技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，特別是涉及一種具有導(dǎo)電柱的發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(Light-emitting Diode；LED)目前已經(jīng)廣泛地使用在光學(xué)顯示裝置、交通號志、數(shù)據(jù)儲存裝置、通訊裝置、照明裝置與醫(yī)療器材上。如圖11所示，LED具有一n型半導(dǎo)體層1104、一主動層1106與一p型半導(dǎo)體層1108依序形成于一基板1102之上，部分p型半導(dǎo)體層1108與主動層1106被移除以暴露部分n型半導(dǎo)體層1104，一p型電極a1與一n型電極a2分別形成于p型半導(dǎo)體層1108與n型半導(dǎo)體層1104之上。因為n型電極a2需要足夠的面積以利后續(xù)制作工藝進行，例如打線，所以大部分的主動層1106被移除，導(dǎo)致發(fā)光效率降低。

此外，上述的LED更可以進一步地與其他元件組合連接以形成一發(fā)光裝置(light-emitting apparatus)。圖12為現(xiàn)有的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖，如圖12所示，一發(fā)光裝置1200包含一具有至少一電路1204的次載體(sub-mount)1202；至少一焊料1206(solder)位于上述次載體1202上，通過此焊料1206將上述LED 1210粘結(jié)固定于次載體1202上并使LED 1210的基板1212與次載體1202上的電路1204形成電連接；以及，一電連接結(jié)構(gòu)1208，以電連接LED 1210的電極1214與次載體1202上的電路1204；其中，上述的次載體1202可以是導(dǎo)線架(lead frame)或大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate)，以便發(fā)光裝置12的電路規(guī)劃并提高其散熱效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明公開一種發(fā)光裝置，以解決上述問題。

為達上述目的，本發(fā)明提供一發(fā)光裝置具有一第一電極；一發(fā)光疊層位于第一電極之上；一第一接觸層位于發(fā)光疊層之上，其中第一接觸層具有一第一接觸鏈以及多個第一接觸線與第一接觸鏈連接；一第一導(dǎo)電柱位于發(fā)光疊層之中，且電連接第一電極與第一接觸層；以及一保護層介于第一導(dǎo)電柱與發(fā)光疊層之間。

附圖說明

圖1A-圖1E為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光裝置的制造流程圖；

圖1F為本發(fā)明圖1E所示的發(fā)光裝置的側(cè)視圖；

圖1G為本發(fā)明另一實施例的發(fā)光裝置的剖視圖；

圖2A為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光裝置的上視圖；

圖2B為本發(fā)明圖2A所示的發(fā)光裝置的剖視圖；

圖3為本發(fā)明第三實施例的發(fā)光裝置的剖視圖；

圖4為本發(fā)明第四實施例的發(fā)光裝置的剖視圖；

圖5為本發(fā)明第五實施例的發(fā)光裝置的剖視圖；

圖6為本發(fā)明第六實施例的發(fā)光裝置的剖視圖；

圖7為本發(fā)明第七實施例的發(fā)光裝置的剖視圖；

圖8A為本發(fā)明第八實施例的上視圖；

圖8B為本發(fā)明圖8A所示的發(fā)光裝置的剖視圖；

圖9A-圖9C為本發(fā)明第九實施例的發(fā)光裝置的制造流程圖；

圖9D為本發(fā)明圖9C所示的發(fā)光裝置的上視圖；

圖10為本發(fā)明第十實施例的發(fā)光裝置的剖視圖；

圖11為現(xiàn)有的LED的剖視圖；

圖12為現(xiàn)有的發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明一實施例的光源產(chǎn)生裝置的示意圖；

圖14為本發(fā)明一實施例的背光模塊的示意圖。

主要元件符號說明

1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、1200：發(fā)光裝置

10：成長基板

11：第一導(dǎo)電層

12：發(fā)光疊層

122：第一半導(dǎo)體層

124、1106：主動層(有源層)

