本發(fā)明涉及線圈部件，特別是涉及在層疊構(gòu)造中內(nèi)置線圈導(dǎo)體的線圈部件。

背景技術(shù)：

對(duì)本發(fā)明有益處的線圈部件是具有將多個(gè)絕緣體層層疊而成的層疊構(gòu)造的、具備部件主體并在該部件主體的內(nèi)部設(shè)置有線圈導(dǎo)體的線圈部件。在這樣的線圈部件中，線圈導(dǎo)體構(gòu)成為具有：以沿著絕緣體層之間的界面分別形成環(huán)狀的軌道的一部分的方式延伸的多個(gè)卷繞導(dǎo)體層、和將絕緣體層沿厚度方向貫通的多個(gè)通孔導(dǎo)體，通過將這些卷繞導(dǎo)體層與通孔導(dǎo)體交替地連接，由此成為以螺旋狀延伸的形態(tài)。

例如在高頻用的線圈中，要求偏差小、高Q的線圈。而且，為了調(diào)整線圈部件的電感(L)值，公知有對(duì)線圈導(dǎo)體的線寬進(jìn)行微調(diào)，由此使線圈內(nèi)徑面積變化的方法。

另一方面，在如上述那樣以螺旋狀延伸的線圈導(dǎo)體中，在沿層疊方向經(jīng)由一個(gè)絕緣體層相互對(duì)置的卷繞導(dǎo)體層之間產(chǎn)生電位差，因而不能避免產(chǎn)生雜散電容的情況。因此在線圈部件的特性調(diào)整中，必須考慮這樣的雜散電容。

然而，雜散電容由于卷繞導(dǎo)體層的圖案的偏差、絕緣體層的層疊錯(cuò)位而容易有偏差。而且，雜散電容的偏差會(huì)帶來線圈部件的自諧振頻率那樣的特性的偏差。

有關(guān)于此，例如在日本特開平5-36532號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中，記載有能夠降低上述的雜散電容的偏差的技術(shù)。在專利文獻(xiàn)1所記載的技術(shù)中，在層疊方向相互對(duì)置的卷繞導(dǎo)體層之間使線寬具有差，即、使一方的卷繞導(dǎo)體層的線寬比另一方的卷繞導(dǎo)體層的線寬寬，由此即使卷繞導(dǎo)體層的圖案稍微產(chǎn)生偏差、絕緣體層稍微產(chǎn)生層疊偏離，成對(duì)的卷繞導(dǎo)體層的對(duì)置面積也不會(huì)產(chǎn)生變動(dòng)，從而抑制雜散電容的偏差。其結(jié) 果，在專利文獻(xiàn)1所記載的線圈部件中，抑制自諧振頻率的偏差，在高頻中能夠穩(wěn)定地獲得高Q特性。

專利文獻(xiàn)1：日本特開平5-36532號(hào)公報(bào)

應(yīng)用上述的專利文獻(xiàn)1所記載的技術(shù)，若在同一層疊面內(nèi)使卷繞導(dǎo)體層的線寬一樣大，則線圈內(nèi)徑面積減少。但是電子部件的小型、薄型化不斷發(fā)展，因此能夠形成布線的框體空間的制約變大，其中如上述那樣，若使卷繞導(dǎo)體層的線寬一樣大，則受到線圈內(nèi)徑面積減少的影響很大，L值以及Q值大幅降低。

另一方面，若使卷繞導(dǎo)體層的線寬一樣減小，則成為電阻(R)值增加的重要因素，這也導(dǎo)致Q值的降低。

此外，若注意到將卷繞導(dǎo)體層之間連接的通孔導(dǎo)體，則為了用于形成通孔導(dǎo)體的孔徑的加工極限、通孔導(dǎo)體的位置精度的極限，即使卷繞導(dǎo)體層的線寬較小，形成于卷繞導(dǎo)體層的與通孔導(dǎo)體的連接部分的通路焊盤必須形成為寬度較寬。因此在使卷繞導(dǎo)體層的線寬一樣減小的情況下，通路焊盤的占有面積對(duì)線圈內(nèi)徑面積、雜散電容起支配作用，難以期待專利文獻(xiàn)1所記載的效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的在于提供解決上述的課題，能夠獲得更高的電感值以及Q值的線圈部件。

