技術(shù)領(lǐng)域

與示例性實(shí)施例一致的方法和設(shè)備涉及一種無(wú)線通信技術(shù)，更具體地，涉及一種用于近場(chǎng)通信(NFC)的天線、包括該天線的NFC裝置以及包括該NFC裝置的移動(dòng)系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

近場(chǎng)通信(NFC)技術(shù)是短程無(wú)線通信技術(shù)。因?yàn)橐呀?jīng)開(kāi)發(fā)了NFC技術(shù)，所以NFC裝置已經(jīng)更普遍地應(yīng)用在移動(dòng)裝置中。

移動(dòng)NFC裝置使用NFC容易地彼此通信。另外，NFC裝置可以用于移動(dòng)支付。

通常，NFC裝置包括用于發(fā)射電磁波的NFC天線。NFC裝置的制造成本和性能可以取決于NFC天線的設(shè)計(jì)。

因此，如果NFC天線的制造成本提高，那么包括NFC天線的NFC裝置和移動(dòng)裝置的制造成本也會(huì)提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

示例性實(shí)施例涉及一種在保持高性能的同時(shí)降低制造成本的用于近場(chǎng)通信(NFC)的天線。

一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例涉及提供一種包括所述天線的NFC裝置。

一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例涉及提供一種包括該NFC裝置的移動(dòng)系統(tǒng)。

根據(jù)示例性實(shí)施例的一方面，提供了一種近場(chǎng)通信(NFC)天線，所述近場(chǎng)通信天線包括形成在基底的第一表面上的第一天線電極和第二天線電極以及形成在基底的第一表面上的回路線圈，回路線圈直接結(jié)合在第一天線電 極與第二天線電極之間并且包括第一多匝，其中，第一天線電極位于回路線圈的第一多匝中的每匝的內(nèi)部，第二天線電極位于回路線圈的第一多匝中的每匝的外部。

回路線圈的多匝可以經(jīng)過(guò)第一天線電極與第二天線電極之間。

回路線圈的多匝可以彼此不疊置。

回路線圈的多匝中的每匝可以具有矩形形狀。

回路線圈的多匝中的每匝可以具有圓形形狀。

基底可以包括柔性印刷電路板(FPCB)。

基底可以被構(gòu)造為安裝在移動(dòng)裝置的電池上。

基底可以被構(gòu)造為安裝在移動(dòng)裝置的背側(cè)蓋上。

NFC天線還可包括形成在基底的第一表面上的諧振線圈，諧振線圈可以與回路線圈、第一天線電極和第二天線電極物理地分離并且可以包括第二多匝。

諧振線圈可以位于回路線圈的第一多匝中的最內(nèi)匝的內(nèi)部。

回路線圈的第一多匝中的最內(nèi)匝與諧振線圈的第二多匝中的最外匝之間的距離可以小于2mm。

諧振線圈的自諧振頻率可以對(duì)應(yīng)于13.56MHz。

諧振線圈的第二多匝中的每匝可以具有矩形形狀。

諧振線圈的第二多匝中的每匝可以具有圓形形狀。

NFC天線還可以包括：諧振線圈，形成在基底的第一表面上，諧振線圈與回路線圈、第一天線電極和第二天線電極物理地分離，并且包括一匝；以及諧振電容器，結(jié)合在諧振線圈的兩端之間。

諧振線圈和諧振電容器可以位于回路線圈的第一多匝中的最內(nèi)匝的內(nèi)部。

回路線圈的第一多匝中的最內(nèi)匝與諧振線圈之間的距離可以小于2mm。

由諧振線圈和諧振電容器形成的諧振頻率可以對(duì)應(yīng)于13.56MHz。

根據(jù)另一個(gè)示例性實(shí)施例的一方面，提供了一種近場(chǎng)通信(NFC)裝置，所述NFC裝置包括：NFC芯片，包括第一發(fā)送電極和第二發(fā)送電極，并且被構(gòu)造為產(chǎn)生發(fā)送信號(hào)并通過(guò)第一發(fā)送電極和第二發(fā)送電極輸出發(fā)送信號(hào)；NFC天線，形成在基底的第一表面上，NFC天線包括第一天線電極、第二天線電極以及直接結(jié)合在第一天線電極與第二天線電極之間的回路線圈，并且 被構(gòu)造為基于發(fā)送信號(hào)發(fā)射電磁波；以及匹配電路，結(jié)合到第一發(fā)送電極、第二發(fā)送電極、第一天線電極和第二天線電極，并且被構(gòu)造為在NFC芯片與NFC天線之間執(zhí)行阻抗匹配，其中，回路線圈包括多匝，第一天線電極位于回路線圈的多匝中的每匝的內(nèi)部，第二天線電極位于回路線圈的多匝中的每匝的外部。

根據(jù)又一個(gè)示例性實(shí)施例的一方面，提供了一種移動(dòng)系統(tǒng)，所述移動(dòng)系統(tǒng)包括：近場(chǎng)通信(NFC)裝置，被構(gòu)造為通過(guò)NFC與外部裝置進(jìn)行通信；存儲(chǔ)器裝置，被構(gòu)造為存儲(chǔ)輸出數(shù)據(jù)；以及應(yīng)用處理器，被構(gòu)造為控制NFC裝置和存儲(chǔ)器裝置的操作，其中，NFC裝置包括：NFC芯片，包括第一發(fā)送電極和第二發(fā)送電極，并且被構(gòu)造為產(chǎn)生與輸出數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的發(fā)送信號(hào)并通過(guò)第一發(fā)送電極和第二發(fā)送電極輸出發(fā)送信號(hào)；NFC天線，形成在基底的第一表面上，NFC天線包括第一天線電極、第二天線電極以及直接結(jié)合在第一天線電極與第二天線電極之間的回路線圈，并且被構(gòu)造為基于發(fā)送信號(hào)發(fā)射電磁波；以及匹配電路，結(jié)合到第一發(fā)送電極、第二發(fā)送電極、第一天線電極和第二天線電極，并且被構(gòu)造為在NFC芯片與NFC天線之間執(zhí)行阻抗匹配，其中，回路線圈包括多匝，第一天線電極位于回路線圈的多匝中的每匝的內(nèi)部，第二天線電極位于回路線圈的多匝中的每匝的外部。

附圖說(shuō)明

通過(guò)下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將更清楚地理解說(shuō)明性的、非限制性的示例性實(shí)施例。

圖1是示出根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的移動(dòng)裝置的圖。

圖2是示出根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的近場(chǎng)通信(NFC)裝置的框圖。

