本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

各種半導(dǎo)體封裝，例如囊封在模制化合物中的半導(dǎo)體封裝，生產(chǎn)起來不必要地昂貴并且在囊封過程期間會遇到制造缺陷。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通過參看圖式比較常規(guī)方法與本公開其余部分中闡述的本發(fā)明的方法和系統(tǒng)的一些態(tài)樣，將容易明白常規(guī)囊封半導(dǎo)體封裝及其制造方法的局限性和缺點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的各種態(tài)樣提供囊封半導(dǎo)體封裝及其生產(chǎn)方法。作為非限制性實(shí)例，可以通過部分切塊晶片、模制部分切塊的晶片和完全切塊模制的并且部分切塊的晶片，借此生產(chǎn)半導(dǎo)體封裝。

更具體地說，在一個(gè)實(shí)施例中，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括：將晶片固定到載體，所述晶片包括多個(gè)半導(dǎo)體裸片；將所述固定的晶片部分地切塊；囊封所述部分切塊的晶片；以及將所述囊封的部分切塊的晶片切塊。所述將晶片固定到載體包括將所述晶片附接到熱釋放膠帶。所述將所述固定的晶片部分地切塊包括部分地蝕刻所述固定的晶片。所述部分地蝕刻所述固定的晶片包括：沿著第一單分線的第一部分完全蝕刻通過所述固定的晶片；以及阻止沿著所述第一單分線的第二部分蝕刻所述固定的晶片。所述將所述固定的晶片部分地切塊包括留下從所述多個(gè)半導(dǎo)體裸片中的第一裸片延伸到所述多個(gè)半導(dǎo)體裸片中的第二裸片的晶片材料的至少一個(gè)突片。所述晶片材料的至少一個(gè)突片從所述第一裸片的側(cè)面的中間延伸到所述第二裸片的側(cè)面的中間。所述囊封所述部分切塊的晶片包括在模制化合物中囊封所述部分切塊的晶片。所述將所述囊封晶片切塊包括切穿晶片材料和囊封物。所述將所述囊封的部分切塊的晶片切塊包括形成切割線，所述切割線比對所述固定晶片的所述部分切塊期間形成的蝕刻線窄。在所述將所述囊封的部分切塊的晶片切塊之前從所述載體釋放所述囊封的部分切塊的晶片。

在另一實(shí)施例中，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括：將晶片固定到載體，所述晶片包括多個(gè)半導(dǎo)體裸片；至少部分地通過沿著單分線的第一部分完全蝕刻通過所述固定晶片，并且沿著所述單分線的第二部分留下在所述多個(gè)半導(dǎo)體裸片中的鄰近裸片之間延伸并且連接鄰近裸片的晶片材料的連接件，借此將所述固定晶片部分地切塊；在模制化合物中囊封所述部分切塊的并且固定的晶片；以及通過至少部分地沿著所述整個(gè)單分線完全鋸穿所述囊封的部分切塊的晶片，將所述囊封的部分切塊的晶片切塊。所述將所述囊封的部分切塊的晶片切塊包括沿著整個(gè)所述單分線形成切割線，所述切割線比在對所述固定晶片的所述部分切塊期間沿著所述單分線的所述第一部分形成的蝕刻線窄。

在另一實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體裝置，其包括：半導(dǎo)體裸片，其包括：作用表面；與所述作用表面相對的非作用表面；多個(gè)側(cè)表面，其在所述作用表面與所述非作用表面之間延伸；以及突片，其從所述多個(gè)側(cè)表面中的第一側(cè)表面延伸；以及囊封物，其包圍所述半導(dǎo)體裸片的至少所述側(cè)表面，其中所述突片的端面從所述囊封物中露出。所述突片圍繞在所述第一側(cè)表面上。所述突片的端面與所述囊封物的側(cè)表面共面。所述突片包括與所述半導(dǎo)體裸片的所述第一側(cè)表面相同的高度。所述囊封物覆蓋所述半導(dǎo)體裸片的所述非作用表面和所述突片的頂表面。所述囊封物包括環(huán)氧模制化合物。所述囊封物從所述半導(dǎo)體裸片的所述多個(gè)側(cè)表面向外橫向地延伸不超過25um。所述半導(dǎo)體裸片包括：第二突片，其從所述多個(gè)側(cè)表面中的第二側(cè)表面延伸，其中所述第二突片的端面從所述囊封物中露出；第三突片，其從所述多個(gè)側(cè)表面中的第三側(cè)表面延伸，其中所述第三突片的端面從所述囊封物中露出；以及第四突片，其從所述多個(gè)側(cè)表面中的第四側(cè)表面延伸，其中所述第四突片的端面從所述囊封物中露出。

