本揭示案是有關于靜態(tài)隨機存取記憶體的布局，及更進一步而言，是有關于可以縮小儲存單元尺寸的靜態(tài)隨機存取記憶體布局。

背景技術：

一般來說，當靜態(tài)隨機存取記憶體(staticrandomaccessmemory；sram)用于數(shù)據儲存時，需要供電給靜態(tài)隨機存取記憶體。為滿足對便攜式電子裝置及高速計算的要求，需要將相當多個數(shù)據儲存單元整合至單一個靜態(tài)隨機存取記憶體晶片中，也可能需要將習用晶體管替換為具有更小大小及更低功耗的垂直晶體管來降低其功耗。然而，在半導體工業(yè)中，將垂直晶體管整合至靜態(tài)隨機存取記憶體晶片已顯現(xiàn)挑戰(zhàn)。

技術實現(xiàn)要素：

根據本揭示案的一些態(tài)樣，靜態(tài)隨機存取記憶體(staticrandomaccessmemory；sram)儲存單元包括依序排列在第一方向的第一源極擴散區(qū)域到第四源極擴散區(qū)域、第一通閘晶體管(其源極區(qū)域由第一源極擴散區(qū)域形成)、第一上拉晶體管及第二上拉晶體管(其源極區(qū)域由第二源極擴散區(qū)域形成)、第一下拉晶體管及第二下拉晶體管(其源極區(qū)域由第三源極擴散區(qū)域形成)、第二通閘晶體管(其源極區(qū)域由第四源極擴散區(qū)域形成)，及第一通閘晶體管與第二通閘晶體管之間的中間區(qū)域，此中間區(qū)域沿平行于第一方向的方向直線延伸及橫穿整個靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元。第一源極擴散區(qū)域及第四源極擴散區(qū)域中的每一者與中間區(qū)域隔開。

附圖說明

本揭示案的態(tài)樣最佳在閱讀附圖時根據下文的詳細說明來進行理解。應注意，依據工業(yè)中的標準實務，多個特征并未按比例繪制。實際上，多個特征的尺寸可任意增大或縮小，以便使論述明晰。

圖1是根據本揭示案的多個實施例的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的示例性電路圖；

圖2a是根據本揭示案的一些實施例的一示例性垂直晶體管的關鍵元素示意性透視圖，及圖2b是示例性垂直晶體管的示意性橫剖面圖；

圖3是根據本揭示案的一些實施例的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元布局；

圖4是圖3中圖示的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元布局，其中僅圖示通道、源極擴散區(qū)域、柵極線，及漏極擴散區(qū)域；

圖5是圖3中圖示的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元布局，其中僅圖示通道、源極擴散區(qū)域、柵極線、漏極擴散區(qū)域及互連區(qū)域；

圖6是一放大圖，此圖示意地圖示圖3中靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的相鄰通閘晶體管的關鍵組件；

圖7a及圖7b是根據本揭示案的一些實施例的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元簡化布局，其中僅圖示靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的源極擴散區(qū)域；

圖8a及圖8b是根據本揭示案的其他實施例的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元簡化布局，這些簡化布局基于對圖6中圖示的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元布局的修改；以及

圖9圖示根據本揭示案的一實施例用于制造靜態(tài)隨機存取記憶體陣列的方法的流程圖。

具體實施方式

以下揭示內容提供眾多不同的實施例或實例以用于實施本案提供的標的物的不同特征。下文中描述組件及排列的特定實例以簡化本揭示案。這些組件及排列當然僅為實例，及不意欲進行限制。例如，在下文的描述中，第一特征在第二特征上方或之上的形成可包括其中第一特征與第二特征以直接接觸方式形成的實施例，及亦可包括其中在第一特征與第二特征之間形成額外特征以使得第一特征與第二特征無法直接接觸的實施例。此外，本揭示案在多個實例中可重復元件符號及/或字母。此重復用于實現(xiàn)簡化與明晰的目的，及其自身并不規(guī)定所論述的多個實施例及/或配置之間的關系。

此外，本案中可使用諸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等等的空間相對術語在以便于描述，以描述一個元件或特征與另一或更多個元件或特征的關系，如附圖中所圖示?？臻g相對術語意欲包含在使用或操作中的裝置除附圖中繪示的定向以外的不同定向。設備可經定向(旋轉90度或其他定向)，及本案中使用的空間相對描述詞同樣可相應地進行解釋。

盡管在本揭示案中，解釋兩個靜態(tài)隨機存取記憶體(staticrandomaccessmemory；sram)單元的電路圖及布局，但應理解，靜態(tài)隨機存取記憶體可包括排列在陣列中的兩個以上靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元。在此種靜態(tài)隨機存取記憶體中，陣列同一行內的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元字線可彼此連接，陣列同一列內的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元位線可彼此連接，及同一行或同一列中的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元電源節(jié)點可彼此連接。

應理解，規(guī)定源極及漏極區(qū)域，及本揭示案中同一晶體管的源極及漏極區(qū)域僅用以彼此區(qū)分源極區(qū)域與漏極區(qū)域，及彼此區(qū)分源電極與漏電極。同一晶體管的源極及漏極區(qū)域可被分別視作漏極及源極區(qū)域，及同一晶體管的源電極及漏電極可被分別視作漏電極及源電極。換言之，源極及漏極區(qū)域可互換使用，及源電極及漏電極亦可在本揭示案中互換使用。

在本揭示案中，當兩個或兩個以上晶體管的源極(漏極)區(qū)域由同一擴散區(qū)域形成及通過同一擴散區(qū)域彼此連接時，此同一擴散區(qū)域被視作源極(漏極)擴散區(qū)域。當兩個或兩個以上晶體管的柵電極由同一柵極層形成及通過同一柵極層而彼此連接時，此同一柵極層被視作柵極線。

在本揭示案中，源極擴散區(qū)域(晶體管的源極區(qū)域由此源極擴散區(qū)域形成)系指大量摻雜雜質(這些雜質在基板中的井的頂部部分中形成)的擴散區(qū)域，及由諸如淺溝隔離(shallowtrenchisolation；sti)的絕緣層圍繞。淺溝隔離具有比源極擴散區(qū)域更深，但比其中形成源極擴散區(qū)域的井更淺的溝槽深度。相鄰源極擴散區(qū)域通過插入其之間的淺溝隔離隔開。

