本申請要求于2015年10月23日提交的第10-2015-0148024號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)及權(quán)益，該申請?jiān)诖送ㄟ^引用并入以用于所有目的，如同其已完全在本文中闡述。

技術(shù)領(lǐng)域

示例性實(shí)施方式涉及制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法以及該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。更具體地，示例性實(shí)施方式涉及在最小化包括發(fā)射層的發(fā)射部分損壞可能性的同時容易地制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法以及該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括具有中間層的有機(jī)發(fā)光裝置以作為每個像素/子像素，其中，該中間層包括布置在像素電極與相對電極之間的發(fā)射層。這種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備通常通過電連接至像素電極的薄膜晶體管控制每個像素是否發(fā)射或者每個像素的發(fā)射程度。相對電極與多個像素/子像素整體地形成。具體地，必須針對每個像素/子像素將發(fā)射層圖案化。

然而，在傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，需要復(fù)雜的工藝來針對每個像素/子像素圖案化發(fā)射層等，否則發(fā)射層可能容易在圖案化過程中被損壞。

在該背景技術(shù)部分中公開的以上信息僅用于增強(qiáng)對本發(fā)明構(gòu)思的背景技術(shù)的理解，并且因此該背景技術(shù)部分可包含不構(gòu)成在本國中對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述問題，示例性實(shí)施方式提供了在最小化對包括發(fā)射層的發(fā)射部分的損壞的同時制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法以及該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。

在下文的描述中將部分地陳述附加方面，并且該附加方面將通過本公開而部分地顯而易見，或者可通過對本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)踐而被學(xué)習(xí)。

示例性實(shí)施方式公開了制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括：形成彼此間隔開的第一像素電極和第二像素電極；形成覆蓋第一像素電極和第二像素電極的絕緣層；圖案化絕緣層，絕緣層圖案化為覆蓋第二像素電極并且暴露第一像素電極的至少中心部分；在第一像素電極所暴露的中心部分和絕緣層上方形成第一中間層，第一中間層包括第一發(fā)射層；在第一中間層上方形成第一上電極，第一上電極形成為與至少第一像素電極對應(yīng)；在第一上電極上方形成阻光的第一光刻膠層，阻光的第一光刻膠層形成為與第一像素電極對應(yīng)而不與第二像素電極對應(yīng)；去除第一中間層和第一上電極的暴露在第一光刻膠層外部的部分；去除第一光刻膠層；圖案化絕緣層，絕緣層圖案化為暴露第二像素電極的至少中心部分；在第二像素電極所暴露的中心部分和第一上電極上方形成第二中間層，第二中間層包括第二發(fā)射層；在第二中間層上方形成第二上電極，第二上電極形成為與至少第二像素電極對應(yīng)；在第二上電極上方形成阻光的第二光刻膠層，阻光的第二光刻膠層形成為與第二像素電極對應(yīng)而不與第一像素電極對應(yīng)；去除第二中間層和第二上電極的暴露在第二光刻膠層外部的部分；以及去除第二光刻膠層。

示例性實(shí)施方式也公開了有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括：彼此間隔開的第一像素電極和第二像素電極；絕緣層，暴露第一像素電極和第二像素電極中的每個的至少中心部分的；第一中間層，位于第一像素電極上方并且包括第一發(fā)射層；第二中間層，位于第二像素電極上方并且包括第二發(fā)射層；第一上電極和第二上電極，分別與第一中間層和第二中間層對應(yīng)并且彼此間隔開；填充層，覆蓋第一上電極和第二上電極并且包括接觸孔，該接觸孔暴露第一上電極和第二上電極中的每個的一部分；以及公共電極，位于填充層上方并且通過接觸孔接觸第一上電極和第二上電極。

前文的一般性描述和下文的詳細(xì)描述是示例性的和解釋性的并且旨在提供對權(quán)利要求所要求保護(hù)的主題的進(jìn)一步解釋。

附圖說明

附圖示出了本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施方式并且與描述一起用于解釋本發(fā)明構(gòu)思的原理，其中附圖被包括以用于提供對本發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解以及并入本說明書并構(gòu)成本說明書的一部分。

