本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體硅太陽(yáng)能電池組件。

背景技術(shù)：

存在于晶體硅光伏組件中的電路及其接地金屬邊框之間的高電壓，會(huì)造成組件的光伏性能的衰減，稱(chēng)這種衰減為電勢(shì)誘導(dǎo)衰減即PID。一般認(rèn)為電池經(jīng)過(guò)封裝材料和組件邊框所形成的路徑所導(dǎo)致的漏電流是引起電勢(shì)誘導(dǎo)衰減現(xiàn)象的主要原因，這就決定了封裝材料和電池片在電勢(shì)誘導(dǎo)衰減中起著關(guān)鍵性的作用。目前傳統(tǒng)的晶體硅光伏組件大都用EVA封裝，一般不具有抗PID性能，即使有部分抗PID作用，但是效果也都不明顯；對(duì)于電池片的制備一直以來(lái)也只關(guān)注效率的提高，很少考慮電池片的抗PID性能。在實(shí)際電站應(yīng)用中，用EVA和普通電池片封裝的組件，其實(shí)際運(yùn)行性能往往因?yàn)镻ID的影響而難以讓人滿(mǎn)意，現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)此進(jìn)行了多次技術(shù)改進(jìn)都沒(méi)有取得明顯的效果；因此開(kāi)發(fā)一款比較優(yōu)異的抗PID的電池組件非常必要，以滿(mǎn)足現(xiàn)實(shí)迫切的需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種克服上述問(wèn)題的抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減晶體硅太陽(yáng)能電池組件。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種晶體硅太陽(yáng)能電池組件，所述晶體硅太陽(yáng)能組件從上到下依次為：前板、紫外線(xiàn)透過(guò)型熱塑性聚烯烴、電池片、紫外線(xiàn)截止型熱塑型聚烯烴、背板以及安裝在背板下面的接線(xiàn)盒，所述電池片為聚光太陽(yáng)能電池片，所述聚光太陽(yáng)能電池片的正面細(xì)柵線(xiàn)對(duì)應(yīng)部分為有效受光區(qū)域，所述聚光太陽(yáng)能電池片的正面兩邊為主柵線(xiàn)，射入到有效受光區(qū)域的光能有效倍轉(zhuǎn)換為電能，光電轉(zhuǎn)換的電流通過(guò)正面細(xì)柵線(xiàn)進(jìn)行收集后傳至兩邊的主柵線(xiàn)上，在所述主柵線(xiàn)上沿其長(zhǎng)度方向均勻分布有若干具有導(dǎo)電功能的導(dǎo)流柱，所述導(dǎo)流柱貫穿聚光太陽(yáng)能電池片的晶體硅基體且與聚光太陽(yáng)能電池片的背面電極A相連，所述導(dǎo)流柱將正面細(xì)柵線(xiàn)收集的電流傳導(dǎo)至背面電極A上，作為聚光太陽(yáng)能電池片的一極，所述聚光太陽(yáng)能電池片背面、有效受光區(qū)域?qū)?yīng)的背面電極B作為聚光太陽(yáng)能電池片的另外一極。

作為優(yōu)選，所述聚烯烴封裝厚度0.6±0.05mm。該組件抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減性能在(濕度85％溫度85度加壓-1000伏)條件下1000h小時(shí)衰減小于5％，而傳統(tǒng)組件同樣的條件下96h就衰減大于30％，更有甚著達(dá)到80％-90％。

作為優(yōu)選，所述晶體硅太陽(yáng)能電池組件的電池片為具有抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減介質(zhì)層的電池片，以代替普通電池片以增加抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的效果。

作為優(yōu)選，所述晶體硅太陽(yáng)能電池組件的前板為超白低鐵鋼化玻璃，其光的透過(guò)率達(dá)到92％-94％，提高光能的利用效率。

作為優(yōu)選，所述超白低鐵鋼化玻璃接觸空氣的一面設(shè)置有增透膜，進(jìn)一步提高光能轉(zhuǎn)換效率。

作為優(yōu)選，所述晶體硅太陽(yáng)能電池組件的背板為高分子材料，以提高使用壽命和可控性，降低整體使用分?jǐn)偝杀尽?/p>

作為優(yōu)選，所述背面電極A與背面電極B之間設(shè)置有隔離區(qū)，所述有效受光區(qū)域的四周邊緣為鈍化區(qū)，以提高電池片的轉(zhuǎn)換效率。