圖1是根據本揭示案的多個實施例的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的示例性電路圖。

第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20在圖1的示例性電路圖中圖示。根據一些實施例，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20彼此完全相同，及彼此直接相鄰安置在靜態(tài)隨機存取記憶體的同一行中。

如圖1所示，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10包括第一上拉晶體管pu1、第一下拉晶體管pd1及第一通閘晶體管pg1。第一上拉晶體管pu1、第一下拉晶體管pd1及第一通閘晶體管pg1的漏電極電氣連接在第一數(shù)據儲存節(jié)點nd254。第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10進一步包括第二上拉晶體管pu2、第二下拉晶體管pd2及第二通閘晶體管pg2。第二上拉晶體管pu2、第二下拉晶體管pd2及第二通閘晶體管pg2的漏電極電氣連接在第二數(shù)據儲存節(jié)點nd256。

在一些實施例中，第二上拉晶體管pu2及第二下拉晶體管pd2的柵電極經由第一數(shù)據儲存節(jié)點nd254電連接至第一下拉晶體管pd1、第一通閘晶體管pg1及第一上拉晶體管pu1的漏電極。第一上拉晶體管pu1及第一下拉晶體管pd1的柵電極經由第二數(shù)據儲存節(jié)點nd256電連接至第二下拉晶體管pd2、第二通閘晶體管pg2及第二上拉晶體管pu2的漏電極。

在一些實施例中，第一上拉晶體管pu1及第二上拉晶體管pu2的源電極連接至第一電源節(jié)點vdd1，而第一下拉晶體管pd1及第二下拉晶體管pd2的源電極連接至第二電源節(jié)點vss1。根據一個實施例，第一電源節(jié)點vdd1電連接至由靜態(tài)隨機存取記憶體電源電路(未圖示)供應的正電壓電位，及第二電源節(jié)點vss1電連接至接地。

第一通閘晶體管pg1及第二通閘晶體管pg2的柵電極連接至字線wl。第一通閘晶體管pg1及第二通閘晶體管pg2的源電極分別連接至第一位線bl1及第二位線bl2。

在第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的讀取操作期間，當?shù)谝煌ㄩl晶體管pg1及第二通閘晶體管pg2例如由于經由字線wl而應用于第一通閘晶體管pg1及第二通閘晶體管pg2的柵電極的讀取信號而開啟時，第一數(shù)據儲存節(jié)點nd254及第二數(shù)據儲存節(jié)點nd256中儲存的互補數(shù)據經由第一通閘晶體管pg1及第二通閘晶體管pg2傳輸至第一位線bl1及第二位線bl2，這些位線分別連接至靜態(tài)隨機存取記憶體的感測放大器(未圖示)。在第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的寫入操作期間，當?shù)谝煌ㄩl晶體管pg1及第二通閘晶體管pg2例如由于經由字線wl而應用于第一通閘晶體管pg1及第二通閘晶體管pg2的柵電極的寫入信號而開啟時，被應用于第一數(shù)據線bl1及第二數(shù)據線bl2的互補數(shù)據經由第一通閘晶體管pg1及第二通閘晶體管pg2傳輸至第一數(shù)據儲存節(jié)點nd254及第二數(shù)據儲存節(jié)點nd256，并分別儲存在第一數(shù)據儲存節(jié)點nd254及第二數(shù)據儲存節(jié)點nd256。

請參看圖1，第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20包括第一上拉晶體管pu10、第一下拉晶體管pd10及第一通閘晶體管pg10。第一上拉晶體管pu10、第一下拉晶體管pd10及第一通閘晶體管pg10的漏電極電氣連接在第一數(shù)據儲存節(jié)點nd354。第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10進一步包括第二上拉晶體管pu20、第二下拉晶體管pd20及第二通閘晶體管pg20。第二上拉晶體管pu20、第二下拉晶體管pd20及第二通閘晶體管pg20的漏電極電氣連接在第二數(shù)據儲存節(jié)點nd356。

第一上拉晶體管pu10及第二上拉晶體管pu20的源電極連接至第三電源節(jié)點vdd2，此電源節(jié)點vdd2可與第一電源節(jié)點vdd1連接至同一電壓電位，而第一下拉晶體管pu10及第二下拉晶體管pu20的源電極連接至第四電源節(jié)點vss2，此電源節(jié)點vss2可與第二電源節(jié)點vss1連接至同一電壓電位。

靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的第一通閘晶體管pg10及第二通閘晶體管pg20的柵電極連接至字線wl。第一通閘晶體管pg10及第二通閘晶體管pg20的源電極分別連接至第三位線bl3及第四位線bl4。

將省略與上述第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的彼等特征重合的第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的其他特征的描述，以避免重復。

圖2a是根據本揭示案的一些實施例的一示例性垂直晶體管的一些元件的示意性透視圖，及圖2b是示例性垂直晶體管的示意性橫剖面圖。配置為n型晶體管或p型晶體管的示例性垂直晶體管可用于圖1中圖示的第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20。

請參看圖2a及圖2b，示例性垂直晶體管50包括源極區(qū)域110及漏極區(qū)域120及插入其間的通道115。源極區(qū)域110、通道115及漏極區(qū)域120可通過將源極區(qū)域110、通道115及漏極區(qū)域120以垂直于基板主表面的方向堆疊在彼此上，而垂直形成于基板(未圖示)上方。示例性垂直晶體管50進一步包括圍繞通道115的柵電極130，及插入柵電極130與通道115之間以便使通道115電絕緣于柵電極130的柵極絕緣層135。因為柵電極130圍繞通道115，因此示例性垂直晶體管50可被稱作垂直全繞柵極(verticalgateall-around；vgaa)晶體管。根據本揭示案的多個實施例，示例性垂直晶體管50可為n型晶體管或p型晶體管。然而，為便于說明，示例性垂直晶體管50經配置為n型晶體管，如下文描述中的實例。