附圖說明

圖1示出了根據(jù)本公開的各種態(tài)樣的制造半導(dǎo)體封裝的實(shí)例方法的流程圖。

圖2A-圖2D示出了說明根據(jù)本公開的各種方面的圖1的實(shí)例方法的各種態(tài)樣的圖式。

圖3A-圖3C示出了說明根據(jù)本公開的各種態(tài)樣的實(shí)例半導(dǎo)體封裝的側(cè)視圖、透視圖和分解視圖的圖式。

具體實(shí)施方式

如本文中所使用，“和/或”意味著由“和/或”聯(lián)結(jié)的列表中的項(xiàng)目中的任何一個(gè)或多個(gè)。作為實(shí)例，“x和/或y”意指三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任何元素。也就是說，“x和/或y”意指“x和y中的一個(gè)或兩個(gè)”。作為另一實(shí)例，“x、y和/或z”意指七元素集合{(x),(y),(z),(x,y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任何元素。也就是說，“x、y和/或z”意指“x、y及z中的一或多個(gè)”。如本文所用，術(shù)語“例如”和“舉例而言”劃出一或多個(gè)非限制性實(shí)例、例子或示例的列表。

本文中所使用的術(shù)語僅出于描述特定實(shí)例的目的，且并不希望限制本公開。如本文中所使用，除非上下文另外明確指示，否則單數(shù)形式也意圖包含復(fù)數(shù)形式。將進(jìn)一步理解，術(shù)語“包括”、“包含”、“具有”等等當(dāng)在本說明書中使用時(shí)，表示所陳述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但是不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其群組的存在或添加。

將理解，雖然術(shù)語第一、第二等可在本文中用以描述各種元件，但這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用以將一個(gè)元件與另一元件區(qū)分開來。因此，例如，在不脫離本公開的教示的情況下，下文論述的第一元件、第一組件或第一部分可被稱為第二元件、第二組件或第二部分。類似地，例如“上部”、“下部”、“側(cè)面”、“頂部”、“底部”等的各種空間術(shù)語可用于以相對方式將一個(gè)元件與另一元件區(qū)分開來。然而，應(yīng)理解，組件可以不同方式定向，例如，在不脫離本公開的教示的情況下，半導(dǎo)體裝置可以側(cè)向轉(zhuǎn)動使得其“頂”表面水平地朝向且其“側(cè)”表面垂直地朝向。

在生產(chǎn)模制半導(dǎo)體封裝的實(shí)例方法中，將晶片完全切塊。接著將單獨(dú)的裸片分別拾取和放置在載體上。當(dāng)裸片固持在載體上的合適位置時(shí)，模制裸片。接著將模制的裸片再次單分以形成單個(gè)封裝。此過程包含各種改進(jìn)機(jī)會。舉例來說，裸片拾取和放置過程是低效并且昂貴的。另外，在模制期間，單個(gè)裸片可能會在載體上移位，從而導(dǎo)致有缺陷的封裝。本公開的各種態(tài)樣提供模制半導(dǎo)體封裝及其生產(chǎn)方法，其能得到更低的生產(chǎn)成本、更快的生產(chǎn)時(shí)間和更低數(shù)目的有缺陷的封裝。