本發(fā)明的線圈部件具備部件主體，該部件主體為長(zhǎng)方體形狀，具有：相互對(duì)置的第一主面和第二主面、在所述第一主面與所述第二主面之間連結(jié)且相互對(duì)置的第一側(cè)面和第二側(cè)面、以及相互對(duì)置的第一端面和第二端面，所述側(cè)面呈具有長(zhǎng)邊和短邊的長(zhǎng)方形，并且所述部件主體具有將多個(gè)絕緣體層沿相對(duì)于所述側(cè)面正交的方向?qū)盈B而成的層疊構(gòu)造。

另外，線圈部件具備線圈導(dǎo)體，該線圈導(dǎo)體配置于所述部件主體的內(nèi)部且構(gòu)成為具備：多個(gè)卷繞導(dǎo)體層，它們以沿著所述絕緣體層之間的界面分別形成環(huán)狀的軌道的一部分的方式延伸；多個(gè)通孔導(dǎo)體，它們沿厚度方向貫通所述絕緣體層，通過交替地連接所述卷繞導(dǎo)體層與所述通孔導(dǎo)體，由此所述線圈導(dǎo)體成為以螺旋狀延伸的形態(tài)。

另外，線圈部件具備第一外部端子電極和第二外部端子電極，它們形成在所述部件主體的外表面上，并且分別與所述線圈導(dǎo)體的一端以及另一端電連接。

另外，本發(fā)明的線圈部件以如下姿勢(shì)安裝，即：所述第二主面相對(duì)于電路基板所給予的安裝面對(duì)置，并且所述線圈導(dǎo)體的中心軸線與所述安裝面平行地延伸。

在這樣的線圈部件中，為了解決上述的技術(shù)課題，本發(fā)明特征在于，即：所述第二主面相對(duì)于電路基板所給予的安裝面對(duì)置，并且所述線圈導(dǎo)體的中心軸線與所述安裝面平行地延伸，所述卷繞導(dǎo)體層的所述短邊部分的線寬比所述卷繞導(dǎo)體層的所述長(zhǎng)邊部分的線寬寬。

如上述那樣，通過使短邊部分的線寬比長(zhǎng)邊部分的線寬寬，由此能夠使線圈內(nèi)徑更接近于正方形(或正圓)，并且能夠不使卷繞導(dǎo)體層全體變寬，而是僅使一部分的線寬變寬。

本發(fā)明中，優(yōu)選為，所述卷繞導(dǎo)體層所形成的所述軌道呈具有比較短的短邊和比較長(zhǎng)的長(zhǎng)邊的近似四邊形，所述卷繞導(dǎo)體層的所述長(zhǎng)邊部分形成所述軌道的所述長(zhǎng)邊，所述卷繞導(dǎo)體層的所述短邊部分形成所述軌道的所述短邊。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠使線圈內(nèi)徑更接近于正方形。

卷繞導(dǎo)體層通常在與所述通孔導(dǎo)體的連接部分形成有寬度比較寬的通路焊盤，在所述線圈導(dǎo)體的中心軸線方向透視時(shí)，全部的所述通路焊盤位于與所述卷繞導(dǎo)體層的所述短邊部分重疊的位置。這樣，通過使通路焊盤重疊于卷繞導(dǎo)體層的短邊部分之類的線寬比較寬的部分，由此能夠?qū)㈦s散電容的增加抑制為最小限度。

在本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述第一外部端子電極和所述第二外部端子電極分別形成于至少所述第二主面中的所述第一端面?zhèn)鹊膮^(qū)域和所述第二端面?zhèn)鹊膮^(qū)域，但不形成于所述第一主面。即，外部端子電極僅形成于朝向安裝面?zhèn)鹊牡诙髅?，或形成為從第二主面分別以L字狀延伸至第一端面以及第二端面。

根據(jù)該結(jié)構(gòu)，如上述那樣，線圈部件必須以第二主面相對(duì)于電路基板所給予的安裝面對(duì)置、并且線圈導(dǎo)體的中心軸線與安裝面平行地延伸 的姿勢(shì)安裝。換言之，例如，禁止誤以線圈導(dǎo)體的中心軸線朝向相對(duì)于安裝面垂直的姿勢(shì)安裝。

