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      一種正交加速區(qū)裝置、飛行時(shí)間質(zhì)量分析器及質(zhì)譜儀的制作方法

      文檔序號(hào):11021697閱讀:304來源:國知局
      一種正交加速區(qū)裝置、飛行時(shí)間質(zhì)量分析器及質(zhì)譜儀的制作方法
      【專利摘要】一種正交加速區(qū)裝置,包括推斥板、至少兩塊電極板及調(diào)壓電路,調(diào)壓電路包括可調(diào)電阻器和若干個(gè)電阻,可調(diào)電阻器的一端和若干個(gè)電阻串聯(lián)后的一端通過高壓脈沖開關(guān)接地,另一端均接地,推斥板通過所述高壓脈沖開關(guān)接地,最后一個(gè)電極板接地,其余的電極板分別接到串聯(lián)電阻之間的結(jié)點(diǎn),可調(diào)電位器的可調(diào)端連接到串聯(lián)的電阻的線路上,串聯(lián)的電阻置于時(shí)間質(zhì)譜分析儀的真空腔體內(nèi)部,可調(diào)電阻器置于真空腔體外部。本實(shí)用新型還公開了使用正交加速區(qū)裝置的飛行時(shí)間質(zhì)量分析器以及質(zhì)譜儀。本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):能夠直接通過在時(shí)間質(zhì)譜分析儀的真空腔體外部調(diào)節(jié)可調(diào)電位器改變兩級(jí)電場(chǎng)分壓比,以獲得較好的質(zhì)譜信號(hào)強(qiáng)度,分辨率等參數(shù),不需破壞真空。
      【專利說明】
      一種正交加速區(qū)裝置、飛行時(shí)間質(zhì)量分析器及質(zhì)譜儀
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001] 本實(shí)用新型涉及質(zhì)譜領(lǐng)域,特別涉及到一種用于樣品離子加速的裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 質(zhì)譜分析法,是指將待測(cè)物質(zhì)分子經(jīng)電離后依照不同質(zhì)荷比(質(zhì)量與電荷之比)在 電電場(chǎng)控制下按空間位置和時(shí)間先后加以區(qū)分和定量分析。一套質(zhì)譜儀的主要結(jié)構(gòu)一般包 括:進(jìn)樣系統(tǒng),離子源,離子傳輸系統(tǒng),質(zhì)量分析器,離子探測(cè)及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。其中,離子源 和質(zhì)量分析器是其最核心的部分。質(zhì)量分析器,顧名思義,即將離子按照不同的質(zhì)荷比分離 開來的裝置。質(zhì)量分析器的重要性不言而喻。
      [0003] 飛行時(shí)間質(zhì)量分析器作為質(zhì)譜儀器中應(yīng)用最為廣泛的一種質(zhì)量分析器,可以與電 子轟擊離子源,化學(xué)電離源,電噴霧電離源等各種離子源,四極桿,六極桿,八極桿等離子導(dǎo) 入裝置聯(lián)用,組建成用于各個(gè)領(lǐng)域的質(zhì)譜儀器。飛行時(shí)間質(zhì)譜在通常的應(yīng)用中,離子通常由 前級(jí)垂直引入,進(jìn)而經(jīng)過90度偏轉(zhuǎn)進(jìn)入飛行時(shí)間質(zhì)量分析器。這是因?yàn)檎患铀偈斤w行時(shí) 間質(zhì)譜(oa-TOF-MS)具有以下優(yōu)勢(shì):第一,離子束沿質(zhì)譜方向的能量分散大大降低;第二,更 方便在離子進(jìn)入質(zhì)譜之前對(duì)其調(diào)制,改變離子的動(dòng)能和分布等。因而其更容易獲得較高的 分辨率。