該晶體硅太陽(yáng)能電池組件具有可靠性高、價(jià)格低廉、封裝性能高、電勢(shì)誘導(dǎo)衰減現(xiàn)象大大降低等優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明所述一種晶體硅太陽(yáng)能電池組件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明中所述聚光太陽(yáng)能電池片的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是圖2的主視圖。

圖4是圖2的后視圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

如圖1-4所示，一種晶體硅太陽(yáng)能電池組件，所述晶體硅太陽(yáng)能組件從上到下依次為：前板1、紫外線(xiàn)透過(guò)型熱塑性聚烯烴2、電池片3、紫外線(xiàn)截止型熱塑型聚烯烴4、背板5以及安裝在背板下面的接線(xiàn)盒6，所述電池片3為聚光太陽(yáng)能電池片，所述聚光太陽(yáng)能電池片的正面細(xì)柵線(xiàn)32對(duì)應(yīng)部分為有效受光區(qū)域33，所述聚光太陽(yáng)能電池片的正面兩邊為主柵線(xiàn)34，射入到有效受光區(qū)域33的光能有效倍轉(zhuǎn)換為電能，光電轉(zhuǎn)換的電流通過(guò)正面細(xì)柵線(xiàn)32進(jìn)行收集后傳至兩邊的主柵線(xiàn)34上，在所述主柵線(xiàn)34上沿其長(zhǎng)度方向均勻分布有若干具有導(dǎo)電功能的導(dǎo)流柱35，所述導(dǎo)流柱35貫穿聚光太陽(yáng)能電池片的晶體硅基體31且與聚光太陽(yáng)能電池片的背面電極A36相連，所述導(dǎo)流柱35將正面細(xì)柵線(xiàn)32收集的電流傳導(dǎo)至背面電極A36上，作為聚光太陽(yáng)能電池片的一極，所述聚光太陽(yáng)能電池片背面、有效受光區(qū)域33對(duì)應(yīng)的背面電極B37作為聚光太陽(yáng)能電池片的另外一極，所述背面電極A36與背面電極B37之間設(shè)置有隔離區(qū)38，所述有效受光區(qū)域33的四周邊緣為鈍化區(qū)39，以提高電池片的轉(zhuǎn)換效率。

在現(xiàn)有晶體硅組件技術(shù)的基礎(chǔ)上，采用聚烯烴材料作為封裝材料，增加了組件的可靠性，抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減效果非常明顯，從而擴(kuò)展了晶體硅組件的應(yīng)用范圍，在一些較潮濕惡劣的環(huán)境下，組件均無(wú)功率衰減，降低水汽透過(guò)率，增加組件的抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減性能，增加后期系統(tǒng)的發(fā)電量，投資回報(bào)利益最大。

在實(shí)際應(yīng)用中，所述聚烯烴封裝厚度0.6±0.05mm。該組件抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減性能在(濕度85％溫度85度加壓-1000伏)條件下1000h小時(shí)衰減小于5％，而傳統(tǒng)組件同樣的條件下96h就衰減大于30％，更有甚著達(dá)到80％-90％。

在一些實(shí)施例中，所述晶體硅太陽(yáng)能電池組件的電池片為具有抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減介質(zhì)層的電池片，以代替普通電池片以增加抗電勢(shì)誘導(dǎo)衰減的效果。

在一些實(shí)施例中，所述晶體硅太陽(yáng)能電池組件的前板為超白低鐵鋼化玻璃，其光的透過(guò)率達(dá)到92％-94％，提高光能的利用效率。

在一些實(shí)施例中，，所述超白低鐵鋼化玻璃接觸空氣的一面設(shè)置有增透膜，進(jìn)一步提高光能轉(zhuǎn)換效率。

在一些實(shí)施例中，所述晶體硅太陽(yáng)能電池組件的背板為高分子材料，以提高使用壽命和可控性，降低整體使用分?jǐn)偝杀尽?/p>

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。