126：第二半導(dǎo)體層

13：第二導(dǎo)電層

131：通道

14、84：第一接觸層

142a、842a、942a：第一接觸鏈

142b、842b、942b：第二接觸鏈

144、844、944：第一接觸線

15：反射層

16：粘結(jié)層

161、162：粘結(jié)層的附屬層

17：第一凹部

172：內(nèi)壁

18：支持基板

19：保護層

20：第一導(dǎo)電柱

22：第一電極

221、241’：第一電極的一部分

24：第二電極

241、241’、241”：第二電極的一部分

30、40、50、60、70、100：絕緣層

32：通孔

34、80：第二導(dǎo)電柱

87：第二凹部

92：導(dǎo)電線路

97：基座

99、101：電連接結(jié)構(gòu)

1000：發(fā)光單元

1000’：第一發(fā)光單元

1000”：第二發(fā)光單元

1102、1212：基板

1104：n型半導(dǎo)體層

1108：p型半導(dǎo)體層

1202：次載體

1204：電路

1206：焊料

1208：電連接結(jié)構(gòu)

1210：LED

1214：電極

13：光源產(chǎn)生裝置

1301：光源

1302：電源供應(yīng)系統(tǒng)

1303：控制元件

14：背光模塊

1401：光學(xué)元件

a1：p型電極

a2：n型電極

具體實施方式

本發(fā)明的實施例會被詳細(xì)地描述，并且繪制于附圖中，相同或類似的部分會以相同的號碼在各附圖以及說明出現(xiàn)。

圖1A-圖1F繪示本發(fā)明的第一實施例的一發(fā)光裝置1。如圖1E所示，發(fā)光裝置1包含一LED，具有一支持基板18；一粘結(jié)層16；一第一接觸層14；一發(fā)光疊層12；一第一導(dǎo)電層11；一第二導(dǎo)電層13；一反射層15；一保護層19；第一導(dǎo)電柱20；一第一電極22與一第二電極24。如圖1A所示，一種制造發(fā)光裝置1的方法包含提供一成長基板10；依序形成一第一半導(dǎo)體層122、一主動層124與一第二半導(dǎo)體層126于成長基板10之上以形成發(fā)光疊層12；以及形成第一接觸層14于發(fā)光疊層12之上。圖1B為圖1A的上視圖。如圖1B所示，第一接觸層14被圖案化以暴露部分第二半導(dǎo)體層126，且第一接觸層14包含一第一接觸鏈142a；一第二接觸鏈142b；以及多個第一接觸線144與第一接觸鏈142a及第二接觸鏈142b相接觸。第一接觸鏈142a的寬度w1與第二接觸鏈142b的寬度w2約略相同；在另一實施例中，與第一電極22電連接且與第一導(dǎo)電柱20接觸的第一接觸鏈142a的寬度w1較第二接觸鏈142b的寬度w2為大。如圖1C所示，粘結(jié)層16具有分別形成于第一接觸層14與支持基板18的附屬層161、162。接著通過粘結(jié)制作工藝粘結(jié)附屬層161、162以形成連接支持基板18與第一接觸層14及發(fā)光疊層12的粘結(jié)層16，其中部分的粘結(jié)層16形成于暴露的第二半導(dǎo)體層126之上。換言之，支持基板18被粘結(jié)至第一接觸層14與發(fā)光疊層12。在另一實施例中，粘結(jié)層16可僅形成于第一接觸層14或支持基板18以進行后續(xù)的粘結(jié)制作工藝。移除成長基板10之后，形成第一導(dǎo)電層11于第一半導(dǎo)體層122之下，其中第一導(dǎo)電層11包含多個接觸部并暴露部分第一半導(dǎo)體層122。第二導(dǎo)電層13形成于第一導(dǎo)電層11之下，且圍繞第一導(dǎo)電層11，其中第二導(dǎo)電層13形成于暴露的第一導(dǎo)電層122之下。接著反射層15形成于第二導(dǎo)電層13之下。如圖1D所示，部分的反射層15、第二導(dǎo)電層13、第一導(dǎo)電層11與發(fā)光疊層12被移除以形成多個第一凹部17，并暴露部分第一接觸鏈142a及/或多個第一接觸線144。保護層19形成于部分反射層15之下，沿著第一凹部17的內(nèi)壁172延伸，覆蓋部分多個第一接觸線144及/或選擇性地覆蓋部分第一接觸鏈142a。如圖1E與圖1F所示，第一導(dǎo)電柱20分別形成于第一凹部17且接觸第一接觸鏈142a及/或多個第一接觸線144。第一電極22形成于第一導(dǎo)電柱20與保護層19之下，其中第一電極22經(jīng)由第一導(dǎo)電柱20與第一接觸層14電連接。第二電極24形成于反射層15未被保護層19覆蓋的部分之下以形成發(fā)光裝置1。因為多個第一接觸線144分布于第二半導(dǎo)體層126之上以增加電流通過的面積，所以第一接觸層14能改善發(fā)光裝置1的電流擴散能力以提升發(fā)光裝置1的發(fā)光效率。因為一般第一電極需要足夠的面積以進行后續(xù)的制作工藝，例如打線，所以大部分的主動層需要被移除，導(dǎo)致發(fā)光效率降低。然而如發(fā)光裝置1所示，因為第一電極22通過形成于第一凹部17的第一導(dǎo)電柱20與第一接觸層14連結(jié)，而且第一凹部17的面積遠小于第一電極22的面積，所以較少部分的主動層124需要被移除。由于沒有太多的主動層124被移除，所以對發(fā)光裝置1的發(fā)光效率影響有限。同時，若因后續(xù)制作工藝進行需求而需要增加第一電極22的面積，與現(xiàn)有LED相較，并不需要進一步移除更多的主動層即可達成。

