī)定的壓力。在本實(shí)施方式中，溫度為30℃、壓力為50Pa、而且惰性氣體的流量為1SLM。如果穩(wěn)定在規(guī)定的基板溫度、規(guī)定的壓力，則進(jìn)入下一工序(S102)。此處，規(guī)定的基板溫度為處理氣體(蝕刻氣體)充分地氣化的溫度帶，設(shè)定為在基板101上形成的模特性不變質(zhì)的溫度。例如，保持在20℃以上且90℃以下，優(yōu)選保持在30℃以上且50℃以下的溫度。此外，作為規(guī)定的壓力，例如維持在0.1Pa以上且200Pa以下的壓力。在蝕刻工序(S102)中，向處理室50供給含有含碘氣體的蝕刻氣體，去除基板101上的硅膜。特別地，作為含碘氣體，優(yōu)選七氟化碘(IF7)。蝕刻氣體流量設(shè)定為0.1SLM(standardliterperminutes)以上且10SLM以下左右的范圍內(nèi)的規(guī)定流量。例如，設(shè)定為1SLM。此外，根據(jù)需要，也可以暫時(shí)將處理室50的環(huán)境氣體進(jìn)行排氣后再供給蝕刻氣體。作為本實(shí)施方式，例如溫度為30℃、壓力為200Pa、而且IF7氣體的流量以及惰性氣體的流量分別為1SLM。需要說明的是，蝕刻時(shí)間根據(jù)作為蝕刻對(duì)象的硅的膜厚而適當(dāng)決定。在預(yù)先設(shè)定的時(shí)間供給IF7氣體后，進(jìn)入下一工序(S103)。在真空吹掃工序(S103)中，停止蝕刻氣體的供給。此外，停止惰性氣體(例如氮?dú)?的供給而進(jìn)行排氣為真空的真空排氣工序。接著，供給惰性氣體(例如，0.5SLM)，進(jìn)行對(duì)處理室50內(nèi)進(jìn)行吹掃的工序，并且溫度以及壓力穩(wěn)定在規(guī)定的時(shí)間，此時(shí)進(jìn)入下一工序(S104)。需要說明的是，根據(jù)本實(shí)施方式，維持為溫度30℃、壓力50Pa。在處理(后處理)工序(S104)中，溫度為30℃、壓力為200Pa、而且后處理用氣體(例如ClF3氣體)的流量以及惰性氣體的流量分別為1SLM。該后處理工序?yàn)槿コ街诨?01或處理室50的內(nèi)壁等的碘化合物的工序。在該將蝕刻工序時(shí)的副產(chǎn)物去除的工序中，優(yōu)選使用不含碘的含氟氣體。例如，所述含氟氣體為氟(F2)、三氟化氯(ClF3)等。在升溫吹掃工序(S105)中，溫度升溫至目標(biāo)溫度。此時(shí)，在惰性氣體的流量停止的狀態(tài)下，經(jīng)由將處理室50內(nèi)抽真空的工序(真空排氣工序)和例如以0.5SLM供給惰性氣體的流量且將壓力維持為恒定50Pa的工序(壓力維持工序)，溫度從(30℃)升溫至目標(biāo)溫度(200℃)。該目標(biāo)溫度優(yōu)選設(shè)定為碘化合物的升華溫度以上。此外例如如果碘化合物為IF5，則升華溫度為95℃左右，因此優(yōu)選100℃以上。但是如果將溫度提高，則花費(fèi)升溫時(shí)間，因此出于產(chǎn)量的觀點(diǎn)也不優(yōu)選目標(biāo)溫度過高。需要說明的是，本實(shí)施方式的后處理中，例如，使用ClF3時(shí)，即使萬一產(chǎn)生副產(chǎn)物，也優(yōu)選設(shè)定為不會(huì)附著的溫度(200℃左右)。到達(dá)規(guī)定的目標(biāo)溫度時(shí)，進(jìn)入下一工序(S106)。在加熱工序(S106)中，由于為堆積于基板表面的碘化合物的升華溫度以上，所以通過供給惰性氣體(例如，1SLM)，升華的碘化合物與惰性氣體一起排氣，因此可以高效地降低作為副產(chǎn)物的碘化合物。經(jīng)過規(guī)定的時(shí)間后，進(jìn)入下一工序(S107)。在降溫吹掃工序(S107)中，由目標(biāo)溫度(本實(shí)施方式中為200℃)降溫到升溫前的溫度(本實(shí)施方式中為30℃)。