示例性垂直晶體管50可形成于大量摻雜n型雜質的n+(“+”是指大量摻雜)源極擴散區(qū)域105中，n型雜質如p、as、sb、n或上述各者的組合。源極擴散區(qū)域105可通過由絕緣材料制成的淺溝隔離(shallowtrenchisolation；sti)102界定。通過形成淺溝隔離102，示例性垂直晶體管50與形成于源極擴散區(qū)域105相鄰的源極擴散區(qū)域中的其他半導體裝置之間的電流漏電可得以最小化或被阻止。根據其他實施例，n+源極擴散區(qū)域105可由磊晶生長于基板上的磊晶層而形成。

n+源極擴散區(qū)域105的一部分充當示例性垂直晶體管50的源極區(qū)域110。盡管圖2a及圖2b中未圖示，但根據本揭示案的一個實施例，與示例性垂直晶體管50具有同一傳導率類型的額外垂直晶體管可在同一n+源極擴散區(qū)域105中形成，因此，形成于同一n+源極擴散區(qū)域105中的所有垂直晶體管的源極區(qū)域直接彼此電連接。通過參考下文將介紹的圖3，此種特征將更顯而易見。

根據一些實施例，示例性垂直晶體管50的通道115是單納米線、多納米線，或在垂直于基板主表面的方向觀察具有矩形或橢圓形狀的納米桿類型。通道115可包括半導體材料，此半導體材料可由磊晶形成，如硅、鍺、硅鍺、碳化硅、硫磷、硫磷碳、第iii-v族化合物半導體，等等。例如，第iii-v族化合物半導體可包括磷化銦、砷化銦、砷化鎵、砷化鋁銦、磷化銦鎵、砷化銦鎵、鎵砷銻、氮磷化鎵、氮磷化鋁，或上述各者的組合。通道115可包括(如必要)少量摻雜p型雜質，以便形成p型半導體?？捎啥嗑Ч杌蛑T如金屬、金屬合金、金屬硅化物等等的另一導電材料形成的柵電極130圍繞通道115。插入柵電極130與通道115之間以便使通道115絕緣于柵電極130的柵極絕緣層135可包括一或更多個高介電常數(shù)介電層，如金屬氧化物。金屬氧化物實例包括li、be、mg、ca、sr、sc、y、zr、hf、al、la、ce、pr、nd、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、lu的氧化物，及/或上述各者的混合物。

示例性垂直晶體管50的漏極區(qū)域120由n+半導體層形成，此層包括大量摻雜的n型雜質，如p、as、sb、n，或上述各者的組合。示例性晶體管50進一步包括由多晶硅、硅化物、金屬、金屬合金，或類似物形成于漏極區(qū)域120上方的導電層121。漏極區(qū)域120及導電層121的結合被稱作示例性晶體管50的頂板。如若必要，接觸通孔180可形成于頂板上方以電連接頂板與形成于示例性晶體管50表面上的金屬層(圖2a及圖2b中未圖示)。

示例性晶體管50進一步包括n+源極擴散區(qū)域105上方的硅化物區(qū)域111。在一些實施例中，硅化物層111形成于及鄰接于源極擴散區(qū)域105，但硅化物層111的一部分被移除以便形成垂直晶體管50。源極擴散區(qū)域105及硅化物區(qū)域111的組合被視作底板。根據其他實施例，或者，鍺化物層可替代硅化物層形成于源極擴散區(qū)域上以實施包括源極擴散區(qū)域及鍺化物層的底板。另一接觸通孔170可形成于底板上方以電連接底板至金屬層(圖2a及圖2b中未圖示)，此金屬層如電源節(jié)點或位線，形成于示例性晶體管50上方。

示例性晶體管50進一步包括位于柵電極130上方的區(qū)域連接層131。在一些實施例中，示例性垂直晶體管50的柵電極130可經由區(qū)域連接層131電連接至其他垂直晶體管的漏極區(qū)域。通過參考圖3及圖5中圖示的第一數(shù)據儲存電極254及第二數(shù)據儲存電極256，及第一區(qū)域連接線252及第二區(qū)域連接線258，這些特征將更顯而易見。區(qū)域連接層131可由多晶硅或另一導電材料形成，此材料如金屬、金屬合金、金屬硅化物，等等。在其他實施例中，柵電極130可經由接觸通孔160及/或區(qū)域連接層131而連接至形成于示例性晶體管50表面上的金屬層，如字線。

如圖2b所示，示例性垂直晶體管50可包括一或更多個介電層，如介電層191到194。這些介電層可使多個導電或半導體層彼此絕緣，及可包括多個通孔，這些通孔中，形成接觸通孔160、170及180。應理解，介電層191到194僅以說明為目的，及根據本揭示案的實施例的示例性垂直晶體管50可具有少于四個或四個以上的介電層。

應理解，熟悉此項技術者將認可，p型垂直晶體管可例如通過使用不同種類的摻雜劑，利用上述提及的用以形成n型示例性垂直晶體管50的彼等材料制造而成。

根據一些實施例，前述垂直晶體管，或者n型或p型，在靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元中實施，如圖1中圖示。這些特征將通過參考圖3而更顯而易見。

圖3是根據本揭示案的一些實施例的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元布局。圖4是圖3中圖示的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元布局，其中僅圖示通道、源極擴散區(qū)域、柵極線及漏極擴散區(qū)域。圖5是圖3中圖示的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元布局，其中僅圖示通道、源極擴散區(qū)域、柵極線、漏極擴散區(qū)域及互連區(qū)域。圖6是一放大圖，此圖示意地圖示圖3中靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的相鄰通閘晶體管的一些組件。

請參看圖3到圖5，靜態(tài)隨機存取記憶體(staticrandomaccessmemory；sram)可包括第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20，這些單元以第一方向(x軸)排列在同一行中。第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10包括第一通閘晶體管pg1、第一上拉晶體管pu1及第二上拉晶體管pu2、第一下拉晶體管pd1及第二下拉晶體管pd2及第二通閘晶體管pg2，第一通閘晶體管pg1的源極區(qū)域由第一源極擴散區(qū)域210形成，第一上拉晶體管pu1及第二上拉晶體管pu2的源極區(qū)域由第二源極擴散區(qū)域220形成，第一下拉晶體管pd1及第二下拉晶體管pd2的源極區(qū)域由第三源極擴散區(qū)域230形成，第二通閘晶體管pg2的源極區(qū)域由第四源極擴散區(qū)域240形成。第一到第四源極擴散區(qū)域210、220、230及240依序在第一方向(x軸)上排列及彼此隔開。