圖3和圖4是示出根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的圖2的NFC裝置中包括的NFC天線的示例的圖。

圖5是示出根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的其上形成有天線的基底的圖。

圖6是示出圖2的NFC裝置的示例的框圖。

圖7是示出圖6的NFC裝置中包括的發(fā)送電路的示例的框圖。

圖8是示出圖2的NFC裝置的示例的框圖。

圖9是示出圖2的NFC裝置的示例的框圖。

圖10是示出圖2的NFC裝置中包括的NFC天線的示例的圖。

圖11是示出圖2的NFC裝置的示例的框圖。

圖12是示出圖2的NFC裝置中包括的NFC天線的示例的圖。

圖13是示出圖2的NFC裝置的示例的框圖。

圖14和圖15是示出根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的在移動(dòng)裝置中安裝圖2的NFC裝置的示例的圖。

圖16是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的移動(dòng)系統(tǒng)的框圖。

具體實(shí)施方式

將參照附圖更充分地描述各種示例性實(shí)施例，在附圖中示出了一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明構(gòu)思可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)該被解釋為受限于這里闡述的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例使得本公開(kāi)將是完整的和徹底的，并將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明構(gòu)思的范圍。貫穿該說(shuō)明書(shū)，同樣的附圖標(biāo)記指示同樣的元件。

將理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二等來(lái)描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)用來(lái)將一個(gè)元件與另一個(gè)元件區(qū)分開(kāi)來(lái)。例如，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的范圍的情況下，第一元件可以被命名為第二元件，類似的，第二元件可以被命名為第一元件。如在這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任意和所有組合。

將理解的是，當(dāng)元件被稱為“連接”或“結(jié)合”到另一元件時(shí)，該元件可以直接連接或直接結(jié)合到所述另一元件，或者可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接連接”或“直接結(jié)合”到另一元件時(shí)，不存在中間元件。應(yīng)當(dāng)以類似的方式解釋用于描述元件之間的關(guān)系的其它詞語(yǔ)(例如，“…之間”與“直接…之間”、“相鄰”與“直接相鄰”等)。

這里使用的術(shù)語(yǔ)是為了描述具體的示例性實(shí)施例的目的，而不意圖對(duì)本發(fā)明構(gòu)思進(jìn)行限制。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式的“一個(gè)(種、者)”和“所述(該)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在這里使用術(shù)語(yǔ)“包含”、“包括”和/或其變型時(shí)，說(shuō)明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與該發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非這里明確這樣定義，否則術(shù)語(yǔ)(例如，在通用的字典中定義的術(shù)語(yǔ))應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境中它們的意思一致的意思，而將不以理想的或過(guò)于形式化的含義來(lái)解釋。

圖1是示出根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的移動(dòng)裝置的圖。

參照?qǐng)D1，移動(dòng)裝置10包括近場(chǎng)通信(NFC)裝置20。移動(dòng)裝置10中包括的NFC裝置20通過(guò)NFC與外部NFC裝置30(例如，NFC讀卡器或NFC卡)通信。

例如，NFC裝置20可以交替地執(zhí)行檢測(cè)NFC卡是否在NFC裝置20附近的操作以及檢測(cè)NFC讀卡器是否在NFC裝置20附近的操作。

當(dāng)NFC裝置20檢測(cè)到NFC讀卡器在NFC裝置20附近時(shí)，NFC裝置20可以在卡模式下操作，其中NFC裝置20用作卡。在卡模式下，NFC裝置20可以基于從NFC讀卡器發(fā)射的電磁波EMW與NFC讀卡器進(jìn)行數(shù)據(jù)通信。

當(dāng)NFC裝置20檢測(cè)到NFC卡在NFC裝置20附近時(shí)，NFC裝置20可以在讀卡器模式下操作，其中NFC裝置20用作讀卡器。在讀卡器模式下，NFC裝置20可以發(fā)射電磁波EMW以與NFC卡進(jìn)行數(shù)據(jù)通信。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，移動(dòng)裝置10可以是諸如蜂窩電話、智能電話、平板計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式多媒體播放器(PMP)、數(shù)碼相機(jī)、音樂(lè)播放器、便攜式游戲控制臺(tái)、導(dǎo)航系統(tǒng)等的移動(dòng)裝置。在其它示例性實(shí)施例中，移動(dòng)裝置10可以是諸如智能手表、腕帶型電子裝置、頸帶型電子裝置、眼鏡型電子裝置等的可穿戴電子裝置。

圖2是示出根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的近場(chǎng)通信(NFC)裝置的框圖。

圖1的移動(dòng)裝置10中包括的NFC裝置20可以實(shí)現(xiàn)為圖2的NFC裝置20。

參照?qǐng)D2，NFC裝置20可以包括NFC天線100、匹配電路200和NFC芯片300。

NFC天線100可以包括第一天線電極AED1和第二天線電極AED2。NFC天線100可以通過(guò)第一天線電極AED1和第二天線電極AED2結(jié)合到匹配電路200。NFC天線100還可以包括可以結(jié)合在第一天線電極AED1與第二天 線電極AED2之間的回路線圈，回路線圈包括多匝。

大體上，根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的NFC天線可以形成在基底的一個(gè)表面上。即，NFC天線100中包括的第一天線電極AED1、第二天線電極AED2和回路線圈可以全部形成在基底的第一表面上，回路線圈的兩端可以在基底的第一表面上分別直接結(jié)合到第一天線電極AED1和第二天線電極AED2。

匹配電路200可以結(jié)合在NFC天線100與NFC芯片300之間。匹配電路200在NFC天線100與NFC芯片300之間執(zhí)行阻抗匹配。匹配電路200可以包括與NFC天線100一起形成諧振電路的電容器?？梢曰谄ヅ潆娐?00中包括的電容器的電容來(lái)將NFC裝置20的諧振頻率調(diào)整到期望的頻率(例如，13.56MHz)。

在讀卡器模式下，NFC芯片300可以產(chǎn)生發(fā)送信號(hào)并且通過(guò)匹配電路200將發(fā)送信號(hào)提供到NFC天線100。NFC天線100可以基于發(fā)送信號(hào)發(fā)射電磁波以與外部NFC卡進(jìn)行數(shù)據(jù)通信。因?yàn)橥獠縉FC卡包括諧振電路，并且諧振電路包括具有電感器的天線和諧振電容器，所以在NFC天線100發(fā)射電磁波EMW的同時(shí)，可以在NFC天線100與NFC裝置20附近的外部NFC卡之間發(fā)生互感。因此，外部NFC卡可以通過(guò)對(duì)由互感產(chǎn)生的信號(hào)進(jìn)行解調(diào)來(lái)接收發(fā)送信號(hào)。