圖1、圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11和圖12是根據(jù)示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的過程的示意性剖視圖。

圖13、圖14、圖15、圖16、圖17、圖18、圖19和圖20是根據(jù)另一個示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的過程的示意性剖視圖。

具體實(shí)施方式

在以下描述中，出于解釋的目的陳述了許多具體細(xì)節(jié)以提供對各種示例性實(shí)施方式的全面理解。但是顯而易見的是，各種示例性實(shí)施方式可在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐或者可使用一個或多個等同布置來實(shí)踐。在其它情況下，以框圖形式示出了公知的結(jié)構(gòu)和裝置以避免不必要地模糊各種示例性實(shí)施方式。

在附圖中，為清晰和描述性的目的，層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對尺寸可被夸大。另外，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。

當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧?on)”、“連接至(connected to)”另一元件或?qū)?、或“?lián)接至(coupled to)”另一元件或者層時，該元件或?qū)涌芍苯釉谠摿硪辉驅(qū)由?、直接連接至該另一元件或?qū)踊蛑苯勇?lián)接至該另一元件或?qū)?，或者可存在中間元件或?qū)?。但是，?dāng)元件或?qū)颖环Q為“直接”在另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接至”另一元件或?qū)踊蛘摺爸苯勇?lián)接至”另一元件或?qū)訒r，則不存在中間元件或?qū)?。出于本公開的目的，“X、Y和Z中的至少一個”和“選自由X、Y和Z構(gòu)成的組中的至少一個”可被解釋為僅X、僅Y、僅Z、或者X、Y和Z中兩個或更多個的任意組合，諸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如在本文中使用的，用語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目中的一個或多個的任一和全部組合。

雖然用語第一、第二等可在本文中用于描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段不應(yīng)被這些用語限制。這些用語用于將一個元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段與另一元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)段區(qū)分開。因此，在不背離本公開的教導(dǎo)的情況下，以下討論的第一元件、第一部件、第一區(qū)域、第一層和/或第一區(qū)段可稱為第二元件、第二部件、第二區(qū)域、第二層和/或第二區(qū)段。

諸如“在…之下(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部(lower)”、“在…上方(above)”、“上部(upper)”等的空間相關(guān)用語可在本文中用于描述性的目的，并由此描述如附圖中所示的一個元件或特征相對于另一元件或特征的關(guān)系。除包括附圖中所描繪的定向外，空間相關(guān)用語意在包含設(shè)備在使用、操作、和/或制造中的設(shè)備的不同定向。例如，如果附圖中的設(shè)備被反轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件或特征的“下方”或“之下”的元件可被定向?yàn)樵谠撈渌蛱卣鞯摹吧戏健?。因此，示例性用語“在…下方”可包含上方和下方兩個定向。此外，設(shè)備可以是其它方式定向的(例如，旋轉(zhuǎn)90度或處于其它定向)，并由此，本文中所使用的空間相關(guān)描述語被相應(yīng)地解釋。

本文中所使用的用辭是出于描述特定實(shí)施方式的目的而不意在限制。除非上下文中明確地另有所指，否則如本文中所使用的單數(shù)形式“一個(a)”、“一個(an)”和“所述(the)”意在也包括復(fù)數(shù)形式。此外，當(dāng)被用在本說明書中時，用語“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含有(including)”說明所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在，而不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在或附加。

在本文中參照剖視圖對多種示例性實(shí)施方式進(jìn)行了描述，其中剖視圖是理想化的示例性實(shí)施方式和/或中間結(jié)構(gòu)的示意性圖示。由此，因例如制造技術(shù)和/或公差而導(dǎo)致的圖中形狀上的變化是意料之中的。因此，本文公開的示例性實(shí)施方式不應(yīng)解釋為受限于區(qū)域的特定圖示的形狀，而是包括因例如制造而導(dǎo)致的形狀上的偏差。圖中所示的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，并且其形狀不意在示出裝置區(qū)域的實(shí)際形狀并且不意在進(jìn)行限制。

