本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，工藝節(jié)點(diǎn)逐漸減小，后柵(gate-last)工藝得到了廣泛應(yīng)用，來獲得理想的閾值電壓，改善器件性能。但是當(dāng)器件的特征尺寸(cd，criticaldimension)進(jìn)一步下降時(shí)，即使采用后柵工藝，常規(guī)的mos場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)也已經(jīng)無法滿足對器件性能的需求，鰭式場效應(yīng)晶體管(finfet)作為常規(guī)器件的替代得到了廣泛的關(guān)注。

為了進(jìn)一步提高鰭式場效應(yīng)晶體管的性能，應(yīng)力工程被引入晶體管的制程中，在鰭部兩端刻蝕形成源漏凹槽后，在所述源漏凹槽內(nèi)外延形成sige或sip等應(yīng)力材料作為源漏材料，對晶體管的溝道區(qū)域施加應(yīng)力，從而提高溝道區(qū)域內(nèi)的載流子遷移率，進(jìn)而提高形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的性能。

請參考圖1，現(xiàn)有半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，沿鰭部10長度方向上排列的相鄰的鰭部10兩端之間通過淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)20進(jìn)行隔離，為了獲得一定的鰭部高度，淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)20的表面低于鰭部10的表面。在形成橫跨鰭部10的多晶硅柵極21過程中，為了提高多晶硅柵極21的圖形均勻性，通常會(huì)在沿鰭部10長度方向上排列的相鄰鰭部10之間的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)20表面形成偽多晶硅柵極22，由于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)20的表面低于鰭部10的頂部表面，導(dǎo)致偽多晶硅柵極22的底部也低于鰭部10頂部表面，導(dǎo)致偽柵極22與鰭部10之間具有間隙，在位于多晶硅柵極21兩側(cè)的鰭部10內(nèi)形成源漏凹槽的過程中，很容易導(dǎo)致源漏凹槽的形貌受到影響，使得在源漏凹槽內(nèi)填充的應(yīng)力層11的應(yīng)效果變差，且所述應(yīng)力層11也容易與偽多晶硅柵極22之間發(fā)生橋連，影響形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的性能。

現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的性能有待進(jìn)一步的提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，可以在未回刻蝕的隔離層表面形成偽柵極，提高所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底；刻蝕所述半導(dǎo)體襯底形成若干鰭部，所述鰭部頂部具有掩膜層，相鄰鰭部之間具有沿鰭部長度方向排列的第一凹槽和垂直鰭部長度方向的第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽相交；在所述第一凹槽和第二凹槽內(nèi)形成隔離層，所述隔離層的表面低于掩膜層表面，暴露出掩膜層的側(cè)壁；去除所述掩膜層后，形成覆蓋所述隔離層和鰭部的第一介質(zhì)層以及位于第一介質(zhì)層表面的第二介質(zhì)層；在所述第二介質(zhì)層表面形成具有開口的圖形化掩膜層，所述開口暴露出第二凹槽上方的第二介質(zhì)層表面；沿所述開口對所述第二介質(zhì)層進(jìn)行離子注入；去除所述圖形化掩膜層，并進(jìn)行退火處理，激活注入離子，在第二介質(zhì)層內(nèi)形成位于第二凹槽上方的摻雜層，所述摻雜層的刻蝕速率小于第二介質(zhì)層的刻蝕速率；去除所述第二介質(zhì)層以及部分厚度的摻雜層；以剩余摻雜層為掩膜刻蝕第一介質(zhì)層，去除位于摻雜層兩側(cè)的第一介質(zhì)層、摻雜層，保留第二凹槽上方部分厚度的第一介質(zhì)層；以所述剩余的部分厚度的第一介質(zhì)層為掩膜，刻蝕隔離層，使位于第二凹槽以外的隔離層的高度下降。

可選的，所述隔離層的形成方法包括：形成填充滿第一凹槽、第二凹槽且覆蓋掩膜層的隔離材料層；對所述隔離材料層進(jìn)行平坦化處理，使所述隔離材料層的表面與掩膜層表面齊平；刻蝕所述隔離材料層，使所述隔離材料層高度下降，形成隔離層。