      [0004] 飛行時(shí)間質(zhì)量分析器通常分為直線式和反射式兩種,其基本結(jié)構(gòu)包括:加速區(qū)、自 由飛行區(qū),探測(cè)器區(qū)。不管哪一種結(jié)構(gòu),都包括加速區(qū)。經(jīng)過不斷的發(fā)展,現(xiàn)今常用的加速區(qū) 的基本結(jié)構(gòu)均為Wi 1 ey-Mc 1 arr en式結(jié)構(gòu)。通常設(shè)計(jì)一臺(tái)飛行時(shí)間質(zhì)譜,首先需要使用靜電 透鏡模擬軟件對(duì)所需要的電極板幾何參數(shù)和電學(xué)參數(shù)進(jìn)行模擬,根據(jù)模擬參數(shù)進(jìn)行機(jī)械加 工和電路設(shè)計(jì),然后將加工完成的零件組裝,調(diào)試。在實(shí)際調(diào)試中,由于加工精度,裝配精 度,電子元器件的精度不同,導(dǎo)致所使用的電壓參數(shù)實(shí)際值會(huì)與模擬值有出入,如果正交加 速區(qū)的分壓比完全按照模擬值來設(shè)計(jì),往往會(huì)導(dǎo)致在調(diào)試過程中陷入被動(dòng),無法達(dá)到較好 的調(diào)試效果。此外,正交加速裝置置于真空中,若正交加速區(qū)的分壓比固定,當(dāng)其分壓比不 合適的情況下,調(diào)節(jié)分壓比還需打開真空腔,破壞原有的低真空。
      [0005] 若能將正交加速區(qū)的電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為腔體外分壓比可調(diào)式,那么在后期的調(diào)試過 程中,可以大大方便調(diào)試,不僅能夠保持原有的真空度不被破壞,還能根據(jù)采集到的質(zhì)譜圖 實(shí)時(shí)調(diào)試加速區(qū)分壓比,以期獲得較好的質(zhì)譜峰型,分辨率,信號(hào)強(qiáng)度等參數(shù)。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0006] 本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供了一種可調(diào)分壓比例的正交加速區(qū)電 路,能快速有效的根據(jù)采集到的質(zhì)譜圖調(diào)節(jié)分壓比,以獲得較好的質(zhì)譜信號(hào)強(qiáng)度,分辨率等 參數(shù)。
      [0007] 本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題的:一種正交加速區(qū)裝置,包 括推斥板以及至少兩塊電極板,所述電極板與推斥板相距一定距離平行放置,電極板與電 極板之間間隔一定距離,所述推斥板與所述電極板組成的雙級(jí)電場(chǎng),本實(shí)用新型的改進(jìn)點(diǎn) 在于,該正交加速區(qū)裝置還包括調(diào)壓電路,所述調(diào)壓電路包括可調(diào)電阻器和若干個(gè)電阻,可 調(diào)電阻器的一端通過高壓脈沖開關(guān)接地,另一端接地,若干個(gè)電阻串聯(lián)后的一端通過所述 高壓脈沖開關(guān)接地,另一端接地,推斥板通過所述高壓脈沖開關(guān)接地,最后一個(gè)電極板接 地,其余的電極板分別接到串聯(lián)電阻之間的結(jié)點(diǎn),可調(diào)電位器的可調(diào)端連接到串聯(lián)的電阻 的線路上,串聯(lián)的電阻置于時(shí)間質(zhì)譜分析儀的真空腔體內(nèi)部,可調(diào)電阻器置于時(shí)間質(zhì)譜分 析儀的真空腔體外部。
      [0008] 進(jìn)一步優(yōu)化的,所述推斥板以及所述電極板為平板。
      [0009] 進(jìn)一步優(yōu)化的,所述推斥板以及所述電極板的形狀為矩形或圓形的平板。