除非另有限定，否則本文中所使用的全部術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本公開所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。除非本文中明確地如此限定，否則如在常用字典中所定義的用語應(yīng)被解釋為具有與其在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的語境中的含義一致的含義，并且不應(yīng)以理想化的或過于形式化的意義來解釋。

在以下示例中，x軸、y軸和z軸不限于直角坐標(biāo)系的三個軸，而可以以更寬泛的含義進(jìn)行解釋。例如，x軸、y軸和z軸可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同的方向。

圖1至圖12是根據(jù)示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的過程的示意性剖視圖。

首先可制備底板。底板包括襯底100和位于襯底100上方并且彼此間隔開的多個像素電極211、212和213。

襯底100可由多種材料形成，包括玻璃、金屬、塑料(例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚酰亞胺)等。襯底100可包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域，其中在顯示區(qū)域上方布置有多個像素，外圍區(qū)域圍繞顯示區(qū)域。

像素電極211、212和213中的每個均可與子像素對應(yīng)。即，第一像素電極211、第二像素電極212和第三像素電極213可被理解為分別與紅色子像素R、綠色子像素G和藍(lán)色子像素B對應(yīng)。這是示例。包括在一個像素中的子像素可具有各種配置。例如，必要時，一個像素可包括僅兩個子像素或者四個或更多子像素。為了便于描述，現(xiàn)在將在下文中描述一個像素包括三個子像素的情況。

像素電極211、212和213可以是半透明電極或透明電極，或者可以是反射電極。當(dāng)像素電極211、212和213是半透明電極或透明電極時，像素電極211、212和213可包括例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、銦鎵氧化物(IGO)或鋁鋅氧化物(AZO)。當(dāng)像素電極211、212和213是反射電極時，像素電極211、212和213可包括由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其組合形成的反射層以及由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成的層。像素電極211、212和213的配置及材料不限于此，而是可多樣地變化。

像素電極211、212和213可位于襯底100的顯示區(qū)域中。

底板還可包括多種其它元件。例如，如圖1中所示，在襯底100上方可形成薄膜晶體管TFT或電容器Cap。底板可包括其它元件，例如緩沖層110、柵絕緣層130、層間絕緣層150、平面化層170等，其中，緩沖層110用于防止雜質(zhì)滲入薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層，柵絕緣層130用于將薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層與柵電極彼此絕緣，層間絕緣層150用于將薄膜晶體管TFT的源電極/漏電極與柵電極彼此絕緣，平面化層170覆蓋薄膜晶體管TFT并且具有近似平坦的上表面。

如上所述，在制備底板之后，可形成絕緣層180，絕緣層180形成為覆蓋第一像素電極211、第二像素電極212和第三像素電極213。絕緣層180稍后可用作像素限定層。然后，絕緣層180可被圖案化以使得第一像素電極211的至少中心部分被暴露同時第二像素電極212和第三像素電極213保持被覆蓋?？墒褂枚喾N方法圖案化絕緣層180?？墒褂贸Ｓ霉饪棠z來圖案化絕緣層180。

此后，如圖1中所示，在第一像素電極211的暴露部分和絕緣層180上方可形成包括第一發(fā)射層的第一中間層221。在第一中間層221上方可形成第一上電極231以使得第一上電極231與至少第一像素電極211對應(yīng)。就此而言，第一中間層221和第一上電極231可形成在襯底100的全部表面上方。

第一中間層221可具有例如包括可由紅色發(fā)射層構(gòu)成的第一發(fā)射層的多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括例如空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、第一發(fā)射層、電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)?？赏ㄟ^使用諸如沉積法或旋轉(zhuǎn)涂覆法等的多種方法來形成第一中間層221。第一上電極231可由透明電極或半透明電極構(gòu)成。為此，第一上電極231可包括由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其組合形成的層以及由諸如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的透明材料或半透明材料形成的另一層。必要時，第一上電極231可以是由反射金屬形成的反射電極。