支持基板18相對于發(fā)光疊層12所發(fā)的光為透明，其材料包含導(dǎo)電材料，例如為類鉆碳薄膜(Diamond Like Carbon；DLC)、復(fù)合材料、金屬基復(fù)合材料(Metal Matrix Composite；MMC)、陶瓷基復(fù)合材料(Ceramic Matrix Composite；CMC)、高分子基復(fù)合材料(Polymer Matrix Composite，PMC)、磷化碘(IP)、碳化硅(SiC)、磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)、磷化銦(InP)、鎵酸鋰(LiGaO₂)或鋁酸鋰(LiAlO₂)。支持基板18材料可包含絕緣材料，例如為藍寶石(Sapphire)、鉆石(Diamond)、玻璃(Glass)、聚合物(Polymer)、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、石英(Quartz)、壓克力(Acryl)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鋅(ZnO)或氮化鋁(AlN)。

粘結(jié)層16可粘著地連接支持基板18與第一接觸層14，或連接第一接觸層14與發(fā)光疊層12。粘結(jié)層16相對于發(fā)光疊層12所發(fā)的光為透明，其材料可為絕緣材料與/或?qū)щ姴牧?。絕緣材料包含但不限于聚亞酰胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環(huán)烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化硅(SiO_x)、氧化鈦(TiO₂)、氮化硅(SiN_x)或旋涂玻璃(SOG)。導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta₂O₅)、類鉆碳薄膜(DLC)或氧化鎵鋅(GZO)等。

第一接觸層14可電性地傳導(dǎo)和擴散電流，可為導(dǎo)電材料，包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta₂O₅)、類鉆碳薄膜(DLC)、銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鎘(Cd)、鈷(Co)、錳(Mn)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鎵(Ga)、鉈(Tl)、釙(Po)、銥(Ir)、錸(Re)、銠(Rh)、鋨(Os)、鎢(W)、鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、鑭(La)、鉻-金(Cr-Au)、銀-鈦(Ag-Ti)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫-鉛-銻(Sn-Pb-Sb)、錫-鉛-鋅(Sn-Pb-Zn)、鎳-錫(Ni-Sn)、鎳-鈷(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。第一接觸鏈142a與第二接觸鏈142b分別形成于發(fā)光疊層12的相對邊，其寬度大約為4～8微米，較佳為6微米。每一第一接觸線144的寬度約為3～10微米，任兩相鄰的第一接觸線144的間距約為70～140微米。為了提升發(fā)光效率與電流擴散能力，第二半導(dǎo)體層126被多個第一接觸線144所覆蓋的面積約為第二半導(dǎo)體層126上表面積的4～30％。

