優(yōu)先權(quán)及交叉引用

本申請要求于2015年11月25日提交的美國臨時申請序列號62/260，146的優(yōu)先權(quán)，該申請的全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體器件用于諸如個人計算機(jī)、蜂窩電話、數(shù)碼相機(jī)或其他電子設(shè)備的各種電子應(yīng)用。半導(dǎo)體工業(yè)通過不斷減小最小部件尺寸持續(xù)地改進(jìn)各個電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許更多的組件集成至給定的區(qū)域。

術(shù)語“互連”在集成電路中是指連接各個電子組件的導(dǎo)電線。除了在接觸區(qū)域上，互連導(dǎo)電線通過絕緣層與襯底分隔開。隨著部件密度的增加，導(dǎo)電線的寬度和位于互連結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電線之間的間隔的尺寸也變得更小。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底；至少一個第一柵極結(jié)構(gòu)，位于襯底上；至少一個第一間隔件，位于第一柵極結(jié)構(gòu)的至少一個側(cè)壁上；至少一個源漏結(jié)構(gòu)，鄰近于第一間隔件；至少一個導(dǎo)體，電連接至源漏結(jié)構(gòu)；以及至少一個保護(hù)層，位于導(dǎo)體和第一間隔件之間并且位于第一柵極結(jié)構(gòu)的頂面上。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底；至少一個柵極結(jié)構(gòu)，位于襯底上；至少一個間隔件，位于柵極結(jié)構(gòu)的至少一個側(cè)壁上；至少一個源漏結(jié)構(gòu)，位于襯底上；至少一個第一介電層，至少位于柵極結(jié)構(gòu)上并且在至少一個第一介電層中具有開口，其中，通過開口暴露源漏結(jié)構(gòu)；至少一個導(dǎo)體，至少通過開口電連接至源漏結(jié)構(gòu)；以及至少一個保護(hù)層，位于導(dǎo)體和間隔件之間并且位于第一介電層和柵極結(jié)構(gòu)之間。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，方法包括：在至少一個源漏結(jié)構(gòu)上并且在至少一個第一柵極結(jié)構(gòu)和至少一個第二柵極結(jié)構(gòu)之間形成第一介電層；去除第一介電層的上部，使得第一介電層、第一柵極結(jié)構(gòu)以及第二柵極結(jié)構(gòu)形成凹槽；至少在凹槽的至少一個側(cè)壁上形成保護(hù)層；在第一柵極結(jié)構(gòu)、第二柵極結(jié)構(gòu)、保護(hù)層以及第一介電層上形成第二介電層；在第一介電層和第二介電層中形成孔以暴露源漏結(jié)構(gòu)；以及在孔中形成導(dǎo)體，其中導(dǎo)體電連接至源漏結(jié)構(gòu)。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以最佳地理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個部件沒有按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意增加或減少。

圖1至圖9是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例在各個階段處的用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的截面圖。

具體實(shí)施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多不同實(shí)施例或?qū)嵗?，用于?shí)現(xiàn)主題提供的不同特征。下面描述組件和布置的具體實(shí)例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實(shí)例并且不意欲限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實(shí)施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件，使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可以在各個實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號和/或字符。這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，并且其本身并不表示所討論的實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

此外，為了便于描述，本文中可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空間關(guān)系術(shù)語，以描述如圖中所示的一個元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間關(guān)系術(shù)語旨在包括在使用或操作過程中器件的不同方位。裝置可以以其他方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空間關(guān)系描述符可以同樣地作相應(yīng)地解釋。

除非上下文清楚地表明，否則單數(shù)“一”，“一個”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，當(dāng)在本發(fā)明中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”，或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“有”時，指定闡述的部件、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件、和/或組件的存在，但不排除附加的一個或多個其他部件、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組的存在。

應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)將一個元件稱為位于另一元件“上”時，該元件可以直接位于另一元件上或者在該元件和另一元件之間可以存在插入的元件。相反，當(dāng)將一個元件稱為直接位于另一元件“上”時，則不存在插入元件。如本文中所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個所列舉的相關(guān)物質(zhì)的任何和所有組合。

