本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

當(dāng)前，顯示面板作為電子行業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，其技術(shù)在不斷的演變和革新，其中，氧化物技術(shù)和低溫多晶硅技術(shù)因其自身的優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用。具體地，低溫多晶硅晶體管的優(yōu)點(diǎn)在于可用于制作金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal Oxide Semiconductor，MOS)器件，氧化物晶體管的優(yōu)點(diǎn)在于其具有較小的漏電流。

盡管具有上述優(yōu)點(diǎn)，但氧化物技術(shù)和低溫多晶硅技術(shù)也因其自身的缺點(diǎn)，在實(shí)際的應(yīng)用中受到了限制，具體地，低溫多晶硅晶體管的漏電流過大，而氧化物晶體管較難用于制備MOS器件。

因此，無論是采用低溫多晶硅技術(shù)的顯示器件，還是采用氧化物技術(shù)的顯示器件，其在實(shí)際應(yīng)用中都存在很大問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種同時(shí)具有氧化物晶體管和低溫多晶硅晶體管的顯示基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示基板，所述顯示基板包括襯底和位于襯底上方的低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管，所述襯底上設(shè)置有顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域，

所述低溫多晶硅晶體管位于所述周邊區(qū)域內(nèi)，所述氧化物晶體管位于所述顯示區(qū)域內(nèi)。

其中，所述顯示基板還包括：第一絕緣層和第二絕緣層，所述第 一絕緣層和所述第二絕緣層中設(shè)置有第一過孔和第二過孔；

所述低溫多晶硅晶體管包括：低溫多晶硅有源層、第一柵極、第一源極和第一漏極，部分所述第一源極位于所述第一過孔中，部分所述第一漏極位于所述第二過孔中，所述第一柵極和所述低溫多晶硅有源層之間設(shè)置有所述第一絕緣層；

所述氧化物晶體管包括：第二柵極、第二源極、第二漏極和氧化物有源層，所述第二柵極和所述第二源極、第二漏極之間設(shè)置有所述第二絕緣層，所述第二源極和第二漏極均與所述氧化物有源層連接。

其中，所述顯示基板還包括：像素電極；

所述像素電極與所述第二漏極連接。

作為另一技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示基板的制備方法，包括：

在襯底上方形成低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管；

所述襯底上設(shè)置有顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域，所述低溫多晶硅晶體管位于所述周邊區(qū)域內(nèi)，所述氧化物晶體管位于所述顯示區(qū)域內(nèi)。

其中，所述低溫多晶硅晶體管包括：低溫多晶硅有源層、第一柵極、第一源極和第一漏極；所述氧化物晶體管包括：第二柵極、第二源極、第二漏極和氧化物有源層；

所述在所述襯底上形成低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管包括：

在襯底上形成低溫多晶硅有源層；

在所述低溫多晶硅有源層上沉積第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第一柵極和第二柵極；

在所述第一柵極和所述第二柵極上沉積第二絕緣層，并對所述第一絕緣層和所述第二絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層中形成第一過孔和第二過孔；

在所述第二絕緣層上形成第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極，部分所述第一源極位于所述第一過孔中，部分所述第一漏極位于所述第二過孔中；

在所述第二源極和第二漏極上形成氧化物有源層。

其中，在所述第二源漏極上形成氧化物有源層的同時(shí)還形成像素電極；

所述在所述第二源漏極上形成氧化物有源層的同時(shí)還形成像素電極包括：

在所述第二源極和第二漏極上沉積氧化物層和光刻膠層，對所述光刻膠層進(jìn)行曝光形成曝光后的光刻膠圖形，所述曝光后的光刻膠圖形包括完全曝光光刻膠圖形、部分曝光光刻膠圖形和未曝光光刻膠圖形；