優(yōu)選為，在將所述側(cè)面的所述長(zhǎng)邊的尺寸設(shè)為L(zhǎng)，并且將所述短邊的尺寸設(shè)為T時(shí)，T≤L/2，更優(yōu)選為T＜L/2。該結(jié)構(gòu)在使線圈部件進(jìn)一步薄型化時(shí)采用。

為了更可靠地發(fā)揮本發(fā)明的效果，所述卷繞導(dǎo)體層的所述短邊部分的線寬為所述卷繞導(dǎo)體層的所述長(zhǎng)邊部分的線寬的1.3倍以上且2.7倍以下。

根據(jù)本發(fā)明的線圈部件，如上述那樣，在卷繞導(dǎo)體層中，短邊部分的線寬比長(zhǎng)邊部分的線寬寬，因此能夠使線圈內(nèi)徑更接近于正方形(或者正圓)，因此難以產(chǎn)生磁通的干涉，即、不會(huì)使電感的獲得效率顯著下降，能夠獲得較高的Q值。

另外，根據(jù)本發(fā)明的線圈部件，如上述那樣，能夠不使卷繞導(dǎo)體層全體變寬，而是僅使一部分的線寬變寬，因此能夠抑制電阻(R)的增加，其結(jié)果能夠抑制Q值的降低。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的線圈部件1的外觀的立體圖。

圖2是將圖1所示的線圈部件1分解示出的俯視圖。

圖3是沿線圈導(dǎo)體12的中心軸線方向透視示出圖1所示的線圈部件1的圖。

圖4是示意性地圖示第一外部端子電極51和第二外部端子電極52、以及線圈導(dǎo)體的卷繞導(dǎo)體層53的圖，以卷繞導(dǎo)體層53的線寬一樣為“基準(zhǔn)”，在(a)、(b)以及(c)中示出對(duì)卷繞導(dǎo)體層53的線寬的擴(kuò)大化的典型的三個(gè)方式。

圖5是表示對(duì)圖4所示的卷繞導(dǎo)體層53的線寬擴(kuò)大化的典型的三個(gè)方式圖4(a)、(b)以及(c)，在500MHz、1GHz以及2GHz的頻率條件下，模擬L-Q特性所求出的結(jié)果的圖。

圖6是用于說明圖1所示的線圈部件1的制造方法的圖。

圖7是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的線圈部件1a的與圖3相當(dāng)?shù)膱D。

圖8是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的線圈部件1b的與圖3相當(dāng)?shù)膱D。

圖9是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的線圈部件1c的外觀的立體圖。

附圖標(biāo)記說明：1、1a、1b、1c...線圈部件；2...部件主體；3...第一主面；4...第二主面；5、6...側(cè)面；LS...側(cè)面的長(zhǎng)邊；SS...側(cè)面的短邊；7、8...端面；9...絕緣體層；10...卷繞導(dǎo)體層；10L...卷繞導(dǎo)體層的長(zhǎng)邊部分；10S...卷繞導(dǎo)體層的短邊部分；11...通孔(via hole)導(dǎo)體；12...線圈導(dǎo)體；13...通路焊盤；15、16...外部端子電極。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，本發(fā)明的第一實(shí)施方式的線圈部件1具備部件主體2。部件主體2是的長(zhǎng)方體形狀，具備：相互對(duì)置的第一主面3和第二主面4、在第一主面3和第二主面4之間連結(jié)且相互對(duì)置的第一側(cè)面5和第二側(cè)面6、以及相互對(duì)置的第一端面7和第二端面8。特別是側(cè)面5和側(cè)面6呈具有長(zhǎng)邊LS以及短邊SS的長(zhǎng)方形。

部件主體2具有將包括圖2所示的多個(gè)絕緣體層9的多個(gè)絕緣體層層疊而成的層疊構(gòu)造。這些絕緣體層在相對(duì)于側(cè)面5以及側(cè)面6(參照?qǐng)D1)正交的方向?qū)盈B。此外，在圖2中關(guān)于絕緣體層的附圖標(biāo)記，不僅表示“9”，還表示“9-1”“9-2”...“9-7”。在此，在需要對(duì)多個(gè)絕緣體層相互進(jìn)行區(qū)別來說明的情況下，使用“9-1”“9-2”...“9-7”的附圖標(biāo)記，在不需要對(duì)多個(gè)絕緣體層相互進(jìn)行區(qū)別來說明的情況下，使用“9”的附圖標(biāo)記。