發(fā)光疊層12可成長于成長基板10之上，并于施加電壓的情況下產(chǎn)生光線。其中第一半導(dǎo)體層122與第二半導(dǎo)體層126的極性相異，主動層124的結(jié)構(gòu)可包含為單異質(zhì)結(jié)構(gòu)(single heterostructure；SH)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double heterostructure；DH)、雙側(cè)雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)(double-side double heterostructure；DDH)或多層量子井(multi-quantum well；MQW)。發(fā)光疊層12的材料包含半導(dǎo)體材料具有一種以上的元素選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)與硒(Se)所構(gòu)成的群組。成長基板10的材料選自藍寶石(Sapphire)、砷化鎵(GaAs)、硅(Si)、氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)所構(gòu)成的群組。

第一導(dǎo)電層11可傳導(dǎo)與擴散電流，同時與發(fā)光疊層12及/或第二導(dǎo)電層13形成歐姆接觸，相對于發(fā)光疊層12所發(fā)的光為透明，具有多個接觸部或多個接觸線，每一個接觸部相互分離。自下方視之，每一接觸部的形狀可為三角形、矩形、平形四邊形或圓形等等。以圓形的接觸部為例，其直徑可為6～10微米。多個接觸部的面積相對于主動層124的上表面面積的比例約為0.5～6％，更佳為1～3％。多個接觸部可于任二相鄰的第一接觸線144之間排列成二或三條線，即多個第一接觸線144不位于多個導(dǎo)電部的正上方。第二導(dǎo)電層13可覆蓋與圍繞第一導(dǎo)電層11，即第一導(dǎo)電層11被第二導(dǎo)電層13包覆。第二導(dǎo)電層13可傳導(dǎo)與擴散電流，同時與反射層15及/或第一導(dǎo)電層11形成歐姆接觸。第二導(dǎo)電層13與第一導(dǎo)電層11的材料分別包含透明導(dǎo)電材料及金屬材料。透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta₂O₅)或類鉆碳薄膜(DLC)。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鎘(Cd)、鈷(Co)、錳(Mn)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鎵(Ga)、鉈(Tl)、釙(Po)、銥(Ir)、錸(Re)、銠(Rh)、鋨(Os)、鎢(W)、鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、鑭(La)、鉻-金(Cr-Au)、銀-鈦(Ag-Ti)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫-鉛-銻(Sn-Pb-Sb)、錫-鉛-鋅(Sn-Pb-Zn)、鎳-錫(Ni-Sn)、鎳-鈷(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。另外，第二導(dǎo)電層13可被圖案化或其厚度可調(diào)整，以致反射層15可直接與第一導(dǎo)電層11接觸。

如圖1G所示，第二導(dǎo)電層13具有多個通道131形成于與第一導(dǎo)電層11相對的位置，接著反射層15形成于第二導(dǎo)電層13之下，并填入多個通道131之中與第一導(dǎo)電層11電連接，以改善電流擴散。此實施例中，第二導(dǎo)電層13的材料可選擇性地為絕緣材料，包含但不限于聚亞酰胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環(huán)烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化硅(SiO_x)、氧化鈦(TiO₂)、氮化硅(SiN_x)或旋涂玻璃(SOG)。

反射層15可反射發(fā)光疊層12發(fā)出的光。反射層15更可包含多個附屬層(未顯示)以形成布拉格反射層(DBR)。反射層15的材料可為透明導(dǎo)電材料及/或金屬材料。透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta₂O₅)或類鉆碳薄膜(DLC)。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鎘(Cd)、鈷(Co)、錳(Mn)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鎵(Ga)、鉈(Tl)、釙(Po)、銥(Ir)、錸(Re)、銠(Rh)、鋨(Os)、鎢(W)、鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、鑭(La)、鉻-金(Cr-Au)、銀-鈦(Ag-Ti)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫-鉛-銻(Sn-Pb-Sb)、錫-鉛-鋅(Sn-Pb-Zn)、鎳-錫(Ni-Sn)、鎳-鈷(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。