可選的，采用可流動(dòng)性化學(xué)氣相沉積工藝形成所述隔離材料層。

可選的，所述第一介質(zhì)層的材料與隔離層的材料不同。

可選的，所述第一介質(zhì)層的材料為氮化硅，第二介質(zhì)層的材料為氧化硅。

可選的，所述離子注入的摻雜離子為碳離子。

可選的，所述碳離子的注入能量為0.5kev～2.5kev，劑量為3e12～8e16ions/cm²。

可選的，所述摻雜層內(nèi)的摻雜濃度為1e21atom/cm³～3e21atom/cm³。

可選的，采用干法刻蝕工藝去除所述第二介質(zhì)層以及部分厚度的摻雜層。

可選的，所述干法刻蝕工藝中，第二介質(zhì)層的刻蝕速率為摻雜層刻蝕速率的1.5倍～3倍。

可選的，包括在形成所述隔離層之前，在所述第一凹槽、第二凹槽內(nèi)壁表面形成墊氧化層。

可選的，采用原位水汽生成工藝形成所述墊氧化層。

可選的，所述退火處理的溫度為850℃～1400℃，退火時(shí)間為50ms～15min。

可選的，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述第二介質(zhì)層和摻雜層，去除所述第二介質(zhì)層以及部分厚度的摻雜層。

可選的，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述第一介質(zhì)層，去除位于摻雜層兩側(cè)的第一介質(zhì)層、摻雜層。

可選的，采用自對準(zhǔn)雙圖形化工藝形成所述鰭部。

可選的，還包括：去除所述剩余的部分厚度的第一介質(zhì)層。

可選的，還包括：形成橫跨鰭部的柵極以及位于第二凹槽內(nèi)的隔離層表面的偽柵極。

可選的，還包括：刻蝕柵極兩側(cè)的鰭部，形成源漏凹槽；在所述源漏凹槽內(nèi)形成應(yīng)力層，作為源漏極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明的技術(shù)方案中，在形成鰭部和第一凹槽、第二凹槽內(nèi)的隔離層之后，在隔離層、鰭部表面形成第一介質(zhì)層和第一介質(zhì)層表面的第二介質(zhì)層；然后在第二介質(zhì)層表面形成具有開口的圖形化掩膜層，所述開口暴露出第二凹槽上方的第二介質(zhì)層表面；沿所述開口對第二介質(zhì)層進(jìn)行離子注入并退火后，在第二介質(zhì)層內(nèi)形成位于第二凹槽上方的摻雜層，所述摻雜層的刻蝕速率小于第二介質(zhì)層的刻蝕速率；然后刻蝕第二介質(zhì)層、第一介質(zhì)層，使得在第二凹槽上方保留部分厚度的第一介質(zhì)層，在刻蝕隔離層時(shí)，所述部分厚度的第一介質(zhì)層保護(hù)第二凹槽內(nèi)的隔離層不被刻蝕，在第二凹槽內(nèi)形成未被回刻蝕的隔離層。通過對第二介質(zhì)層進(jìn)行離子注入并退火形成刻蝕速率較低的摻雜層，作為后續(xù)刻蝕第二介質(zhì)層和第一介質(zhì)層的掩膜，不需要額外形成掩膜結(jié)構(gòu)，工藝步驟簡單。

進(jìn)一步，在相鄰鰭部之間的第二凹槽內(nèi)形成未被回刻蝕的隔離層，后續(xù)在沒有回刻蝕的隔離層表面，所以，鰭部與偽柵極之間沒有間隙，在刻蝕鰭部形成凹槽時(shí)，凹槽的形貌不會(huì)受到破壞，從而使得在凹槽內(nèi)形成的應(yīng)力層的應(yīng)力不會(huì)被釋放，可以提高所述應(yīng)力層對于晶體管溝道區(qū)域的應(yīng)力作用，從而提高形成的晶體管的性能。并且，所述應(yīng)力層與偽柵極之間有隔離層103a隔離，從而應(yīng)力層與偽柵極之間也不會(huì)發(fā)生橋連，從而可以提高形成的晶體管的性能。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2至圖20是本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如背景技術(shù)中所述，現(xiàn)有技術(shù)形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能有待進(jìn)一步的提高。