對曝光后的光刻膠圖形進(jìn)行顯影，去除所述完全曝光光刻膠圖形以暴露出部分氧化物層；

對暴露出的部分氧化物層進(jìn)行刻蝕；

采用灰化工藝，去除所述部分曝光光刻膠圖形；

對所述部分曝光光刻膠圖形對應(yīng)的所述氧化物層進(jìn)行導(dǎo)體化工藝，以形成像素電極；

去除灰化工藝后剩余的所述未曝光光刻膠圖形。

作為另一技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括上述任意一項(xiàng)所述的顯示基板。

作為另一技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。

本發(fā)明的顯示基板及其制備方法、顯示面板、顯示裝置中，該顯示基板包括襯底和位于襯底上方的低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管，襯底上設(shè)置有顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域，低溫多晶硅晶體管位于周邊區(qū)域內(nèi)，氧化物晶體管位于顯示區(qū)域內(nèi)，通過將低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管同時(shí)設(shè)置在顯示基板中，既能夠通過氧化物晶體管，在顯示過程中，有效減小顯示區(qū)域中像素電極顯示灰度的偏差及顯示裝置的電能耗損；同時(shí)，還能夠通過低溫多晶硅晶 體管良好的電性能穩(wěn)定性，用于周邊區(qū)域的驅(qū)動；以此，能夠有效提升產(chǎn)品性能，提高產(chǎn)品競爭力。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的實(shí)施例1的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中步驟S1的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中步驟S2的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中步驟S3的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中步驟S4的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中步驟S5的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中步驟S6的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中步驟S71的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中步驟S72的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中步驟S73的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中步驟S74的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中步驟S75的結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，附圖標(biāo)記為：A、顯示區(qū)域；B、周邊區(qū)域；1、襯底；2、低溫多晶硅晶體管；21、低溫多晶硅有源層；22、第一柵極；23、第一源極；24、第一漏極；3、氧化物晶體管；31、第二柵極；32、第二 源極；33、第二漏極；34、氧化物有源層；4、第一絕緣層；41、第一過孔；42、第二過孔；5、第二絕緣層；6、像素電極；7、氧化物層；10、完全曝光光刻膠圖形；11、部分曝光光刻膠圖形；12、未曝光光刻膠圖形；。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例1：

請參照圖1，本實(shí)施例提供一種顯示基板，顯示基板包括襯底1和位于襯底1上方的低溫多晶硅晶體管2和氧化物晶體管3，襯底1上設(shè)置有顯示區(qū)域A和位于顯示區(qū)域A周圍的周邊區(qū)域B，低溫多晶硅晶體管2位于周邊區(qū)域B內(nèi)，氧化物晶體管3位于顯示區(qū)域A內(nèi)。

從圖1中可以看出，氧化物晶體管3位于顯示區(qū)域A內(nèi)，之所以如此設(shè)置，是由于氧化物晶體管3具有較小的漏電流，在顯示過程中，能夠有效提升顯示畫面品質(zhì)及減小顯示裝置的電能耗損，因此，將其設(shè)置在顯示區(qū)域A內(nèi)；而將低溫多晶硅晶體管2設(shè)置在周邊區(qū)域B內(nèi)，是由于在顯示過程中，低溫多晶硅晶體管2產(chǎn)生的漏電流較大，但因其具有良好的電性能穩(wěn)定性，可以用于周邊區(qū)域B的驅(qū)動。

低溫多晶硅晶體管2包括：低溫多晶硅有源層21、第一柵極22、第一源極23和第一漏極24，部分第一源極23位于第一過孔41中，部分第一漏極24位于第二過孔42中，第一柵極22和低溫多晶硅有源層21之間設(shè)置有第一絕緣層4。

其中，顯示基板還包括：第一絕緣層4和第二絕緣層5，第一絕緣層4和第二絕緣層5中設(shè)置有第一過孔41和第二過孔42。

從圖1中可以看出，第一絕緣層4和第二絕緣層5中設(shè)置有第一過孔41和第二過孔42，第一過孔41和第二過孔42分別使部分低溫多晶硅有源層21裸露出來。

從圖1中可以看出，低溫多晶硅有源層21位于襯底1上；第一柵 極22和低溫多晶硅有源層21之間設(shè)置有第一絕緣層4，以將第一柵極22和低溫多晶硅有源層21隔開，避免短路；第一源極23的一部分位于第一過孔41中，第一源極23的另一部分位于第二絕緣層5上，因此，第一源極23通過第一過孔41與低溫多晶硅有源層21連接；第一漏極24的一部分位于第二過孔42中，第一漏極24的另一部分位于第二絕緣層5上，因此，第一漏極24通過第二過孔42與低溫多晶硅有源層21連接。

