本實用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體熱板及半導(dǎo)體烘烤設(shè)備。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體的制造過程中，常用熱板對半導(dǎo)體進(jìn)行加熱，以使得半導(dǎo)體表面涂覆的材料固化。但是，傳統(tǒng)的熱板結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體邊緣直接與熱板接觸，半導(dǎo)體邊緣涂覆的半固態(tài)材料會沾污熱板，而且由于沾污頻率高，清潔難度大，嚴(yán)重影響半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的穩(wěn)定性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種半導(dǎo)體熱板及半導(dǎo)體烘烤設(shè)備，能夠解決現(xiàn)有熱板容易沾污的問題。

為了解決上述問題，本實用新型采用的一個技術(shù)方案是：提供一種半導(dǎo)體熱板，包括：第一平臺，具有第一表面，其外徑小于所述半導(dǎo)體外徑，用于支撐所述半導(dǎo)體；第二平臺，具有第二表面，所述第二表面外徑大于所述第一表面外徑；其中，所述第一平臺凸設(shè)于所述第二平臺中，所述第一表面位于所述第一平臺凸出處。

其中，所述第二平臺中空，且套設(shè)于所述第一平臺周圍；或所述第二平臺的所述第二表面內(nèi)凹，所述第一平臺一部分陷入所述第二平面內(nèi)凹處；或所述第一平臺和所述第二平臺一體成型。

其中，所述第二平臺的工作溫度高于所述第一平臺的工作溫度，以使得所述放置于所述第一平臺上的所述半導(dǎo)體加熱均勻。

其中，所述半導(dǎo)體熱板進(jìn)一步包括至少三個定位件，所述至少三個定位件分散設(shè)置于所述第二平臺邊緣，均與所述第一平臺間隔，限定所述半導(dǎo)體的最大偏移界限。

其中，所述定位件是定位銷。

其中，所述定位銷上設(shè)置有螺紋，所述第二平臺邊緣設(shè)置有螺紋孔，以使得所述定位銷安裝于所述第二平臺上。

其中，所述定位銷焊接于所述第二平臺。

其中，所述第一表面的外徑比所述半導(dǎo)體外徑小至少3毫米。

其中，所述第一表面與所述第二表面平行且間隔至少3毫米。

為了解決上述問題，本實用新型采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種半導(dǎo)體烘烤設(shè)備，包括上述任一種半導(dǎo)體熱板。

本實用新型的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本實用新型中半導(dǎo)體熱板第一平臺的第一表面外徑小于其支撐的半導(dǎo)體外徑，第二平臺的第二表面外徑大于第一表面外徑，并且第一平臺凸設(shè)于第二平臺中，第一表面位于第一平臺凸出處，使得放置于第一表面的半導(dǎo)體邊緣與第一表面和第二表面均不接觸，從而使得半導(dǎo)體邊緣涂覆的材料不沾污熱板。

附圖說明

圖1是本實用新型半導(dǎo)體熱板第一實施方式的截面示意圖；

圖2是圖1中半導(dǎo)體熱板放置半導(dǎo)體時的截面示意圖；

圖3是圖2中半導(dǎo)體熱板邊緣的截面放大示意圖；

圖4是本實用新型半導(dǎo)體熱板第二實施方式的截面示意圖；

圖5是本實用新型半導(dǎo)體熱板第二實施方式的俯視示意圖；

圖6是圖4中半導(dǎo)體熱板放置半導(dǎo)體時半導(dǎo)體熱板邊緣的截面放大示意圖；

圖7是本實用新型半導(dǎo)體熱板第三實施方式的截面示意圖；

圖8是圖7中半導(dǎo)體熱板放置半導(dǎo)體時半導(dǎo)體熱板邊緣的截面放大示意圖；

圖9是本實用新型半導(dǎo)體烘烤設(shè)備一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。

請參閱圖1，圖1是本實用新型半導(dǎo)體熱板第一實施方式的截面示意圖。如圖1所示，本實用新型半導(dǎo)體熱板10包括：第一平臺101和第二平臺102。

第一平臺101，具有第一表面1011，其外徑小于半導(dǎo)體外徑，用于支撐半導(dǎo)體；

第二平臺102，具有第二表面1021，第二表面1021外徑大于第一表面1011外徑；

其中，第一平臺101凸設(shè)于第二平臺102中，第一表面1011位于第一平臺101凸出處。

具體地，在一個應(yīng)用例中，第二平臺102中空，且套設(shè)于第一平臺101周圍，例如第二平臺102是一個中空圓環(huán)，第一平臺101是一個外徑等于或小于第二平臺102內(nèi)徑的圓臺，以使得第二平臺102套設(shè)于第一平臺101周圍；其中，第二平臺102和第一平臺101也可以是其他形狀的結(jié)構(gòu)，例如分別是中空的方形柱體和實心的方形柱體等，此處不做具體限定。