如圖1F所示，第一凹部17裸露部分反射層15、第二導(dǎo)電層13、第一導(dǎo)電層11與發(fā)光疊層12，其數(shù)量不限于二。自上方視之，第一凹部17的形狀可為三角形、矩形、平形四邊形或圓形等等。主動層124用以形成第一凹部17的面積相對于主動層124的面積的比例約為4～20％。因為第一電極22通過位于第一凹部17的第一導(dǎo)電柱20與第一接觸層14連接，第一凹部17的面積遠小于第一電極22，所以較少面積的主動層124被移除。由于沒有太多的主動層124被移除，所以對發(fā)光裝置1的發(fā)光效率影響有限。保護層19形成于第一凹部17的內(nèi)壁172，使第一導(dǎo)電柱20與反射層15、第二導(dǎo)電層13、第一導(dǎo)電層11與發(fā)光疊層12電絕緣。保護層19具有絕緣材料，包含但不限于聚亞酰胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環(huán)烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化硅(SiO_x)、氧化鈦(TiO₂)、氮化硅(SiN_x)或旋涂玻璃(SOG)。

第一導(dǎo)電柱20形成于第一凹部17內(nèi)的保護層19上，并位于第一接觸鏈142a及/或多個第一接觸線144之上，且電連接第一電極22與第一接觸層14。第一導(dǎo)電柱20的材料可為透明導(dǎo)電材料或金屬材料。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電柱20的折射率小于保護層19的折射率，因為自發(fā)光疊層12至外在環(huán)境的折射率逐漸降低，發(fā)光裝置1的光摘出因而提高。透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta₂O₅)或類鉆碳薄膜(DLC)。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鎘(Cd)、鈷(Co)、錳(Mn)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鎵(Ga)、鉈(Tl)、釙(Po)、銥(Ir)、錸(Re)、銠(Rh)、鋨(Os)、鎢(W)、鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、鑭(La)、鉻-金(Cr-Au)、銀-鈦(Ag-Ti)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫-鉛-銻(Sn-Pb-Sb)、錫-鉛-鋅(Sn-Pb-Zn)、鎳-錫(Ni-Sn)、鎳-鈷(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。第一電極22與第二電極24用以接受外部電壓，其材料可為透明導(dǎo)電材料及/或金屬材料。透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta₂O₅)或類鉆碳薄膜(DLC)。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鎘(Cd)、鈷(Co)、錳(Mn)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鎵(Ga)、鉈(Tl)、釙(Po)、銥(Ir)、錸(Re)、銠(Rh)、鋨(Os)、鎢(W)、鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、鑭(La)、鉻-金(Cr-Au)、銀-鈦(Ag-Ti)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫-鉛-銻(Sn-Pb-Sb)、錫-鉛-鋅(Sn-Pb-Zn)、鎳-錫(Ni-Sn)、鎳-鈷(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。

圖2A-圖2B繪示本發(fā)明的第二實施例的一發(fā)光裝置2。如圖2B所示，發(fā)光裝置2包含一LED，具有一支持基板18；一粘結(jié)層16；一第一接觸層14；一發(fā)光疊層12；一第一導(dǎo)電層11；一第二導(dǎo)電層13；一反射層15；一保護層19；第一導(dǎo)電柱20；一第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置2類似發(fā)光裝置1，然而于第二實施例中，第一接觸鏈142a形成于接近發(fā)光疊層12的上表面的中心位置，更佳為沿著發(fā)光疊層12的中心線形成，多個第一接觸線144自第一接觸鏈142a向發(fā)光疊層12的邊緣延伸。第一凹部17形成于靠近發(fā)光疊層12上表面的中心位置，第一導(dǎo)電柱20形成于第一凹部17之中且電連接第一電極22與第一接觸層14。因為多個第一接觸線144分布在第二半導(dǎo)體層126之上，增加了電流通過的面積，所以第一接觸層14可增進電流擴散的能力以提升發(fā)光裝置2的發(fā)光效率。因為一般第一電極需要足夠的面積以進行后續(xù)的制作工藝，例如打線，所以大部分的主動層需要被移除，導(dǎo)致發(fā)光效率降低。然而如發(fā)光裝置2所示，因為第一電極22通過形成于第一凹部17的第一導(dǎo)電柱20與第一接觸層14連結(jié)，而且第一凹部17的面積遠小于第一電極22的面積，所以較少部分的主動層124需要被移除。由于沒有太多的主動層124被移除，所以對發(fā)光裝置2的發(fā)光效率影響有限。同時，若因后續(xù)制作工藝進行需求而需要增加第一電極22的面積，與現(xiàn)有LED相較，并不需要進一步移除更多的主動層即可達成。

