技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管陣列基板制造方法、真空氣相蒸發(fā)臺及其控制方法，該制造方法包括在真空環(huán)境中加熱容置在材料源中的柵極導(dǎo)電材料使含有柵極導(dǎo)電材料元素的蒸氣經(jīng)過相應(yīng)的孔形掩膜版后沉積在襯底上形成柵極；加熱介電層導(dǎo)電材料和誘導(dǎo)劑使蒸氣進(jìn)行聚合反應(yīng)后沉積在柵極導(dǎo)電層上形成介電層；加熱有源層材料使蒸氣經(jīng)過相應(yīng)的孔形掩膜版后沉積在介電層上形成有源層；加熱源漏極導(dǎo)電材料使蒸氣經(jīng)過相應(yīng)的孔形掩膜版后沉積在有源層上形成源漏極。采用本方案可以簡化薄膜晶體管的制備過程，降低薄膜晶體管的制造成本，以及降低了人力成本，使薄膜晶體管陣列基板的制造工藝智能化。

技術(shù)研發(fā)人員：尹勇明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市華星光電技術(shù)有限公司
文檔號碼：201611259443
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.30
技術(shù)公布日：2017.06.13