在卡模式下，因?yàn)橥ㄟ^(guò)從外部NFC讀卡器發(fā)射的電磁波EMW而在NFC天線100與外部NFC讀卡器之間發(fā)生互感，所以NFC天線100可以經(jīng)匹配電路200向NFC芯片300提供天線電壓，其中，通過(guò)互感在第一天線電極AED1與第二天線電極AED2產(chǎn)生天線電壓。NFC芯片300可以通過(guò)對(duì)天線電壓進(jìn)行解調(diào)來(lái)接收從外部NFC讀卡器發(fā)送的數(shù)據(jù)。

圖3和圖4是示出圖2的NFC裝置中包括的NFC天線的示例的圖。

參照?qǐng)D3和圖4，NFC天線100a可以形成在基底110上。

NFC天線100a可以包括形成在基底110的第一表面(例如，上表面)上的第一天線電極AED1、第二天線電極AED2和回路線圈120。第一天線電極AED1和第二天線電極AED2可以彼此分隔開(kāi)。另外，如圖3和圖4中示出的，第一天線電極AED1和第二天線電極AED2可以形成在基底110的第一表面上，使得穿過(guò)第一天線電極AED1和第二天線電極AED2的假想線IL平行于基底110的邊緣中的一個(gè)。

回路線圈120可以包括多匝?；芈肪€圈120可以在基底110的第一表面上直接結(jié)合在第一天線電極AED1與第二天線電極AED2之間?；芈肪€圈120的多匝可以彼此不疊置。在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，回路線圈120可以由諸如銅、銀、鋁等的具有高導(dǎo)電率的任意金屬材料形成。

在圖3中，回路線圈120示出為包括兩匝。在圖4中，回路線圈120示出為包括五匝。然而，示例性實(shí)施例不限于此，回路線圈120可以包括大于兩匝。

如圖3和圖4中示出的，第一天線電極AED1可以位于回路線圈120的多匝中的每匝的內(nèi)部，第二天線電極AED2可以位于回路線圈120的多匝中的每匝的外部。

即，回路線圈120的多匝可以形成為在第一天線電極AED1與第二天線電極AED2之間經(jīng)過(guò)。因此，回路線圈120的第一端可以直接結(jié)合到在回路線圈120的多匝內(nèi)部的第一天線電極AED1，回路線圈120的第二端可以直接結(jié)合到在回路線圈120的多匝外部的第二天線電極AED2。

在圖3和圖4中，回路線圈120的多匝中的每匝示出為具有矩形形狀。然而，示例性實(shí)施例不限于此，回路線圈120的多匝中的每匝可以具有圓形形狀、橢圓形形狀或任意其它形狀。

在根據(jù)示例性實(shí)施例的NFC天線100a中，回路線圈120的多匝可以形成為在第一天線電極AED1與第二天線電極AED2之間經(jīng)過(guò)，使得第一天線電極AED1可以位于回路線圈120的多匝中的每匝的內(nèi)部，第二天線電極AED2可以位于回路線圈120的多匝中的每匝的外部。因此，回路線圈120的兩端可以在基底110的第一表面上分別直接結(jié)合到第一天線電極AED1和第二天線電極AED2，同時(shí)回路線圈120的多匝可以彼此不疊置。

如上所述，因?yàn)楦鶕?jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的NFC天線100a形成在基底110的一個(gè)表面上，所以可以降低NFC天線100a的制造成本，可以提高NFC天線100a的成品率，并且可以減小NFC天線100a的厚度。

圖5是示出根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的其上形成有天線的基底的圖。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，基底110可以對(duì)應(yīng)于印刷電路板(PCB)。在其它示例性實(shí)施例中，基底110可以對(duì)應(yīng)于柔性印刷電路板(FPCB)。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，如圖5中示出的，NFC天線100a還可以包括設(shè)置在基底110的第二表面(例如，下表面)下方的磁片160。第二表面與其上形成有第一天線電極AED1、第二天線電極AED2和回路線圈120的基底110的第一表面的相反表面對(duì)應(yīng)。即，磁片160可以設(shè)置在與回路線圈120發(fā)射電磁波EMW的方向相反的方向上。磁片160可以通過(guò)防止用于NFC的磁場(chǎng)由于在基底110處的磁場(chǎng)的改變?cè)斐傻臏u流而減小來(lái)提高回路線圈120的磁場(chǎng)輻射效率。例如，磁片160可以是鐵氧體片或磁電介質(zhì)材料(MDM)片。

圖6是示出圖2的NFC裝置的示例的框圖。

參照?qǐng)D6，NFC裝置20a可以包括NFC天線100a、匹配電路200a和NFC芯片300a。

圖6的NFC裝置20a中包括的NFC天線100a可以用圖3和圖4的NFC天線100a來(lái)實(shí)現(xiàn)。

在圖6中，呈現(xiàn)了NFC天線100a，作為圖3和圖4的NFC天線100a的等效電路。即，NFC天線100a中包括的回路線圈120表示為圖6中的電感器LL。

匹配電路200a可以結(jié)合在NFC天線100a與NFC芯片300a之間。例如，匹配電路200a可以通過(guò)第一天線電極AED1和第二天線電極AED2結(jié)合到NFC天線100a，并且通過(guò)第一發(fā)送電極TX1和第二發(fā)送電極TX2結(jié)合到NFC芯片300a。匹配電路200a可以執(zhí)行NFC天線100a與NFC芯片300a之間的阻抗匹配。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，匹配電路200a可以包括第一電容器C1、第二電容器C2和第三電容器C3。第一電容器C1可以結(jié)合在第一天線電極AED1與第二天線電極AED2之間。第一電容器C1可以與NFC天線100a中包括的回路線圈120一起形成諧振電路?？梢酝ㄟ^(guò)控制第一電容器C1的電容來(lái)將NFC裝置20a的諧振頻率調(diào)整為期望的頻率(例如，13.56MHz)。第二電容器C2可以結(jié)合在第一天線電極AED1與第一發(fā)送電極TX1之間。第三電容器C3可以結(jié)合在第二天線電極AED2與第二發(fā)送電極TX2之間。然而，圖6的匹配電路200a僅是示例。根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，匹配電路200a可以以各種結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)以便在NFC天線100a與NFC芯片300a之間執(zhí)行阻抗匹配。

NFC芯片300a可以包括中央處理單元(CPU)310、存儲(chǔ)器裝置320、第一調(diào)制器331、振蕩器333、混頻器(mixer)335和發(fā)送電路330。