此后，如圖2中所示，可形成阻光的第一光刻膠層311，阻光的第一光刻膠層311形成為覆蓋第一像素電極211、第二像素電極212和第三像素電極213。就此而言，阻光的第一光刻膠層311可具有至少阻擋紫外線的特性。例如，可使用常用黑色光刻膠材料。在形成第一光刻膠層311之后，僅第一光刻膠層311的特定部分可暴露于紫外線并且被顯影以使得如圖3中所示第一光刻膠層311可與第一像素電極211對應(yīng)而不與第二像素電極212或第三像素電極213對應(yīng)。因此，阻光的第一光刻膠層311可形成在第一上電極231的上方。

如上所述，可使用曝光過程來形成第一光刻膠層311。第一光刻膠層311可具有阻光特性，從而有效防止在曝光過程期間包括第一發(fā)射層的第一中間層221被損壞。

同時，為了最小化在曝光過程期間損壞第一中間層221在第一像素電極211上的部分的可能性，需要減少在制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的全部過程期間執(zhí)行為與第一中間層221在第一像素電極211上的部分對應(yīng)的曝光過程的次數(shù)。這是為了防止第一中間層221在第一像素電極211上的部分的劣化，即使使用的光刻膠層具有阻光特性，這種劣化也有可能發(fā)生。如將在下文中描述的，曝光過程可不僅在將第一中間層221圖案化為與第一像素電極211對應(yīng)的過程中執(zhí)行，也可在將第二中間層圖案化為與第二像素電極212對應(yīng)的過程中執(zhí)行以及在將第三中間層圖案化為與第三像素電極213對應(yīng)的過程中執(zhí)行。因此，第一光刻膠層311可包括負(fù)性光刻膠材料。

在這種情況下，如圖2中所示，紫外線可照射在第一光刻膠層311的與第一像素電極211對應(yīng)的部分上。因此，曝光過程稍后也可執(zhí)行為在將第二中間層圖案化為與第二像素電極212對應(yīng)的過程中與第二像素電極212對應(yīng)以及在將第三中間層圖案化為與第三像素電極213對應(yīng)的過程中與第三像素電極213對應(yīng)。因此，考慮制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的全部過程，在圖案化第二中間層或第三中間層的過程中，可不在第一中間層221的與第一像素電極211對應(yīng)的部分上執(zhí)行曝光過程。

與此同時，如果第一光刻膠層311包括正性光刻膠層，則當(dāng)在第一光刻膠層311上執(zhí)行曝光過程以圖案化第一中間層221時，第一光刻膠層311的不與第一像素電極211對應(yīng)的部分暴露于紫外線。具體地，在圖案化第二中間層和第三中間層的過程中的每個中，第一光刻膠層311的與第一像素電極211對應(yīng)的部分可能暴露于紫外線。因此，第一光刻膠層311可包括負(fù)性光刻膠材料。

在形成如圖3中所示的第一光刻膠層311之后，如圖4中所示，可去除第一中間層221和第一上電極231的暴露在第一光刻膠層311外部的部分。這可通過使用干刻蝕法執(zhí)行?？赏ㄟ^使用O₂等離子體灰化來去除第一光刻膠層311。因此，如圖5中所示，可僅保留圖案化的第一中間層221和第一上電極231。