圖1示出了根據(jù)本公開的各種態(tài)樣的制造半導(dǎo)體封裝的實(shí)例方法100的流程圖。實(shí)例封裝可以例如包括晶片級芯片規(guī)模封裝，但本公開的范圍不限于此。

實(shí)例方法100可以在框105處開始執(zhí)行。實(shí)例方法100可以響應(yīng)于任何各種原因或條件而開始執(zhí)行，在此提供所述各種原因或條件的非限制性實(shí)例。舉例來說，實(shí)例方法100可以響應(yīng)于指示半導(dǎo)體裸片的晶片準(zhǔn)備好被封裝和/或在其去往實(shí)施方法100的平臺的路途上或路途的一部分上的上游過程而開始執(zhí)行。另外，舉例來說，實(shí)例方法100可以響應(yīng)于方法100的執(zhí)行流程返回到來自方法100的另一框的框105而開始執(zhí)行。總的來說，實(shí)例方法100可以響應(yīng)于任何多種原因或條件而開始執(zhí)行。因此，本公開的范圍不應(yīng)受到任何特定原因或條件的特性的限制。

實(shí)例方法100可以在框110處包括接收半導(dǎo)體裸片的晶片?？?10可以包括以任何各種方式接收晶片，在此提供所述各種方式的非限制性實(shí)例。舉例來說，框110可包括從操作者接收晶片。而且，舉例來說，框110可包括從自動操控系統(tǒng)接收晶片(例如，無需直接操作者交互)。另外，舉例來說，框110可包括在行進(jìn)或傳送緊固件等上作為單獨(dú)的零件接收原始晶片?？偟膩碚f，框110可包括接收半導(dǎo)體裸片的晶片。因此，本公開的范圍不應(yīng)受到接收此晶片的任何特定方式的特性的限制。

雖然本公開總體上涉及半導(dǎo)體裸片的晶片(例如硅晶片等)，但是本公開的各種態(tài)樣的范圍不限于此。舉例來說，可以作為面板、晶片的部分等接收半導(dǎo)體裸片。并且，接收到的晶片可包括任何多種特征，例如在后端晶片制造過程中添加到晶片的特征、通過先前半導(dǎo)體器件封裝過程添加的特征等。舉例來說，晶片可僅包括裸片，晶片可包括形成于其上(例如在晶片的作用側(cè)上)的各種電介質(zhì)層和/或傳導(dǎo)層(例如再分布層)，接收到的晶片可具有形成于其上(例如在晶片的作用側(cè)上)的互連特征(例如襯墊、凸臺、凸塊等)，接收到的晶片可包括形成于其中的穿硅通孔等。因此，本公開的范圍不應(yīng)受到接收到的半導(dǎo)體裸片的晶片或面板的特定特性的限制。

實(shí)例方法100可以在框120處包括固定接收到的晶片(例如在框110處接收到的晶片)?？?20可以包括以任何各種方式固定接收到的晶片，在此提供所述各種方式的非限制性實(shí)例。舉例來說，框120可包括將接收到的晶片附著到膠帶(例如熱釋放膠帶、紫外輻射釋放膠帶等)，膠帶安置于載體上。舉例來說，可以將接收到的晶片的作用側(cè)放置成與釋放膠帶接觸。而且舉例來說，框120可包括將接收到的晶片附著到粘合膏或液體，其例如涂布在載體上或者放置在載體上。應(yīng)注意，必要時(shí)可以執(zhí)行粘合固化。另外，舉例來說，框120可包括利用真空和/或機(jī)械機(jī)構(gòu)固定晶片等。

晶片固定至的載體可包括多種特性中的任何特性。舉例來說，載體可包括金屬載體、玻璃載體、陶瓷載體等。載體可以例如包括與后續(xù)切塊、模制或一般封裝形成操作中利用的對應(yīng)的緊固特征或設(shè)備配合的特征。

圖2A處示出了框120的實(shí)例圖示220。舉例來說，晶片224的作用側(cè)放置在粘合劑層222(例如熱釋放膠帶等)上?？偟膩碚f，晶片224將覆蓋粘合劑222，圖2A中出于說明性目的將粘合劑222露出。