在部件主體2的內(nèi)部配置有通過將多個(gè)卷繞導(dǎo)體層10和多個(gè)通孔導(dǎo)體11交替地連接而成為以螺旋狀延伸的形態(tài)的線圈導(dǎo)體12，其中，多個(gè)卷繞導(dǎo)體層10以沿著絕緣體層9之間的界面而分別形成環(huán)狀的軌道的一部分的方式延伸，多個(gè)通孔導(dǎo)體11將絕緣體層9沿厚度方向貫通。另外，卷繞導(dǎo)體層10在與通孔導(dǎo)體11連接的部分形成有寬度較寬 的通路焊盤13。另外，對(duì)卷繞導(dǎo)體層的附圖標(biāo)記、通孔導(dǎo)體的附圖標(biāo)記以及通路焊盤的附圖標(biāo)記，也進(jìn)行與上述絕緣體層的情況同樣的區(qū)分使用。

更具體而言，線圈導(dǎo)體12構(gòu)成為包括：依次連接的卷繞導(dǎo)體層10-1、通孔導(dǎo)體11-1、卷繞導(dǎo)體層10-2、通孔導(dǎo)體11-2、卷繞導(dǎo)體層10-3、通孔導(dǎo)體11-3、卷繞導(dǎo)體層10-4、通孔導(dǎo)體11-4、卷繞導(dǎo)體層10-5、通孔導(dǎo)體11-5、卷繞導(dǎo)體層10-6、通孔導(dǎo)體11-6以及卷繞導(dǎo)體層10-7。

另外，在線圈導(dǎo)體12中，通孔導(dǎo)體11-1經(jīng)由通路焊盤13-1而與卷繞導(dǎo)體層10-1連接，并經(jīng)由通路焊盤13-2而與卷繞導(dǎo)體層10-2連接。

通孔導(dǎo)體11-2經(jīng)由通路焊盤13-3而與卷繞導(dǎo)體層10-2連接，經(jīng)由通路焊盤13-4而與卷繞導(dǎo)體層10-3連接。

通孔導(dǎo)體11-3經(jīng)由通路焊盤13-5而與卷繞導(dǎo)體層10-3連接，經(jīng)由通路焊盤13-6而與卷繞導(dǎo)體層10-4連接。

通孔導(dǎo)體11-4經(jīng)由通路焊盤13-7而與卷繞導(dǎo)體層10-4連接，經(jīng)由通路焊盤13-8而與卷繞導(dǎo)體層10-5連接。

通孔導(dǎo)體11-5經(jīng)由通路焊盤13-9而與卷繞導(dǎo)體層10-5連接，經(jīng)由通路焊盤13-10而與卷繞導(dǎo)體層10-6連接。

通孔導(dǎo)體11-6經(jīng)由通路焊盤13-11而與卷繞導(dǎo)體層10-6連接，經(jīng)由通路焊盤13-12而與卷繞導(dǎo)體層10-7連接。

另外，線圈部件1具備第一外部端子電極15和第二外部端子電極16。在該實(shí)施方式中，如圖1清楚地示出那樣，第一外部端子電極15形成為從第二主面4的第一端面7側(cè)的區(qū)域延伸到第一端面7的中途。第二外部端子電極16形成為從第二主面4的第二端面8側(cè)的區(qū)域延伸到第二端面8的中途。簡(jiǎn)言之，第一外部端子電極15和第二外部端子電極16以L字狀延伸。換言之，第一外部端子電極15和第二外部端子電極16不形成于第一主面3。

第一外部端子電極15與線圈導(dǎo)體12的一端、即卷繞導(dǎo)體層10-1的一端電連接，第二外部端子電極16與線圈導(dǎo)體12的另一端、即線圈導(dǎo) 體10-7的一端電連接。

該線圈部件1在安裝于電路基板(未圖示)時(shí)，第二主面4成為朝向電路基板的安裝面。因此由線圈導(dǎo)體12賦予的磁通方向相對(duì)于安裝面平行。

在這樣的線圈部件1中，作為該實(shí)施方式的特征的結(jié)構(gòu)如下所述。參照?qǐng)D2以及圖3對(duì)作為該實(shí)施方式的特征的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖3是沿線圈導(dǎo)體12的中心軸線方向透視示出線圈部件1的圖。在圖3中將線圈部件1所具備的多個(gè)要素重疊圖示。