當(dāng)NFC芯片300a在讀卡器模式下執(zhí)行發(fā)送操作時(shí)，CPU 310可以從存儲(chǔ)器裝置320讀出輸出數(shù)據(jù)TD以將輸出數(shù)據(jù)TD提供到第一調(diào)制器331，第一調(diào)制器331可以對(duì)輸出數(shù)據(jù)TD進(jìn)行調(diào)制以產(chǎn)生調(diào)制信號(hào)MS，振蕩器333可以產(chǎn)生具有載波頻率(例如，13.56MHz)的載波信號(hào)CW，混頻器335可以通過(guò)合成載波信號(hào)CW和調(diào)制信號(hào)MS來(lái)產(chǎn)生發(fā)送調(diào)制信號(hào)TMS。

發(fā)送電路330可以結(jié)合在電源電壓VDD和接地電壓GND之間。

發(fā)送電路330可以經(jīng)第一發(fā)送電極TX1和第二發(fā)送電極TX2輸出與從混頻器355接收到的發(fā)送調(diào)制信號(hào)TMS對(duì)應(yīng)的發(fā)送信號(hào)TS。NFC天線100a可以基于發(fā)送信號(hào)TS發(fā)射電磁波EMW。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，發(fā)送電路330可以通過(guò)基于發(fā)送調(diào)制信號(hào)TMS使第一發(fā)送電極TX1和第二發(fā)送電極TX2經(jīng)上拉負(fù)載連接到電源電壓VDD或者經(jīng)下拉負(fù)載連接到接地電壓GND，來(lái)經(jīng)第一發(fā)送電極TX1和第二發(fā)送電極TX2輸出與發(fā)送調(diào)制信號(hào)TMS對(duì)應(yīng)的發(fā)送信號(hào)TS。

例如，發(fā)送電路330可以基于發(fā)送調(diào)制信號(hào)TMS使第一發(fā)送電極TX1經(jīng)上拉負(fù)載連接到電源電壓VDD并且使第二發(fā)送電極TX2經(jīng)下拉負(fù)載連接到接地電壓GND，或者使第一發(fā)送電極TX1經(jīng)下拉負(fù)載連接到接地電壓GND并且使第二發(fā)送電極TX2經(jīng)上拉負(fù)載連接到電源電壓VDD，從而經(jīng)第一發(fā)送電極TX1和第二發(fā)送電極TX2輸出與發(fā)送調(diào)制信號(hào)TMS對(duì)應(yīng)的發(fā)送信號(hào)TS。

當(dāng)發(fā)送電路330使第一發(fā)送電極TX1經(jīng)上拉負(fù)載連接到電源電壓VDD并且使第二發(fā)送電極TX2經(jīng)下拉負(fù)載連接到接地電壓GND時(shí)，可以從電源電壓VDD產(chǎn)生輸出電流，經(jīng)第一發(fā)送電極TX1提供到匹配電路200a和NFC天線100a，并且經(jīng)第二發(fā)送電極TX2降至接地電壓GND。

當(dāng)發(fā)送電路330使第一發(fā)送電極TX1經(jīng)下拉負(fù)載連接到接地電壓GND并且使第二發(fā)送電極TX2經(jīng)上拉負(fù)載連接到電源電壓VDD時(shí)，可以從電源電壓VDD產(chǎn)生輸出電流，經(jīng)第二發(fā)送電極TX2提供到匹配電路200a和NFC天線100a，并且經(jīng)第一發(fā)送電極TX1降至接地電壓GND。

圖7是示出圖6的NFC裝置中包括的發(fā)送電路的示例的框圖。

參照?qǐng)D7，發(fā)送電路330可以包括第一上拉晶體管MP0、第二上拉晶體 管MP1、第一下拉晶體管MN0、第二下拉晶體管MN1和驅(qū)動(dòng)電路337。

第一上拉晶體管MP0和第二上拉晶體管MP1可以是p型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管。第一下拉晶體管MN0和第二下拉晶體管MN1可以是n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管。

第一上拉晶體管MP0可以結(jié)合在電源電壓VDD與第一發(fā)送電極TX1之間，第一下拉晶體管MN0可以結(jié)合在第一發(fā)送電極TX1與接地電壓GND之間。

第二上拉晶體管MP1可以結(jié)合在電源電壓VDD與第二發(fā)送電極TX2之間，第二下拉晶體管MN1可以結(jié)合在第二發(fā)送電極TX2與接地電壓GND之間。

驅(qū)動(dòng)電路337可以使用第一上拉驅(qū)動(dòng)信號(hào)UDS0驅(qū)動(dòng)第一上拉晶體管MP0，使用第一下拉驅(qū)動(dòng)信號(hào)DDS0驅(qū)動(dòng)第一下拉晶體管MN0，使用第二上拉驅(qū)動(dòng)信號(hào)UDS1驅(qū)動(dòng)第二上拉晶體管MP1以及使用第二下拉驅(qū)動(dòng)信號(hào)DDS1驅(qū)動(dòng)第二下拉晶體管MN1。

驅(qū)動(dòng)電路337可以基于從混頻器335接收到的發(fā)送調(diào)制信號(hào)TMS使第一上拉晶體管MP0和第一下拉晶體管MN0中的一個(gè)導(dǎo)通并且使第二上拉晶體管MP1與第二下拉晶體管MN1中的一個(gè)導(dǎo)通。

例如，驅(qū)動(dòng)電路337可以基于發(fā)送調(diào)制信號(hào)TMS使第一上拉晶體管MP0和第二下拉晶體管MN1導(dǎo)通，使第二上拉晶體管MP1和第一下拉晶體管MN0截止，或者使第二上拉晶體管MP1和第一下拉晶體管MN0導(dǎo)通，使第一上拉晶體管MP0和第二下拉晶體管MN1截止，以便經(jīng)第一發(fā)送電極TX1和第二發(fā)送電極TX2輸出與發(fā)送調(diào)制信號(hào)TMS對(duì)應(yīng)的發(fā)送信號(hào)TS。

圖8是示出圖2的NFC裝置的示例的框圖。

參照?qǐng)D8，NFC裝置20b可以包括NFC天線100a、匹配電路200b和NFC芯片300b。

圖8的NFC裝置20b中包括的NFC天線100a可以與圖6的NFC裝置20a中包括的NFC天線100a相同。

匹配電路200b可以結(jié)合在NFC天線100a與NFC芯片300b之間。例如，匹配電路200b可以通過(guò)第一天線電極AED1和第二天線電極AED2結(jié)合到NFC天線100a，并且通過(guò)第一發(fā)送電極TX1、第二發(fā)送電極TX2和接收電極RX結(jié)合到NFC芯片300b。匹配電路200b可以執(zhí)行NFC天線100a與NFC 芯片300b之間的阻抗匹配。