總的來說，框120可包括以任何各種方式固定接收到的晶片。因此，本公開的范圍不應(yīng)受到用于固定晶片的任何特定方式和/或機(jī)構(gòu)的特性的限制。

實(shí)例方法100可以在框130處包括將被固定的晶片(例如如在框120處被固定)切塊。框130可以包括以任何各種方式將晶片切塊，在此提供所述各種方式的非限制性實(shí)例。

舉例來說，框130可包括僅僅將晶片部分地切塊(或單分)。在實(shí)例實(shí)施方案中，框130可包括沿著單分線的第一部分完全切割或蝕刻穿過晶片，以及阻止沿著單分線的第二部分完全切割或蝕刻穿過晶片(或者阻止對晶片進(jìn)行任何切割或蝕刻)。圖2B提供從框130產(chǎn)生的部分切塊晶片的實(shí)例圖示230。

圖示230示出了晶片的第一裸片231，其用第二連接件233(或連接部件)連接到第二裸片232。此連接件233可以例如對應(yīng)于單分線的未切割(或非完全切割、或未蝕刻、或未完全蝕刻等)部分。第二連接件233可以例如包括與第一裸片231相同或者可以更短的高度(或厚度)。而且，舉例來說，連接件233可具有多種長度特性中的任何長度特性。舉例來說，在實(shí)例實(shí)施方案中，連接件233可以在第一裸片231與第二裸片232之間是140um長(例如+/-5％或+/-10％)或更小。換句話說，單分線的切割(或蝕刻)部分的寬度可以是140um寬(例如+/-5％或+/-10％)或更小。連接件233還可例如具有多種寬度特性中的任何寬度特性。舉例來說，連接件233的寬度總體上可以與其高度相同。而且，舉例來說，連接件233的寬度可以小于其高度。

雖然連接件233總體上示出為從第一裸片231的側(cè)表面的中間延伸到第二裸片232的側(cè)表面的中間，但是連接件233可以位于任何多種位置。舉例來說，連接件233可以從裸片231和232的中心偏移。而且，舉例來說，連接件233可以形成在裸片231和232的鄰近角等。另外，雖然第一裸片231與第二裸片232之間僅僅示出單個(gè)實(shí)例連接件233，但是第一裸片231與第二裸片232之間(或任何鄰近裸片之間)可存在多個(gè)這樣的連接件。在另一實(shí)例實(shí)施方案中，可存在將對角線裸片彼此連接的連接件，例如作為對連接橫向地鄰近的裸片的補(bǔ)充或取代。

類似地，第一裸片231可以用連接件235連接到第三裸片234，第一裸片231可以用連接件237連接到第四裸片236，并且第一裸片231可以用連接件239連接到第五裸片238。雖然實(shí)例連接件全部示出為具有相同尺寸，但是本公開的范圍不限于此。而且，例如，具有相對較少裸片的單分線中的連接件可以比具有相對較多裸片的單分線中的連接件更寬(例如，在晶片包括矩形裸片的場景中等)。

應(yīng)注意，雖然本文中論述的實(shí)例實(shí)施方案可包括連接件，但是本公開的范圍不僅僅限于利用這樣的連接件的實(shí)施方案。換句話說，可以在框130處執(zhí)行完全切塊而不是部分切塊。

框130可包括利用多種技術(shù)中的任何技術(shù)執(zhí)行切塊。舉例來說，框130可包括利用蝕刻(例如等離子蝕刻、液體蝕刻、干式蝕刻等)將晶片切塊(例如部分地切塊)。舉例來說，單分線的第二部分(例如對應(yīng)于本文中論述的連接件)可以被掩蔽，以防止這樣的第二部分受到蝕刻，而單分線的第一部分可以不受掩蔽并且經(jīng)受蝕刻。應(yīng)注意，可以利用其它晶片蝕刻和/或切割技術(shù)(例如激光切塊、機(jī)械切塊等)。