此后，如圖6中所示，可形成第一保護(hù)層241，第一保護(hù)層241形成為覆蓋第一中間層221和第一上電極231。第一保護(hù)層241可由例如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等形成。如圖7中所示，第一保護(hù)層241可圖案化為與第一像素電極211對應(yīng)?？墒褂霉饪棠z材料來圖案化第一保護(hù)層241。就此而言，也可使用阻光的光刻膠材料來防止在曝光過程期間第一中間層221被損壞。通過該過程形成的第一保護(hù)層241可覆蓋第一上電極231的上表面(在正Z方向上)、第一上電極231的側(cè)表面以及第一中間層221的側(cè)表面。負(fù)性光刻膠材料不僅可用在圖案化第一保護(hù)層241的過程中，也可用在圖案化將在下文中描述的第二保護(hù)層或第三保護(hù)層的過程中。這是為了在考慮到圖案化第一保護(hù)層241至第三保護(hù)層的過程的情況下，最小化執(zhí)行為與第一中間層221對應(yīng)的使用紫外線的曝光過程的次數(shù)。

此后，如圖8中所示，絕緣層180可圖案化為暴露第二像素電極212的至少中心部分。通過類似于以上參照圖1至圖5描述的過程的過程，可形成被圖案化為與第二像素電極212對應(yīng)的第二中間層222和第二上電極232。

如圖8中所示，即使當(dāng)絕緣層180被圖案化以暴露第二像素電極212的至少中心部分時，也可使用阻光光刻膠。但是，在這種情況下，可使用具有阻光特性的正性光刻膠。為了圖案化絕緣層180以暴露第二像素電極212的至少中心部分，可必要地去除形成在絕緣層180上方并且與第二像素電極212的中心部分對應(yīng)的光刻膠層的部分。當(dāng)使用正性光刻膠時，曝光過程可僅在正性光刻膠的待去除的部分上執(zhí)行。因此，曝光過程可僅在正性光刻膠的與第二像素電極212的中心部分對應(yīng)的部分上執(zhí)行，從而防止先前形成的第一中間層221由于紫外線而被損壞。

包括第二發(fā)射層的第二中間層222可形成在第二像素電極212的暴露部分和第一上電極231的上方。更具體地，第二中間層222可形成在襯底100的全部表面的大部分或全部上方。例如在襯底100的全部表面的大部分或全部上方，第二上電極232可形成在第二中間層222上方以與至少第二像素電極212對應(yīng)。此后，在第二上電極232上方可形成阻光的第二光刻膠層，該第二光刻膠層形成為與第二像素電極212對應(yīng)而不與第一像素電極211對應(yīng)；可去除第二中間層222和第二上電極232的暴露在第二光刻膠層外部的部分；然后可去除第二光刻膠層。在此過程期間，第一保護(hù)層241可保護(hù)圖案化的第一中間層221和第一上電極231以防止第一中間層221和第一上電極231被損壞。

此后，如圖9中所示，第二保護(hù)層242可形成在襯底100的全部表面的大部分或全部上并且被圖案化為覆蓋第二中間層222和第二上電極232。如圖9中所示，通過該過程形成的第二保護(hù)層242可覆蓋第二上電極232的上表面(在正Z方向上)、第二上電極232的側(cè)表面以及第二中間層222的側(cè)表面。

通過與如上所述相同的過程，如圖10中所示，圖案化為與第三像素電極213對應(yīng)的第三中間層223和第三上電極233可位于第三像素電極213上方并且可被第三保護(hù)層243覆蓋。

在第一中間層至第三中間層221、222和223、第一上電極至第三上電極231、232和233以及第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243被圖案化之后，如圖11中所示，可形成填充層250，填充層250形成為覆蓋第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243。填充層250可由例如聚酰亞胺形成。在填充層250以及第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243中可形成接觸孔以暴露第一上電極至第三上電極231、232和233中的每個的至少一部分。在形成接觸孔的過程中可使用光刻膠層從而防止第一中間層至第三中間層221、222和223被損壞。

此后，如圖12中所示，在填充層250上方可形成通過接觸孔接觸第一上電極至第三上電極231、232和233的公共電極235。公共電極235可以是透明電極或半透明電極。為此，公共電極235可包括由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其組合形成的層以及由諸如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的透明材料或半透明材料形成的另一層。公共電極235可以是由反射金屬形成的反射電極。