與圖6的NFC裝置20a中包括的匹配電路200a相比，圖8的NFC裝置20b中包括的匹配電路200b還可以包括第四電容器C4。第四電容器C4可以結(jié)合在第一天線電極AED1與接收電極RX之間。根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，第四電容器C4可以結(jié)合在第二天線電極AED2與接收電極RX之間。然而，圖8中示出的匹配電極200b僅是示例。根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，匹配電路200b可以以各種結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)以便執(zhí)行NFC天線100a和NFC芯片300b之間的阻抗匹配。

與圖6的NFC裝置20a中包括的NFC芯片300a相比，圖8的NFC裝置20b中包括的NFC芯片300b還可以包括第一解調(diào)器340。

如上所述，在讀卡器模式下，NFC天線100a可以發(fā)射電磁波EMW以與外部NFC卡進(jìn)行數(shù)據(jù)通信。因?yàn)橥獠縉FC卡包括諧振電路，并且諧振電路包括具有電感組件的天線和諧振電容器，所以在NFC天線100a發(fā)射電磁波EMW的同時(shí)，可以在NFC天線100a與NFC裝置20b附近的外部NFC卡之間發(fā)生互感。因此，可以通過(guò)互感在第一天線電極AED1與第二天線電極AED2產(chǎn)生天線電壓。

天線電壓可以作為接收信號(hào)通過(guò)第四電容器C4和接收電極RX提供到NFC芯片300b。

當(dāng)NFC芯片300b在讀卡器模式下執(zhí)行接收操作時(shí)，第一解調(diào)器340可以通過(guò)對(duì)經(jīng)接收電極RX接收到的接收信號(hào)進(jìn)行解調(diào)來(lái)產(chǎn)生輸入數(shù)據(jù)，并將輸入數(shù)據(jù)提供到CPU 310。CPU 310可以將輸入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器裝置320中。

圖9是示出圖2的NFC裝置的示例的框圖。

參照?qǐng)D9，NFC裝置20c可以包括NFC天線100a、匹配電路200c和NFC芯片300c。

圖9的NFC裝置20c中包括的NFC天線100a可以與圖6的NFC裝置20a中包括的NFC天線100a相同。

匹配電路200c可以結(jié)合在NFC天線100a與NFC芯片300c之間。例如，匹配電路200c可以通過(guò)第一天線電極AED1和第二天線電極AED2結(jié)合到NFC天線100a，并且通過(guò)第一發(fā)送電極TX1、第二發(fā)送電極TX2、接收電極RX、第一電力電極L1和第二電力電極L2結(jié)合到NFC芯片300c。匹配電路 200c可以執(zhí)行NFC天線100a和NFC芯片300c之間的阻抗匹配。

與圖8的NFC裝置20b中包括的匹配電路200b相比，圖9的NFC裝置20c中包括的匹配電路200c還可以包括第五電容器C5和第六電容器C6。第五電容器C5可以結(jié)合在第一天線電極AED1與第一電力電極L1之間。第六電容器C6可以結(jié)合在第二天線電極AED2與第二電力電極L2之間。然而，圖9中示出的匹配電路200c僅是示例。根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，匹配電路200c可以以各種結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，以便執(zhí)行NFC天線100a和NFC芯片300c之間的阻抗匹配。

與圖8的NFC裝置20b中包括的NFC芯片300b相比，圖9的NFC裝置20c中包括的NFC芯片300c還可以包括整流器351、調(diào)整器(regulator)353、電力開(kāi)關(guān)357、第二解調(diào)器360和第二調(diào)制器370。

如上所述，在卡模式下，NFC裝置20c可以使用由外部NFC讀卡器發(fā)射的電磁波EMW與外部NFC讀卡器通信。即，可以基于由外部NFC讀卡器發(fā)射的電磁波EMW在NFC天線100a與外部NFC讀卡器之間發(fā)生互感。因此，可以通過(guò)互感在第一天線電極AED1與第二天線電極AED2產(chǎn)生天線電壓VAN。

天線電壓VAN可以分別通過(guò)第五電容器C5和第六電容器C6傳遞到第一電力電極L1和第二電力電極L2。

整流器351可以通過(guò)對(duì)經(jīng)第一電力電極L1和第二電力電極L2接收到的天線電壓VAN進(jìn)行整流來(lái)產(chǎn)生第一電壓V1(它是直流電壓)。

調(diào)整器353可以使用第一電壓V1產(chǎn)生具有在NFC芯片300c中可使用的預(yù)定大小的電壓電平的內(nèi)部電壓VINT。

CPU 310可以控制NFC芯片300c的全部操作。可以使用由諸如電池的電源提供的電源電壓VDD來(lái)操作CPU 310。另外，CPU 310可以經(jīng)電力開(kāi)關(guān)357從調(diào)整器353接收內(nèi)部電壓VINT。當(dāng)電源電壓VDD等于或高于預(yù)定電壓電平時(shí)，CPU 310可以使用電源電壓VDD來(lái)操作，并且禁用開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SCS以斷開(kāi)電力開(kāi)關(guān)357。當(dāng)電源電壓VDD低于預(yù)定電壓電平時(shí)，CPU 310可以啟用開(kāi)關(guān)控制信號(hào)SCS以接通電力開(kāi)關(guān)357，使得CPU 310可以使用由調(diào)整器353提供的內(nèi)部電壓VINT來(lái)操作。

當(dāng)NFC芯片300c在卡模式下執(zhí)行接收操作時(shí)，第二解調(diào)器360可以通過(guò)對(duì)經(jīng)第一電力電極L1和第二電力電極L2接收到的信號(hào)進(jìn)行解調(diào)來(lái)產(chǎn)生輸 入數(shù)據(jù)，并且將輸入數(shù)據(jù)提供到CPU 310。CPU 310可以將輸入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器裝置320中。