應(yīng)注意，在蝕刻晶片利用膠帶(例如熱釋放膠帶)固定到載體的實(shí)例實(shí)施方案中，框130可以在切塊時(shí)使膠帶保持完好。然而，在另一個(gè)實(shí)施方案中，膠帶也可以被蝕刻或切割(例如完全或部分)。

總的來說，框130可包括以任何各種方式(例如部分切塊等)將被固定的晶片(例如如在框120處被固定)切塊。因此，本公開的范圍不受任何特定切塊方式的限制。

實(shí)例方法100可以在框140處包括將晶片(例如如在框130處切塊)囊封在囊封物中?？?40可包括以任何各種方式執(zhí)行這樣的囊封，本文中提供各種方式的非限制性實(shí)例。舉例來說，框140可包括用模制化合物(例如環(huán)氧模制化合物(EMC)等)在切塊的晶片上包覆模制?？?40可以例如包括利用轉(zhuǎn)移模制工藝、壓縮模制工藝、注射模制工藝等。

圖2C示出了包含覆蓋圖2B的切塊晶片的包封材料245的圖示240。可以在單分線或更具體來說在單分線的在框130處的切塊之后沒有晶片材料的部分中填充囊封材料。囊封材料可以因而包圍連接件233、235、237和239的至少側(cè)面和頂面。囊封材料245還可覆蓋裸片的背對載體的表面(例如，在作用表面安裝到載體的場景中，這是裸片的非作用表面)。圖2C中示出了此配置，其中裸片和/或其間的連接件都未示出為從囊封物245中露出。應(yīng)注意，這樣的裸片表面不需要被囊封物覆蓋。

總的來說，框140可包括將晶片(例如如在框130處切塊)囊封在囊封物中。因此，本公開的范圍不受任何特定類型的囊封的特性的限制。

實(shí)例方法100可以在框150處包括將囊封晶片(例如在框140處囊封)從載體上釋放?？?50可以包括以任何各種方式釋放囊封晶片，在此提供所述各種方式的非限制性實(shí)例。舉例來說，在框120包括利用熱釋放膠帶固定晶片的實(shí)例實(shí)施方案中，框150可包括向熱釋放膠帶施熱，由此使得熱釋放膠帶失去其粘合力。在其它實(shí)例實(shí)施方案中，框150可包括移除用于在框120處固定晶片的機(jī)械和/或真空力。在又另一實(shí)例中，框150可包括利用紫外光和/或化學(xué)物質(zhì)移除或抵消用于在框120處固定晶片的粘合劑?？偟膩碚f，框150可包括從載體釋放囊封晶片。因此，本公開的范圍不受任何執(zhí)行這樣的釋放的特定方式的特性的限制。

應(yīng)注意，在各種實(shí)例實(shí)施方案中，框150可以跳過。舉例來說，在晶片在框120處被固定至的同一個(gè)載體和/或相同晶片朝向可以用在后續(xù)操作(例如將囊封晶片切塊)中的實(shí)例實(shí)施方案中，囊封晶片可以以此方式繼續(xù)受到固定。

還應(yīng)注意，在各種實(shí)例實(shí)施方案中(例如在從載體釋放囊封晶片之后)，可以形成各種電介質(zhì)層和傳導(dǎo)層(例如再分布層)，例如以將信號路由到期望位置(例如在裸片的作用表面上、以扇出配置在囊封物的底表面上等)。

實(shí)例方法100可以在框160處包括將囊封晶片切塊?？?60可以包括以任何各種方式將囊封晶片切塊，在此提供所述各種方式的非限制性實(shí)例。舉例來說，框160可包括利用激光或機(jī)械鋸(例如從晶片的頂面、從晶片的底面等)將囊封晶片切塊。