      [0010] 進(jìn)一步優(yōu)化的,所述推斥板中心開孔或者不開孔,所述電極板中心開孔。
      [0011]進(jìn)一步優(yōu)化的,所述中心開孔為圓孔或者矩形孔。
      [0012]進(jìn)一步優(yōu)化的,所述中心開孔上粘有至少一層?xùn)啪W(wǎng)。
      [0013]進(jìn)一步優(yōu)化的,所述推斥板和電極板的厚度一致,為〇.3-2mm,所述推斥板和電極 板的長(zhǎng)和寬分別一致,均為50-100mm,所述推斥板和電極板的間距為10-30mm,所述電極板 兩兩之間的距離為1-1 〇mm。
      [0014] 本實(shí)用新型還公開了一種使用上述任一項(xiàng)技術(shù)方案所述的正交加速區(qū)裝置的飛 行時(shí)間質(zhì)量分析器,包括加速區(qū)裝置、自由飛行區(qū)裝置和探測(cè)器區(qū)裝置。
      [0015] 本實(shí)用新型還公開了一種使用上述任一項(xiàng)技術(shù)方案所述的正交加速區(qū)裝置的質(zhì) 譜儀,包括離子源、進(jìn)樣系統(tǒng)、離子傳輸系統(tǒng)、飛行時(shí)間質(zhì)量分析器,離子探測(cè)及數(shù)據(jù)處理系 統(tǒng),所述飛行時(shí)間質(zhì)量分析器包括加速區(qū)裝置、自由飛行區(qū)裝置和探測(cè)器區(qū)裝置,所述加速 區(qū)裝置包括推斥板以及至少兩塊電極板,所述電極板與推斥板相距一定距離平行放置,電 極板與電極板之間間隔一定距離,所述推斥板與所述電極板組成的雙級(jí)電場(chǎng),所述加速區(qū) 裝置還包括調(diào)壓電路,所述調(diào)壓電路包括可調(diào)電阻器和若干個(gè)電阻,可調(diào)電阻器的一端通 過高壓脈沖開關(guān)接地,另一端接地,若干個(gè)電阻串聯(lián)后的一端通過所述高壓脈沖開關(guān)接地, 另一端接地,推斥板通過所述高壓脈沖開關(guān)接地,最后一個(gè)電極板接地,其余的電極板分別 接到串聯(lián)電阻之間的結(jié)點(diǎn),可調(diào)電位器的可調(diào)端連接到串聯(lián)的電阻的線路上。
      [0016] 進(jìn)一步優(yōu)化的,所述進(jìn)樣系統(tǒng)為錐型進(jìn)樣孔,所述離子傳輸系統(tǒng)包括導(dǎo)引桿和狹 縫,所述導(dǎo)引桿為導(dǎo)引四極桿。
      [0017] 本實(shí)用新型相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型提供分壓比可調(diào)的正交加速 區(qū)電路,能使得加速區(qū)的兩級(jí)電場(chǎng)的分壓比可調(diào),能快速有效的根據(jù)采集到的質(zhì)譜圖調(diào)節(jié) 分壓比,以便獲得較好的質(zhì)譜信號(hào)強(qiáng)度,分辨率等參數(shù),并且若采集到的質(zhì)譜分辨率較差, 則可以直接通過在時(shí)間質(zhì)譜分析儀的真空腔體外部調(diào)節(jié)可調(diào)電位器改變兩級(jí)電場(chǎng)分壓比, 不需破壞真空。
      【附圖說明】

      [0018] 圖1為典型的Wiley-Mclarren正交加速區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0019] 圖2是雙電場(chǎng)加速結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0020] 圖3是雙電場(chǎng)加速電勢(shì)變化示意圖;
      [0021 ]圖4 一種具體結(jié)構(gòu)尺寸下的分壓比可調(diào)式正交加速區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0022]圖5本實(shí)用新型的實(shí)施例一的正交加速區(qū)裝置的電路示意圖;