圖3繪示本發(fā)明的第三實施例的一發(fā)光裝置3。如圖3所示，發(fā)光裝置3包含一LED，具有一支持基板18；一粘結(jié)層16；一第一接觸層14；一發(fā)光疊層12；一第一導(dǎo)電層11；一第二導(dǎo)電層13；一反射層15；一保護層19；第一導(dǎo)電柱20；一第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置3類似發(fā)光裝置1，然而保護層19形成于反射層15的下表面之下且覆蓋整個下表面。一絕緣層30形成于保護層19與第一電極22之下，第二電極24形成于絕緣層30之下，其中一部分第二電極24位于第一電極22之下。通孔32形成于絕緣層30與保護層19之中，第二導(dǎo)電柱34形成于通孔32之中且電連接第二電極24與反射層15。因為絕緣層30可電絕緣第一電極22與第二電極24，所以第二電極24其中一部分241可位于第一電極22之下，與現(xiàn)有LED相較，并不需要進一步移除更多的主動層即可達成。絕緣層30具有絕緣材料，包含但不限于聚亞酰胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環(huán)烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化硅(SiO_x)、氧化鈦(TiO₂)、氮化硅(SiN_x)或旋涂玻璃(SOG)。第二導(dǎo)電柱34的材料可為透明導(dǎo)電材料及/或金屬材料。透明導(dǎo)電材料包含但不限于氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鉭(Ta₂O₅)或類鉆碳薄膜(DLC)。金屬材料包含但不限于銅(Cu)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、金(Au)、鉑(Pt)、鋅(Zn)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、鎘(Cd)、鈷(Co)、錳(Mn)、銻(Sb)、鉍(Bi)、鎵(Ga)、鉈(Tl)、釙(Po)、銥(Ir)、錸(Re)、銠(Rh)、鋨(Os)、鎢(W)、鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)、鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋯(Zr)、鉬(Mo)、鑭(La)、鉻-金(Cr-Au)、銀-鈦(Ag-Ti)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、錫-鉛-銻(Sn-Pb-Sb)、錫-鉛-鋅(Sn-Pb-Zn)、鎳-錫(Ni-Sn)、鎳-鈷(Ni-Co)或金合金(Au alloy)等。

圖4繪示本發(fā)明的第四實施例的一發(fā)光裝置4。如圖4所示，發(fā)光裝置4包含一LED，具有一支持基板18；一粘結(jié)層16；一第一接觸層14；一發(fā)光疊層12；一第一導(dǎo)電層11；一第二導(dǎo)電層13；一反射層15；一保護層19；第一導(dǎo)電柱20；一第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置4類似發(fā)光裝置1，一絕緣層40形成于保護層19與第一電極22之下，第二電極24形成于反射層15、保護層19與絕緣層40之下，其中絕緣層40電絕緣第一電極22與第二電極24，一部分第二電極24位于第一電極22之下。第二電極24與反射層15電連接。因為絕緣層40可電絕緣第一電極22與第二電極24，所以第二電極24其中一部分241’可位于第一電極22之下。與現(xiàn)有LED相較，并不需要進一步移除更多的主動層即可達成。

圖5繪示本發(fā)明的第五實施例的一發(fā)光裝置5。如圖5所示，發(fā)光裝置5包含一LED，具有一支持基板18；一粘結(jié)層16；一第一接觸層14；一發(fā)光疊層12；一第一導(dǎo)電層11；一第二導(dǎo)電層13；一反射層15；一保護層19；第一導(dǎo)電柱20；一第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置5類似發(fā)光裝置1。另外，一絕緣層50形成于反射層15、保護層19與第一電極22之下，第二電極24形成于反射層15、保護層19與絕緣層50之下，其中絕緣層50電絕緣第一電極22與第二電極24，一部分第二電極24位于第一電極22之下。第二電極24與反射層15電連接。因為絕緣層50可電絕緣第一電極22與第二電極24，所以第二電極24其中一部分241’可位于第一電極22之下。與現(xiàn)有LED相較，并不需要進一步移除更多的主動層即可達成。