如圖2以及圖3所示，線圈部件1所具備的卷繞導(dǎo)體層10構(gòu)成為包括：沿部件主體2的側(cè)面5以及6(參照?qǐng)D1)的長(zhǎng)邊LS方向延伸的長(zhǎng)邊部分10L、和沿側(cè)面5以及6的短邊SS方向延伸的短邊部分10S，短邊部分10S的線寬比長(zhǎng)邊部分10L的線寬寬。

特別是在該實(shí)施方式中，卷繞導(dǎo)體層10所形成的軌道呈具有比較短的短邊和比較長(zhǎng)的長(zhǎng)邊的近似四邊形，卷繞導(dǎo)體層10的長(zhǎng)邊部分10L形成軌道的長(zhǎng)邊，卷繞導(dǎo)體層10的短邊部分10S形成軌道的短邊。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使線圈內(nèi)徑更接近于正方形。

另外，在線圈導(dǎo)體12的中心軸線方向透視時(shí)，全部的通路焊盤13位于與卷繞導(dǎo)體層10的短邊部分10S重疊的位置。這樣，在卷繞導(dǎo)體層10中的短邊部分10S之類的線寬原來比較大的部分，若使寬度比較寬的通路焊盤13重疊，則能夠?qū)㈦s散電容的增加抑制為最小限度。

接下來，為了研究本發(fā)明所發(fā)揮的效果，對(duì)實(shí)施的模擬結(jié)果進(jìn)行說明。

在該模擬中采用的線圈部件，如對(duì)圖4的“基準(zhǔn)”線圈部件表示的那樣，部件主體的側(cè)面的長(zhǎng)邊長(zhǎng)度為0.6mm，短邊長(zhǎng)度為0.2mm，與圖4紙面正交的方向的進(jìn)深尺寸為0.3mm，并具有5～6nH的L值。

在圖4中示意性地示出在模擬中采用的線圈部件所具備的第一外部端子電極51和第二外部端子電極52、以及線圈導(dǎo)體的卷繞導(dǎo)體層53，并以卷繞導(dǎo)體層53的線寬一樣為“基準(zhǔn)”，用(a)、(b)以及(c)示 出卷繞導(dǎo)體層53的線寬的擴(kuò)大化的典型的三個(gè)方式。

在圖5中示出對(duì)圖4表示的卷繞導(dǎo)體層53的線寬擴(kuò)大化的典型的三個(gè)方式圖4(a)、(b)以及(c)，在500MHz、1GHz以及2GHz的頻率條件下，模擬L-Q特性所求出的結(jié)果。

更具體而言，圖4中，(a)示出將卷繞導(dǎo)體層53的短邊部分53S的線寬擴(kuò)大的方式，圖4(b)示出將卷繞導(dǎo)體層53的長(zhǎng)邊部分53L的線寬擴(kuò)大的方式，圖4(c)示出將卷繞導(dǎo)體層53的短邊部分53S以及長(zhǎng)邊部分53L的雙方的線寬擴(kuò)大的方式。

在模擬時(shí)，圖4的“基準(zhǔn)”中，卷繞導(dǎo)體層53形成為具有15μm的一樣的線寬。相對(duì)于此，在圖4(a)中，將卷繞導(dǎo)體層53的短邊部分53S的線寬擴(kuò)大為20μm、30μm、40μm。在圖4(b)中，將卷繞導(dǎo)體層53的長(zhǎng)邊部分53L的線寬擴(kuò)大為20μm、30μm。圖4(c)中，將卷繞導(dǎo)體層53的短邊部分53S以及長(zhǎng)邊部分53L的雙方的線寬擴(kuò)大為20μm、30μm。

而且，用單位“μm”表示上述線寬的數(shù)字“15”、“20”、“30”以及“40”，標(biāo)記在表示圖5的L-Q特性的折線中對(duì)應(yīng)的點(diǎn)的附近。在此，用線寬“15”表示的點(diǎn)是圖4的成為“基準(zhǔn)”的線圈部件的L-Q特性。另外，對(duì)于圖4(b)以及圖4(c)，將線寬擴(kuò)大至30μm是由于若擴(kuò)大至線寬40μm，則L值以及Q值顯著降低。