當(dāng)NFC芯片300c在卡模式下執(zhí)行發(fā)送操作時(shí)，CPU 310可以從存儲(chǔ)器裝置320讀出輸出數(shù)據(jù)以將輸出數(shù)據(jù)提供到第二調(diào)制器370，第二調(diào)制器370可以對(duì)輸出數(shù)據(jù)進(jìn)行調(diào)制以經(jīng)第一電力電極L1和第二電力電極L2輸出調(diào)制信號(hào)。例如，第二調(diào)制器370可以通過(guò)對(duì)輸出數(shù)據(jù)執(zhí)行負(fù)載調(diào)制來(lái)產(chǎn)生調(diào)制信號(hào)。NFC天線100a可以通過(guò)基于調(diào)制信號(hào)與外部NFC讀卡器發(fā)生互感來(lái)將輸出數(shù)據(jù)發(fā)送到外部NFC讀卡器。

圖10是示出圖2的NFC裝置中包括的NFC天線的示例的圖。

參照?qǐng)D10，NFC天線100b可以形成在基底110上。

NFC天線100b可以包括形成在基底110的第一表面(例如，上表面)上的第一天線電極AED1、第二天線電極AED2、回路線圈120和諧振線圈130。

圖10的NFC天線100b中包括的第一天線電極AED1、第二天線電極AED2和回路線圈120可以與圖3和圖4的NFC天線100a中包括的第一天線電極AED1、第二天線電極AED2和回路線圈120相同。因此，除了NFC天線100b還包括諧振線圈130之外，圖10的NFC天線100b可以與圖3和圖4的NFC天線100a相同。

盡管在圖10中，NFC天線100b中包括的回路線圈120示出為具有兩匝，但是示例性實(shí)施例不限于此，如上面參照?qǐng)D3和圖4描述的。根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，回路線圈120可以包括大于兩匝。

諧振線圈130可以包括多匝。另外，諧振線圈130可以形成為與回路線圈120、第一天線電極AED1和第二天線電極AED2物理地分離。在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，諧振線圈130可以由諸如銅、銀、鋁等的具有高導(dǎo)電率的任意金屬材料形成。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，諧振線圈130可以位于回路線圈120內(nèi)部。例如，如圖10中示出的，諧振線圈130可以位于回路線圈120的多匝的最內(nèi)匝內(nèi)部。

因?yàn)榧纳娙萜餍纬稍谥C振線圈130的多匝中的各匝之間，所以諧振線圈130可以表示為包括電感器以及并聯(lián)地結(jié)合到電感器的電容器的等效電路。因此，諧振線圈130可以形成為包括合適的匝數(shù)，使得諧振線圈130的 自諧振頻率可以對(duì)應(yīng)于13.56MHz。

因?yàn)橹C振線圈130與回路線圈120物理地分離開(kāi)，所以諧振線圈130可以不從回路線圈120接收電信號(hào)。然而，諧振線圈130可以與回路線圈120磁結(jié)合。因此，諧振線圈130可以基于從回路線圈120接收到的電磁波EMW發(fā)射電磁波。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，諧振線圈130的諧振頻率可以與回路線圈120的諧振頻率基本相同，使得諧振線圈130可以從由回路線圈120發(fā)射的電磁波EMW有效地接收電力。例如，諧振線圈130的諧振頻率和回路線圈120的諧振頻率可以對(duì)應(yīng)于13.56MHz。

另外，諧振線圈130可以與回路線圈120相鄰地設(shè)置，使得諧振線圈130可以從由回路線圈120發(fā)射的電磁波EMW有效地接收電力。例如，回路線圈120的多匝的最內(nèi)匝與諧振線圈130的多匝的最外匝之間的距離LLD1可以小于2mm。

在圖10中，諧振線圈130的多匝中的每匝示出為具有矩形形狀。然而，示例性實(shí)施例不限于此，諧振線圈130的多匝中的每匝可以具有圓形形狀、橢圓形形狀或任意其它形狀。

如上面參照?qǐng)D3、圖4和圖10所述，因?yàn)镹FC天線100b形成在基底110的一個(gè)表面上，所以可以降低NFC天線100b的制造成本，可以提高NFC天線100b的成品率，并可以減小NFC天線100b的厚度。

另外，根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的NFC天線100b可以通過(guò)回路線圈120發(fā)射電磁波EMW，并且通過(guò)與回路線圈120磁結(jié)合的諧振線圈130另外地發(fā)射電磁波EMW。因?yàn)橹C振線圈130與匹配電路200物理地分離，所以諧振線圈130可以具有相對(duì)高的Q因數(shù)(品質(zhì)因數(shù))。因此，由諧振線圈130發(fā)射的電磁波EMW的強(qiáng)度可以相對(duì)高。這樣，當(dāng)圖2的NFC裝置20實(shí)現(xiàn)為包括圖10的NFC天線100b時(shí)，可以有效地增大NFC裝置20的通信范圍。

圖11是示出圖2的NFC裝置的示例的框圖。

參照?qǐng)D11，NFC裝置20d可以包括NFC天線100b、匹配電路200和NFC芯片300。

圖11的NFC裝置20d中包括的NFC天線100b可以用圖10的NFC天線100b來(lái)實(shí)現(xiàn)。

在圖11中，可以呈現(xiàn)出NFC天線100b，作為圖10的NFC天線100b的等效電路。即，NFC天線100b中包括的回路線圈120可以表示為圖11中的電感器LL，NFC天線100b中包括的諧振線圈130可以表示為圖11中的電感器LR1和并聯(lián)地結(jié)合到電感器LR1的電容器CP。

圖11的NFC裝置20d中包括的匹配電路200和NFC芯片300可以用圖6的NFC裝置20a中包括的匹配電路200a和NFC芯片300a、圖8的NFC裝置20b中包括的匹配電路200b和NFC芯片300b或者圖9的NFC裝置20c中包括的匹配電路200c和NFC芯片300c來(lái)實(shí)現(xiàn)。

如上面參照?qǐng)D10和圖11描述的，NFC裝置20d中包括的NFC天線100b可以通過(guò)回路線圈120發(fā)射電磁波EMW，并且通過(guò)與回路線圈120磁結(jié)合的諧振線圈130另外地發(fā)射電磁波EMW。因?yàn)橹C振線圈130與匹配電路200物理地分離，所以諧振線圈130可以具有相對(duì)高的Q因數(shù)(品質(zhì)因數(shù))。因此，由諧振線圈130發(fā)射的電磁波EMW的強(qiáng)度可以相對(duì)高。這樣，可以有效地增大NFC裝置20d的通信范圍。

圖12是示出圖2的NFC裝置中包括的NFC天線的示例的圖。

參照?qǐng)D12，NFC天線100c可以形成在基底110上。

NFC天線100c可以包括形成在基底110的第一表面(例如，上表面)上的第一天線電極AED1、第二天線電極AED2、回路線圈120、諧振線圈140和諧振電容器150。