圖6繪示本發(fā)明的第六實施例的一發(fā)光裝置6。如圖6所示，發(fā)光裝置6包含一LED，具有一支持基板18；一粘結(jié)層16；一第一接觸層14；一發(fā)光疊層12；一第一導(dǎo)電層11；一第二導(dǎo)電層13；一反射層15；一保護層19；第一導(dǎo)電柱20；一第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置6類似發(fā)光裝置1。另外，一絕緣層60形成于保護層19與第二電極24之下，第一電極22形成于第一導(dǎo)電柱20、保護層19與絕緣層60之下，其中絕緣層60電絕緣第一電極22與第二電極24，一部分第一電極22位于第二電極24之下，第一電極22與第一接觸層14電連接。因為絕緣層60可電絕緣第一電極22與第二電極24，所以第一電極22其中一部分221可位于第二電極24之下。與現(xiàn)有LED相較，并不需要進一步移除更多的主動層即可達成。

圖7繪示本發(fā)明的第七實施例的一發(fā)光裝置7。如圖7所示，發(fā)光裝置7包含一LED，具有一支持基板18；一粘結(jié)層16；一第一接觸層14；一發(fā)光疊層12；一第一導(dǎo)電層11；一第二導(dǎo)電層13；一反射層15；一保護層19；第一導(dǎo)電柱20；一第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置7類似發(fā)光裝置2。另外，一絕緣層70形成于保護層19與第二電極24之下，第一電極22形成于第一導(dǎo)電柱20、保護層19與絕緣層70之下，其中絕緣層70電絕緣第一電極22與第二電極24，一部分第一電極22位于第二電極24之下，第一電極22與第一接觸層14電連接。因為絕緣層70可電絕緣第一電極22與第二電極24，所以第一電極22其中一部分221’可位于第二電極24之下。與現(xiàn)有LED相較，并不需要進一步移除更多的主動層即可達成。

圖8A與圖8B繪示本發(fā)明的第八實施例的一發(fā)光裝置8。如圖8A與圖8B所示，發(fā)光裝置8包含一LED，具有一支持基板18；一粘結(jié)層16；一第一接觸層84；一發(fā)光疊層12；一第一導(dǎo)電層11；一第二導(dǎo)電層13；一反射層15；一保護層19；一第一導(dǎo)電柱20；一第二導(dǎo)電柱80；一第一電極22與一第二電極24。發(fā)光裝置8類似發(fā)光裝置2。然而，第一接觸層84具有一第一接觸鏈842a與一第二接觸鏈842b。第二接觸鏈842b形成于靠近發(fā)光疊層12的上表面中心，更佳為沿著發(fā)光疊層12的中心線形成。第一接觸層84更包含多個第一接觸線844a，其中第一接觸線844a和第一接觸鏈842a連接，并且自第一接觸鏈842a向發(fā)光疊層12的中心線延伸；以及多個第二接觸線844b，其中第二接觸線844b和第二接觸鏈842b連接，并且自第二接觸鏈842b向發(fā)光疊層12的邊緣延伸。一第一凹部17與一第二凹部87分別形成于發(fā)光疊層12上表面的中心與發(fā)光裝置8的邊緣，第一導(dǎo)電柱20形成于第一凹部17與第二導(dǎo)電柱80形成于第二凹部87，電連接第一電極22與第一接觸層84。

圖9A～圖9D繪示本發(fā)明的第九實施例的一發(fā)光裝置9。此實施例中，為了擴大發(fā)光裝置9的有效出光面積，并未形成第一凹部17。即保留原本反射層15與發(fā)光疊層12要被移除以形成第一凹部17的部分，電連接結(jié)構(gòu)99通過跨橋制造法自發(fā)光疊層12的外部延伸。

如圖9A所示，一種制造發(fā)光裝置9的方法包含提供一成長基板10；在成長基板10上接續(xù)形成一第一半導(dǎo)體層122、一主動層124與一第二半導(dǎo)體層126以形成一發(fā)光疊層12；形成一反射層15于發(fā)光疊層12之上；形成一第二電極24于反射層15之上；形成一保護層19于部分反射層15之上，并依發(fā)光疊層12的側(cè)壁延伸；以及形成一第一電極22于保護層19之上。如圖9B所示，發(fā)光裝置9被倒置于基座97之上，導(dǎo)電線路92形成于基座97之上。將發(fā)光裝置9的電極22/24與基座97上的導(dǎo)電線路92連接之后，移除成長基板10，粗化第一半導(dǎo)體層122的表面以提升出光效率。如圖9C所示，用以電連接第一半導(dǎo)體層122與第一電極22的電連接結(jié)構(gòu)99形成于第一半導(dǎo)體層122之上并沿著發(fā)光疊層12的側(cè)壁形成。另外，為了發(fā)光裝置9與外部電路的打線制作工藝，基座97上的導(dǎo)電線路92可選擇性地延伸。