首先，參照在圖5的上部所示的500MHz的頻率條件下的L-Q特性。

將卷繞導(dǎo)體層53的短邊部分53S的線寬擴(kuò)大的(a)的L-Q特性，與線寬15μm的“基準(zhǔn)”的Q值相比，在線寬20μm、30μm以及40μm中，不會(huì)使L值顯著降低，能夠得到同等或者更高的Q值。

相對(duì)于此，將卷繞導(dǎo)體層53的長(zhǎng)邊部分53L的線寬放大的(b)的L-Q特性，若放大至線寬30μm，則由于磁通的干涉，與“基準(zhǔn)”相比，L值以及Q值更大幅地降低。

另外，將卷繞導(dǎo)體層53的短邊部分53S以及長(zhǎng)邊部分53L的雙方的線寬放大的(c)的L-Q特性，若放大至線寬30μm，則由于磁通的干涉，與“基準(zhǔn)”相比，L值以及Q值更大幅地降低。

接下來，參照?qǐng)D5的中部所示的1GHz的頻率條件下的L-Q特性。

將卷繞導(dǎo)體層53的短邊部分53S的線寬放大的(a)的L-Q特性，與線寬15μm的“基準(zhǔn)”的Q值相比，在線寬20μm、30μm以及40μm中，不會(huì)使L值顯著降低，能夠得到更高的Q值。

相對(duì)于此，將卷繞導(dǎo)體層53的長(zhǎng)邊部分53L的線寬放大的(b)的L-Q特性，若放大至線寬30μm，則由于磁通的干涉，與“基準(zhǔn)”相比，L值以及Q值更大幅地降低。

另外，將卷繞導(dǎo)體層53的短邊部分53S以及長(zhǎng)邊部分53L的雙方的線寬放大的(c)的L-Q特性，若放大至線寬30μm，則由于磁通的干涉，與“基準(zhǔn)”相比，L值以及Q值更大幅地降低。

接下來，參照?qǐng)D5的下部所示的2GHz的頻率條件下的L-Q特性。

將卷繞導(dǎo)體層53的短邊部分53S的線寬放大的(a)的L-Q特性，與線寬15μm的“基準(zhǔn)”的Q值相比，在線寬20μm、30μm以及40μm中，不會(huì)使L值顯著降低，能夠得到更高Q值。

相對(duì)于此，將卷繞導(dǎo)體層53的長(zhǎng)邊部分53L的線寬放大的(b)的L-Q特性，隨著放大至線寬20μm、30μm，由于磁通的干涉，與“基準(zhǔn)”相比，發(fā)現(xiàn)尤其L值降低。

另外，將卷繞導(dǎo)體層53的短邊部分53S以及長(zhǎng)邊部分53L的雙方的線寬放大的(c)的L-Q特性，若放大至線寬30μm，則由于磁通的干涉，而且在更高頻下雜散電容的增大產(chǎn)生較大的影響，與“基準(zhǔn)”相比，L值以及Q值更大幅地降低。

參照?qǐng)D1～圖3說明的線圈部件1，優(yōu)選如以下方式制造。參照?qǐng)D6進(jìn)行說明。

1.反復(fù)進(jìn)行通過絲網(wǎng)印刷來涂覆例如以硼硅玻璃為主要成分的絕緣膏，形成如圖6(1)所示的那樣的絕緣膏層21。該絕緣膏層21能夠成為圖2所示的絕緣體層9-1，因此構(gòu)成一方的外層。

2.在上述絕緣膏層21上涂覆形成有感光性導(dǎo)電膏層22，對(duì)該感光 性導(dǎo)電膏層22應(yīng)用光刻技術(shù)，同樣如圖6(1)所示，為了得到具有通路焊盤13-1的卷繞導(dǎo)體層10-1、第一外部端子電極15以及第二外部端子電極16而刻畫圖案。

更具體而言，作為感光性導(dǎo)電膏，例如使用以Ag為金屬主要成分的材料，通過絲網(wǎng)印刷來涂覆該感光性導(dǎo)電膏，形成感光性導(dǎo)電膏層22。接下來，經(jīng)由光掩模對(duì)感光性導(dǎo)電膏層22照射紫外線等，并利用堿性溶液等來顯影。