除非另有規(guī)定，本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有如本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同的含義。還應(yīng)該理解，除非本文清楚地限定，否則，諸如常用的字典中限定的那些的術(shù)語應(yīng)該被理解為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域和本發(fā)明的內(nèi)容中的意思一致的意思，并且不應(yīng)該以理想化和過于正式的形式來解釋。

圖1至圖9是根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例在各個階段處的用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法的截面圖。

參考圖1。形成了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底110、柵極結(jié)構(gòu)121和123，以及至少一個源漏結(jié)構(gòu)130。柵極結(jié)構(gòu)121和123位于襯底110上。源漏結(jié)構(gòu)130位于襯底110上并且源漏結(jié)構(gòu)130鄰近于柵極結(jié)構(gòu)121和123。換句話說，源漏結(jié)構(gòu)130位于柵極結(jié)構(gòu)121和123之間。需要注意的是，柵極結(jié)構(gòu)121和123的數(shù)量和源漏結(jié)構(gòu)130的數(shù)量是說明性的，并且不應(yīng)該限制本發(fā)明的各種實(shí)施例?？梢愿鶕?jù)實(shí)際情況決定柵極結(jié)構(gòu)121和123的數(shù)量以及源漏結(jié)構(gòu)130的數(shù)量。

在一些實(shí)施例中，例如，襯底110可以由半導(dǎo)體材料制成并且在襯底110中可以包括梯度層(gradedlayer)或者掩埋氧化物。在一些實(shí)施例中，襯底110包括塊狀硅，塊狀硅可以是未摻雜或者摻雜的(例如，p型、n型或者它們的組合物)?？梢允褂糜糜诎雽?dǎo)體器件形成的其它合適的材料。例如，可以可選的使用鍺、石英、藍(lán)寶石以及玻璃用于襯底110?；蛘?，襯底110可以是絕緣體上半導(dǎo)體(soi)的有源層襯底或者多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)諸如形成在塊狀硅層上的硅鍺層。

在一些實(shí)施例中，柵極介電層、擴(kuò)散阻擋層、金屬層、塊層、潤濕層以及填充金屬的至少一個堆疊件形成至少一個柵極結(jié)構(gòu)121和123。換句話說，至少一個柵極結(jié)構(gòu)121和123可以包括柵極介電層、擴(kuò)散阻擋層、金屬層、塊層、潤濕層以及填充金屬的堆疊件。

在一些實(shí)施例中，柵極介電層包括界面層(il，柵極介電層的下部)，界面層是介電層。在一些實(shí)施例中，il包括氧化物層(諸如氧化硅層)，il可以通過襯底110的熱氧化、化學(xué)氧化或沉積步驟形成。柵極介電層也可以包括高k介電層(柵極介電層的上部)，高k介電層包括高k介電材料，高k介電材料諸如氧化鉿、氧化鑭、氧化鋁或者它們的組合。高k介電材料的介電常數(shù)(k值)高于約3.9，并且高k介電材料的介電常數(shù)是可以高于約7，以及有時高k介電材料的介電常數(shù)高達(dá)約21或者更高。高k介電層覆蓋il并且高k介電層可以接觸il。

在一些實(shí)施例中，擴(kuò)散阻擋層包括tin、tan，或它們的組合。例如，擴(kuò)散阻擋層可以包括tin層(擴(kuò)散阻擋層的下部)和位于tin層之上的tan層(擴(kuò)散阻擋層的上部)。