到達(dá)升溫前的溫度時(shí)，本實(shí)施方式的干式蝕刻處理結(jié)束。圖13表示蝕刻處理工序后的基板表面的碘(I)的強(qiáng)度的溫度依賴性?？v軸表示碘(I)強(qiáng)度，橫軸為基板溫度。白圓表示的數(shù)據(jù)為執(zhí)行了圖12所示的流程的結(jié)果，黑圓表示的數(shù)據(jù)為不進(jìn)行采用三氟化氯(ClF3)的后處理，僅執(zhí)行退火處理的結(jié)果。由此可知，蝕刻后的基板表面的碘(I)強(qiáng)度隨著退火溫度的上升而降低。還可知，不僅退火處理，通過組合采用三氟化氯(ClF3)的后處理，可以高效地降低碘(I)強(qiáng)度。以往，在通過七氟化碘氣體對(duì)基板上的膜進(jìn)行蝕刻的工序中，由于七氟化碘(IF7)氣體分解、七氟化碘和硅的反應(yīng)，所以生成五氟化碘(IF5)等副產(chǎn)物，附著于對(duì)基板進(jìn)行處理的腔室內(nèi)部以及排氣配管，或者堆積于基板表面。這些副產(chǎn)物在常溫下穩(wěn)定，因此難以揮發(fā)，在蝕刻后的采用惰性氣體進(jìn)行吹掃是無法去除的，因此在基板的表面殘留碘污染。此處，腔室內(nèi)部、排氣配管、或基板表面暴露于大氣時(shí)，含有碘化合物的副產(chǎn)物與大氣中的水分反應(yīng)，產(chǎn)生碘化氫(HI)、碘酸(HIO3)等，存在的問題是，具有誘發(fā)基板表面、腔室內(nèi)部、排氣配管的金屬部件的腐蝕的風(fēng)險(xiǎn)，但是根據(jù)本實(shí)施方式，可以高效地去除包含在蝕刻工序中生成的碘化合物的副產(chǎn)物，因此可以解決這樣的問題。在本實(shí)施方式(第三實(shí)施方式)中，除了第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的效果，還具有下述記載的至少(a)～(c)中的一個(gè)以上的效果。(a)本實(shí)施方式中，通過在蝕刻工序后設(shè)置后處理工序，至少可以去除附著于腔室內(nèi)的、或堆積于基板的表面的碘化合物，同時(shí)還可以去除附著于腔室內(nèi)部以及排氣配管的碘氧化物，因此可以減少附著物去除工序的次數(shù)，提高裝置運(yùn)轉(zhuǎn)率。(b)此外，本實(shí)施方式中，通過在蝕刻工序后設(shè)置后處理工序，可以去除基板表面的碘化合物，因此在連續(xù)蝕刻而進(jìn)行處理時(shí)，可以抑制蝕刻不良情況。(c)此外，在本實(shí)施方式中，通過在蝕刻工序后設(shè)置后處理工序，可以去除堆積于腔室內(nèi)的壁面以及基板的表面的碘化合物，因此即使在保養(yǎng)時(shí)存在打開處理腔室的情況，也可以抑制伴隨與大氣中的水分的反應(yīng)導(dǎo)致的碘化氫(HI)、碘酸(HIO3)等的產(chǎn)生的腔室內(nèi)的金屬腐蝕。<本發(fā)明的效果>一直以來，為了謀求更高的集成化，不斷推進(jìn)圖案的微細(xì)化，隨著微細(xì)化的進(jìn)行，微細(xì)化后的圖案所固有的問題也產(chǎn)生了。作為其一例，可以列舉由蝕刻時(shí)的液體的表面張力而導(dǎo)致的圖案坍塌。例如，在硅(Si)的去除工序中，在采用四甲基氫氧化銨(TMAH)等蝕刻后，進(jìn)行純水清洗，用表面張力比純水小的異丙醇(IPA)進(jìn)行置換，同時(shí)進(jìn)行干燥，由此防止由清洗液的表面張力而導(dǎo)致的圖案的倒塌。但是，伴隨著圖案的微細(xì)化，即使使用該方法，也無法完全防止圖案的倒塌。作為解決該問題的手段，根據(jù)本發(fā)明的通過蝕刻氣體進(jìn)行硅的去除的干式蝕刻，也可以適用于今后的圖案的微細(xì)化。此外，在NAND快閃式存儲(chǔ)器等3D構(gòu)造的器件的制造中，在以往的使用等離子體的反應(yīng)性離子蝕刻中，相對(duì)于多晶硅以外的膜(例如，硅氧化(SiO2)膜、硅氮化(SiN)膜、硅氧氮化(SiON)膜、碳(C)膜等)難以高選擇性地去除多晶硅(Poly-Si)膜。