根據(jù)本示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法可利用阻光光刻膠層，從而在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造過程期間最小化對包括發(fā)射層的中間層的損壞。

與此同時，在圖1至圖12中，第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243可具有彼此間隔開的形狀，但是示例性實(shí)施方式不限于此。可在圖案化第一保護(hù)層241之后圖案化第二保護(hù)層242，并且因此第二保護(hù)層242可被圖案化以使得第二保護(hù)層242與第一保護(hù)層241接觸。這也可應(yīng)用于第三保護(hù)層243，并且因此，第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243可彼此接觸。

圖13至圖20是根據(jù)另一示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的過程的示意性剖視圖。

如圖13中所示，根據(jù)本示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法可在圖案化第一中間層221和第一上電極231之前在第一上電極231上方形成第一保護(hù)層241。此后，如圖14所示，在第一保護(hù)層241上方可形成第一光刻膠層311，并且第一光刻膠層311可被曝光并顯影。因此，如圖15中所示，第一光刻膠層311可形成在第一保護(hù)層241上方以與第一像素電極211對應(yīng)。第一光刻膠層311可包括阻光光刻膠材料，從而防止在第一光刻膠層311的曝光過程期間第一中間層221被損壞。此后，如圖16中所示，可通過使用干刻蝕法不僅去除第一中間層221和第一上電極231的暴露在第一光刻膠層311外部的部分，還可去除第一保護(hù)層241的暴露在第一光刻膠層311外部的部分，并且可通過使用O₂等離子體灰化來去除第一光刻膠層311。因此，如圖17中所示，可僅保留圖案化的第一中間層221、第一上電極231和第一保護(hù)層241。

此后，如圖18中所示，可圖案化絕緣層180以暴露第二像素電極212的至少中心部分。可通過類似于上文參照圖8描述的過程的過程來暴露如圖18中所示的第二像素電極212的至少中心部分。

通過類似于以上參照圖13至圖17描述的過程的過程，可形成圖案化為與第二像素電極212對應(yīng)的第二中間層222、第二上電極232和第二保護(hù)層242。即，包括第二發(fā)射層的第二中間層222、第二上電極232和第二保護(hù)層242可形成在第二像素電極212的暴露部分的上方、絕緣層180和第一保護(hù)層241的上部等的上方。此后，在第二保護(hù)層242上方可形成阻光的第二光刻膠層，該阻光的第二光刻膠層形成為與第二像素電極212對應(yīng)而不與第一像素電極211對應(yīng)，可去除第二中間層222、第二上電極232和第二保護(hù)層242的暴露在第二光刻膠層外部的部分，并且隨后可去除第二光刻膠層。在此過程期間，第一保護(hù)層241可保護(hù)圖案化的第一中間層221和第一上電極231以防止第一中間層221和第一上電極231被損壞。

通過與如上所述相同的過程，如圖19中所示，圖案化為與第三像素電極213對應(yīng)的第三中間層223、第三上電極233和第三保護(hù)層243可位于第三像素電極213上方。

在第一中間層221至第三中間層223、第一上電極至第三上電極231、232和233以及第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243被圖案化之后，如圖20中所示，可形成填充層250，填充層250形成為覆蓋第一保護(hù)層241至第三保護(hù)層243。填充層250可由例如聚酰亞胺形成。在填充層250以及第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243中可形成接觸孔以暴露第一上電極至第三上電極231、232和233中的每個的至少一部分。在形成接觸孔的過程中可使用光刻膠層從而防止第一中間層至第三中間層221、222和223被損壞。

此后，如圖20中所示，在填充層250上方可形成通過接觸孔接觸第一上電極至第三上電極231、232和233的公共的電極235。公共電極235可以是透明電極或半透明電極。公共電極235可包括由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其組合形成的層以及由諸如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的透明材料或半透明材料形成的另一層。公共電極235可以是由反射金屬形成的反射電極。