圖2D提供從框160產(chǎn)生的切塊囊封晶片的實(shí)例圖示250。這樣的切塊可以例如形成單個(gè)半導(dǎo)體裝置封裝。舉例來說，第一半導(dǎo)體封裝251可包括圖2B中所示的第一半導(dǎo)體裸片231。類似地，第二半導(dǎo)體封裝252、第三半導(dǎo)體封裝254、第四半導(dǎo)體封裝256、和第五半導(dǎo)體封裝258可分別包括第二半導(dǎo)體裸片232、第三半導(dǎo)體裸片234、第四半導(dǎo)體裸片236、和第五半導(dǎo)體裸片238。

在實(shí)例實(shí)施方案中，當(dāng)比較圖2B和圖2D時(shí)如圖解所示，在框130處(例如在部分切塊期間)在裸片之間形成具有第一寬度(例如如圖2B中所示在裸片之間)的第一單分線。此單分線可以例如具有保持在其中的連接件。框160接著可包括形成具有比第一寬度更窄的第二寬度的單分線(例如如圖2D中所示在模制裸片之間)。因此，裸片的側(cè)表面保持被囊封材料245覆蓋。

舉例來說，在實(shí)例實(shí)施方案中并且如本文所論述，框130可以得到140um的第一單分線寬度(例如蝕刻線寬等)。繼續(xù)實(shí)例實(shí)施方案，框160可包括形成具有100um(例如對應(yīng)于激光束寬度、鋸條寬度等)的寬度(例如切割線寬等)的單分線。在此實(shí)施方案中，40um的模制材料245可以沿著單分線保持(例如相應(yīng)20um的模制材料245)耦合到每個(gè)半導(dǎo)體裸片的相應(yīng)側(cè)表面。應(yīng)注意，這樣的寬度參數(shù)是實(shí)例，并且本公開的范圍不限于此。舉例來說，根據(jù)本公開的各種態(tài)樣，可以在框160處切塊之后保留毗鄰每個(gè)半導(dǎo)體裸片(例如從半導(dǎo)體裸片的側(cè)面延伸)的25um的模制化合物寬度。

在框160處切塊可以切穿模制化合物和在鄰近半導(dǎo)體裸片之間延伸并且耦合鄰近半導(dǎo)體裸片的連接件。舉例來說，參看圖2B和圖2C，框160可包括切穿模制化合物245和連接件233、235、237和239。與囊封材料245一樣，在框160處形成的單分線比在框130處形成的單分線(例如切割線寬等)更寬(例如蝕刻線寬等)的實(shí)例情境中，連接件233、235、237和239的一些部分將在切塊之后保留，并且這樣的連接件233、235、237和239的相應(yīng)端面可以與囊封材料245的相應(yīng)切割側(cè)面共面。連接件233、235、237和239的這樣的剩余部分在本文中也可被稱作突片。

總的來說，框160可包括將囊封晶片切塊。因此，本公開的范圍不應(yīng)受到執(zhí)行這樣的切塊的任何特定方式的特性的限制。

實(shí)例方法100可以在框195處包括執(zhí)行從囊封晶片切塊的封裝的持續(xù)處理。這樣的持續(xù)處理可包括任何多種類型的持續(xù)處理(例如丟球、標(biāo)記、測試、進(jìn)一步封裝、信號路由等)。框195還可例如包括使實(shí)例方法100的執(zhí)行流返回到實(shí)例方法100的任何先前框(例如用于接收下一個(gè)晶片和處理這下一個(gè)晶片的框110等)。

應(yīng)注意，作為一實(shí)例提出實(shí)例方法100用于說明本公開的各種態(tài)樣。本公開的范圍不限于實(shí)例方法100的具體特性。

現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖3A-圖3C，這些圖示出了根據(jù)本公開的各種態(tài)樣的示出實(shí)例半導(dǎo)體封裝251的側(cè)視圖、透視圖和分解圖的圖式。實(shí)例半導(dǎo)體封裝251可以例如通過實(shí)施本文中論述的實(shí)例方法100得到。實(shí)例半導(dǎo)體封裝251(或其任何一部分)可以例如與本文中論述的任何其它封裝(或其任何一部分)有一些共同的特性。