本發(fā)明的實(shí)施例中，在未回刻蝕的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)表面形成偽柵極，避免后續(xù)在形成源漏凹槽的過程中，對源漏凹槽的形貌造成影響。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。

請參考圖2和圖3，提供半導(dǎo)體襯底100，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底100形成若干鰭部101，所述鰭部101頂部具有掩膜層202，相鄰鰭部101之間具有沿鰭部101長度方向排列的第一凹槽110和垂直鰭部101長度方向的第二凹槽120，所述第一凹槽110和第二凹槽120相交。圖2為沿垂直鰭部101長度方向的剖面示意圖，圖3為沿鰭部101長度方向的剖面示意圖。

所述半導(dǎo)體襯底100的材料包括硅、鍺、鍺化硅、砷化鎵等半導(dǎo)體材料，所述半導(dǎo)體襯底100可以是體材料也可以是復(fù)合結(jié)構(gòu)如絕緣體上硅。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)半導(dǎo)體襯底100上形成的半導(dǎo)體器件選擇所述半導(dǎo)體襯底100的類型，因此所述半導(dǎo)體襯底的類型不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

本實(shí)施例中，所述鰭部101的形成方法包括：采用自對準(zhǔn)雙圖形工藝刻蝕半導(dǎo)體襯底100，以所述掩膜層202為掩膜，刻蝕所述半導(dǎo)體襯底100形成平行排列的連續(xù)的長條狀鰭部圖形，以及相鄰鰭部圖形之間的第一凹槽110；然后再刻蝕所述鰭部圖形，將所述長條狀的鰭部圖形沿垂直鰭部圖形的方向斷開，形成鰭部101以及第二凹槽120。采用自對準(zhǔn)雙圖形工藝可以形成寬度較小的鰭部101，以提高所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的集成度。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以直接刻蝕所述半導(dǎo)體襯底100，形成所述鰭部101。

本實(shí)施例中，所述掩膜層202的材料為氮化硅，所述掩膜層202與鰭部101頂部表面之間還形成有氧化硅層201。所述氧化硅層201可以提高掩膜層202與鰭部101頂部之間的粘附性。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述掩膜層200也可以是單層的氮化硅或無定形碳等掩膜材料。

在形成所述鰭部101之后，還可以在所述第一凹槽110、第二凹槽120內(nèi)壁表面形成墊氧化層102，以提高后續(xù)在第一凹槽110、第二凹槽120內(nèi)形成的隔離層的質(zhì)量。所述墊氧化層102的材料為氧化硅。本實(shí)施例中，所述墊氧化層102還覆蓋掩膜層200的表面。本實(shí)施例中，采用原位水汽生成工藝形成所述墊氧化層102，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以采用干氧氧化或濕氧氧化工藝對所述第一凹槽110、第二凹槽120的內(nèi)壁表面進(jìn)行氧化，形成所述墊氧化層102。

請參考圖4和圖5，形成填充滿第一凹槽110(請參考圖2)、第二凹槽120(請參考圖3)且覆蓋掩膜層202的隔離材料層103；對所述隔離材料層103進(jìn)行平坦化處理，使所述隔離材料層103的表面與掩膜層202表面齊平。圖4為沿垂直鰭部101長度方向的剖面示意圖，圖5為沿鰭部101長度方向的剖面示意圖。

可以采用化學(xué)氣相沉積工藝、高密度等離子體沉積工藝、可流動(dòng)性化學(xué)氣相沉積工藝、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝或高深寬比沉積工藝等形成所述隔離材料層103。本實(shí)施例中，采用可流動(dòng)性化學(xué)氣相沉積工藝(fcvd)形成所述隔離材料層103。所述可流動(dòng)性化學(xué)沉積工藝的反應(yīng)物包括介質(zhì)材料前驅(qū)物和工藝前驅(qū)物。所述介質(zhì)材料前驅(qū)物具有可流動(dòng)性和一定的粘度，包括硅烷、二硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷等。本實(shí)施例中采用的介質(zhì)材料前驅(qū)物為三甲基硅烷。所述工藝前驅(qū)物包括含氮的前驅(qū)物，例如h2和n2混合氣體、n2、nh3、nh4oh、no、n2o等，還可以包括含氫的化合物、含氧的化合物，例如h2、h2和n2混合氣體、o3、o2、h2o2、h2o中的一種或多種氣體。所述工藝前驅(qū)物可以被等離子體化。本實(shí)施例中采用的工藝前驅(qū)物為nh3。所述介質(zhì)材料前驅(qū)物和工藝前驅(qū)物反應(yīng)形成氮硅化物，然后在含氧氣體內(nèi)退火，形成固化的氧化硅層，作為隔離材料層103。