這樣，如圖6(1)所示，得到刻畫圖案后的感光性導(dǎo)電膏層22。

3.如圖6(2)所示，在上述絕緣膏層21上形成有絕緣膏層23。

更具體而言，在絕緣膏層21上，通過絲網(wǎng)印刷來涂覆感光性絕緣膏，從而形成絕緣膏層23。接下來，經(jīng)由光掩模對(duì)由感光性絕緣膏構(gòu)成的絕緣膏層23照射紫外線等，并利用堿性溶液等來顯影，由此如圖6(2)所示，形成有用于形成通孔導(dǎo)體11-1的圓孔24以及用于形成外部端子電極15以及16的十字狀的孔25。

絕緣膏層23能夠成為圖2所示的絕緣體層9-2。

4.如圖6(3)所示，通過光刻技術(shù)形成具有通路焊盤13-2以及13-3的卷繞導(dǎo)體層10-2、以及外部端子電極15和16，并且形成圖2所示的通孔導(dǎo)體11-1。

更具體而言，利用絲網(wǎng)印刷涂覆有例如以Ag為金屬主要成分的感光性導(dǎo)電膏，從而形成感光性導(dǎo)電膏層。此時(shí)，上述的圓孔24以及十字狀的孔25被感光性導(dǎo)電膏填埋。接下來，經(jīng)由光掩對(duì)感光性導(dǎo)電膏層模照射紫外線等，并利用堿性溶液等來顯影。

這樣，通孔導(dǎo)體11-1形成于圓孔24內(nèi)，且外部端子電極15和16形成于十字狀的孔25內(nèi)，并且卷繞導(dǎo)體層10-2形成在絕緣膏層23上。

5.之后，反復(fù)進(jìn)行與上述工序3以及4相同的工序，依次形成有分別能夠成為絕緣體層9-3～9-7的絕緣膏層，并且形成有卷繞導(dǎo)體層10-3～10-7、通孔導(dǎo)體11-2～11-6、以及外部端子電極15和16。然后，最后實(shí)施能夠成為用于另一方的外層的絕緣體層的絕緣膏層的形成工序， 由此得到母層疊體。

6.通過切割等對(duì)母層疊體切割而得到未燒制的多個(gè)部件主體。在母層疊體的切割工序中應(yīng)用的切割線CL的位置如圖6(3)所示。從切割線CL的位置可知，外部端子電極15和16露出于通過切割所得到的切割面。

7.未燒制的部件主體在規(guī)定條件下燒制，由此得到部件主體2。對(duì)部件主體2實(shí)施例如滾磨加工。

8.如以上那樣，雖然完成線圈部件1，但如圖3中用假想線表示的那樣，根據(jù)需要而在外部端子電極15以及16的從部件主體2露出的部分形成有鍍膜26。鍍膜26構(gòu)成為包括：例如具有2μm～10μm的厚度的Ni鍍層、和其上的具有2μm～10μm的厚度的Sn鍍層。

上述工序2、4等中實(shí)施的導(dǎo)體圖案的形成方法，不限定于上述那樣的光刻技術(shù)的應(yīng)用，例如也可以應(yīng)用基于在導(dǎo)體圖案形狀開口的絲網(wǎng)版的導(dǎo)體膏的印刷層疊方法、通過蝕刻而對(duì)由濺射法、蒸鍍法、箔的壓焊法等形成的導(dǎo)體膜進(jìn)行刻畫圖案的方法、以及如半添加法那樣，在形成底片圖案并通過鍍膜來形成導(dǎo)體圖案后，除去不要的部分的方法。

另外，導(dǎo)體材料不限于上述那樣的Ag，也可以是其他Cu、Au等良導(dǎo)體，另外作為賦予形態(tài)，不限定于膏，也可以是基于濺射法、蒸鍍法、箔的壓焊法、電鍍法等的形態(tài)。

另外，也可以在上述工序1、3中實(shí)施的形成絕緣膏層時(shí)，應(yīng)用絕緣材料片材的壓焊、旋涂、噴涂等方法。另外，也可以在上述工序3中實(shí)施的形成圓孔24以及十字狀的孔25時(shí)，應(yīng)用基于激光、鉆孔加工的方法。

另外，作為包含于絕緣體層9的絕緣材料，不限定于玻璃、陶瓷，例如也可以是環(huán)氧樹脂、氟樹脂那樣的樹脂材料，并且還可以是玻璃環(huán)氧樹脂那樣的復(fù)合材料。另外，絕緣材料優(yōu)選介電常數(shù)，介質(zhì)損耗小的材料。

