1.一種高磁場(chǎng)下微型潘寧離子源的引出結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置在潘寧離子源的陽(yáng)極筒(1)側(cè)面上的陽(yáng)極筒引出縫(4)和靠近所述陽(yáng)極筒引出縫(4)設(shè)置的引出電極(2)，所述引出電極(2)上的引出電極縫口(3)對(duì)應(yīng)所述陽(yáng)極筒引出縫(4)，當(dāng)所述引出電極(2)上加載高頻電壓后能夠通過(guò)所述電極縫口(3)將所述陽(yáng)極筒(1)內(nèi)的等離子體從所述陽(yáng)極筒引出縫(4)引出，其特征是：所述陽(yáng)極筒引出縫(4)設(shè)置在所述陽(yáng)極筒(1)的引出壁(5)上，所述引出壁(5)的厚度小于所述陽(yáng)極筒(1)的其他位置厚度；所述陽(yáng)極筒引出縫(4)長(zhǎng)6mm-10mm，寬0.5mm，設(shè)有特定角度的張角；所述電極縫口(3)長(zhǎng)6mm-10mm，寬0.5mm；所述陽(yáng)極筒引出縫(4)、電極縫口(3)的長(zhǎng)度保持一致。
2.如權(quán)利要求1所述的引出結(jié)構(gòu)，其特征是：所述張角為30度-45度。
3.如權(quán)利要求1所述的引出結(jié)構(gòu)，其特征是：所述引出壁(5)的厚度為0.12mm。
4.如權(quán)利要求1所述的引出結(jié)構(gòu)，其特征是：所述陽(yáng)極筒引出縫(4)與所述電極縫口(3)相距1.5mm。
5.如權(quán)利要求1所述的引出結(jié)構(gòu)，其特征是：所述陽(yáng)極筒(1)采用鎢銅合金制作。
6.如權(quán)利要求1所述的引出結(jié)構(gòu)，其特征是：所述引出電極(2)采用無(wú)氧銅制作。
7.如權(quán)利要求1所述的引出結(jié)構(gòu)，其特征是：所述引出電極(2)上加載的所述高頻電壓為14kV。