      [0023]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例三的正交加速區(qū)裝置作為整體的一個(gè)具體的應(yīng)用實(shí)例 圖。
      [0024]圖中標(biāo)號(hào):101-推斥板;102-引入電極板;103-引出電極板;201-推斥板;202-208 電極板;10-離子源;20-進(jìn)樣系統(tǒng);30-導(dǎo)引桿;40-狹縫;50-飛行時(shí)間質(zhì)量分析器;60-離子 探測(cè)器。
      【具體實(shí)施方式】
      [0025]下面對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例作詳細(xì)說明,本實(shí)施例在以本實(shí)用新型技術(shù)方案為前 提下進(jìn)行實(shí)施,給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過程,但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不限 于下述的實(shí)施例。
      [0026] 實(shí)施例一
      [0027] 圖1為典型的Wiley-Mclarren正交加速區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖。典型的Wiley-Mclarren正 交加速區(qū)結(jié)構(gòu)包括一個(gè)推斥板101、一個(gè)引入電極板102,以及引出電極板103。其中推斥板 101與引入電極板102之間組成電場(chǎng)強(qiáng)度為E1的一級(jí)加速場(chǎng);引入電極板102與引出電極板 103之間組成電場(chǎng)強(qiáng)度為E2的二級(jí)加速場(chǎng);離子以垂直方向引入,在推斥板101脈沖高壓的 作用下進(jìn)行二級(jí)加速,實(shí)現(xiàn)二階空間聚焦,圖1中虛實(shí)箭頭方向表示離子運(yùn)動(dòng)方向。
      [0028] 本實(shí)用新型提供的加速區(qū)是根據(jù)Taylor公式二級(jí)展開,大致計(jì)算出所需的電極板 幾何參數(shù)和電壓參數(shù)。
      [0029] 如圖2和圖3所示,離子需要經(jīng)歷兩級(jí)加速電場(chǎng)后進(jìn)入自由飛行區(qū),這兩級(jí)加速電 場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度分別為Es和Ed,電廠寬度分別為So和d,離子所處的實(shí)際位置為S,自由飛行區(qū) 長(zhǎng)度為D,離子經(jīng)過兩級(jí)加速區(qū)和自由飛行區(qū)的時(shí)間分別為:
      [0033] 總的飛行時(shí)間為:
      [0035]由
      )可以得到一階聚焦條件:
      [0037]由
      可以得到二階聚焦條件:
      [0040] 根據(jù)計(jì)算出的電壓參數(shù),建立sn〇0N軟件模擬模型(SIMI0N軟件是一款靜電透鏡 模擬軟件,能夠在設(shè)定的離子飛行條件下,模擬離子在透鏡,四極桿中等的飛行軌跡;根據(jù) 離子飛行軌跡,對(duì)電學(xué)參數(shù)和幾何參數(shù)做出一定的優(yōu)化)。通過在snn〇N軟件中改變引入離 子的狀態(tài),加速區(qū)兩級(jí)電場(chǎng)的分壓比,確定較為理想的幾何參數(shù)和電壓參數(shù);根據(jù)模擬得到 的參數(shù),設(shè)計(jì)加工相應(yīng)的電極板等零件,然后將加工完成的零件組裝進(jìn)入腔體中,待質(zhì)量分 析器前端離子源、離子導(dǎo)入裝置調(diào)試完成后開始質(zhì)量分析器調(diào)試。