在第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10中，第一通閘晶體管pg1及第二通閘晶體管pg2分別以第一方向(x軸)排列在相對側。充當數(shù)據儲存晶體管的第一上拉晶體管pu1及第二上拉晶體管pu2及第一下拉晶體管pd1及第二下拉晶體管pd2排列在第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的相對側之間。

第一通閘晶體管pg1、第一上拉晶體管pu1及第一下拉晶體管pd1的通道215、225及235安置在平行于第一方向(x軸)的第一路徑l10中，而第二上拉晶體管pu2、第二下拉晶體管pd2及第二通閘晶體管pg2的通道245、255及265安置在平行于第一方向(x軸)的第二路徑l20中。第一路徑l10及第二路徑l20在垂直于第一方向(x軸)的第二方向(y軸)上彼此隔開達距離d1，如圖4中所示。

請參看圖4，第二源極擴散區(qū)域220及第三源極擴散區(qū)域230在第一路徑l10與第二路徑l20之間連續(xù)延伸，及第一源極擴散區(qū)域210及第四源極擴散區(qū)域240在第一路徑l10與第二路徑l20之間間斷延伸。根據一些實施例，第一源極擴散區(qū)域210覆蓋第一路徑l10處的區(qū)域，及與第一路徑l10與第二路徑l20之間的中心路徑l30隔開，及第四源極擴散區(qū)域240覆蓋第二路徑l20處的區(qū)域，及與中心路徑l30隔開。例如，第一源極擴散區(qū)域210在第一路徑l10與第二路徑l20之間的一部分的長度d2小于距離d1的一半，及第四源極擴散區(qū)域240在第一路徑l10與第二路徑l20之間的一部分的長度d3小于距離d1的一半。

如圖3至圖5所示，第一通閘晶體管pg1、第一上拉晶體管pu1及第一下拉晶體管pd1的漏極區(qū)域經由第一漏極擴散區(qū)域270而彼此電連接，第一漏極擴散區(qū)域270沿第一方向(x軸)延伸，及第二通閘晶體管pg2、第二上拉晶體管pu2及第二下拉晶體管pd2的漏極區(qū)域經由第二漏極擴散區(qū)域280而彼此電連接，第二漏極擴散區(qū)域280沿第一方向(x軸)延伸。

第一上拉晶體管pu1及第一下拉晶體管pd1的柵電極經由沿第一方向(x軸)延伸的第一柵極線294而彼此電連接。第二上拉晶體管pu2及第二下拉晶體管pd2的柵電極經由沿第一方向(x軸)延伸的第二柵極線296而彼此電連接。根據一些實施例，第一漏極擴散區(qū)域270與第二柵極線296經由第一數(shù)據儲存電極254而彼此電連接，及第二漏極擴散區(qū)域280與第一柵極線294經由第二數(shù)據儲存電極256而彼此電連接。第一通閘晶體管的柵電極292與第二通閘晶體管的柵電極298例如經由第一區(qū)域連接線252與第二區(qū)域連接線258而分別電連接至沿第一方向(x軸)延伸的字線wl。如圖5所示，第一數(shù)據儲存電極254及第二數(shù)據儲存電極256與第一區(qū)域連接線252與第二區(qū)域連接線258類似，是第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的區(qū)域連接線。第一數(shù)據儲存電極254及第二數(shù)據儲存電極256的配置與第一區(qū)域連接線252及第二區(qū)域連接線258可涉及參考圖2b的前述區(qū)域連接層131，因此，此時將省略其描述以避免冗余。

形成第一通閘晶體管pg1的源極區(qū)域的第一源極擴散區(qū)域210電連接至第一位線，形成第一上拉晶體管pu1及第二上拉晶體管pu2的源極區(qū)域的第二源極擴散區(qū)域220電連接至第一電源節(jié)點vdd1，形成第一下拉晶體管pd1及第二下拉晶體管pd2的源極區(qū)域的第三源極擴散區(qū)域230電連接至第二電源節(jié)點vss1，及形成第二通閘晶體管pg2的源極區(qū)域的第四源極擴散區(qū)域240電連接至第二位線bl2。應理解，第一位線bl1與第二位線bl2及第一電源節(jié)點vdd1及第二電源節(jié)點vss1可沿第二方向(y軸)延伸，及由來自字線wl的不同金屬層而形成。

根據一些實施例，為改良字線wl與第一柵電極pg1及第二柵電極pg2的柵電極292及柵電極298之間的導電性及信噪比，可由與第一位線bl1及第二位線bl2、第一電源節(jié)點vdd1及第二電源節(jié)點vss1相同的層形成的金屬配線272及274分別安置于第一區(qū)域連接線252與第二區(qū)域連接線258上方。如圖3所示，字線wl、金屬配線272及274、第一區(qū)域連接線252及第二區(qū)域連接線258可經由接觸通孔101連接到彼此。

請參看圖3，根據一些實施例，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10進一步包括第一到第四導電配線262、266、264及268，這些配線可由金屬分別形成于第一到第四源極擴散區(qū)域210、220、230，及240上方，以將第一到第四區(qū)域210、220、230及240分別地電連接至第一位線bl1、第一電源節(jié)點vdd1、第二電源vss1及第二位線bl2。

請參看圖3到圖5，可與第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10完全相同的第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20包括第一通閘晶體管pg10(其源極區(qū)域由第一源極擴散區(qū)域310形成)、第一上拉晶體管pu10及第二上拉晶體管pu20(此兩者的源極區(qū)域由第二源極擴散區(qū)域320形成)，第一下拉晶體管pd10及第二下拉晶體管pd20(此兩者的源極區(qū)域由第三源極擴散區(qū)域330形成)，及第二通閘晶體管pg20(其源極區(qū)域由第四源極擴散區(qū)域340形成)。第一到第四源極擴散區(qū)域310、320、330，及340以第一方向(x軸)依序排列及彼此隔開。

在第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20中，第一通閘晶體管pg10、第一上拉晶體管pu10及第一下拉晶體管pd10的通道315、325及335安置在第一路徑l10中，而第二上拉晶體管pu20、第二下拉晶體管pd20及第二通閘晶體管pg20的通道345、355及365安置在第二路徑l20中。