圖12的NFC天線100c中包括的第一天線電極AED1、第二天線電極AED2和回路線圈120可以與圖3和圖4的NFC天線100a中包括的第一天線電極AED1、第二天線電極AED2和回路線圈120相同。因此，除了NFC天線100c還包括諧振線圈140和諧振電容器150之外，圖12的NFC天線100c可以與圖3和圖4的NFC天線100a相同。

盡管在圖12中，NFC天線100c中包括的回路線圈120示出為具有兩匝，但是示例性實(shí)施例不限于此，如上面參照?qǐng)D3和圖4描述的。根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，回路線圈120可以包括大于兩匝。

諧振線圈140可以包括一匝。另外，諧振線圈140可以形成為與回路線圈120、第一天線電極AED1和第二天線電極AED2物理地分離。在一些示例性實(shí)施例中，諧振線圈140可以由諸如銅、銀、鋁等的具有高導(dǎo)電率的任意金屬材料形成。

諧振電容器150可以結(jié)合在諧振線圈140的兩端之間。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，諧振線圈140和諧振電容器150可以位于回路線圈120內(nèi)部。例如，如圖12中示出的，諧振線圈140和諧振電容器150可以位于回路線圈120的多匝的最內(nèi)匝內(nèi)部。

因?yàn)橹C振線圈140和諧振電容器150并聯(lián)結(jié)合在一起，所以諧振線圈140和諧振電容器150可以形成諧振電路?？梢哉{(diào)整諧振電容器150的電容，使得諧振電路的諧振頻率可以對(duì)應(yīng)于13.56MHz。

因?yàn)橹C振線圈140與回路線圈120物理地分離，所以諧振線圈140可以不從回路線圈120接收電信號(hào)。然而，由諧振線圈140和諧振電容器150形成的諧振電路可以與回路線圈120磁結(jié)合。因此，諧振線圈140可以基于從回路線圈120接收到的電磁波EMW發(fā)射電磁波。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，諧振電路的諧振頻率可以與回路線圈120的諧振頻率基本相同，使得諧振線圈140可以從由回路線圈120發(fā)射的電磁波EMW有效地接收電力。例如，諧振電路的諧振頻率和回路線圈120的諧振頻率可以對(duì)應(yīng)于13.56MHz。

另外，諧振線圈140可以與回路線圈120相鄰地設(shè)置，使得諧振線圈140可以從由回路線圈120發(fā)射的電磁波EMW有效地接收電力。例如，回路線圈120的多匝的最內(nèi)匝與諧振線圈140之間的距離LLD2可以小于2mm。

在圖12中，諧振線圈140的多匝中的每匝示出為具有矩形形狀。然而，示例性實(shí)施例不限于此，諧振線圈140的多匝中的每匝可以具有圓形形狀、橢圓形形狀或任意其它形狀。

如上面參照?qǐng)D3、圖4和圖12所述，因?yàn)楦鶕?jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的NFC天線100c形成在基底110的一個(gè)表面上，所以可以降低NFC天線100c的制造成本，可以提高NFC天線100c的成品率，并可以減小NFC天線100c的厚度。

另外，根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例的NFC天線100c可以通過(guò)回路線圈120發(fā)射電磁波EMW，并且通過(guò)與回路線圈120磁結(jié)合的諧振線圈140另外地發(fā)射電磁波EMW。因?yàn)橹C振線圈140與匹配電路200物理地分離，所以諧振線圈140可以具有相對(duì)高的Q因數(shù)(品質(zhì)因數(shù))。因此，由諧振線圈140發(fā)射的電磁波EMW的強(qiáng)度可以相對(duì)高。這樣，當(dāng)圖2的NFC裝置20實(shí)現(xiàn)為包括圖12的NFC天線100c時(shí)，可以有效地增大NFC裝置20的通信 范圍。

另外，雖然NFC天線100b中包括的諧振線圈130包括多匝使得諧振線圈130的自諧振頻率可以對(duì)應(yīng)于13.56MHz，但NFC天線100c中包括的諧振線圈140可以包括一匝，由諧振線圈140和諧振電容器150形成的諧振電路的諧振頻率可以通過(guò)調(diào)整諧振電容器150的電容而設(shè)定為13.56MHz。

圖13是示出圖2的NFC裝置的示例的框圖。

參照?qǐng)D13，NFC裝置20e可以包括NFC天線100c、匹配電路200和NFC芯片300。

圖13的NFC裝置20e中包括的NFC天線100c可以用圖12的NFC天線100c來(lái)實(shí)現(xiàn)。

在圖13中，可以呈現(xiàn)出NFC天線100c，作為圖12的NFC天線100c的等效電路。即，NFC天線100c中包括的回路線圈120可以表示為圖13中的電感器LL，NFC天線100c中包括的諧振線圈140可以表示為圖13中的電感器LR2，NFC天線100c中包括的諧振電容器150可以表示為圖13中的電容器CC。

圖13的NFC裝置20e中包括的匹配電路200和NFC芯片300可以用圖6的NFC裝置20a中包括的匹配電路200a和NFC芯片300a、圖8的NFC裝置20b中包括的匹配電路200b和NFC芯片300b或者圖9的NFC裝置20c中包括的匹配電路200c和NFC芯片300c來(lái)實(shí)現(xiàn)。

如上面參照?qǐng)D12和圖13描述的，NFC裝置20e中包括的NFC天線100c可以通過(guò)回路線圈120發(fā)射電磁波EMW，并且通過(guò)與回路線圈120磁結(jié)合的諧振線圈140另外地發(fā)射電磁波EMW。因?yàn)橹C振線圈140與匹配電路200物理地分離，所以諧振線圈140可以具有相對(duì)高的Q因數(shù)(品質(zhì)因數(shù))。因此，由諧振線圈140發(fā)射的電磁波EMW的強(qiáng)度可以相對(duì)高。這樣，可以有效地增大NFC裝置20e的通信范圍。

圖14和圖15是示出圖2的NFC裝置中包括的NFC天線安裝在移動(dòng)裝置中的示例的圖。

在圖14中，示出了移動(dòng)裝置10的沒(méi)有背側(cè)蓋的背側(cè)。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，如圖14中示出的，NFC天線100可以安裝在移動(dòng)裝置10的電池(電池組)11上。

NFC裝置20中包括的匹配電路200和NFC芯片300可以設(shè)置在移動(dòng)裝 置10的主體的內(nèi)部。

NFC天線100的第一天線電極AED1和第二天線電極AED2可以通過(guò)電池11結(jié)合到移動(dòng)裝置10的主體所用的電極來(lái)電連接到匹配電路200。