      [0041] 圖4為一種具體結(jié)構(gòu)尺寸下的直線式飛行時(shí)間質(zhì)譜示意圖。本分壓比可調(diào)的正交 加速區(qū)裝置包括推斥板201和至少2塊電極板,理論上來說電極板個(gè)數(shù)越多形成的電場(chǎng)越均 勻。
      [0042]本實(shí)施例中米用的方案是:
      [0043] 實(shí)用新型提供的分壓比可調(diào)的正交加速區(qū)裝置,包括推斥板201,其他電極板202-208 〇
      [0044] 所述推斥板201為中心開孔或不開孔平板,平板的形狀為矩形或圓形等均可,中心 開孔可為圓孔或者矩形孔,孔的形狀具體依離子調(diào)制截面形狀而定,可在孔上粘上一層或 者多層?xùn)啪W(wǎng),從而均勻兩端電場(chǎng),以防加速區(qū)電壓滲透到離子引入?yún)^(qū),對(duì)離子引入形成干 擾。
      [0045]所述其他電極板202-208為中心開孔平板,平板的形狀可為圓形或者矩形,中心開 孔可為圓孔或矩形孔,孔的形狀具體依離子調(diào)制截面形狀而定,可在孔上粘有一層或者更 多層?xùn)啪W(wǎng),從而均勻兩端電場(chǎng)以防加速區(qū)電壓滲透到離子引入?yún)^(qū),對(duì)離子引入形成干擾。 [0046]所述其他電極板202-208與推斥板201相距一定距離平行放置,電極板與電極板之 間間隔一定距離。其中,推斥板201和電極板202-208的厚度均為0.5mm,理論上越薄越好,考 慮到實(shí)際加工情況,一般板厚在〇. 3-2mm之間。推斥板201和其他電極板202-208的長(zhǎng)和寬均 為100mm(50-100mm均可),推斥板201和電極板202間距為15mm(10-30mm之間),電極板202-208兩兩之間的距離均為5mm( l-10mm之間),上述數(shù)值區(qū)間均包括兩端值。
      [0047] 推斥板201與電極板202-206組成第一級(jí)加速勻強(qiáng)電場(chǎng),電極板206-208組成第二 級(jí)加速勻強(qiáng)電場(chǎng),兩級(jí)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度和寬度滿足離子的二階聚焦條件。離子從推斥板201 與電極板202中間,從90度方向垂直引入,當(dāng)離子充滿整個(gè)推斥區(qū)域時(shí),推斥板201上施加一 定脈寬和強(qiáng)度的脈沖電壓,將離子引入電極板202-206組成的加速區(qū),離子經(jīng)歷兩級(jí)加速 后,經(jīng)由電極板208引出進(jìn)入自由飛行區(qū),不同質(zhì)荷比的離子經(jīng)歷同樣長(zhǎng)度的自由飛行區(qū)所 需時(shí)間不同,到達(dá)探測(cè)器也有先后之分,據(jù)此將不同離子分開。
      [0048]所述推斥板201大部分時(shí)間電勢(shì)為0,當(dāng)離子充滿整個(gè)推斥區(qū)域時(shí),推斥板電壓在 很短時(shí)間內(nèi)上升(正尚子模式)為正電壓或下降(負(fù)尚子模式)為負(fù)電壓(以下均以正1?子為 例,負(fù)離子反之),開始將離子推過接地平板,進(jìn)入二級(jí)加速區(qū)
      [0049]進(jìn)一步,推斥板201與其他電極板組成的雙級(jí)電場(chǎng)間,可以添加更多平板,添加的 平板中心開有相同的孔,以使其間的電場(chǎng)更加均勻。
      [0050] 本實(shí)用新型的分壓比可調(diào)的正交加速區(qū)裝置可以和電噴霧離子源結(jié)合使用,也可 以和電子轟擊離子源,大氣壓化學(xué)電離源,介質(zhì)阻擋放電等各種離子源結(jié)合使用.