氧化物晶體管3包括：第二柵極31、第二源極32、第二漏極33和氧化物有源層34，第二柵極31和第二源極32、第二漏極33之間設(shè)置有第二絕緣層5，第二源極32和第二漏極33均與氧化物有源層34連接。

從圖1中可以看出，第二柵極31位于第一絕緣層4上；第二源極32和第二漏極33位于第二絕緣層5上，第二源極32和第二漏極33之間不連接，第二絕緣層5用于將第二源極32和第二漏極33與第二柵極31隔開，從而避免發(fā)生短路；氧化物有源層34也位于第二絕緣層5上，部分第二源極32位于氧化物有源層34上，部分第二漏極33位于氧化物有源層34上。

其中，顯示基板還包括：像素電極6；像素電極6與第二漏極33連接。

從圖1所示，顯示基板還包括有像素電極6，像素電極6的一部分位于第二漏極33上，像素電極6的另一部分位于第二絕緣層5上。

本實(shí)施例的顯示基板，低溫多晶硅晶體管2位于周邊區(qū)域B內(nèi)，氧化物晶體管3位于顯示區(qū)域A內(nèi)，通過將低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管同時(shí)設(shè)置在顯示基板中，既能夠通過氧化物晶體管，在顯示過程中，有效減小顯示區(qū)域中像素電極顯示灰度的偏差及顯示裝置的電能耗損；同時(shí)，還能夠通過低溫多晶硅晶體管良好的電性能穩(wěn)定性，用于周邊區(qū)域的驅(qū)動；以此，能夠有效提升產(chǎn)品性能，提高產(chǎn)品競爭力。

實(shí)施例2：

請參照圖2至圖12，本實(shí)施例提供一種顯示基板的制備方法，包括：

步驟S0，在襯底1上方形成低溫多晶硅晶體管2和氧化物晶體管3；襯底上1設(shè)置有顯示區(qū)域A和位于顯示區(qū)域A周圍的周邊區(qū)域，低溫多晶硅晶體管2位于周邊區(qū)域B內(nèi)，氧化物晶體管3位于顯示區(qū)域A內(nèi)。

其中，低溫多晶硅晶體管2包括：低溫多晶硅有源層21、第一柵極22、第一源極23和第一漏極24；氧化物晶體管3包括：第二柵極31、第二源極32、第二漏極33和氧化物有源層34。

在本實(shí)施例中，襯底1可以由玻璃或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等其他材料制成，在此不再贅述。

步驟S0包括：

如圖2所示，步驟S1，在襯底1上形成低溫多晶硅有源層21。

具體的，在襯底1上沉積一層單晶硅a-Si層，采用準(zhǔn)分子激光退火法(Excimer Laser Annealing，ELA)激光晶化的方式，利用一定能量的準(zhǔn)分子激光對單晶硅a-Si層進(jìn)行激光輻射，使a-Si層晶化成為p-Si層；然后，對p-Si層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成低溫多晶硅有源層21。其中，構(gòu)圖工藝可包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離等工藝。

如圖3所示，步驟S2，在低溫多晶硅有源層21上沉積第一絕緣層4。

如圖4所示，步驟S3，在第一絕緣層4上形成第一柵極22和第二柵極31。

具體地，在第一絕緣層4上沉積柵極材料層，對柵極材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成第一柵極22和第二柵極31。其中，構(gòu)圖工藝可包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離等工藝。

如圖5所示，步驟S4，在第一柵極22和第二柵極31上沉積第二絕緣層5，并對第一絕緣層4和第二絕緣層5進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以在第一絕緣層4和第二絕緣層5中形成第一過孔41和第二過孔42。

具體地，在第一柵極22和第二柵極31上沉積第二絕緣層5，對第二絕緣層5進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成第一過孔41和第二過孔42。其中， 構(gòu)圖工藝可包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離等工藝。

在本實(shí)施例中，第一絕緣層4和第二絕緣層5可采用SiN_x、SiO₂或樹脂等絕緣材料制成，在此不再贅述。

如圖6所示，步驟S5，在第二絕緣層5上形成第一源極23、第一漏極24、第二源極32和第二漏極33，部分第一源極23位于第一過孔41中，部分第一漏極24位于第二過孔42中。