當(dāng)柵極結(jié)構(gòu)121和123的其中一個形成n型金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)器件時，金屬層與擴(kuò)散阻擋層接觸。例如，在擴(kuò)散阻擋層包括tin層和tan層的實(shí)施例中，金屬層可以與tan層物理接觸。在柵極結(jié)構(gòu)121和123的其中一個形成p型mos器件的其它實(shí)施例中，在tan層(在擴(kuò)散阻擋層中)和上方的金屬層之間形成附加的tin層，并且附加的tin層與tan層和上方的金屬層接觸。附加的tin層提供適用于pmos器件的功函數(shù)，pmos器件的功函數(shù)高于中間禁帶(mid-gap)功函數(shù)(約4.5ev)，中間禁帶功函數(shù)是硅的價帶和導(dǎo)帶的中間值。高于中間禁帶功函數(shù)的功函數(shù)稱為p功函數(shù)，并且對應(yīng)的具有p功函數(shù)的金屬稱為p金屬。

金屬層提供適用于nmos器件的功函數(shù)，nmos器件的功函數(shù)低于中間禁帶功函數(shù)。低于中間禁帶功函數(shù)的功函數(shù)稱為n功函數(shù)，并且對應(yīng)的具有n功函數(shù)的金屬可以稱為n金屬。在一些實(shí)施例中，金屬層是n金屬，其具有的功函數(shù)低于約4.3ev。金屬層的功函數(shù)也可以在從約3.8ev至約4.6ev范圍內(nèi)。根據(jù)一些實(shí)施例，金屬層可以包括鈦鋁(tial)(其可以包括其它元素，或不含其它元素或基本不含其他元素)。形成金屬層可以通過物理汽相沉積(pvd)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，在室溫(例如，從約20℃至約25℃)下形成金屬層。在其它實(shí)施例中，在高于室溫的高溫下形成金屬層，例如，高于約200℃。

在一些實(shí)施例中，塊層可以包括tin。塊層可以使用原子層沉積(ald)形成。

在填充金屬的回流期間，潤濕層具有粘附(以及潤濕)隨后形成的填充金屬的能力。在一些實(shí)施例中，潤濕層是鈷層，潤濕層可以使用原子層沉積(ald)或者化學(xué)汽相沉積(cvd)形成。

填充金屬可以包括鋁、鋁合金(例如，鈦鋁)、鎢，或銅，填充金屬也可以使用物理汽相沉積(pvd)、化學(xué)汽相沉積(cvd)等形成。填充金屬可以回流。潤濕層的形成提高了填充金屬對下面的層的潤濕性。

源漏結(jié)構(gòu)130可以通過沉積雜質(zhì)進(jìn)入至少一個有源半導(dǎo)體鰭形成，例如，源漏結(jié)構(gòu)130通過使用光刻技術(shù)圖案化和蝕刻襯底110形成。在一些實(shí)施例中，生成的mos器件是nmos器件，可以在源漏結(jié)構(gòu)130中摻雜諸如磷或砷的n型雜質(zhì)。在一些其它實(shí)施例中，生成的mos器件是pmos器件，可以在源漏結(jié)構(gòu)130中摻雜諸如硼或bf2的p型雜質(zhì)。

可選的，例如，可以通過外延生長形成源漏結(jié)構(gòu)130。在一些實(shí)施例中，源漏結(jié)構(gòu)130可以用作源漏應(yīng)激源以加強(qiáng)半導(dǎo)體器件的載流子遷移和器件性能?？梢允褂铆h(huán)狀沉積和蝕刻(cde)工藝形成源漏結(jié)構(gòu)130。cde工藝包括外延沉積/部分蝕刻工藝并且外延沉積/部分蝕刻工藝至少重復(fù)一次。