即，在多晶硅(Poly-Si)膜和硅氧化(SiO2)膜的層疊構(gòu)造中，挖出貫通槽后，側(cè)壁上露出的多晶硅(Poly-Si)膜和硅氧化(SiO2)膜的層中，僅蝕刻多晶硅(Poly-Si)膜，在以往的使用等離子體的反應(yīng)性離子蝕刻中，從與多晶硅以外的膜的選擇性問題、需要各向同性蝕刻的方面考慮，是非常困難的。此外，還存在著與硬掩模(例如碳膜等)的選擇性的問題。如果要應(yīng)對(duì)與這樣的圖案的微細(xì)化所伴隨的器件構(gòu)造的繁雜化，則是困難的。作為解決該問題的手段，利用本發(fā)明中的蝕刻氣體，用等離子體少(plasmaless)的方式進(jìn)行各向同性蝕刻，從而進(jìn)行硅的去除，根據(jù)該干式蝕刻，也可以適用于今后的圖案的微細(xì)化。特別是，通過使用作為蝕刻氣體的含有七氟化碘的含碘氣體，與現(xiàn)有的蝕刻氣體相比，由于其化學(xué)性質(zhì)所以與硅以外的膜的選擇性良好，可以進(jìn)行硅的去除。因此，可以適用于今后的圖案的微細(xì)化所伴隨的器件構(gòu)造的繁雜化。<本發(fā)明的其他實(shí)施方式>以上，具體地說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是本發(fā)明不限定于上述的實(shí)施方式，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)，能夠作出各種變更。例如，在上述的實(shí)施方式中記載了具有每次處理一塊基板的處理室的裝置，但是不限于該方式，當(dāng)然也可以如多葉片裝置、縱型裝置，具有一起處理(間歇處理)多個(gè)基板的處理室的裝置。此外，本發(fā)明不限于本實(shí)施方式的基板處理裝置之類的處理半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體制造裝置等，也可以適用于處理玻璃基板的LCD(LiquidCrystalDisplay)制造裝置、太陽能電池制造裝置等基板處理裝置。例如，也可以適用于加工驅(qū)動(dòng)LCD的晶體管、用于太陽能電池的單晶硅、多晶硅、非晶硅的處理。<本發(fā)明的優(yōu)選方式>以下，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選方式進(jìn)行附注。<附注1>根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，提供一種使用含有含氟氣體的清潔氣體以去除附著于構(gòu)成腔室的部件或與所述腔室連接了的配管的表面的、含有碘氧化物的附著物的附著物的去除方法。<附注2>提供一種附著物的去除方法，其為附注1所述的附著物的去除方法，在20℃以上且300℃以下的溫度區(qū)域且66Pa以上且101kPa以下的壓力區(qū)域使所述清潔氣體與所述附著物接觸。<附注3>提供一種附著物的去除方法，其為附注2所述的附著物的去除方法，所述清潔氣體所含有的含氟氣體為ClF3，所述溫度區(qū)域?yàn)?5℃以上且200℃以下。<附注4>提供一種附著物的去除方法，其為附注2所述的附著物的去除方法，所述清潔氣體所含有的含氟氣體為F2，所述溫度區(qū)域?yàn)?20℃以上且200℃以下。<附注5>提供一種附著物的去除方法，其為附注2所述的附著物的去除方法，所述清潔氣體所含有的含氟氣體為IF7，所述溫度區(qū)域?yàn)?30℃以上且300℃以下。<附注6>提供一種附著物的去除方法，其為附注1至附注5的任一項(xiàng)所述的附著物的去除方法，所述清潔氣體所含有的含氟氣體為選自HF、F2、XFn(X表示Cl、Br、I中的任一種，n表示1以上且7以下的整數(shù))中的至少一種的含有氟(F)的含氟氣體。