圖9D繪示發(fā)光裝置9的上視圖，電連接結(jié)構(gòu)99具有接觸鏈942a/942b與多個第一接觸線944位于發(fā)光疊層12之上。延伸的導(dǎo)電線路92通過打線與外部電路電連接。

圖10繪示本發(fā)明的第十實施例的一發(fā)光裝置10。發(fā)光裝置10具有多個發(fā)光單元1000，每一發(fā)光單元1000與發(fā)光裝置1類似，包含一LED，具有一第一接觸層14；一發(fā)光疊層12；一第一導(dǎo)電層11；一第二導(dǎo)電層13；以及一反射層15。發(fā)光裝置10還包含一電連接結(jié)構(gòu)101，電連接兩相鄰的發(fā)光單元1000以讓發(fā)光單元1000之間互相串聯(lián)。具體言之，電連接結(jié)構(gòu)101電連接一發(fā)光單元1000的第一接觸層14與另一相鄰發(fā)光單元1000的反射層15。此外，每一發(fā)光單元可選擇性地包含多個相互串聯(lián)、并聯(lián)或反向并聯(lián)的LED。保護層19形成于每個發(fā)光單元1000與電連接結(jié)構(gòu)101之間以避免發(fā)光單元1000與電連接結(jié)構(gòu)101之間形成電流通道。另外，一絕緣層100形成于每個發(fā)光單元的保護層19與反射層15之下。再者，一第一發(fā)光單元1000'具有第一導(dǎo)電柱20以電連接第一接觸層14與一第一電極22。第一電極22形成于第一發(fā)光單元1000'的絕緣層100與保護層19之下，第二電極24形成于一第二發(fā)光單元1000”的絕緣層100與反射層15之下。第一導(dǎo)電柱20的寬度大于或等于電連接結(jié)構(gòu)101的寬度，發(fā)光單元1000經(jīng)由一粘結(jié)層16一同粘結(jié)于一支持基板18。由于絕緣層100電絕緣第一電極22與第二電極24，所以第一電極22與第二電極24可具有分部222/242，與現(xiàn)有LED相較，并不需要進一步移除更多的主動層即可達成。

在另一實施例中，一太陽能裝置具有一與前述任一發(fā)光裝置相似的結(jié)構(gòu)，用以吸收光線。若因后續(xù)制作工藝進行需求而需要增加第一電極22的面積，與傳統(tǒng)太陽能裝置相較，并不需要進一步移除更多的主動層即可達成，可改進散熱能力。圖13繪示出一光源產(chǎn)生裝置示意圖，一光源產(chǎn)生裝置13包含一管芯產(chǎn)生自具有前述任一實施例中的LED的晶片。光源產(chǎn)生裝置13可以是一照明裝置，例如路燈、車燈或室內(nèi)照明光源，也可以是交通號志或一平面顯示器中背光模塊的一背光光源。光源產(chǎn)生裝置13具有前述發(fā)光元件組成的一光源1301、一電源供應(yīng)系統(tǒng)1302以供應(yīng)光源1301一電流、以及一控制元件1303，用以控制電源供應(yīng)系統(tǒng)1302。

圖14繪示出一背光模塊剖面示意圖，一背光模塊14包含前述實施例中的光源產(chǎn)生裝置13，以及一光學(xué)元件1401。光學(xué)元件1401可將由光源產(chǎn)生裝置13發(fā)出的光加以處理，以應(yīng)用于平面顯示器，例如散射光源產(chǎn)生裝置13發(fā)出的光。

上述實施例僅為例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，均可在不違背本發(fā)明的技術(shù)原理及精神的情況下，對上述實施例進行修改及變化。因此本發(fā)明的權(quán)利保護范圍如上述的權(quán)利要求所列。