類似于第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10，在靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20中，第二源極擴散區(qū)域320及第三源極擴散區(qū)域330在第一路徑l10與第二路徑l20之間連續(xù)延伸，及第一源極擴散區(qū)域310及第四源極擴散區(qū)域340在第一路徑l10與第二路徑l20之間間斷延伸。根據一些實施例，在靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20中，第一源極擴散區(qū)域310覆蓋第一路徑l10處的區(qū)域，及與第二路徑l20隔開，及第四源極擴散區(qū)域340覆蓋第二路徑l20處的區(qū)域，及與第一路徑l10隔開。

靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及20在第一路徑l10與第二路徑l20之間具有中間區(qū)域500。中間區(qū)域500是在垂直于第一方向(x軸)及第二方向(y軸)的一方向上橫穿整個靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及20的區(qū)域，且此區(qū)域在平行于第一方向(x軸)的方向上直線延伸。第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第一源極擴散區(qū)域210及第四源極擴散區(qū)域240與第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的第一源極擴散區(qū)域310及第四源極擴散區(qū)域340中的每一者皆與中間區(qū)域500隔開。

應理解，第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20中由元件符號370及380表示的元件分別對應于第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10中的元件270及280，第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20中由元件符號392、394、396，及398表示的元件分別對應于第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的元件292、294、296及298，第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20中由元件符號352、354、356、358表示的元件分別對應于第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的元件252、254、256，及258，第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20中由元件符號bl3、vdd2、vss2、bl4表示的元件分別對應于元件bl1、vdd1、vss1、bl2，及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20中由元件符號362、364、366、368表示的元件分別對應于元件262、264、266、268。為避免重復，本揭示案中將省略其描述。

請再次參看圖3至圖5，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第二通閘晶體管pg2及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的第一通閘晶體管pg10安置在第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10數(shù)據儲存晶體管(如第一上拉晶體管pu1及第二上拉晶體管pu2及第一下拉晶體管pd1及第二下拉晶體管pd2)與第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的數(shù)據儲存晶體管(如第一上拉晶體管pu10及第二上拉晶體管pu20及第一下拉晶體管pd10及第二下拉晶體管pd20)之間。字線wl電連接至第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第一通閘晶體管pg1及第二通閘晶體管pg2的柵電極292及298，及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的第一通閘晶體管pg10及第二通閘晶體管pg20的柵電極392及398。

根據一些實施例，形成第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第二通閘晶體管pg2的源極區(qū)域的第四源極擴散區(qū)域240，及形成第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的第一通閘晶體管pg10的源極區(qū)域的第一源極擴散區(qū)域310安置在參照第一方向(x軸)的對角線方向上。此種配置將在參考圖6時更為顯而易見。

如圖6所示，根據一些實施例，在第一方向(x軸)觀察時，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第四源極擴散區(qū)域240與第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的第一源極擴散區(qū)域310之間有空間。此外，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第四源極擴散區(qū)域240及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的第一源極擴散區(qū)域310在第二方向(y軸)上不彼此對準。因為第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第四源極擴散區(qū)域240及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元310的第一源極擴散區(qū)域310中的每一者沿第二方向(y軸)而不連續(xù)地形成，因此當?shù)谝混o態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第四源極擴散區(qū)域240及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的第一源極擴散區(qū)域310與中間區(qū)域500隔開時，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第四源極擴散區(qū)域240與第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的第一源極擴散區(qū)域310之間的最短距離成為圖6的ac。

另一方面，當在第一方向(x軸)觀察第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第四源極擴散區(qū)域240及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第一源極擴散區(qū)域310時，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第四源極擴散區(qū)域240與第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的第一源極擴散區(qū)域310之間的最短距離與ab或dc相同，此距離是第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第四源極擴散區(qū)域240及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元310的第一源極擴散區(qū)域310在第二方向(y軸)上的界線l2與l4之間的距離。

請參看圖6，根據一些實施例，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第四源極擴散區(qū)域240與第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的第一源極擴散區(qū)域310之間的最短距離ac與第一方向(x軸)(或邊界線l1或l3)之間的傾斜角θ滿足0度<θ≦90度，以縮小每一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的尺寸，但滿足相鄰源極擴散區(qū)域240與310之間的最短距離等于或大于預定距離的要求。根據其他實施例，傾斜角θ滿足45度≦θ≦90度。在此種范圍中，包括具有相鄰的源極擴散區(qū)域對角排列的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的靜態(tài)隨機存取記憶體可更有效地縮減每一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的尺寸，優(yōu)于傾斜角θ小于45度的靜態(tài)隨機存取記憶體。

一般而言，諸如兩個相鄰源極區(qū)域的兩個相鄰的擴散區(qū)域之間的最短距離必須等于或大于預定距離d0。預定距離d0可通過制造流程決定，或通過所需裝置效能決定，如容許的最大電流漏失量。換言之，兩個相鄰的源極擴散區(qū)域不可過于接近彼此。

根據本揭示案的實施例，當?shù)谝混o態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10的第四源極擴散區(qū)域240與第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元310的第一源極擴散區(qū)域310安置在參照第一方向(x軸)的對角線方向及與中間區(qū)域500隔開時，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10與第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20之間的距離可縮小而無需犧牲靜態(tài)隨機存取記憶體效能。因此，更多晶體管或更多靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元可形成于單元區(qū)域中，因為根據本揭示案的實施例，相鄰靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元之間的距離被縮短。因此，與具有相同晶片尺寸的靜態(tài)隨機存取記憶體相比(在其中，通閘晶體管的源極擴散區(qū)域在第二方向(y軸)連續(xù)形成)，根據本揭示案的實施例的靜態(tài)隨機存取記憶體可具有更大數(shù)據儲存能力。

如圖6所示，當ac等于預定距離d0時，根據本揭示案的實施例的第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10與第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20之間的距離變成dc或ab，當θ大于0時，dc或ab等于d0·cos(θ)，小于d0。例如，當傾斜角θ是45度時，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10與第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20之間的距離是0.707·d0。因此，對在同一行形成的每一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元而言，在第一方向(x軸)，尺寸縮短0.293·d0。當更多靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元整合至靜態(tài)隨機存取記憶體中時，實現(xiàn)晶粒區(qū)域的顯著縮小。

