本發(fā)明涉及光電器件制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種芯片級(jí)封裝發(fā)光器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

芯片級(jí)封裝發(fā)光器件封裝體積小，封裝可靠性高，并且可以制作均勻的光轉(zhuǎn)換層，實(shí)現(xiàn)均勻光色特性，近年來(lái)得到了廣泛的應(yīng)用。在中國(guó)臺(tái)灣、日韓、歐美等地的LED大公司紛紛發(fā)布了自己的芯片級(jí)封裝LED產(chǎn)品。白光芯片屬于芯片級(jí)尺寸水平封裝，配合白光芯片應(yīng)用的二次光學(xué)元件的體積將大幅度縮小。綜合各企業(yè)產(chǎn)品，共同的特點(diǎn)是基于倒裝芯片的基礎(chǔ)上，使發(fā)光器件的封裝體積更小，光學(xué)、熱學(xué)性能更好，同時(shí)因省略了導(dǎo)線(xiàn)架與打線(xiàn)的步驟，使其后道工序更加便捷。但是目前的芯片級(jí)封裝發(fā)光器件的LED色溫還是不夠穩(wěn)定，還存在很多缺點(diǎn)。同時(shí)其制造工藝也還存在很多缺點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種芯片級(jí)封裝發(fā)光器件，采用的技術(shù)方案如下：

一種芯片級(jí)封裝發(fā)光器件，包括LED外延片，所述LED外延片包括正電極、負(fù)電極和電極溝道，所述正電極和負(fù)電極位于同一平面，所述電極溝道位于正電極與負(fù)電極之間，還包括石墨烯層和熒光粉薄層，所述石墨烯層分布于LED外延片的下方并與之連接，所述熒光粉薄層位于石墨烯層下方并與之連接。

作為優(yōu)選，所述石墨烯層為平面形狀。

作為優(yōu)選，所述LED外延片依次包括n型層、量子阱層、p型層和正電極層，將LED外延片與石墨烯層連接時(shí)，采用激光剝離技術(shù)將藍(lán)寶石襯底全部剝離，使LED外延片的n型層直接與石墨烯層連接。

作為優(yōu)選，所述石墨烯層的厚度為0.05mm~0.5mm，長(zhǎng)寬均為2mm~3mm。

作為優(yōu)選，所述熒光粉薄層選用Ce:YAG熒光粉材料與硅膠混合制成，通過(guò)噴涂方法噴涂于石墨烯層下方，其厚度為0.05mm~0.2mm。

作為優(yōu)選，使用回流焊接爐對(duì)熒光粉薄層進(jìn)行固化。

在石墨烯層的下方，選用Ce:YAG熒光粉材料與硅膠混合，采用噴涂方法制備熒光粉薄層，其熒光粉薄層厚度為0.05~0.2mm，再經(jīng)過(guò)回流焊接爐對(duì)熒光粉薄層進(jìn)行固化，熒光粉具有較薄厚度，固化時(shí)間比較短。

本發(fā)明的另一目的是解決現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種芯片級(jí)封裝發(fā)光器件的制造方法，采用的技術(shù)方案如下：

一種芯片級(jí)封裝發(fā)光器件的制造方法，包括：

制備LED外延片陣列：采用MOCVD設(shè)備在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)LED外延片陣列，然后用激光剝離技術(shù)將藍(lán)寶石襯底全部剝離，使LED外延片的最底部是n型層；

采用離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制造平面形狀的石墨烯層陣列:將含碳的氣態(tài)物質(zhì)在高溫和高真空的環(huán)境下，生成石墨烯薄膜，再用激光切割技術(shù)將石墨烯薄膜切割成平面形狀的石墨烯層陣列；

選用Ce:YAG熒光粉材料與硅膠混合制成熒光粉，采用噴涂方法在石墨烯層陣列的背面噴涂熒光粉薄層陣列，并使用回流焊接爐對(duì)熒光粉薄層陣列進(jìn)行固化；

利用銀獎(jiǎng)膠，采用固晶技術(shù)方法或鍵合技術(shù)方法，將LED外延片的 n型層直接與石墨烯薄層陣列連接，構(gòu)成發(fā)光器件陣列；