本實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底100的溫度在進(jìn)行fcvd過程中被保持在預(yù)定的溫度范圍內(nèi)，以確保反應(yīng)物的流動(dòng)性。在本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底100溫度小于100℃，可以是30℃或80℃。

本實(shí)施例中，在形成所述隔離材料層103之前，在所述第一凹槽110、第二凹槽120內(nèi)壁表面形成墊氧化層102。所述墊氧化層102可以避免隔離材料層103與第一凹槽110、第二凹槽120內(nèi)壁的材料晶格不匹配而造成較大應(yīng)力，同時(shí)可以修復(fù)在刻蝕形成第一凹槽110、第二凹槽120的過程中，對第一凹槽110、第二凹槽120內(nèi)壁表面造成的損傷。

采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝，以所述掩膜層202作為停止層，對所述隔離材料層103進(jìn)行平坦化處理，去除位于掩膜層202表面的墊氧化層102與隔離材料層，使所述隔離材料層103的表面與掩膜層202表面齊平。

請參考圖6和圖7，在所述第一凹槽110和第二凹槽120內(nèi)形成隔離層103a，所述隔離層103a的表面低于掩膜層202(請參考圖4和圖5)表面，暴露出掩膜層202的側(cè)壁，然后去除所述掩膜層202。圖6為沿垂直鰭部101長度方向的剖面示意圖，圖7為沿鰭部101長度方向的剖面示意圖。

采用干法刻蝕工藝刻蝕所述隔離材料層103(請參考圖4和圖5)，使所述隔離材料層103高度下降，暴露出掩膜層202的側(cè)壁，形成所述隔離層103，以便后續(xù)去除所述掩膜層202。本實(shí)施例中，所述隔離層103a的表面與氧化硅層201表面齊平。

形成所述隔離層103a之后，可以采用濕法或者干法刻蝕工藝去除所述掩膜層202。本實(shí)施例中，采用濕法刻蝕工藝去除所述掩膜層202，所述濕法刻蝕工藝采用磷酸溶液作為刻蝕溶液，對掩膜層202具有較高的刻蝕選擇性。

請參考圖8和圖9，形成覆蓋所述隔離層103a和鰭部101的第一介質(zhì)層301以及位于第一介質(zhì)層301表面的第二介質(zhì)層302。

所述第一介質(zhì)層301的材料與隔離層103a的材料不同，以便后續(xù)在去除第一介質(zhì)層301的過程中，避免對隔離層103a造成損失。本實(shí)施例中，所述隔離層103a的材料為氧化硅，所述第一介質(zhì)層301的材料為氮化硅。

所述第二介質(zhì)層302的材料與第一介質(zhì)層301的材料不同，避免后續(xù)在去除第二介質(zhì)層302的過程中對第一介質(zhì)層301造成損失。本實(shí)施例中，所述第二介質(zhì)層302的材料為氧化硅。

可以采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述第一介質(zhì)層301和第二介質(zhì)層302。

請參考圖10和圖11，在所述第二介質(zhì)層302表面形成具有開口的圖形化掩膜層303，所述開口暴露出第二凹槽120(請參考圖3)上方的第二介質(zhì)層302表面；沿所述開口對第二介質(zhì)層302進(jìn)行離子注入。圖10為沿垂直鰭部101長度方向的剖面示意圖，圖11為沿鰭部101長度方向的剖面示意圖。

所述圖形化掩膜層303的開口與第二凹槽120的頂部尺寸一致，本實(shí)施例中，所述圖形化掩膜層303的圖形與形成第二凹槽120時(shí)采用的掩膜圖形一致。本實(shí)施例中，所述圖形化掩膜層303的材料為光刻膠，便于去除。