在一些實(shí)施例中，生成的mos器件是nmos器件，源漏結(jié)構(gòu)130可以是n型外延結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，生成的mos器件是pmos器件，源漏結(jié)構(gòu)130可以是p型外延結(jié)構(gòu)。n型外延結(jié)構(gòu)可以由包括sip、sic、sipc、si、iii-v族化合物半導(dǎo)體材料或它們的組合制成，p型外延結(jié)構(gòu)可以由sige、sigec、ge、si、iii-v族化合物半導(dǎo)體材料或它們的組合制成。在形成n型外延結(jié)構(gòu)期間，可以隨著外延的進(jìn)行來摻雜諸如磷或砷的n型雜質(zhì)。例如，當(dāng)n型外延結(jié)構(gòu)包括sip或sic時，摻雜n型雜質(zhì)。此外，在形成p型外延結(jié)構(gòu)期間，可以隨著外延的進(jìn)行來摻雜諸如硼或bf2的p型雜質(zhì)。例如，當(dāng)p型外延結(jié)構(gòu)包括sige時，摻雜p型雜質(zhì)。外延工藝包括cvd沉積技術(shù)(例如，汽相外延(vpe)和/或超高真空cvd(uhv-cvd))、分子束外延，和/或其他合適的工藝。源漏結(jié)構(gòu)130可以是原位摻雜。如果源漏結(jié)構(gòu)130不是原位摻雜，那么將執(zhí)行第二注入工藝(例如，結(jié)注入工藝)以摻雜該源漏結(jié)構(gòu)130?？蓤?zhí)行一個或多個退火工藝以激活源漏結(jié)構(gòu)130。退火工藝包括快速熱退火(rta)和/或激光退火工藝。

此外，間隔件141位于柵極結(jié)構(gòu)121的側(cè)壁上，并且間隔件143位于柵極結(jié)構(gòu)123的側(cè)壁上。在一些實(shí)施例中，至少一個間隔件140和143包括一層或多層，該一層或多層包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅，或其它介電材料?？捎玫男纬煞椒òǖ入x子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(pecvd)、低壓化學(xué)汽相沉積(lpcvd)、次大氣壓化學(xué)汽相沉積(sacvd)，以及其它沉積方法。

參考圖2。介電層150形成在柵極結(jié)構(gòu)121和123以及源漏結(jié)構(gòu)130上，并且至少部分的介電層150位于柵極結(jié)構(gòu)121和123之間并且位于源漏結(jié)構(gòu)130上。介電層150是層間介電(ild)層。介電層150由介電材料制成，該介電材料是諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，或它們的組合。在一些實(shí)施例中，介電層150由低k介電材料制成以改善電阻電容(rc)延遲。該低k介電材料的介電常數(shù)低于二氧化硅(sio2)的介電常數(shù)。降低介電材料的介電常數(shù)的一種方法是導(dǎo)入碳(c)原子或氟(f)原子。例如，在sio2(κ＝3.9)中，導(dǎo)入c原子以形成摻雜氫化碳的氧化硅(sicoh)(κ介于2.7和3.3之間)和導(dǎo)入f原子以形成氟硅酸鹽玻璃(fsg)(κ介于3.5和3.9之間)減小了其介電常數(shù)。在一些實(shí)施例中，例如，低k介電材料是摻雜納米孔碳的氧化物(cdo)、黑鉆石(bd)、基于苯并環(huán)丁烯(bcb)的聚合物、芳香族(烴)熱固性聚合物(atp)、氫倍半硅氧烷(hsq)、甲基倍半硅氧烷(msq)、聚芳醚(pae)、摻雜氮的類金剛石碳(dlc)或它們的組合。例如，介電層150可以通過化學(xué)汽相沉積(cvd)、旋涂或它們的組合形成。

如圖2和圖3中示出的，通過去除工藝去除位于柵極結(jié)構(gòu)121和123上方的介電層150。在一些實(shí)施例中，通過化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工藝去除部分的介電材料150。在cmp工藝后，剩余的介電層150位于源漏結(jié)構(gòu)130上并且剩余的介電層150位于柵極結(jié)構(gòu)121和123之間。