<附注7>提供一種附著物的去除方法，其為附注1至附注6的任一項(xiàng)所述的附著物的去除方法，所述附著物中所含有的所述碘氧化物為由化學(xué)式：[IxOyFz(x表示1或2的整數(shù)，y表示1以上且5以下的整數(shù)，z表示0或1的整數(shù))]表示的碘氧化物。<附注8>提供一種附著物的去除方法，其為附注1或附注2或附注7所述的附著物的去除方法，所述碘氧化物為I2O5。<附注9>根據(jù)本發(fā)明的其他的方式，提供一種干式蝕刻方法，其包括：向腔室內(nèi)供給含有含碘氣體的蝕刻氣體而對(duì)基板表面進(jìn)行蝕刻的工序，和在對(duì)所述基板表面進(jìn)行了蝕刻后，使用至少含有含氟氣體的清潔氣體去除附著于構(gòu)成所述腔室的部件或與所述腔室連接了的配管的表面的含有碘氧化物的附著物的工序。<附注10>提供一種干式蝕刻方法，其為附注9所述的干式蝕刻方法，在20℃以上且300℃以下的溫度區(qū)域且66Pa以上101kPa以下的壓力區(qū)域使所述清潔氣體與所述附著物接觸。<附注11>提供一種干式蝕刻方法，其為附注9或附注10所述的干式蝕刻方法，所述清潔氣體所含有的所述含氟氣體為選自HF、F2、XFn(X表示Cl、Br、I中的任一種，n表示1以上且7以下的整數(shù))中的至少一種的含有氟(F)的含氟氣體。<附注12>提供一種干式蝕刻方法，其為附注11所述的干式蝕刻方法，所述清潔氣體所含有的所述含氟氣體為ClF3。<附注13>提供一種干式蝕刻方法，其為附注9所述的干式蝕刻方法，所述附著物中所含有的所述碘氧化物為由化學(xué)式：[IxOyFz(x表示1或2的整數(shù)，y表示1以上且5以下的整數(shù)，z表示0或1的整數(shù))]表示的碘氧化物。<附注14>提供一種干式蝕刻方法，其為附注9或附注10所述的干式蝕刻方法，所述含氟氣體為選自氟(F2)、三氟化氯(ClF3)、七氟化碘(IF7)的一種。<附注15>根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步的其他的方式，提供一種附著物的去除方法，其使用含有不含有碘的含氟氣體的清潔氣體以去除附著于構(gòu)成腔室的部件或與所述腔室連接了的配管的表面的含有碘化合物的附著物。<附注16>提供一種附著物的去除方法，其為附注15所述的附著物的去除方法，所述清潔氣體所含有的所述含氟氣體為氟(F2)、三氟化氯(ClF3)。<附注17>提供一種附著物的去除方法，其為附注15所述的附著物的去除方法，所述附著物所含有的碘化合物為五氟化碘(IF5)。<附注18>根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步的其他的方式，提供一種干式蝕刻方法，其具有：通過含有含碘氣體的蝕刻氣體去除基板上的膜的蝕刻工序，和將所述蝕刻工序所生成的碘化合物去除的后處理工序，在所述后處理工序中，向所述基板的表面供給含有不含有碘的含氟氣體的后處理用氣體，去除所述碘化合物。<附注19>提供一種干式蝕刻方法，其為附注18所述的干式蝕刻方法，在所述后處理工序后，還具有：通過對(duì)所述基板進(jìn)行加熱，去除堆積于所述基板的表面的碘化合物的加熱工序。<附注20>提供一種干式蝕刻方法，其為附注18所述的干式蝕刻方法，所述后處理用氣體所含有的所述含氟氣體為氟(F2)、三氟化氯(ClF3)、七氟化碘(IF7)。<附注21>根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步的其他的方式，提供一種基板處理裝置，其具有：收容至少形成了以硅為主成分的含硅膜的基板的腔室，向所述腔室內(nèi)供給含有含碘氣體的蝕刻氣體的蝕刻氣體供給部，向所述腔室內(nèi)供給含有含氟氣體的清潔氣體的清潔氣體供給部，和裝置控制器，其至少控制所述蝕刻氣體供給部和所述清潔氣體供給部，供給所述第一蝕刻氣體，對(duì)所述基板進(jìn)行蝕刻后，使用所述清潔氣體去除附著于所述腔室的內(nèi)部的含有碘氧化物的附著物。