對所述開口底部的部分第二介質(zhì)層302進(jìn)行離子注入，在所述第二凹槽120上方的部分第二介質(zhì)層302內(nèi)形成摻雜離子。本實(shí)施例中，所述摻雜離子為碳離子，所述碳離子可以改變被注入材料層的刻蝕速率。本實(shí)施例中，所述碳離子注入的能量為0.5kev～2.5kev，劑量為3e12～8e16ions/cm²。注入離子主要集中在第二介質(zhì)層302表面，后續(xù)通過退火處理，使的摻雜離子擴(kuò)散激活，形成均勻的摻雜層。

請參考圖12和圖13，去除所述圖形化掩膜層303(請參考圖10和圖11)，并進(jìn)行退火處理，激活注入離子，在第二介質(zhì)層302內(nèi)形成位于第二凹槽120(請參考圖3)上方的摻雜層302a，所述摻雜層302a的刻蝕速率小于第二介質(zhì)層302的刻蝕速率。圖12為沿垂直鰭部101長度方向的剖面示意圖，圖13為沿鰭部101長度方向的剖面示意圖。

可以采用濕法刻蝕或灰化工藝去除所述圖形化掩膜層303。

所述退火處理使第二介質(zhì)層302內(nèi)的摻雜離子進(jìn)一步擴(kuò)散并激活，使摻雜離子的分布趨于均勻，形成摻雜層302a。由于所述第一介質(zhì)層301的擴(kuò)散系數(shù)較低，所述摻雜離子基本不會(huì)進(jìn)入所述第一介質(zhì)層301內(nèi)。本實(shí)施例中，所述退火處理的溫度為850℃～1400℃，退火時(shí)間為50ms～15min。

所述摻雜層302a內(nèi)的摻雜濃度越大，摻雜層302a與第二介質(zhì)層302之間的刻蝕速率差越大。本實(shí)施例中，所述摻雜層302a內(nèi)的摻雜濃度為1e21atom/cm³～3e21atom/cm³，使得第二介質(zhì)層302的刻蝕速率大于摻雜層302a的刻蝕速率。

請參考圖14和圖15，去除所述第二介質(zhì)層302以及部分厚度的摻雜層302a。圖14為沿垂直鰭部101長度方向的剖面示意圖，圖15為沿鰭部101長度方向的剖面示意圖。

采用干法刻蝕工藝去除所述第二介質(zhì)層302以及部分厚度的摻雜層302a。具體的，對所述第二介質(zhì)層302和摻雜層302a同時(shí)進(jìn)行刻蝕，由于第二介質(zhì)層302的刻蝕速率大于摻雜層302a的刻蝕速率，在所述第二介質(zhì)層302被完全去除時(shí)，所述摻雜層302a還剩余部分厚度，位于第一介質(zhì)層301表面，可以作為后續(xù)刻蝕第一介質(zhì)層301的掩膜。

所述干法刻蝕工藝采用的刻蝕氣體可以是含氟氣體，例如cf4、chf3或c3f8等。本實(shí)施例中，在對所述第二介質(zhì)層302和摻雜層302a進(jìn)行干法刻蝕時(shí)，所述第二介質(zhì)層302的刻蝕速率為摻雜層302a刻蝕速率的1.5倍～3倍，以便在刻蝕去除第二介質(zhì)層302后，能夠剩余足夠厚度的摻雜層302a，作為后續(xù)刻蝕第一介質(zhì)層301的掩膜。

請參考圖16和圖17，以剩余摻雜層302a(請參考圖15)為掩膜刻蝕第一介質(zhì)層301(請參考圖15)，去除位于摻雜層302a兩側(cè)的第一介質(zhì)層301、摻雜層302a，保留第二凹槽120上方部分厚度的第一介質(zhì)層301a。圖16為沿垂直鰭部101長度方向的剖面示意圖，圖17為沿鰭部101長度方向的剖面示意圖。

采用干法刻蝕工藝同時(shí)刻蝕所述第一介質(zhì)層301和摻雜層302a，在刻蝕過程中，所述摻雜層302a作為刻蝕第一介質(zhì)層301的掩膜。但是由于所述摻雜層302a的厚度較薄，在刻蝕過程中受到離子的轟擊作用，逐漸被完全消耗。在摻雜層302a兩側(cè)的第一介質(zhì)層301被完全去除之后，被摻雜層302a覆蓋部分還剩余部分厚度的第一介質(zhì)層301a，作為后續(xù)刻蝕隔離層103a的掩膜層。