參考圖4。去除剩余的介電層150的上部，使得介電層150、柵極結(jié)構(gòu)121和123，以及間隔件141和143形成凹槽151。通過凹槽151暴露至少部分的間隔件141和143。通過蝕刻工藝來去除介電層150的頂部。介電層150的蝕刻可以是干法蝕刻，干法蝕刻諸如反應(yīng)離子蝕刻(rie)、等離子體增強(qiáng)(pe)蝕刻，或電感耦合等離子體(icp)蝕刻。在一些實(shí)施例中，當(dāng)介電層150由氧化硅制成時，可以使用基于氟的rie以形成凹槽151。例如，用于干法蝕刻介電層150的氣體蝕刻劑是cf4/o2。

更具體地，凹槽151的深度在約至的范圍內(nèi)。本發(fā)明的實(shí)施例不限制于此。

參考圖5。保護(hù)層160形成在柵極結(jié)構(gòu)121和123的頂面、凹槽151的至少一個側(cè)壁(即，至少部分的暴露的間隔件141和143)，以及凹槽151的底面(即，在源漏結(jié)構(gòu)130上的介電層150的頂面)上。例如，保護(hù)層160可包括氮化硅、氮氧化硅等?？梢允褂迷訉映练e(ald)、其它合適的方法，或它們的組合形成保護(hù)層160。

在圖6中，在柵極結(jié)構(gòu)121和123、保護(hù)層160，以及介電層150上形成介電層170。介電層170是層間介電(ild)層。介電層170由介電材料制成，該介電材料是諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，或它們的組合。在一些實(shí)施例中，介電層170由低k介電材料制成以改善電阻電容(rc)延遲。該低k介電材料的介電常數(shù)低于二氧化硅(sio2)的介電常數(shù)。在一些實(shí)施例中，例如，低k介電材料是氫化碳摻雜氧化硅(sicoh)、氟硅酸鹽玻璃(fsg)、摻雜納米孔碳的氧化物(cdo)、黑鉆石(bd)、基于苯并環(huán)丁烯(bcb)的聚合物、芳香族(烴)熱固性聚合物(atp)、氫倍半硅氧烷(hsq)、甲基倍半硅氧烷(msq)、聚芳醚(pae)、摻雜氮的類金剛石碳(dlc)，或它們的組合。例如，介電層170可以通過化學(xué)汽相沉積(cvd)、旋涂，或它們的組合形成。

參考圖6和圖7。在介電層150和170中形成孔171以暴露源漏結(jié)構(gòu)130，并且當(dāng)形成孔171時，去除位于凹槽151的底面上的部分的保護(hù)層160。通過孔171暴露至少一部分的保護(hù)層160。通過光刻和蝕刻工藝形成孔171。光刻和蝕刻工藝包括應(yīng)用光刻膠、曝光、顯影、蝕刻以及去除光刻膠。例如，通過旋涂對介電層170施加光刻膠。然后預(yù)烘烤光刻膠以驅(qū)除過量的光刻膠溶劑。在預(yù)烘烤之后，將光刻膠曝露于強(qiáng)光的圖案。

例如，強(qiáng)光是波長為約436nm的g線、波長為約365nm的i線、波長為約248nm的氟化氪(krf)準(zhǔn)分子激光、波長為約193nm的氟化氬(arf)準(zhǔn)分子激光、波長為約157nm的氟化物(f2)準(zhǔn)分子激光，或它們的組合。曝光工具的最終透鏡和光刻膠表面之間的間隙可以由液體介質(zhì)填充，該液體介質(zhì)的折射系數(shù)大于在曝光期間的液體介質(zhì)的折射系數(shù)以增強(qiáng)光刻分辨率。暴露于光造成化學(xué)變化，允許一些光刻膠溶于顯影劑。

然后，在顯影之前可以實(shí)施曝光后烘烤(peb)以助于減少由入射光的破壞性和相長干涉圖案造成的駐波現(xiàn)象。然后對光刻膠施加顯影劑以去除溶于顯影劑中的一些光刻膠。然后硬烘烤剩余的光刻膠以凝固剩余的光刻膠。

