本實用新型涉及大功率芯片技術領域，具體為一種氮化鎵基大功率芯片散熱結構。

背景技術：

現(xiàn)有的氮化鎵(GaN)基大功率芯片，包括三氧化二鋁(Al2O3)襯底層和氮化鎵外延層，氮化鎵外延層設置在三氧化二鋁襯底層的上面，氮化鎵外延層由P型氮化鎵子層和N型氮化鎵子層組成，P型氮化鎵子層位于N型氮化鎵子層的上方，P電極金絲焊接在P型氮化鎵子層，N電極金絲焊接在N型氮化鎵子層，三氧化二鋁襯底層本身不導電，導熱能力差，現(xiàn)有的氮化鎵基大功率芯片散熱效果不好，影響芯片的使用壽命，且安裝時無法精準定位。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種氮化鎵基大功率芯片散熱結構，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種氮化鎵基大功率芯片散熱結構，包括散熱底片，散熱底片上均勻開有多個散熱孔，散熱底片的下表面均勻設置有多個散熱翅片，且散熱翅片均勻分布于散熱孔之間；所述的散熱底片的上表面上從下至上依次設置有三氧化二鋁襯底層、N型氮化鎵子層、P型氮化鎵子層和透明導電層；所述的散熱底片的上表面上且鄰近邊緣處固定設置有四個均勻分布的定位柱；四個定位柱的頂端依次穿過三氧化二鋁襯底層、N型氮化鎵子層、P型氮化鎵子層和透明導電層。

優(yōu)選的，所述的三氧化二鋁襯底層、N型氮化鎵子層、P型氮化鎵子層、透明導電層的四周均開有與定位柱相匹配的定位孔。

優(yōu)選的，所述的P型氮化鎵子層上表面的中部焊接有P電極金絲， P電極金絲的頂端穿過透明導電層。

優(yōu)選的，所述的散熱翅片為十字形結構；所述的散熱孔呈矩陣排列，所述的散熱翅片伸入到相鄰的兩兩散熱孔之間。

優(yōu)選的，所述定位柱為金屬定位柱。

優(yōu)選的，所述透明導電層蒸鍍固定在P型氮化鎵子層的上表面上。

優(yōu)選的，所述P型氮化鎵子層蒸鍍固定在N型氮化鎵子層的上表面上。

優(yōu)選的，所述三氧化二鋁襯底層蒸鍍固定在散熱底片的上表面上。

與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是：采用散熱孔和散熱翅片的組合，可將熱量快速散發(fā)出去，增強了散熱效果，可延長芯片的使用壽命，采用定位柱與定位孔配合，有利于安裝時精準定位，可降低制造成本，降低產(chǎn)品不良率。

附圖說明

圖1為本實用新型的立體圖。

圖2為本實用新型的左視圖。

圖3為本實用新型的俯視圖。

圖4為本實用新型的仰視圖。

圖中：1、散熱底片；2、散熱孔；3、散熱翅片；4、定位柱；5、三氧化二鋁襯底層；6、N型氮化鎵子層；7、P型氮化鎵子層；8、透明導電層；9、定位孔；10、P電極金絲。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

請參閱圖1-4，一種氮化鎵基大功率芯片散熱結構，包括散熱底片1，散熱底片1上均勻開有呈矩陣排列的多個散熱孔2，散熱底片1的下表面均勻設置有多個十字形結構的散熱翅片3，散熱翅片3伸入到相鄰的兩兩散熱孔2之間；散熱底片1的上表面上蒸鍍固定有三氧化二鋁襯底層5，三氧化二鋁襯底層5的上表面上設置有N型氮化鎵子層6，N型氮化鎵子層6的上表面上蒸鍍固定有P型氮化鎵子層7，P型氮化鎵子層7的上表面上蒸鍍固定有透明導電層8，散熱底片1的上表面上且鄰近邊緣處固定設置有四個均勻分布的金屬定位柱4，三氧化二鋁襯底層5、N型氮化鎵子層6、P型氮化鎵子層7、透明導電層8的四周均開有與金屬定位柱4相匹配的定位孔9，四個金屬定位柱4的頂端依次穿過三氧化二鋁襯底層5、N型氮化鎵子層6、P型氮化鎵子層7和透明導電層8的定位孔9；P型氮化鎵子層7上表面的中部焊接有P電極金絲10， P電極金絲10的頂端穿過透明導電層8。

本實用新型在具體實施時，在生產(chǎn)安裝時，采用定位柱4與定位孔9配合，有利于安裝時精準定位，可降低制造成本，降低產(chǎn)品不良率，透明導電層8可使得P型氮化鎵子層7導電均勻，定位柱4為金屬材質，可將內(nèi)部熱量通過定位柱4傳導至散熱底片1上，采用散熱孔2和散熱翅片3的組合，可將熱量快速散發(fā)出去，增強了散熱效果，可延長芯片的使用壽命。

盡管已經(jīng)示出和描述了本實用新型的實施例，對于本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本實用新型的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本實用新型的范圍由所附權利要求及其等同物限定。