請參考圖18和圖19，以所述剩余的部分厚度的第一介質(zhì)層301a(請參考圖17)為掩膜，刻蝕隔離層103a，使位于第二凹槽120以外的隔離層103b的高度下降；然后去除所述剩余的部分厚度的第一介質(zhì)層301a。圖18為沿垂直鰭部101長度方向的剖面示意圖，圖19為沿鰭部101長度方向的剖面示意圖。

在刻蝕所述隔離層103a的過程中，所述剩余的第一介質(zhì)層201a作為掩膜層，保護(hù)位于第二凹槽120內(nèi)的隔離層103a不被刻蝕。根據(jù)待形成的鰭式場效應(yīng)晶體管的性能，可以調(diào)整所述被刻蝕的隔離層103b的最終高度。

采用對所述隔離層103a具有較高選擇性的刻蝕工藝，對所述隔離層103a進(jìn)行刻蝕。本實(shí)施例中，采用等離子體刻蝕工藝對隔離層103a進(jìn)行刻蝕所述等離子體刻蝕工藝采用含氟氣體作為刻蝕氣體，所述含氟氣體可以包括cf4、chf3、c3h2f6等。本實(shí)施例中，在刻蝕所述隔離層103a的過程中，同時(shí)去除位于鰭部101表面的氧化硅層201。

刻蝕所述隔離層103a之后，去除所述第一介質(zhì)層301a，暴露出位于第二凹槽120內(nèi)的隔離層103a的表面。可以采用對第一介質(zhì)層301a具有較高選擇性的刻蝕工藝去除所述第一介質(zhì)層301a，避免對隔離層103a造成損傷。本實(shí)施例中，可以采用濕法刻蝕工藝去除所述第一介質(zhì)層301a，所述濕法刻蝕工藝采用的刻蝕容易可以是磷酸溶液。

所述第二凹槽120內(nèi)的隔離層103a表面高于其他位置處的隔離層103b的表面。

請參考圖20，形成橫跨鰭部101的柵極401以及位于第二凹槽120內(nèi)的隔離層103a表面的偽柵極402。圖20為沿垂直鰭部101長度方向的剖面示意圖。

所述柵極401和偽柵極402的形成方法包括：形成覆蓋所述鰭部101、隔離層103a和隔離層103b的柵極材料層；在所述柵極材料層表面形成圖形化硬掩膜層403，以所述圖形化硬掩膜層403為掩膜，刻蝕所述柵極材料層，形成橫跨鰭部101的柵極401以及位于隔離層103a表面的偽柵極402。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，在形成所述柵極材料層之前，還可以先形成覆蓋所述鰭部101、隔離層103a和隔離層103b的柵氧層。

本實(shí)施例中，在形成所述柵極401和偽柵極402之后，在所述柵極401和偽柵極402側(cè)壁表面形成側(cè)墻404，以保護(hù)所述柵極401和偽柵極402。并且，還包括：在柵極401兩側(cè)的鰭部101內(nèi)形成源漏凹槽，然后在所述源漏凹槽內(nèi)形成應(yīng)力層405，并對所述應(yīng)力層405進(jìn)行摻雜，作為晶體管的源漏極。所述應(yīng)力層405的材料可以是sige、sic或sip等。

由于所述偽柵極402形成在沒有回刻蝕的隔離層103a表面，所以，鰭部101與偽柵極402之間沒有間隙，在刻蝕鰭部101形成源漏凹槽時(shí)，凹槽的形貌不會(huì)受到破壞，從而使得在源漏凹槽內(nèi)形成的應(yīng)力層405的應(yīng)力不會(huì)被釋放，可以提高所述應(yīng)力層405對于晶體管溝道區(qū)域的應(yīng)力作用，從而提高形成的晶體管的性能。并且，所述應(yīng)力層405與偽柵極402之間有隔離層103a隔離，從而應(yīng)力層405與偽柵極402之間也不會(huì)發(fā)生橋連。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。