當(dāng)然，在其他應(yīng)用例中，第二平臺102的第二表面1021可以內(nèi)凹，第一平臺101一部分陷入第二平面1021內(nèi)凹處，其中，第一平臺101和第二平臺102可以通過焊接的方式固定連接，也可以將第一平臺101直接放置與第二平臺102的中空圓環(huán)或者內(nèi)凹處，方便更換維修；或者第一平臺101和第二平臺102還可以是一體成型的，此處不做具體限定。

進(jìn)一步地，在上述應(yīng)用例中，第一表面1011的外徑比半導(dǎo)體外徑小至少3毫米，第一表面1011與第二表面1021平行且間隔至少3毫米。

具體地，結(jié)合圖2和圖3所示，放置于第一表面1011上的半導(dǎo)體100是半導(dǎo)體晶圓片，第一表面1011的外徑L1比放置于第一表面1011上的半導(dǎo)體晶圓片100的外徑L2小至少3毫米，第一表面1011與第二表面1021平行且二者之間的間隔h至少3毫米，使得半導(dǎo)體晶圓片100的邊緣與第一表面1011、第二表面1021均不接觸。

進(jìn)一步地，第二平臺102的工作溫度高于第一平臺101的工作溫度，以使得放置于第一平臺101上的半導(dǎo)體100加熱均勻。

具體地，第一平臺101和第二平臺102均采用導(dǎo)熱材料制成，例如不銹鋼。其中，第一平臺101和第二平臺102可以采用同種導(dǎo)熱材料制成，例如均采用不銹鋼制成，此時，為了使第二平臺102的工作溫度高于第一平臺101的工作溫度，可以采用不同的加熱部件分開控制第一平臺101和第二平臺102的工作溫度；當(dāng)然，第一平臺101和第二平臺102也可以采用不同導(dǎo)熱材料制成，其中第一平臺101采用的導(dǎo)熱材料導(dǎo)熱率小于第二平臺102采用的導(dǎo)熱材料，例如第一平臺101采用不銹鋼、第二平臺102采用鋁，此時，由于第一平臺101的材料導(dǎo)熱速度小于第二平臺102的材料，可以采用同樣的加熱部件控制第一平臺101和第二平臺102的工作溫度，也能夠使得第二平臺102的工作溫度高于第一平臺101的工作溫度。

上述實施方式中，半導(dǎo)體晶圓片100一表面1001涂覆材料，例如光刻膠等，當(dāng)使用半導(dǎo)體熱板10對半導(dǎo)體晶圓片100進(jìn)行加熱時，將半導(dǎo)體晶圓片100放置于第一平臺101上，半導(dǎo)體晶圓片100沒有涂覆材料的另一表面1002與第一平臺101的第一表面1021接觸，并且由于第一表面1011外徑小于半導(dǎo)體晶圓片100外徑，半導(dǎo)體晶圓片100邊緣與第一表面1011不接觸，第二平臺102的第二表面1021與第一平臺101的第一表面1011平行且間隔至少3毫米，使得半導(dǎo)體晶圓片100邊緣也不與第二表面1021接觸，從而使得半導(dǎo)體晶圓片100邊緣涂覆的半固態(tài)材料不沾污半導(dǎo)體熱板10；此外，通過控制第一平臺101和第二平臺102的工作溫度，可以使第二平臺102的工作溫度高于第一平臺101的工作溫度，從而使得放置于第一平臺101上的半導(dǎo)體晶圓片100加熱均勻。

在其他實施方式中，半導(dǎo)體熱板還可以在邊緣設(shè)置定位件，以限定半導(dǎo)體的最大偏移界限，使得半導(dǎo)體放置于熱板的加熱區(qū)域。

具體請參閱圖4，圖4是本實用新型半導(dǎo)體熱板第二實施方式的截面示意圖。圖4與圖1結(jié)構(gòu)類似，此處不再贅述，不同之處在于半導(dǎo)體熱板20進(jìn)一步包括至少三個定位件203，所述至少三個定位件203分散設(shè)置于第二平臺202邊緣，均與第一平臺201間隔，用于限定半導(dǎo)體的最大偏移界限。

具體地，結(jié)合圖4和圖5所示，在一個應(yīng)用例中，第一平臺201是一圓臺，第二平臺202是中空圓環(huán)，且套設(shè)于第一平臺201四周，定位件203是定位銷，數(shù)量為三，分散設(shè)置于第二平臺202邊緣。例如，兩個相鄰定位銷203與第一平臺201中心圓點的連線之間的夾角均為120度。如圖6所示，定位銷203上設(shè)置有螺紋，第二平臺202邊緣設(shè)置有螺紋孔，以使得定位銷203安裝于第二平臺202上。定位銷203用于限定放置于第一平臺201上的半導(dǎo)體200的最大偏移界限，例如，采用機(jī)械臂放置半導(dǎo)體晶圓片200時，安裝于第二平臺202邊緣的定位銷203可以使得半導(dǎo)體晶圓片200的中心與第一平臺201中心的偏移值為1～2毫米，以使得半導(dǎo)體晶圓片200位于半導(dǎo)體熱板20的加熱區(qū)域內(nèi)，并且半導(dǎo)體晶圓片200的邊緣不與定位銷203接觸，進(jìn)一步避免沾污熱板。當(dāng)然，在其他應(yīng)用例中，定位銷203也可以焊接于第二平臺202，數(shù)量可以是四個甚至更多，定位件203也可以是卡扣等其他部件，此處不做具體限定。