<附注22>根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步的其他的方式，提供一種基板處理裝置，其具有：收容至少形成了以硅為主成分的含硅膜的基板的腔室，向所述基板供給含有含碘氣體的蝕刻氣體的蝕刻氣體供給部，向所述基板供給含有含氟氣體的后處理用氣體的后處理用氣體供給部，和控制部，其進(jìn)行控制以使得：至少控制所述蝕刻氣體供給部和所述后處理用氣體供給部，將所述第一蝕刻氣體向所述腔室內(nèi)供給，將所述基板暴露于所述第一蝕刻氣體，去除所述含硅膜，之后將所述后處理用氣體向所述腔室內(nèi)供給，去除堆積于所述基板上的碘化合物。<附注23>根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步的其他的方式，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有：將基板搬入腔室內(nèi)的工序，將腔室內(nèi)的壓力調(diào)節(jié)為規(guī)定的壓力的工序，供給含有含碘氣體的蝕刻氣體，去除基板上的硅膜的蝕刻工序，和供給與所述蝕刻氣體不同的含氟氣體，去除附著于所述基板的表面的碘化合物的后處理工序，和將基板從腔室內(nèi)搬出的工序。<附注24>提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，在附注23的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在所述后處理工序中，使基板溫度為碘化合物的升華溫度以上。<附注25>根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步的其他的方式，提供一種使計(jì)算執(zhí)行以下次序的程序以及程序可由計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，所述次序?yàn)椋汗┙o含有含碘氣體的第一蝕刻氣體(蝕刻氣體)，對(duì)基板進(jìn)行蝕刻的次序，使用至少含有含氟氣體的第二蝕刻氣體(清潔氣體)去除附著于腔室內(nèi)部、以及排氣配管的含有碘氧化物的附著物的次序。<附注26>根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步的其他的實(shí)施方式，提供一種使計(jì)算執(zhí)行以下次序的程序以及程序可由計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，所述次序?yàn)椋汗┙o含有含碘氣體的蝕刻氣體，去除基板上的硅膜的次序，和供給與所述蝕刻氣體不同的含氟氣體，去除附著于所述基板的表面的碘化合物的次序。<附注27>提供一種程序以及程序可由計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，優(yōu)選地，在附注26所述的程序以及程序可由計(jì)算機(jī)讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)中，所述程序具有：使所述基板的溫度上升，使其為所述碘化合物的升華溫度以上的次序。符號(hào)說明1蝕刻裝置；2腔室；3試樣；4臺(tái)；5壓力計(jì)；6蝕刻氣體供給系統(tǒng)；7閥；8清潔氣體供給系統(tǒng)；9閥；10惰性氣體供給系統(tǒng)；11閥；12排氣配管；13閥；14壓力控制器；15真空泵；16溫度控制器(溫度調(diào)節(jié)器)；17裝置控制器；21差示熱·熱重量測(cè)定裝置；22試驗(yàn)樣品；23參照樣品；24熱電偶；25天平部；26氣體導(dǎo)入口；27排氣口；28加熱器；50處理室；100蝕刻裝置；101基板；102接受器；130腔室(處理容器)；142排氣配管；500控制器當(dāng)前第1頁1 2 3