蝕刻未通過保留的光刻膠保護(hù)的至少一部分的介電層170以形成孔171。介電層170的蝕刻可以是干法蝕刻，干法蝕刻諸如反應(yīng)離子蝕刻(rie)、等離子體增強(qiáng)(pe)蝕刻，或電感耦合等離子體(icp)蝕刻。在一些實(shí)施例中，當(dāng)介電層170由氧化硅制成時，可以使用基于氟的rie以形成孔171。例如，用于干法蝕刻介電層170的氣體蝕刻劑是cf4/o2。

例如，在形成孔171之后，通過等離子體灰化、剝離，或它們的組合將光刻膠從介電層170去除。等離子體灰化使用等離子體源以生成單原子活性物質(zhì)，單原子活性物質(zhì)諸如氧或氟。活性物質(zhì)與光刻膠結(jié)合以形成用真空泵去除的灰。剝離中使用諸如丙酮或酚類溶劑的光刻膠剝離劑以從介電層170去除光刻膠。

此外，在形成孔171后，至少一部分剩余的介電層150位于孔171的側(cè)壁上。更具體地，在孔171的側(cè)壁上的部分的剩余介電層150位于柵極結(jié)構(gòu)121和123的側(cè)壁上的間隔件141和143上。

參考圖8，導(dǎo)電層180過量填充孔171。導(dǎo)電層180由金屬制成，該金屬是諸如銅(cu)、鋁(al)、鎢(w)、鎳(ni)、鈷(co)、鈦(ti)、鉑(pt)、鉭(ta)或它們的組合。例如，導(dǎo)電層180通過電化學(xué)沉積、物理汽相沉積(pvd)、化學(xué)汽相沉積(cvd)，或它們的組合形成。

然后，如圖8和圖9中示出的，去除位于孔171外側(cè)的過量的導(dǎo)電層180。位于孔171外側(cè)的過量的導(dǎo)電層180通過去除工藝去除。在一些實(shí)施例中，超載荷的導(dǎo)電層180通過化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工藝來去除。在一些實(shí)施例中，例如，當(dāng)導(dǎo)電層180由銅(cu)制成時，cmp研磨漿由懸浮磨料粒子、氧化劑以及腐蝕抑制劑的混合劑制成，并且cmp研磨漿是酸性的。在cmp工藝后，在孔171中形成導(dǎo)體181(導(dǎo)電層180)。導(dǎo)體181電連接至源漏結(jié)構(gòu)130，并且保護(hù)層160位于導(dǎo)體181和間隔件141之間同時保護(hù)層160位于導(dǎo)體181和間隔件143之間。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包括襯底100、柵極結(jié)構(gòu)121和123、間隔件141和143、至少一個源漏結(jié)構(gòu)130、至少一個導(dǎo)體181、以及至少一個保護(hù)層160。柵極結(jié)構(gòu)121和123位于襯底110上。間隔件141位于柵極結(jié)構(gòu)121的至少一個側(cè)壁上，并且間隔件143位于柵極結(jié)構(gòu)123的至少一個側(cè)壁上。源漏結(jié)構(gòu)130位于襯底110上并且源漏結(jié)構(gòu)130鄰近于間隔件141和143，同時源漏結(jié)構(gòu)130位于間隔件141和143之間。導(dǎo)體181電連接至源漏結(jié)構(gòu)130。保護(hù)層160位于導(dǎo)體181和間隔件141之間并且保護(hù)層160位于導(dǎo)體181和間隔件143之間，同時保護(hù)層160位于柵極結(jié)構(gòu)121和123的頂面上。