根據(jù)本實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法可使用阻光光刻膠層，從而在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造過程期間最小化對包括發(fā)射層的中間層的損壞。

與此同時，根據(jù)本示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法可同時圖案化第一中間層221、第一上電極231和第一保護(hù)層241。因此，如圖18中所示，第一保護(hù)層241可圖案化成與第一上電極231的形狀相同的形狀。更具體地，第一保護(hù)層241的側(cè)表面可與第一上電極231的側(cè)表面平齊。以同樣的方式，第二保護(hù)層242的側(cè)表面可與第二上電極232的側(cè)表面平齊，以及第三保護(hù)層243的側(cè)表面可與第三上電極233的側(cè)表面平齊。填充層250可與第一中間層至第三中間層221、222和223的側(cè)表面以及第一上電極至第三上電極231、232和233的側(cè)表面直接接觸。

以上描述了根據(jù)示例性實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，但是本發(fā)明不限于此。例如，示例性實(shí)施方式也可包括使用與以上描述相同的方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可具有如圖12中所示的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可包括彼此間隔開的第一像素電極至第三像素電極211、212和213。絕緣層180(即像素限定層)可暴露第一像素電極至第三像素電極211、212和213中的每個的至少中心部分。包括第一發(fā)射層的第一中間層221可位于第一像素電極211上方。包括第二發(fā)射層的第二中間層222可位于第二像素電極212上方。包括第三發(fā)射層的第三中間層223可位于第三像素電極213上方。

第一上電極至第三上電極231、232和233可位于第一中間層至第三中間層221、222和223上方并且可彼此間隔開以分別與第一中間層至第三中間層221、222和223對應(yīng)。第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243也可位于第一上電極至第三上電極231、232和233上方并且可彼此間隔開以分別與第一上電極至第三上電極231、232和233對應(yīng)。第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243可彼此接觸。第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243可覆蓋第一上電極至第三上電極231、232和233的側(cè)表面以及第一中間層至第三中間層221、222和223的側(cè)表面。

填充層250可覆蓋第一上電極至第三上電極231、232和233(即，第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243)，并包括接觸孔以暴露第一上電極至第三上電極231、232和233中的每個的一部分。為此，第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243也可包括接觸孔。第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243的接觸孔可被理解為附加接觸孔以與填充層250的接觸孔區(qū)分開。位于填充層250上方的公共電極235可通過接觸孔和附加接觸孔與第一上電極至第三上電極231、232和233接觸。在一些實(shí)施方式中，填充層250的接觸孔位于與絕緣層180對應(yīng)的位置處。

上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可防止在制造過程期間第一中間層至第三中間層221、222和223被損壞。因此，可制造具有優(yōu)異顯示性能和長使用壽命的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。

根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備可具有如圖20中所示的結(jié)構(gòu)。即，第一保護(hù)層至第三保護(hù)層241、242和243可彼此間隔開并且可具有與第一上電極至第三上電極231、232和233相同的圖案化形狀。相應(yīng)地，第一保護(hù)層241的側(cè)表面可與第一上電極231的側(cè)表面平齊，第二保護(hù)層242的側(cè)表面可與第二上電極232的側(cè)表面平齊，以及第三保護(hù)層243的側(cè)表面可與第三上電極233的側(cè)表面平齊。填充層250可與第一中間層至第三中間層221、222和223的側(cè)表面以及第一上電極至第三上電極231、232和233的側(cè)表面直接接觸。

如上所述，根據(jù)以上示例性實(shí)施方式中的一個或多個，可實(shí)施在最小化對包括發(fā)射層的發(fā)射部分的損壞的同時容易地制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法以及該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。

雖然本文中已描述了某些示例性實(shí)施方式以及實(shí)施例，但是通過本說明書，其它實(shí)施方式和修改將是顯而易見的。相應(yīng)地，本發(fā)明構(gòu)思不限于這些實(shí)施方式，而應(yīng)限于提出的權(quán)利要求及各種明顯的修改和等同布置的更寬的范圍。