      [0051] 本實(shí)用新型的分壓比可調(diào)的正交加速區(qū)裝置可以和單透鏡,四極桿,六極桿,八極 桿等各種離子導(dǎo)入裝置結(jié)合使用;也可以在直線式或者反射式飛行時(shí)間質(zhì)譜中使用。
      [0052] 參閱圖5所示,該實(shí)施例的分壓比可調(diào)的正交加速區(qū)裝置還包括調(diào)壓電路,通過該 調(diào)壓電路實(shí)現(xiàn)正交加速區(qū)裝置的分壓比可調(diào)。該調(diào)壓電路包括電阻301-309、可調(diào)電位器 310,其中電阻301-309均為高精密阻值,電阻308、可調(diào)電位器310電阻309、串聯(lián)后的一端通 過高壓脈沖開關(guān)接地,另一端直接接地。電阻301、電阻302、電阻303、電阻304、電阻305之間 串聯(lián)后與電阻308和可調(diào)電位器310觸點(diǎn)左側(cè)電阻的串聯(lián)電路并聯(lián),電阻301與電阻308的左 側(cè)與高壓脈沖開關(guān)相連(高壓脈沖開關(guān)為電極板201提供脈沖高壓)。電阻305、電阻306之間 串聯(lián)后與電阻309和可調(diào)電位器310觸點(diǎn)右側(cè)電阻的串聯(lián)電路并聯(lián)。電阻309與電阻307的右 側(cè)與地連接。推斥板201通過高壓脈沖開關(guān)接地,最后一個(gè)電極板208接地,其余的電極板 202-207分別接到串聯(lián)電阻之間的結(jié)點(diǎn),可調(diào)電位器310的可調(diào)端連接到串聯(lián)的電阻的線路 上。本實(shí)施例,可調(diào)電位器310的可調(diào)端連接到電阻305和電阻306之間的結(jié)點(diǎn),當(dāng)然,也可以 連接到其他的位置。
      [0053] 圖5通過調(diào)節(jié)可調(diào)電位器310的阻值,可以調(diào)節(jié)推斥板201和電極板202-206組成的 一級(jí)加速場(chǎng)與電極板206-208組成的二級(jí)加速場(chǎng)的之間的分壓比(分壓比的調(diào)節(jié)范圍一般 可達(dá)E2/E1 = 12:1 ),從而使離子經(jīng)過雙場(chǎng)加速后,更好的滿足實(shí)際的二階聚焦條件。電阻 301-307置于時(shí)間質(zhì)譜分析儀的真空腔體內(nèi)部,電阻308-310置于時(shí)間質(zhì)譜分析儀的真空腔 體外部,若采集到的質(zhì)譜分辨率較差,則可以直接通過在時(shí)間質(zhì)譜分析儀的真空腔體外部 調(diào)節(jié)可調(diào)電位器310改變兩級(jí)電場(chǎng)分壓比,不需破壞真空。
      [0054] 實(shí)施例二
      [0055] -種使用上述正交加速區(qū)裝置的飛行時(shí)間質(zhì)量分析器,包括加速區(qū)裝置、自由飛 行區(qū)裝置,和探測(cè)器區(qū)裝置,所述加速區(qū)裝置采用實(shí)施例一的加速區(qū)裝置。
      [0056] 實(shí)施例三
      [0057]圖6為分壓比可調(diào)式正交加速區(qū)裝置作為整體的一個(gè)具體的應(yīng)用實(shí)例。一種使用 上述正交加速區(qū)裝置的質(zhì)譜儀,包括離子源10、進(jìn)樣系統(tǒng)20、離子傳輸系統(tǒng)、實(shí)施例二的飛 行時(shí)間質(zhì)量分析器50,離子探測(cè)器60及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)(圖未示)。
      [0058]該實(shí)施例中,所述進(jìn)樣系統(tǒng)20為錐型進(jìn)樣孔,所述離子傳輸系統(tǒng)包括導(dǎo)引桿30和 狹縫40,所述導(dǎo)引桿30為導(dǎo)引四極桿。
      [0059]樣品在離子源10部分發(fā)生電離,經(jīng)過進(jìn)樣系統(tǒng)20,進(jìn)入導(dǎo)引桿30,經(jīng)過導(dǎo)引桿30的 聚焦和導(dǎo)引作用,離子通過一定寬度的狹縫40,狹縫40可以截取一定寬度的離子進(jìn)入正交 加速區(qū),待離子充滿整個(gè)推斥區(qū)時(shí),推斥板的電壓突然從低電位升高為正電壓,將離子往前 推,離子經(jīng)過正交加速區(qū)的雙級(jí)電場(chǎng)實(shí)現(xiàn)二階空間聚焦,經(jīng)過自由飛行區(qū),最后達(dá)到探測(cè)器 被檢測(cè)。