更具體地，保護(hù)層160由介電材料制成，該介電材料是諸如氮化硅、氮氧化硅，或它們的組合。本發(fā)明的實(shí)施例不限制于此。

更具體地，位于間隔件141和導(dǎo)體181之間的保護(hù)層160的部分的頂面和底面之間的距離在約至的范圍內(nèi)。位于間隔件143和導(dǎo)體181之間的保護(hù)層160的部分的頂面和底面之間的距離在約至的范圍內(nèi)。本發(fā)明的實(shí)施例不限制于此。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包括介電層170。介電層170至少位于保護(hù)層160上并且具有至少在介電層170中的開口o。通過開口o暴露源漏結(jié)構(gòu)130，并且至少部分的導(dǎo)體181位于開口o中。導(dǎo)體181至少通過開口o電連接至源漏結(jié)構(gòu)130。此外，保護(hù)層160不位于介電層170的開口o中，并且保護(hù)層160位于介電層170和柵極結(jié)構(gòu)121之間，同時保護(hù)層160位于介電層170和柵極結(jié)構(gòu)123之間。

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包括介電層150。介電層150位于導(dǎo)體181和間隔件141之間并且介電層150位于導(dǎo)體181和間隔件143之間。保護(hù)層160位于介電層150上方。即，介電層150位于保護(hù)層160和源漏結(jié)構(gòu)130之間。

源漏結(jié)構(gòu)130可以包括至少一個源漏應(yīng)激源。本發(fā)明的實(shí)施例不限制于此。

在形成孔171期間保護(hù)層160可以保護(hù)間隔件141和143免于被過度蝕刻。因此，在形成導(dǎo)體181后，在不會引起短路故障和/或泄漏問題情況下，導(dǎo)體181可以與柵極結(jié)構(gòu)121和123電隔離。因為具有保護(hù)層160，在光刻和蝕刻工藝上不施加重負(fù)載情況下器件尺寸可以進(jìn)一步減小，并且因此可以提升器件性能。此外，可以降低覆蓋和圖案化負(fù)載的需求。此外，保護(hù)層60可以放大工藝窗口用于接觸孔的形成同時在半導(dǎo)體器件制造工藝中提高在線控制。因此，可以提升在制造半導(dǎo)體器件中的可靠性和/或產(chǎn)率。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底、至少一個第一柵極結(jié)構(gòu)、至少一個第一間隔件、至少一個源漏結(jié)構(gòu)、至少一個導(dǎo)體，以及至少一個保護(hù)層。第一柵極結(jié)構(gòu)位于襯底上。第一間隔件位于第一柵極結(jié)構(gòu)的至少一個側(cè)壁上。源漏結(jié)構(gòu)鄰近于第一間隔件。導(dǎo)體電連接至源漏結(jié)構(gòu)。保護(hù)層位于導(dǎo)體和第一間隔件之間并且保護(hù)層位于第一柵極結(jié)構(gòu)的頂面上。

根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底、至少一個柵極結(jié)構(gòu)、至少一個間隔件、至少一個源漏結(jié)構(gòu)、至少一個第一介電層，以及至少一個保護(hù)層。柵極結(jié)構(gòu)位于襯底上。間隔件位于柵極結(jié)構(gòu)的至少一個側(cè)壁上。源漏結(jié)構(gòu)位于襯底上。第一介電層至少位于柵極結(jié)構(gòu)上并且在第一介電層中具有開口，同時通過開口暴露源漏結(jié)構(gòu)。導(dǎo)體至少通過開口電連接至源漏結(jié)構(gòu)。保護(hù)層位于導(dǎo)體和間隔件之間并且保護(hù)層位于第一介電層和柵極結(jié)構(gòu)之間。

