1.一種金剛石熱沉襯底GaN基HEMTs制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：在藍寶石襯底上MOCVD生長GaN基HEMTs外延結構；
S2：采用激光剝離技術對步驟S1所述藍寶石襯底進行剝離；
S3：刻蝕、拋光GaN底表面外延層，同時拋光金剛石熱沉片；
S4：將步驟S2制備的所述GaN底表面和步驟S3制備的所述金剛石熱沉片表面進行拋光并淀積薄層，薄層上鍵合粘合劑，進行低溫鍵合、固化得到金剛石/GaN基HEMTs外延材料/Si三層結構；
S5：去除所述步驟S4得到的金剛石/GaN基HEMTs外延材料/Si三層結構中的Si晶片的臨時支撐材料，得到金剛石/GaN基HEMTs外延材料兩層結構；
S6：ICP刻蝕GaN基HEMTs外延材料，進行器件隔離；
S7：制備器件電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種金剛石熱沉襯底GaN基HEMTs制備方法，其特征在于，所述步驟S1具體包括以下步驟：
S11：藍寶石襯底清洗，丙酮、去離子水分別超聲2～3分鐘；
S12:將藍寶石襯底在900～1000℃的H2氣氛下進行烘烤；
S13：以三甲基鎵和氨氣分別作為Ga源和N源，N2和H2作為載氣，530～580℃下采用MOCVD技術在藍寶石襯底上低溫生長20nm的GaN成核層；
S14：繼續(xù)升溫至1050℃生長3.5μm的GaN緩沖層；
S15：再升溫至1100℃，在氫氣氛圍下生長100nm的GaN-UID溝道層；
S16：保持溫度不變，以三甲基鋁和氨氣分別作為Al源和N源在生長1nm的AlN插入層；
S17：最后以三甲基鎵、三甲基鋁和氨氣分別作為Ga源、Al源和N源，N2和H2作為載氣MOCVD交替生長25nm的AlGaN勢壘層。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種金剛石熱沉襯底GaN基HEMTs制備方法，其特征在于，所述外延材料具體為：藍寶石襯底單面拋光，厚度500μm，GaN成核層厚度20nm，GaN緩沖層厚度3.5μm，本征GaN層厚度100nm，AlN層厚度1nm，AlGaN勢壘層厚度20nm。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種金剛石熱沉襯底GaN基HEMTs制備方法，其特征在于，步驟S2具體為：
S21：取Si晶片作為臨時支撐材料，用熱塑性粘合劑將所述Si臨時支撐材料粘到所述GaN基HEMTs外延材料上，形成藍寶石/GaN基HEMTs外延材料/Si三層結構；
S22：用波長248～480nm，脈沖寬度38ns KrF脈沖激光從藍寶石一面掃描整個樣品，激光脈沖的能量密度由焦距40cm的石英透鏡調節(jié)；
S23：加熱所述藍寶石/GaN基HEMTs外延材料Si三層結構，去除藍寶石襯底，得到GaN基HEMTs外延材料/Si兩層結構。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種金剛石熱沉襯底GaN基HEMTs制備方法，其特征在于：所述步驟S23中，加熱所述藍寶石襯底到Ga的熔點29℃以上。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種金剛石熱沉襯底GaN基HEMTs制備方法，其特征在于，所述步驟S4中低溫鍵合具體為：分別對GaN底表面和金剛石熱沉片表面進行拋光并淀積一薄層，薄層上設置有鍵合粘合劑苯并環(huán)丁烯BCB，然后將所述GaN底表面和金剛石熱沉片緊密接觸進行低溫鍵合、固化得到金剛石/GaN基HEMTs外延材料/Si三層結構，鍵合、固化溫度不超過150℃。
7.根據(jù)權利要求1所述的一種金剛石熱沉襯底GaN基HEMTs制備方法，其特征在于，所述步驟S6具體為：
先對所述金剛石熱沉/GaN基HEMTs外延材料清洗，再進行歐姆接觸，然后離子注入隔離，形成肖特基柵，最后生長Si3N4隔離層。
8.根據(jù)權利要求7所述的一種金剛石熱沉襯底GaN基HEMTs制備方法，其特征在于，所述外延清洗采用三氯化碳、四氯乙烯、丙酮、乙醇、去離子水超聲各3～5分鐘，氮氣吹干；然后采用磁控濺射Ti/Al/TiAu，N2保護下在850～900℃、50s進行退火；再注He+20KeV，1×1015cm-2和50KeV，1×1014cm-2；然后光刻3μm柵，磁控濺射Ni/Au，剝離形成肖特基柵，最后生長隔離層。
9.根據(jù)權利要求1所述的一種金剛石熱沉襯底GaN基HEMTs制備方法，其特征在于，所述步驟S7制備器件電極具體為：先磁控濺射Ti/Al/TiAu制備源、漏歐姆電極，再He+離子注入隔離，磁控濺射Ni/Au，剝離形成肖特基柵電極；接著PECVD生長Si3N4場板絕緣介質層；然后用ICP刻蝕進行第一次刻孔；然后磁控濺射金屬Ni/Au，剝離形成源金屬場板；然后在PECVD上生長Si3N4鈍化層；然后用ICP刻蝕進行第二次刻蝕接觸孔；然后磁控濺射Ni/Au，加厚電極；最后劃片封裝。