NFC天線100的第一天線電極AED1和第二天線電極AED2可以彼此靠近地設(shè)置。例如，如圖14中示出的，當(dāng)包括NFC天線100的基底110安裝在移動(dòng)裝置10的電池11上時(shí)，第一天線電極AED1與第二天線電極AED2之間的距離可以不超過(guò)10mm，例如，在2mm到10mm的范圍中。

在圖15中，示出了移動(dòng)裝置10的背側(cè)蓋13和移動(dòng)裝置10的沒(méi)有背側(cè)蓋13的背側(cè)。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，如圖15中示出的，NFC天線100可以安裝在移動(dòng)裝置10的背側(cè)蓋13的內(nèi)表面上。

NFC裝置20中包括的匹配電路200和NFC芯片300可以設(shè)置在移動(dòng)裝置10的主體的內(nèi)部。另外，如圖15中示出的，結(jié)合到匹配電路200的第一電極15和第二電極17可以形成在移動(dòng)裝置10的背側(cè)上。

NFC天線100的第一天線電極AED1和第二天線電極AED2可以彼此靠近地設(shè)置。例如，如圖15中示出的，當(dāng)包括NFC天線100的基底110安裝在移動(dòng)裝置10的背側(cè)蓋13的內(nèi)表面上時(shí)，第一天線電極AED1與第二天線電極AED2之間的距離可以不超過(guò)20mm，例如，在2mm到20mm的范圍中。

當(dāng)背側(cè)蓋13附著到移動(dòng)裝置10的背側(cè)時(shí)，NFC天線100的第一天線電極AED1和第二天線電極AED2可以分別電連接到第一電極15和第二電極17。因此，NFC天線100的第一天線電極AED1和第二天線電極AED2可以分別通過(guò)第一電極15和第二電極17電連接到匹配電路200。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，NFC天線100可以安裝在移動(dòng)裝置10的機(jī)身框架的內(nèi)表面上。在這種情況下，第一天線電極AED1與第二天線電極AED2之間的距離可以在1mm至20mm的范圍中。

圖16是示出根據(jù)示例性實(shí)施例的移動(dòng)系統(tǒng)的框圖。

參照?qǐng)D16，移動(dòng)系統(tǒng)1000包括應(yīng)用處理器AP 1100、NFC裝置1200、存儲(chǔ)器裝置1300、用戶接口1400和電源1500。應(yīng)用處理器1100、NFC裝置1200、存儲(chǔ)器裝置1300、用戶接口1400和電源1500可以通過(guò)內(nèi)部總線1001結(jié)合在一起。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，移動(dòng)系統(tǒng)1000可以是例如移動(dòng)電話、 智能電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式多媒體播放器(PMP)、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)、音樂(lè)播放器、便攜式游戲控制臺(tái)、導(dǎo)航系統(tǒng)等。

應(yīng)用處理器1100控制移動(dòng)系統(tǒng)1000的全部操作。應(yīng)用處理器1100可以執(zhí)行諸如網(wǎng)頁(yè)瀏覽器、游戲應(yīng)用、視頻播放器等的應(yīng)用。在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，應(yīng)用處理器1100可以包括單核或多核。例如，應(yīng)用處理器1100可以是諸如雙核處理器、四核處理器、六核處理器等的多核處理器。應(yīng)用處理器1100可以包括內(nèi)部高速緩沖存儲(chǔ)器或外部高速緩沖存儲(chǔ)器。

存儲(chǔ)器裝置1300存儲(chǔ)各種數(shù)據(jù)。例如，存儲(chǔ)器裝置1300可以存儲(chǔ)將要發(fā)送到外部裝置的輸出數(shù)據(jù)以及從外部裝置接收的輸入數(shù)據(jù)。在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，存儲(chǔ)裝置1300可以是電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、閃存、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)、電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、納米浮柵存儲(chǔ)器(NFGM)、聚合物隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PoRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)等。

NFC裝置1200通過(guò)NFC將存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器裝置1300中的輸出數(shù)據(jù)發(fā)送到外部裝置。NFC裝置1200通過(guò)NFC從外部裝置接收輸入數(shù)據(jù)并且將輸入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器裝置1300中。

NFC裝置1200包括NFC天線1210、匹配電路1220和NFC芯片1230。

NFC裝置1200可以用圖2的NFC裝置20實(shí)現(xiàn)。

用戶接口1400可以包括諸如小鍵盤(pán)、觸摸屏等的至少一種輸入裝置以及諸如揚(yáng)聲器、顯示裝置等的至少一種輸出裝置。電源1500可以將電源電壓供應(yīng)到移動(dòng)系統(tǒng)1000。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，移動(dòng)系統(tǒng)1000還可以包括圖像處理器和/或諸如存儲(chǔ)器卡、固態(tài)硬盤(pán)(SSD)等的存儲(chǔ)裝置。

在一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例中，移動(dòng)系統(tǒng)1000和/或移動(dòng)系統(tǒng)1000的組件可以封裝成各種形式，諸如封裝上封裝(POP)、球柵陣列(BGA)、芯片級(jí)封裝(CSP)、塑料有引線芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插式封裝(PDIP)、窩伏爾組件中裸片(die in waffle pack)、晶片形式的裸片(die in wafer form)、板上芯片(COB)、陶瓷雙列直插式封裝(CERDIP)、塑料公制四方扁平封裝(MQFP)、薄型四方扁平封裝(TQFP)、小外形IC(SOIC)、緊縮型小外形封裝(SSOP)、薄型小外形封裝(TSOP)、系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶圓級(jí)制造的封裝(WFP)或晶圓級(jí)加工的堆疊封裝(WSP)。

前述是對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的舉例說(shuō)明，并且不應(yīng)被解釋為對(duì)本發(fā)明構(gòu)思的限制。雖然已經(jīng)描述了一些示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易領(lǐng)會(huì)的是，在實(shí)質(zhì)上不脫離本發(fā)明構(gòu)思的新穎性教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，能夠?qū)γ枋龅氖纠詫?shí)施例做出許多修改。因此，所有這些修改都意圖包括在本發(fā)明構(gòu)思的范圍之內(nèi)。因此，將理解的是，前述是對(duì)各種示例性實(shí)施例的舉例說(shuō)明，而不應(yīng)被解釋為受限于所公開(kāi)的特定的示例性實(shí)施例，并且對(duì)所公開(kāi)的示例性實(shí)施例的修改及其它示例性實(shí)施例意圖包括在所附權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。