圖7a及圖7b是根據本揭示案的一些實施例的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元簡化布局，其中僅圖示靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的源極擴散區(qū)域。

根據本揭示案的一些實施例，靜態(tài)隨機存取記憶體包括兩個以上排列在形成陣列的多個行及多個列中的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元。例如，如圖7a所示，四個靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10、20、30，及40排列在兩個相鄰行及兩個相鄰列中。根據一些實施例，第三靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元30及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元40可與前述的第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20完全相同。因此，此處將省略對與第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的上述特征重復的第三靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元30及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元40的特征的描述。

請參看圖7a，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20排列在第一方向(x軸)，亦即行方向，及第三靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元30及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元40在第一方向(x軸)排列在第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20的相鄰行中。因此，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及第三靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元30排列在同一列，及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元40排列在另一相同列。

因為每一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元中的第二源極擴散區(qū)域及第三源極擴散區(qū)域中的每一者在每一單元中是連續(xù)的，因此第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及第三靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元30的第二源極擴散區(qū)域及第三源極擴散區(qū)域分別成為單個源極擴散區(qū)域600及另一單個源極擴散區(qū)域700，每一者在由第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及第三靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元30占據的區(qū)域中連續(xù)延伸。同樣，第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元40的第二源極擴散區(qū)域及第三源極擴散區(qū)域分別變成單個源極擴散區(qū)域800及另一單個源極擴散區(qū)域900，每一者在由第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元40占據的區(qū)域中連續(xù)延伸。

顯而易見，當三個或三個以上靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元排列在同一列時，三個或三個以上靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的所有第二(或第三)源極擴散區(qū)域直接彼此連接，及沿各個列連續(xù)延伸。

另一方面，因為每一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第一源極擴散區(qū)域及第四源極擴散區(qū)域中的每一者并未在列方向(y軸)完全延伸，因此第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及第三靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元30的第一源極擴散區(qū)域包括彼此隔開的離散源極擴散區(qū)域210及410，及第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元10及第三靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元30的第四源極擴散區(qū)域包括彼此隔開的離散源極擴散區(qū)域240及440。離散源極擴散區(qū)域210及410及離散源極擴散區(qū)域240及440在列方向(y軸)彼此偏移。同樣，第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元40的第一源極擴散區(qū)域包括彼此間隔的離散源極擴散區(qū)域310及510，及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元20及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元40的第四源極擴散區(qū)域包括彼此間隔的離散源極擴散區(qū)域340及540。離散源極擴散區(qū)域210及410及離散源極擴散區(qū)域240及440在列方向(y軸)彼此偏移。盡管圖7a中未圖示，但淺溝隔離形成于相鄰源極擴散區(qū)域之間及定義源極擴散區(qū)域的邊界。

顯而易見，當三個或三個以上靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元排列在同一列時，三個或三個以上靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的所有第一(或第四)源極擴散區(qū)域間斷地形成，及在列方向彼此隔開。

圖7b圖示另一實例，在此實例中，第一到第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元61、62、63，及64在兩個相鄰行及兩個相鄰列中排列。根據一些實施例，第三靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元63及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元64參照第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元61及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元62水平翻轉。因此，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元61的第一源極擴散區(qū)域及第三靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元63的第一源極擴散區(qū)域彼此組合成為源極擴散區(qū)域211，及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元62的第一源極擴散區(qū)域及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元64的第一源極擴散區(qū)域彼此組合成為源極擴散區(qū)域311。另一方面，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元61的第四源極擴散區(qū)域241與第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元62及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元64的源極擴散區(qū)域311對角排列及與中間區(qū)域500隔開，及第三靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元63的第四源極擴散區(qū)域441與第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元62及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元64的源極擴散區(qū)域311對角排列及與中間區(qū)域500隔開。盡管圖7b中未圖示，但淺溝隔離形成于相鄰源極擴散區(qū)域之間及定義源極擴散區(qū)域的邊界。

因為每一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元中的第二源極擴散區(qū)域及第三源極擴散區(qū)域中的每一者在每一單元中是連續(xù)的，因此第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元61及第三靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元63的第二源極擴散區(qū)域及第三源極擴散區(qū)域分別成為單個源極擴散區(qū)域601及另一單個源極擴散區(qū)域701，每一者在由第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元61及第三靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元63占據的區(qū)域中連續(xù)延伸。同樣，第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元62及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元64的第二源極擴散區(qū)域及第三源極擴散區(qū)域分別變成單個源極擴散區(qū)域801及另一單個源極擴散區(qū)域901，每一者在由第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元62及第四靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元64占據的區(qū)域中連續(xù)延伸。

圖8a及圖8b是根據本揭示案的其他實施例的的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元簡化布局，這些簡化布局基于對圖6中圖示的靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元布局的修改。將省略對與前述布局的特征重復的特征的描述，以免重復。

請參看圖8a，形成第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第二通閘晶體管pg2的源極區(qū)域的第四源極擴散區(qū)域240的邊界線l2，及形成第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第一通閘晶體管pg10的源極區(qū)域的第一源極擴散區(qū)域310的邊界線l4在第二方向(y軸)彼此對準。在此情況下，第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第四源極擴散區(qū)域240及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第一源極擴散區(qū)域310與中間區(qū)域500隔開，因為第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第四源極擴散區(qū)域240及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第一源極擴散區(qū)域310在第二方向(y軸)彼此隔開一距離，例如預定距離d0。

請參看圖8b，形成第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第二通閘晶體管pg2的源極區(qū)域的第四源極擴散區(qū)域240，及形成第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第一通閘晶體管pg10的源極區(qū)域的第一源極擴散區(qū)域310在第二方向(y軸)彼此對準。換言之，在每一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元中，通閘晶體管所形成于其中的源極擴散區(qū)域在第二方向(y軸)不連續(xù)地形成。

盡管圖8a及圖8b中未圖示，但應理解，其他層的布局，如區(qū)域連接線及金屬配線，可參考圖3中圖示的靜態(tài)隨機存取記憶體布局而經相應修正，以避免相鄰靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元之間短路。