根據(jù)本發(fā)明中的一些實(shí)施例，一種用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟。在至少一個源漏結(jié)構(gòu)上并且在至少一個第一柵極結(jié)構(gòu)和至少一個第二柵極結(jié)構(gòu)之間形成第一介電層。去除第一介電層的上部，使得第一介電層、第一柵極結(jié)構(gòu)以及第二柵極結(jié)構(gòu)形成凹槽；至少在凹槽的至少一個側(cè)壁上形成保護(hù)層。在第一柵極結(jié)構(gòu)、第二柵極結(jié)構(gòu)、保護(hù)層以及第一介電層上形成第二介電層。在第一介電層和第二介電層中形成孔。在孔中形成導(dǎo)體，其中，導(dǎo)體電連接至源漏結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底；至少一個第一柵極結(jié)構(gòu)，位于襯底上；至少一個第一間隔件，位于第一柵極結(jié)構(gòu)的至少一個側(cè)壁上；至少一個源漏結(jié)構(gòu)，鄰近于第一間隔件；至少一個導(dǎo)體，電連接至源漏結(jié)構(gòu)；以及至少一個保護(hù)層，位于導(dǎo)體和第一間隔件之間并且位于第一柵極結(jié)構(gòu)的頂面上。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，保護(hù)層由氮化硅、氮氧化硅或它們的組合制成。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，還包括：至少一個第二柵極結(jié)構(gòu)，位于襯底上；以及至少一個第二間隔件，位于第二柵極結(jié)構(gòu)的至少一個側(cè)壁上，其中，源漏結(jié)構(gòu)位于第一間隔件和第二間隔件之間。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，保護(hù)層還位于導(dǎo)體和第二間隔件之間，并且保護(hù)層位于第二柵極結(jié)構(gòu)的頂面上。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，還包括：第一介電層，位于導(dǎo)體和第一間隔件之間并且位于保護(hù)層和源漏結(jié)構(gòu)之間。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，還包括：第二介電層，至少位于保護(hù)層上，在第二介電層中具有開口，其中，至少一部分的導(dǎo)體位于開口中。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，第一介電層和第二介電層由基本上相同的材料制成。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，保護(hù)層和第一介電層由不同的材料制成。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底；至少一個柵極結(jié)構(gòu)，位于襯底上；至少一個間隔件，位于柵極結(jié)構(gòu)的至少一個側(cè)壁上；至少一個源漏結(jié)構(gòu)，位于襯底上；至少一個第一介電層，至少位于柵極結(jié)構(gòu)上并且在至少一個第一介電層中具有開口，其中，通過開口暴露源漏結(jié)構(gòu)；至少一個導(dǎo)體，至少通過開口電連接至源漏結(jié)構(gòu)；以及至少一個保護(hù)層，位于導(dǎo)體和間隔件之間并且位于第一介電層和柵極結(jié)構(gòu)之間。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，保護(hù)層不位于第一介電層的開口中。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，還包括：位于導(dǎo)體和間隔件之間的第二介電層，其中保護(hù)層位于第二介電層上方。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，保護(hù)層和第二介電層由不同的材料制成。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，保護(hù)層由氮化硅、氮氧化硅或它們的組合制成。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，方法包括：在至少一個源漏結(jié)構(gòu)上并且在至少一個第一柵極結(jié)構(gòu)和至少一個第二柵極結(jié)構(gòu)之間形成第一介電層；去除第一介電層的上部，使得第一介電層、第一柵極結(jié)構(gòu)以及第二柵極結(jié)構(gòu)形成凹槽；至少在凹槽的至少一個側(cè)壁上形成保護(hù)層；在第一柵極結(jié)構(gòu)、第二柵極結(jié)構(gòu)、保護(hù)層以及第一介電層上形成第二介電層；在第一介電層和第二介電層中形成孔以暴露源漏結(jié)構(gòu)；以及在孔中形成導(dǎo)體，其中導(dǎo)體電連接至源漏結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成孔在孔的側(cè)壁上剩余部分的第一介電層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在孔的側(cè)壁上的部分的第一介電層留在第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)的至少一個的至少一個間隔件上。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成保護(hù)層將保護(hù)層至少形成在第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)的其中一個的間隔件上。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成保護(hù)層還在凹槽的底面上形成部分的保護(hù)層；以及其中，形成孔在凹槽的底面上去除部分的保護(hù)層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成保護(hù)層還在第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)的至少一個上形成部分的保護(hù)層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，保護(hù)層由氮化硅、氮氧化硅或它們的組合制成。

以上論述了若干實(shí)施例的部件，使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計或更改其他的處理和結(jié)構(gòu)以用于達(dá)到與本發(fā)明所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這些等效結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變。