在其他實施方式中，第二平臺邊緣朝向第一平臺方向也可以設(shè)置一中空圓環(huán)，用于限定半導(dǎo)體的最大偏移界限；第一平臺的第一表面還可以設(shè)置支撐件，用于支撐半導(dǎo)體。

具體請參閱圖7，圖7是本實用新型半導(dǎo)體熱板第三實施方式的截面示意圖。圖7與圖1結(jié)構(gòu)類似，此處不再贅述，不同之處在于第二平臺302邊緣朝向第一平臺301方向設(shè)置一中空圓環(huán)3022，用于限定半導(dǎo)體的最大偏移界限；第一平臺301的第一表面3011設(shè)置支撐件3012，用于支撐半導(dǎo)體。

具體地，結(jié)合圖7和圖8所示，在一個應(yīng)用例中，第二平臺302邊緣朝向第一平臺301方向設(shè)置有一中空圓環(huán)3022，中空圓環(huán)3022可以通過焊接的方式與第二平臺302相對固定，也可以是與第二平臺302一體成型，此處不做具體限定；中空圓環(huán)3022的高度高于第一平臺301凸出第二平臺302區(qū)域的高度，從而在將半導(dǎo)體放置于第一平臺301上時，可以限定半導(dǎo)體的最大偏移界限，以使得半導(dǎo)體處于半導(dǎo)體熱板的加熱區(qū)域。

上述應(yīng)用例中，第一平臺301的第一表面3011設(shè)置有若干支撐件3012，例如在第一表面3011上分散設(shè)置四個支撐釘，用于在放置半導(dǎo)體時支撐半導(dǎo)體；支撐件3012可以通過第一平臺301上的螺紋孔安裝于第一平臺301上，通過調(diào)節(jié)支撐件3012的高度可以調(diào)節(jié)半導(dǎo)體與第一表面3011的距離，使得半導(dǎo)體高度不超過中空圓環(huán)3022，從而仍然可以通過中空圓環(huán)3022限定半導(dǎo)體的最大偏移界限。例如，當(dāng)半導(dǎo)體厚度較小時，可以將支撐件3012向遠(yuǎn)離第一表面3011方向旋轉(zhuǎn)，以使得半導(dǎo)體與第一表面3011的距離增大；當(dāng)半導(dǎo)體厚度較大時，可以將支撐件3012向接近第一表面3011方向旋轉(zhuǎn)，以使得半導(dǎo)體與第一表面3011的距離減小。當(dāng)然，在其他應(yīng)用例中，支撐件3012也可以直接焊接于第一平臺301上，此處不做具體限定。

請參閱圖9，圖9是本實用新型半導(dǎo)體烘烤設(shè)備一實施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9所示，本實用新型半導(dǎo)體烘烤設(shè)備90包括半導(dǎo)體熱板901，其中，半導(dǎo)體熱板901的具體結(jié)構(gòu)可以參考本實用新型半導(dǎo)體熱板第一、第二、第三實施方式中的任意一種結(jié)構(gòu)，此處不再重復(fù)。

具體地，半導(dǎo)體烘烤設(shè)備90內(nèi)部設(shè)置有加熱塊(圖未示)，加熱塊與半導(dǎo)體熱板901底部接觸。半導(dǎo)體烘烤設(shè)備90工作時，加熱塊發(fā)熱，半導(dǎo)體熱板901傳導(dǎo)熱量，從而對放置于第一平臺9011上的半導(dǎo)體進(jìn)行加熱。在一個應(yīng)用例中，半導(dǎo)體熱板901的第二平臺9012套設(shè)于第一平臺9011四周，通過兩個加熱塊分別控制第一平臺9011和第二平臺9012的工作溫度，從而放置于第一平臺9011上的半導(dǎo)體加熱均勻。當(dāng)然，在其他應(yīng)用例中，第一平臺9011和第二平臺9012采用不同的導(dǎo)熱材料制成時，也可以通過同一加熱塊使得第一平臺9011和第二平臺9012的工作溫度不同，此處不做具體限定。

上述實施方式中，半導(dǎo)體烘烤設(shè)備的半導(dǎo)體熱板第一平臺的第一表面外徑小于其支撐的半導(dǎo)體外徑，第二平臺的第二表面外徑大于第一表面外徑，并且第一平臺凸設(shè)于第二平臺中，第一表面位于第一平臺凸出處，使得放置于第一表面的半導(dǎo)體邊緣與第一表面和第二表面均不接觸，從而使得半導(dǎo)體邊緣涂覆的材料不沾污熱板；并且通過控制加熱塊的加熱溫度或者通過第一平臺和第二平臺采用不同導(dǎo)熱材料，可以使得第一平臺的工作溫度低于第二平臺的工作溫度，進(jìn)而使得放置于第一平臺上的半導(dǎo)體加熱均勻。

以上所述僅為本實用新型的實施方式，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。