具體地，在第二絕緣層5上沉積源漏材料層，對源漏材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成第一源極23、第一漏極24、第二源極32和第二漏極33。其中，構(gòu)圖工藝可包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離等工藝。

步驟S6，在第二源極32和第二漏極33上形成氧化物有源層34和像素電極6。

在本實(shí)施例中，氧化物層所采用的氧化物為銦鎵鋅氧化物(IGZO)或銦錫鋅氧化物(ITZO)等氧化物半導(dǎo)體材料，在此不再贅述。

步驟S6包括：

如圖7所示，步驟S61，在第二源極32和第二漏極33上沉積氧化物層7和光刻膠層，對光刻膠層進(jìn)行曝光形成曝光后的光刻膠圖形，曝光后的光刻膠圖形包括完全曝光光刻膠圖形10、部分曝光光刻膠圖形11和未曝光光刻膠圖形12。

如圖8所示，步驟S62，對曝光后的光刻膠圖形進(jìn)行顯影，去除完全曝光光刻膠圖形10，以暴露出部分氧化物層7。同時(shí)，保留未曝光光刻膠圖形12和部分曝光光刻膠圖形11。

如圖9所示，步驟S63，對暴露出的部分氧化物層7進(jìn)行刻蝕。

如圖10所示，步驟S64，采用灰化工藝，去除部分曝光光刻膠圖形11。

由于步驟S61采用半色調(diào)掩膜板或灰度掩膜板進(jìn)行曝光，使得部分曝光光刻膠圖形11的厚度小于未曝光光刻膠圖形12的厚度，因此，通過灰化工藝去除部分曝光光刻膠圖形11時(shí)，未曝光光刻膠圖形12的厚度也會隨之減小，但不會完全被去除。

如圖11所示，步驟S65，對部分曝光光刻膠圖形11對應(yīng)的氧化 物層7進(jìn)行導(dǎo)體化工藝，以形成像素電極6。

如圖12所示，步驟S66，去除灰化工藝后剩余的未曝光光刻膠圖形12，以形成氧化物有源層34。

本實(shí)施例的顯示基板的制備方法，用于制備實(shí)施例1的顯示基板，通過將低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管同時(shí)設(shè)置在顯示基板中，既能夠通過氧化物晶體管，在顯示過程中，有效減小顯示區(qū)域中像素電極顯示灰度的偏差及顯示裝置的電能耗損；同時(shí)，還能夠通過低溫多晶硅晶體管良好的電性能穩(wěn)定性，用于周邊區(qū)域的驅(qū)動；以此，能夠有效提升產(chǎn)品性能，提高產(chǎn)品競爭力。

實(shí)施例3：

本實(shí)施例提供一種顯示面板，包括實(shí)施例1的顯示基板。

本實(shí)施例的顯示面板，包括實(shí)施例1的顯示基板，通過將低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管同時(shí)設(shè)置在顯示基板中，既能夠通過氧化物晶體管，在顯示過程中，有效減小顯示區(qū)域中像素電極顯示灰度的偏差及顯示裝置的電能耗損；同時(shí)，還能夠通過低溫多晶硅晶體管良好的電性能穩(wěn)定性，用于周邊區(qū)域的驅(qū)動；以此，能夠有效提升產(chǎn)品性能，提高產(chǎn)品競爭力。

實(shí)施例4：

本實(shí)施例提供了一種顯示裝置，其包括實(shí)施例3的顯示面板。顯示裝置可以為：液晶顯示面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本實(shí)施例的顯示裝置，包括實(shí)施例3的顯示面板，通過將低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管同時(shí)設(shè)置在顯示基板中，既能夠通過氧化物晶體管，在顯示過程中，有效減小顯示區(qū)域中像素電極顯示灰度的偏差及顯示裝置的電能耗損；同時(shí)，還能夠通過低溫多晶硅晶體管良好的電性能穩(wěn)定性，用于周邊區(qū)域的驅(qū)動；以此，能夠有效提升產(chǎn)品性能，提高產(chǎn)品競爭力。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。