圖9圖示根據本揭示案的一實施例用于制造靜態(tài)隨機存取記憶體陣列的方法的流程圖。應理解，在圖9圖示多個步驟之前、期間，及之后可提供額外的步驟，及下述步驟中的一些步驟可被替換或消除。操作/步驟的次序可互換。

在s910中，具有前述布局、配置及結構的源極擴散區(qū)域及對應的硅化物層形成源極擴散區(qū)域。在s920中，晶體管中諸如通道層、柵電極層及柵極絕緣層的多個層形成于基板上方，這些層具有前述布局、配置及結構。在s930中，具有前述布局、配置及結構的漏極區(qū)域(頂板)形成于晶體管的多個層上方。在s940中，形成諸如觸柱、柵極觸點、區(qū)域連接，及板觸點的觸點。在s950中，在第一通孔位準形成第一通孔，及在第一金屬層位準形成第一位準金屬配線。在s960中，在第二通孔位準形成第二通孔，及在第二金屬層位準形成第二位準金屬配線。第一金屬層及第二金屬層形成字線、位線，及電源線路。

根據本揭示案的一些態(tài)樣，靜態(tài)隨機存取記憶體(staticrandomaccessmemory；sram)儲存單元包括依序排列在第一方向的第一源極擴散區(qū)域到第四源極擴散區(qū)域、第一通閘晶體管(其源極區(qū)域由第一源極擴散區(qū)域形成)、第一上拉晶體管及第二上拉晶體管(其源極區(qū)域由第二源極擴散區(qū)域形成)、第一下拉晶體管及第二下拉晶體管(其源極區(qū)域由第三源極擴散區(qū)域形成)、第二通閘晶體管(其源極區(qū)域由第四源極擴散區(qū)域形成)，及第一通閘晶體管與第二通閘晶體管之間的中間區(qū)域，此中間區(qū)域沿平行于第一方向的方向直線延伸及橫穿整個靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元。第一源極擴散區(qū)域及第四源極擴散區(qū)域中的每一者與中間區(qū)域隔開。

于部分實施例中，該第一通閘晶體管、該第一上拉晶體管及該第一下拉晶體管的通道安置在一第一路徑中，該第一路徑平行于該第一方向。該第二上拉晶體管、該第二下拉晶體管及該第二通閘晶體管的通道安置在一第二路徑中，該第二路徑平行于該第一方向。該第二源極擴散區(qū)域及該第三源極擴散區(qū)域在該第一路徑與該第二路徑之間連續(xù)延伸。該第一源極擴散區(qū)域及該第四源極擴散區(qū)域中的每一者與該第一路徑及該第二路徑中的一者隔開。

于部分實施例中，該第一源極擴散區(qū)域覆蓋圍繞該第一路徑的一區(qū)域，及與該第二路徑隔開。該第四源極擴散區(qū)域覆蓋圍繞該第二路徑的一區(qū)域，及與該第一路徑隔開。

于部分實施例中，該第一通閘晶體管、該第一上拉晶體管及該第一下拉晶體管的漏極區(qū)域經由一第一漏極擴散區(qū)域電連接至彼此，該第一漏極擴散區(qū)域沿該第一方向延伸。該第二上拉晶體管、該第二下拉晶體管及該第二通閘晶體管的漏極區(qū)域經由一第二漏極擴散區(qū)域電連接至彼此，該第二漏極擴散區(qū)域沿該第一方向延伸。

于部分實施例中，該第一上拉晶體管及該第一下拉晶體管的柵電極經由一第一柵極線彼此電連接，該第一柵極線沿該第一方向延伸。該第二上拉晶體管及該第二下拉晶體管的柵電極經由一第二柵極線彼此電連接，該第二柵極線沿該第一方向延伸。該第一漏極擴散區(qū)域及該第二柵極線經由一第一數(shù)據儲存電極而彼此電連接。該第二漏極擴散區(qū)域及該第一柵極線經由一第二數(shù)據儲存電極彼此電連接。

于部分實施例中，該第一通閘晶體管及該第二通閘晶體管的柵電極電連接至一字線，該字線沿該第一方向延伸。形成該第一通閘晶體管的該源極區(qū)域的該第一源極擴散區(qū)域電連接至一第一位線，該第一位線沿該第二方向延伸。形成該第一上拉晶體管及該第二上拉晶體管的這些源極區(qū)域的該第二源極擴散區(qū)域電連接至一第一電源節(jié)點，該第一電源節(jié)點沿該第二方向延伸。形成該第一下拉晶體管及該第二下拉晶體管的這些源極區(qū)域的該第三源極擴散區(qū)域電連接至一第二電源節(jié)點，該第二電源節(jié)點沿該第二方向延伸。形成該第二通閘晶體管的該源極區(qū)域的該第四源極擴散區(qū)域電連接至一第二位線，該第二位線沿該第二方向延伸。

于部分實施例中，該第一位線、該第二位線、該第一電源節(jié)點以及該第二電源節(jié)點分別由金屬形成。

于部分實施例中，每一晶體管具有一源極區(qū)域、一通道以及一漏極區(qū)域，上述該源極區(qū)域、該通道以及該漏極區(qū)域堆疊在一基板的一表面上。

根據本揭示案的一些態(tài)樣，靜態(tài)隨機存取記憶體(staticrandomaccessmemory；sram)包括在第一方向彼此相鄰安置的第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元。第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元中的每一者包括在第一方向上安置在各個靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元相對側的第一通閘晶體管及第二通閘晶體管，及在第一通閘晶體管與第二通閘晶體管之間的區(qū)域中形成的多個數(shù)據儲存晶體管。第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第二通閘晶體管及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第一通閘晶體管安置在形成第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的多個數(shù)據儲存晶體管的區(qū)域與形成第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的多個數(shù)據儲存晶體管的區(qū)域之間。形成第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第二通閘晶體管的源極區(qū)域的源極擴散區(qū)域，及形成第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第一通閘晶體管的源極區(qū)域的源極擴散區(qū)域中的每一者與第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的中間區(qū)域隔開。第一通閘晶體管與第二通閘晶體管之間的中間區(qū)域沿平行于第一方向的方向直線地延伸及橫穿整個第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元。

