1.一種基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器,其特征在于,包括:半導(dǎo)體納米線(1)、上SiO2層(2)、MoS2層(3)、下SiO2層(4)、金屬納米線(5)以及包裹金屬納米線(5)的SiO2層(6),其中:
上SiO2層(2)和下SiO2層(4)的橫向中間位置均設(shè)置有空氣槽,上SiO2層(2)和下SiO2層(4)之間被MoS2層(3)間隔;半導(dǎo)體納米線(1)位于上SiO2層(2)之上,并與上SiO2層(2)橫向中間位置的空氣槽通過兩個交點相連;金屬納米線(5)位于下SiO2層(4)下方,且包裹在SiO2層(6)內(nèi)部,金屬納米線(5)與下SiO2層(4)橫向中間部分的空氣槽通過一個交點相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器,其特征在于,半導(dǎo)體納米線(1)為通過元素摻雜形成的量子阱結(jié)構(gòu)或超晶格結(jié)構(gòu),半導(dǎo)體納米線(1)的材料為硫化鎘、氧化鋅、氮化鎵、砷化鎵、硒化鎘、氧化鋅中的任意一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器,其特征在于,半導(dǎo)體納米線(1)的橫截面形狀為正方形、三角形、圓形、六邊形、五邊形、橢圓、梯形中任意一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器,其特征在于,金屬納米線(5)材料為金、銀、鋁、銅、鈦、鎳、鉻中任意一種或幾種的合金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器,其特征在于,上SiO2層(2)、MoS2層(3)和下SiO2層(4)組成間隔層,間隔層用于隔開半導(dǎo)體納米線(1)和金屬納米線(5)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器,其特征在于,半導(dǎo)體納米線(1)和金屬納米線(5)表面的等離子激元之間能夠發(fā)生耦合,在間隔層中形成亞波長限制的等離子激元雜化振蕩光場。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器,其特征在于,半導(dǎo)體納米線(1)和金屬納米線(5)的半徑比值在0.8到1.2之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器,其特征在于,上SiO2層(2)和下SiO2層的橫向中間的空氣部分的寬度為半導(dǎo)體納米線(1)半徑的0.1到0.4倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于二硫化鉬的表面等離子體激元的納米激光器,其特征在于,該激光器的尺寸為納米級。