      [0060]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本 實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1. 一種正交加速區(qū)裝置,包括推斥板以及至少兩塊電極板,所述電極板與推斥板相距 一定距離平行放置,電極板與電極板之間間隔一定距離,所述推斥板與所述電極板組成的 雙級(jí)電場(chǎng),其特征在于,還包括調(diào)壓電路,所述調(diào)壓電路包括可調(diào)電阻器和若干個(gè)電阻,可 調(diào)電阻器的一端通過高壓脈沖開關(guān)接地,另一端接地,若干個(gè)電阻串聯(lián)后的一端通過所述 高壓脈沖開關(guān)接地,另一端接地,推斥板通過所述高壓脈沖開關(guān)接地,最后一個(gè)電極板接 地,其余的電極板分別接到串聯(lián)電阻之間的結(jié)點(diǎn),可調(diào)電位器的可調(diào)端連接到串聯(lián)的電阻 的線路上,串聯(lián)的電阻置于時(shí)間質(zhì)譜分析儀的真空腔體內(nèi)部,可調(diào)電阻器置于時(shí)間質(zhì)譜分 析儀的真空腔體外部。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的正交加速區(qū)裝置,其特征在于,所述推斥板以及所述電極板為 平板。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的正交加速區(qū)裝置,其特征在于,所述推斥板以及所述電極板的 形狀為矩形或圓形的平板。4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的正交加速區(qū)裝置,其特征在于,所述推斥板中心開孔或者 不開孔,所述電極板中心開孔。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的正交加速區(qū)裝置,其特征在于,所述中心開孔為圓孔或者矩形 孔。6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的正交加速區(qū)裝置,其特征在于,所述中心開孔上粘有至少一層 柵網(wǎng)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的正交加速區(qū)裝置,其特征在于,所述推斥板和電極板的厚度一 致,為0.3-2mm,所述推斥板和電極板的長(zhǎng)和寬分別一致,均為50-100mm,所述推斥板和電極 板的間距為10_30mm,所述電極板兩兩之間的距離為1 -1 Omm。8. -種使用權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的正交加速區(qū)裝置的飛行時(shí)間質(zhì)量分析器,其特 征在于,包括加速區(qū)裝置、自由飛行區(qū)裝置和探測(cè)器區(qū)裝置。9. 一種使用權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的正交加速區(qū)裝置的質(zhì)譜儀,包括離子源、進(jìn)樣 系統(tǒng)、離子傳輸系統(tǒng)、飛行時(shí)間質(zhì)量分析器,離子探測(cè)及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng),所述飛行時(shí)間質(zhì)量 分析器包括加速區(qū)裝置、自由飛行區(qū)裝置和探測(cè)器區(qū)裝置,所述加速區(qū)裝置包括推斥板以 及至少兩塊電極板,所述電極板與推斥板相距一定距離平行放置,電極板與電極板之間間 隔一定距離,所述推斥板與所述電極板組成的雙級(jí)電場(chǎng),其特征在于,所述加速區(qū)裝置還包 括調(diào)壓電路,所述調(diào)壓電路包括可調(diào)電阻器和若干個(gè)電阻,可調(diào)電阻器的一端通過高壓脈 沖開關(guān)接地,另一端接地,若干個(gè)電阻串聯(lián)后的一端通過所述高壓脈沖開關(guān)接地,另一端接 地,推斥板通過所述高壓脈沖開關(guān)接地,最后一個(gè)電極板接地,其余的電極板分別接到串聯(lián) 電阻之間的結(jié)點(diǎn),可調(diào)電位器的可調(diào)端連接到串聯(lián)的電阻的線路上。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的質(zhì)譜儀,其特征在于,所述進(jìn)樣系統(tǒng)為錐型進(jìn)樣孔,所述離子 傳輸系統(tǒng)包括導(dǎo)引桿和狹縫,所述導(dǎo)引桿為導(dǎo)引四極桿。
      【文檔編號(hào)】H01J49/26GK205723440SQ201620686010
      【公開日】2016年11月23日
      【申請(qǐng)日】2016年6月30日
      【發(fā)明人】朱治祥, 徐春風(fēng), 胡修穩(wěn), 張鋒, 戚麗
      【申請(qǐng)人】合肥美亞光電技術(shù)股份有限公司
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