于部分實施例中，形成該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第二通閘晶體管的該源極區(qū)域的該源極擴散區(qū)域，及形成該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第一通閘晶體管的該源極區(qū)域的該源極擴散區(qū)域安置在參照該第一方向的一對角線方向上。

于部分實施例中，形成該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第二通閘晶體管的該源極區(qū)域的該源極擴散區(qū)域，及形成該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第一通閘晶體管的該源極區(qū)域的該源極擴散區(qū)域在垂直于該第一方向的一第二方向上隔開及彼此對準。

于部分實施例中，靜態(tài)隨機存取記憶體進一步包括一字線，該字線電連接至該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第一通閘晶體管及該第二通閘晶體管的柵電極。

于部分實施例中，在該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元及該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元中的每一者中：該第一通閘晶體管、該第一上拉晶體管及該第一下拉晶體管的漏極區(qū)域經由該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元或該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的一第一漏極擴散區(qū)域電連接至彼此，該第一漏極擴散區(qū)域沿該第一方向延伸。該第二上拉晶體管、該第二下拉晶體管及該第二通閘晶體管的漏極區(qū)域經由該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元或該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的一第二漏極擴散區(qū)域電連接至彼此，該第二漏極擴散區(qū)域沿該第一方向延伸。

于部分實施例中，在該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元及該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元中的每一者中：該第一上拉晶體管及該第一下拉晶體管的柵電極經由該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元或該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的一第一柵極線彼此電連接，該第一柵極線沿該第一方向延伸。該第二上拉晶體管及該第二下拉晶體管的柵電極經由該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元或該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的一第二柵極線彼此電連接，該第二柵極線沿該第一方向延伸。該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元或該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第一漏極擴散區(qū)域及該第二柵極線經由該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元或該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的一第一數(shù)據儲存電極彼此電連接。該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元或該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第二漏極擴散區(qū)域及該第一柵極線經由該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元或該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的一第二數(shù)據儲存電極彼此電連接。

于部分實施例中，該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第一通柵電極的一源極區(qū)域電連接至一第一位線，該第一位線沿垂直于該第一方向的一第二方向延伸。該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第一上拉晶體管及該第二上拉晶體管的源極區(qū)域電連接至一第一電源節(jié)點，該第一電源節(jié)點沿該第二方向延伸。該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第一下拉晶體管及該第二下拉晶體管的源極區(qū)域電連接至一第二電源節(jié)點，該第二電源節(jié)點沿該第二方向延伸。該第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第二通柵電極的一源極區(qū)域電連接至一第二位線，該第二位線沿該第二方向延伸。該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第一個通柵電極的一源極區(qū)域電連接至一第三位線，該第三位線沿該第二方向延伸。該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第一上拉晶體管及該第二上拉晶體管的源極區(qū)域電連接至一第三電源節(jié)點，該第三電源節(jié)點沿該第二方向延伸。該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第一下拉晶體管及該第二下拉晶體管的源極區(qū)域電連接至一第四電源節(jié)點，該第四電源節(jié)點沿該第二方向延伸。該第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的該第二通柵電極的一源極區(qū)域電連接至一第四位線，該第四位線沿該第二方向延伸。

于部分實施例中，該第一位線到該第四位線及該第一電源節(jié)點到該第四電源節(jié)點中的每一者由一金屬形成。

于部分實施例中，每一晶體管具有一源極區(qū)域、一通道，及一漏極區(qū)域，上述各者堆疊在一基板的一表面上。

根據本揭示案的一些態(tài)樣，靜態(tài)隨機存取記憶體(staticrandomaccessmemory；sram)包括在列方向彼此相鄰安置的第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元。第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元中的每一者包括在垂直于列方向的行方向上安置在各個靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元相對側的第一通閘晶體管及第二通閘晶體管，及安置在相對側之間的多個數(shù)據儲存晶體管。第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第一通閘晶體管的源極區(qū)域由不同的源極擴散區(qū)域形成，這些源極擴散區(qū)域通過隔離區(qū)域彼此隔開，或第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第二通閘晶體管的源極區(qū)域由不同的源極擴散區(qū)域形成，這些源極擴散區(qū)域由另一隔離區(qū)域彼此隔開。形成第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的第二通閘晶體管的源極區(qū)域的源極擴散區(qū)域位于第一靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元及第二靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元的多個數(shù)據儲存晶體管的相同一側。

于部分實施例中，該多個數(shù)據儲存晶體管的源極區(qū)域由兩個平行源極擴散區(qū)域形成，這些源極擴散區(qū)域中每一者在該列方向上連續(xù)地延伸。

于部分實施例中，每一晶體管具有一源極區(qū)域、一通道，及一漏極區(qū)域，上述各者堆疊在一基板的一表面上。

根據本揭示案的一些態(tài)樣，當相鄰靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元之間斷形成的源極擴散區(qū)域安置在參照行方向的對角線方向上且彼此在行方向上不重疊時，安置在同一行中的相鄰靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元之間的距離可縮短。因此，更多晶體管或靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元可形成于單元區(qū)域中，因為縮短了相鄰靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元之間的距離。因此，根據本揭示案的實施例的靜態(tài)隨機存取記憶體可具有更大數(shù)據儲存能力。

根據本揭示案的一些態(tài)樣，靜態(tài)隨機存取記憶體的位線及電源節(jié)點可由金屬層形成于靜態(tài)隨機存取記憶體的源極擴散區(qū)域上方及可連接至源極擴散區(qū)域。因此，因為信號或功率經由比源極擴散區(qū)域具有相對更低電阻的金屬層而傳輸出入同一列靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元或供應出入同一列靜態(tài)隨機存取記憶體儲存單元，信噪比及功率利用率效率可改良。

前述內容概括數(shù)個實施例的特征，以便彼等熟悉此項技術者可更佳地理解本揭示案的態(tài)樣。彼等熟悉此項技術者應了解，本揭示案可易于用作設計或修正其他制程及結構的基礎，以實現(xiàn)與本案介紹的實施例相同的目的及/或達到與其相同的優(yōu)勢。彼等熟悉此項技術者亦應了解，此種同等構造不脫離本揭示案的精神及范疇，及可在不脫離本揭示案精神及范疇的情況下在本案中進行多種變更、取代及更動。