采用激光切割方法將發(fā)光器件陣列切割成獨(dú)立的發(fā)光器件。

作為優(yōu)選，所述LED外延片包括正電極、負(fù)電極和電極溝道，所述正電極和負(fù)電極位于同一平面，所述電極溝道位于正電極與負(fù)電極之間。

作為優(yōu)選，所述LED外延片依次包括n型層、量子阱層、p型層和正電極層。

作為優(yōu)選，所述石墨烯層的厚度為0.05mm~0.5mm，長(zhǎng)寬均為2mm~3mm，所述熒光粉薄層厚度為0.05mm~0.2mm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果：

1、石墨烯層具有很好的熱傳導(dǎo)性能，熒光粉薄層與石墨烯層直接接觸，能保證熒光粉薄層具有較低溫度，維持發(fā)光器件色溫穩(wěn)定。

2、簡(jiǎn)化了制造工藝，使用回流焊接爐對(duì)熒光粉薄層進(jìn)行固化，與傳統(tǒng)在高溫烤箱中的固化流程相比節(jié)省了固化時(shí)間，降低了耗電。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例的LED外延片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光器件焊接方法示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例石墨烯陣列和熒光粉薄層陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例發(fā)光器件陣列的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

實(shí)施例：

如圖1所示，一種芯片級(jí)封裝發(fā)光器件，包括LED外延片2，所述LED外延片2包括正電極3、負(fù)電極4和電極溝道5，所述正電極3和負(fù)電極4位于同一平面，所述電極溝道5位于正電極3與負(fù)電極4之間，還包括平面形狀的石墨烯層6和熒光粉薄層7，所述石墨烯層6分布于LED外延片2的下方并與之連接，所述熒光粉薄層7位于石墨烯層6下方并與之連接。

如圖2所示，所述LED外延片依次包括n型層11、量子阱層10、p型層9和正電極層8，將LED外延片2與石墨烯層6連接時(shí)，使外延片n型層11直接與石墨烯層6連接。

所述石墨烯層6的厚度為0.05mm~0.5mm間，長(zhǎng)寬尺寸均為2mm~3mm。

所述熒光粉薄層7選用Ce:YAG熒光粉材料與硅膠混合制成，通過(guò)噴涂方法噴涂于石墨烯層下方，其厚度為0.05mm~0.2mm。

使用回流焊接爐對(duì)熒光粉薄層7進(jìn)行固化。

如圖3所示，本實(shí)施例發(fā)光器件焊接時(shí)，采用雙面鋁基電路板13，在電路板上制作正電極焊盤(pán)14、負(fù)電極焊盤(pán)15和石墨烯層焊接焊盤(pán)21，其厚度為0.05mm~0.1mm，保證LED外延片2的側(cè)面發(fā)光有效被阻擋或者反射到熒光粉薄層7中，使得石墨烯層6直接焊接到雙面鋁基電路板13，石墨烯層具有很好的熱傳導(dǎo)性能，熒光粉薄層與石墨烯層接觸，保證熒光粉具有較低溫度，維持發(fā)光器件色溫穩(wěn)定。

本實(shí)施例的發(fā)光器件的制備方法如下：

制備LED外延片陣列：采用MOCVD設(shè)備在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)LED外延片陣列，然后用激光剝離技術(shù)將藍(lán)寶石襯底全部剝離，使LED外延片的最底部是n型層；

采用離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制造平面形狀的石墨烯層陣列16:將含碳的氣態(tài)物質(zhì)在高溫和高真空的環(huán)境下，生成石墨烯薄膜，再用激光切割技術(shù)將石墨烯薄膜切割成平面形狀的石墨烯層陣列16；

選用Ce:YAG熒光粉材料與硅膠混合制成熒光粉，采用噴涂方法在石墨烯層陣列的背面噴涂熒光粉薄層陣列17，并使用回流焊接爐對(duì)熒光粉薄層陣列17進(jìn)行固化；

利用銀獎(jiǎng)膠，采用固晶技術(shù)方法或鍵合技術(shù)方法，將LED外延片的 n型層直接與石墨烯薄層陣列16連接，構(gòu)成發(fā)光器件陣列20；

采用激光切割方法將發(fā)光器件陣列20切割成獨(dú)立的發(fā)光器件。