圖3A示出了說明穿過不與來自連接件233、235、237和239的突片之一相交的線截取的實(shí)例半導(dǎo)體封裝251的橫截面圖。在實(shí)例半導(dǎo)體封裝251中，示出囊封物245(例如環(huán)氧模制化合物等)覆蓋裸片231的頂表面(例如非作用表面等)。囊封物245還覆蓋裸片231的側(cè)表面。如本文中所闡釋，囊封物245可以例如從裸片231的側(cè)面橫向地延伸20um。并且，舉例來說，囊封物245可以從裸片231的側(cè)面橫向地延伸25um或更少。在另一實(shí)例場景中，囊封物245可以從裸片231的側(cè)面延伸100um或更少。

圖3B示出了說明實(shí)例半導(dǎo)體封裝251的透視圖的圖。在所圖示的實(shí)例中，裸片231的作用表面從囊封物245中露出(例如從囊封物的底部)。另外，突片(例如在框160處切塊之后剩余的連接件233、235、237和239的部分)的各種表面從囊封物245中露出。舉例來說，在框160包括用同一個(gè)切割機(jī)構(gòu)(例如激光、鋸條、定向能量、蝕刻技術(shù)等)切割囊封物245和連接件233、235、237和239的實(shí)施方案中，連接件233、235、237和239的所得突片的端面可以從囊封物245的側(cè)表面露出，并且可以與囊封物245的側(cè)表面共面。此外，這樣的所得突片的底表面也可從囊封物245露出，其中這樣的底表面可以例如與囊封物245的底表面和裸片231的底表面(例如作用表面等)共面。再者，可以用囊封物245覆蓋這樣的所得突片的頂表面連同裸片231的頂表面，裸片231的頂表面可以例如與突片的頂表面共面。

圖3C示出了實(shí)例半導(dǎo)體封裝251的分解圖的圖，例如用于更好地理解實(shí)例半導(dǎo)體封裝251的各種組件的相應(yīng)形狀。舉例來說，圖3C示出了切斷連接件233、235、237和239剩余的突片，每個(gè)突片從裸片231的相應(yīng)側(cè)表面橫向地延伸。如本文所論述，突片可以例如包括與裸片231相同的高度(例如厚度)。并且，舉例來說，突片可包括20um并且在各種實(shí)例實(shí)施方案中25um或更小的長度(例如從裸片231的側(cè)面延伸的距離)。另外，舉例來說，突片可包括100um或更小的長度。另外，舉例來說，突片可包括與高度尺寸相同的寬度尺寸。然而，在其它實(shí)例中，如圖3A-圖3C中所示，突片可包括比高度尺寸更窄的寬度尺寸。雖然突片總體上示出為相同的，但是應(yīng)注意，突片可以彼此不同。舉例來說，對應(yīng)于單分行的突片可包括不同于對應(yīng)于單分列的突片的尺寸(例如寬度尺寸等)。舉例來說，對應(yīng)于具有相對較少裸片的單分線的突片可包括比對應(yīng)于具有相對更多裸片的單分線的突片更大(例如更寬等)的尺寸(例如寬度尺寸等)。

綜上所述，本公開的各種態(tài)樣提供囊封半導(dǎo)體封裝及其生產(chǎn)方法。作為非限制性實(shí)例，可以通過部分切塊晶片、模制部分切塊的晶片和完全切塊模制的并且部分切塊的晶片，借此生產(chǎn)半導(dǎo)體封裝。雖然已經(jīng)參考某些態(tài)樣和實(shí)例描述了以上內(nèi)容，但是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，在不脫離本公開的范圍的情況下，可進(jìn)行各種改變并可用等效物取代。另外，在不脫離本公開的范圍的情況下，可以進(jìn)行許多修改以使特定情況或材料適應(yīng)本公開的教示。因此，希望本公開不限于所公開的特定實(shí)例，而是本公開將包括落入所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)的所有實(shí)例。