另外，在上述工序8中，通過切割使外部端子電極15以及16露出后，形成了鍍膜26，但不限定于這樣的方法，也可以在通過切割而使外 部端子電極15和16露出后，印刷導(dǎo)電膏或通過濺射法等形成金屬膜，另外，也可以在其上實(shí)施電鍍工序。

接下來，參照?qǐng)D7對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的線圈部件1a進(jìn)行說明。圖7用與圖3同樣的方法示出線圈部件1a。在圖7中，對(duì)與圖3所示的要素相當(dāng)?shù)囊貥?biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略重復(fù)的說明。

圖7所示的線圈部件1a，卷繞導(dǎo)體層10所形成的軌道與上述的線圈部件1的情況相同，為近似四邊形，但特征在于兩個(gè)長(zhǎng)邊部分10L中的一方與另一方的長(zhǎng)度相互不同。

根據(jù)這樣的線圈部件1a，能夠避免外部端子電極15以及16的干涉，并且實(shí)現(xiàn)線圈內(nèi)徑面積的擴(kuò)大。

接下來，參照?qǐng)D8對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的線圈部件1b進(jìn)行說明。圖8用與圖3同樣的方法示出線圈部件1b。在圖8中，對(duì)與圖3所示的要素相當(dāng)?shù)囊貥?biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略重復(fù)的說明。

圖8所示的線圈部件1b，卷繞導(dǎo)體層10所形成的軌道是長(zhǎng)圓形，特征在于沿部件主體2的側(cè)面5以及6(參照?qǐng)D1)的短邊SS方向延伸的短邊部分10S的線寬，比沿側(cè)面5以及6的長(zhǎng)邊LS方向延伸的長(zhǎng)邊部分10L的線寬寬。

以上說明的線圈部件1、1a以及1b各自的尺寸不作特別限定，但根據(jù)圖1表示的尺寸L、W以及T，在用L×W×T表示時(shí)，如0.4mm×0.2mm×0.2mm、或者0.6mm×0.3mm×0.3mm那樣，T＝L/2。

相對(duì)于此，如L×W×T為0.6mm×0.3mm×0.2mm、0.6mm×0.3mm×0.25mm、0.4mm×0.2mm×0.15mm、或者0.4mm×0.2mm×0.1mm那樣，存在要求線圈部件進(jìn)一步薄型化的情況。

圖9是在上述那樣的背景下提出的，是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式的線圈部件1c的外觀的立體圖。在圖9中，對(duì)與圖1所示的要素相當(dāng)?shù)囊貥?biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略重復(fù)的說明。

圖9表示的線圈部件1，在將側(cè)面5以及6的長(zhǎng)邊LS的尺寸設(shè)為L(zhǎng)，并且將短邊SS的尺寸設(shè)為T時(shí)，T＜L/2。在智能手機(jī)等便攜式通信設(shè) 備中使用的線圈部件中，薄型化的期望很強(qiáng)，因此優(yōu)選使用具有圖9所示的那樣的T＜L/2之類的尺寸比率的薄型化的線圈部件1c。

另一方面，在如T＜L/2這樣的薄型化的線圈部件1c中，使線圈內(nèi)徑接近于正方形或者正圓形狀是困難的，因此可遭遇到容易產(chǎn)生磁通的干涉、L的獲得效率降低，并且使Q值降低之類的不良情況。

然而，本發(fā)明中采用的卷繞導(dǎo)體層的短邊部分的線寬比長(zhǎng)邊部分的線寬寬這樣的特征的結(jié)構(gòu)，為了進(jìn)一步減少上述的不良情況而發(fā)揮作用。因此本發(fā)明可以說特別是在對(duì)薄型化的線圈部件應(yīng)用時(shí)更有效。

以上，與圖示出本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式相關(guān)地進(jìn)行了說明，但在本發(fā)明的范圍內(nèi)，能夠有其他各種變形例。例如，卷繞導(dǎo)體層10所形成的軌道除了四邊形、長(zhǎng)圓形狀之外，例如也可以是橢圓形狀。另外，外部端子電極15以及16可以形成為以延伸至第一主面3，或者也可以僅形成于第二主面4。

另外，本說明書所記載的各實(shí)施方式是例示的方式，也能夠在不同的實(shí)施方式之間進(jìn)行結(jié)構(gòu)部分的置換或者組合。