本實(shí)用新型涉及二極管技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種使用電壓電流保護(hù)裝置的抗應(yīng)力二極管。

背景技術(shù)：

二極管作為結(jié)構(gòu)最簡單的半導(dǎo)體器件在電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。隨著二極管使用場合越來越廣，對二極管的穩(wěn)定性要求越來越高。由于二極管工作環(huán)境的電壓電流往往不穩(wěn)定，長期工作在這種環(huán)境下很容易損壞二極管。而且,二極管焊接到電路板上時(shí)，需要將引線彎折，這樣就極易引起引線內(nèi)部出現(xiàn)斷裂、松動，使得產(chǎn)品失去電連接性能而成為廢品。而即使采用了墩頭結(jié)構(gòu)，也由于墩頭厚度不夠造成墩頭抗應(yīng)力能力不足，導(dǎo)致應(yīng)力傳導(dǎo)到引線與芯片的直接接觸面，造成芯片拉傷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種使用電壓電流保護(hù)裝置的抗應(yīng)力二極管，通過在陽極引腳加入電壓電流保護(hù)裝置，避免了二極管由于電壓電流過高被燒壞；引腳增加了墩頭，增大了引腳的抗應(yīng)力能力，避免應(yīng)力直接傳導(dǎo)到引線與芯片的直接接觸面，防止二極管內(nèi)部芯片拉傷和引線出現(xiàn)斷裂、松動；在封裝體表面添加降溫層，避免二極管在長時(shí)間工作中由于溫度過高導(dǎo)致?lián)p壞。

本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為：一種使用電壓電流保護(hù)裝置的抗應(yīng)力二極管，包括封裝體和二極管本體，所述二極管本體置于封裝體內(nèi)部，所述二極管本體包括芯片、金屬觸點(diǎn)和引線，所述金屬觸點(diǎn)設(shè)在芯片上表面的左右兩側(cè)，所述芯片底部左右兩側(cè)分別設(shè)有陽極引腳和陰極引腳，所述芯片的左側(cè)金屬觸點(diǎn)通過引線與陽極引腳電性連接，所述芯片的右側(cè)金屬觸點(diǎn)通過引線與陰極引腳電性連接，所述引腳自由端延伸至封裝體的外部，所述陽極引腳在封裝體外部一端設(shè)有電壓電流保護(hù)裝置。

作為優(yōu)選方式，所述芯片的下表面設(shè)置有DAF膜，所述陽極引腳和陰極引腳通過DAF膜固定在芯片的下表面。

作為優(yōu)選方式，所述陽極引腳和陰極引腳的結(jié)構(gòu)相同，所述陽極引腳包括置于封裝體內(nèi)部的第一墩頭和第二墩頭，所述第一墩頭與芯片接觸。

作為優(yōu)選方式，所述電壓電流保護(hù)裝置內(nèi)部設(shè)有過載保護(hù)器和微型穩(wěn)壓器，所述陽極引腳依次和過載保護(hù)器和微型穩(wěn)壓器電性連接。

作為優(yōu)選方式，所述DAF膜設(shè)為耐高溫絕緣膜，其厚度設(shè)為不大于25μm。。

作為優(yōu)選方式，所述第一墩頭設(shè)為錐形凸頭狀，第二墩頭的厚度設(shè)置為0.15mm-1mm。

所述封裝體外表面設(shè)有降溫層，其厚度不大于1mm。

本實(shí)用新型的有益效果是：

1、正極引腳加入了由微型穩(wěn)壓器和過載保護(hù)器構(gòu)成的電壓電流保護(hù)裝置，避免二極管由于電壓電流過高被燒壞；

2、芯片的引腳增加墩頭，焊接中由于墩頭的存在和尺寸的加厚，增大了引腳的抗應(yīng)力能力，能夠防止應(yīng)力直接傳導(dǎo)到引線與芯片的直接接觸面，防止二極管內(nèi)部芯片拉傷和引線出現(xiàn)斷裂、松動；

3、在封裝體表面添加降溫層，避免二極管在長時(shí)間工作中由于溫度過高導(dǎo)致?lián)p壞。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：

封裝體-1 二極管本體-2 芯片-3

金屬觸點(diǎn)-4 陽極引腳-5 陰極引腳-6

引線-7 DAF-8 第一墩頭-9

第二墩頭-10 電壓電流保護(hù)裝置-11 過載保護(hù)器-12

微型穩(wěn)壓器-13 降溫層-14

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖與實(shí)施例對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行說明。

參照圖1所示，一種使用電壓電流保護(hù)裝置的抗應(yīng)力二極管，包括封裝體1和二極管本體2，所述二極管本體2置于封裝體1內(nèi)部，所述二極管本體2包括芯片3、金屬觸點(diǎn)4和引線7，所述金屬觸點(diǎn)4設(shè)在芯片3上表面的左右兩側(cè)，所述芯片3底部左右兩側(cè)分別設(shè)有陽極引腳5和陰極引腳6，所述芯片3的左側(cè)金屬觸點(diǎn)4通過引線7與陽極引腳5電性連接，所述芯片3的右側(cè)金屬觸點(diǎn)4通過引線7與陰極引腳6電性連接，所述引腳自由端延伸至封裝體1的外部，所述陽極引腳5在封裝體1外部一端設(shè)有電壓電流保護(hù)裝置11。

所述芯片3的下表面設(shè)置有DAF膜8，所述陽極引腳5和陰極引腳6通過DAF膜8固定在芯片3的下表面。

所述陽極引腳5和陰極引腳6的結(jié)構(gòu)相同，所述陽極引腳5包括置于封裝體1內(nèi)部的第一墩頭9和第二墩頭10，所述第一墩頭9與芯片3接觸。

所述電壓電流保護(hù)裝置11內(nèi)部設(shè)有過載保護(hù)器12和微型穩(wěn)壓器13，所述陽極引腳5依次和過載保護(hù)器12和微型穩(wěn)壓器13電性連接。

所述DAF膜8設(shè)為耐高溫絕緣膜，其厚度設(shè)為不大于25μm。

所述第一墩頭9設(shè)為錐形凸頭狀，第二墩頭10的厚度設(shè)置為0.15mm-1mm。

所述封裝體1外表面設(shè)有降溫層14，其厚度不大于1mm。

本實(shí)用新型通過在引腳(5、6)設(shè)置第一墩頭9、第二墩頭10，增大了引腳(5、6)的抗應(yīng)力能力，能夠防止應(yīng)力直接傳導(dǎo)到引線7與芯片3的直接接觸面，防止二極管本體2內(nèi)部芯片3拉傷和引線7出現(xiàn)斷裂、松動，并且在陽極引腳5上設(shè)置電壓電流保護(hù)裝置11，增強(qiáng)了二極管本體的工作穩(wěn)定性，避免二極管本體2由于電壓電流過高被燒壞。還有，在封裝體1的外表面增加了降溫層14，可以有效降低二極管本體2工作時(shí)的溫度，提升二極管本體2的可靠性。

上述實(shí)施例僅是顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征和優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。