本實(shí)用新型涉及一種用于快速評估絕緣柵雙極晶體管性能的基座，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是近年來問世的新型半導(dǎo)體功率器件，具有驅(qū)動(dòng)功耗小、飽和壓降低、開關(guān)速度快、正向電流大、反向耐壓大、體積小、安裝簡便等優(yōu)點(diǎn)。

目前絕緣柵雙極晶體管開發(fā)時(shí)參數(shù)評估需要對絕緣柵雙極晶體管芯片進(jìn)行封裝，常見的封裝形式有單管和模塊。由于模塊封裝成本高且評估測試時(shí)需要特定的夾具，因此絕緣柵雙極晶體管開發(fā)時(shí)對開發(fā)樣品常采用單管封裝形式。單管封裝無法對面積較大絕緣柵雙極晶體管芯片進(jìn)行封裝，且少量的開發(fā)樣品封裝所需的周期較長且封裝費(fèi)用較高，嚴(yán)重影響了絕緣柵雙極晶體管的開發(fā)周期和開發(fā)成本。

絕緣柵雙極晶體管的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能評估時(shí)，只需將絕緣柵雙極晶體管芯片固定在框架上就能進(jìn)行測試評估，目前單管的金屬框架各管腳之間在貼片和打線之后為短路的，需要完成整個(gè)封裝工序后才能將各管腳開路固定。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種用于快速評估絕緣柵雙極晶體管性能的基座，通過該基座可以對絕緣柵雙極晶體管芯片貼片和打線后直接進(jìn)行靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能評估。

按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，所述用于快速評估絕緣柵雙極晶體管性能的基座，其特征是：包括耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架，在耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架中嵌入一個(gè)柵極金屬引線框架、一個(gè)集電極金屬引線框架和一個(gè)發(fā)射極金屬引線框架，柵極金屬引線框架、集電極金屬引線框架和發(fā)射極金屬引線框架從左到右依次排列；所述柵極金屬引線框架、集電極金屬引線框架和發(fā)射極金屬引線框架之間保持一定的距離；所述柵極金屬引線框架的部分表面、集電極金屬引線框架的部分表面和發(fā)射極金屬引線框架的部分表面與耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架的部分表面位于同一平面上，該平面為絕緣柵雙極晶體管芯片的貼片平面；所述柵極金屬引線框架、集電極金屬引線框架和發(fā)射極金屬引線框架各有部分露出于耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架之外，分別形成柵極管腳、集電極管腳和發(fā)射極管腳，柵極管腳、集電極管腳和發(fā)射極管腳之間相互平行，柵極管腳、集電極管腳和發(fā)射極管腳所形成的平行平面與貼片平面平行。

進(jìn)一步的，所述貼片平面上的集電極金屬引線框架的部分表面的面積大于所需評估的絕緣柵雙極晶體管芯片的面積。

進(jìn)一步的，所述柵極管腳和集電極管腳之間的距離與集電極管腳和發(fā)射極管腳之間的距離相同。

本實(shí)用新型所述的用于快速評估絕緣柵雙極晶體管性能的基座可以在絕緣柵雙極晶體管產(chǎn)品開發(fā)期間用來對絕緣柵雙極晶體管芯片直接貼片和打線后進(jìn)行靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能評估，大大縮短絕緣柵雙極晶體管的開發(fā)周期，降低開發(fā)成本。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型所述基座的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為所述柵極金屬引線框架的示意圖。

圖3為所述集電極金屬引線框架的示意圖。

圖4為所述發(fā)射極金屬引線框架的示意圖。

圖5為圖1的A-A剖視圖。

圖6為圖1的B-B剖視圖。

圖7為圖1的C-C剖視圖。

圖8為圖1的D-D剖視圖。

圖9為圖1的E-E剖視圖。

圖10為圖1的F-F剖視圖。

圖11為本實(shí)用新型所述基座的一種使用狀態(tài)示意圖。

圖12為本實(shí)用新型所述基座的另一種使用狀態(tài)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。

如圖1所示，本實(shí)用新型所述用于快速評估絕緣柵雙極晶體管性能的基座包括一個(gè)柵極金屬引線框架1、一個(gè)集電極金屬引線框架2、一個(gè)發(fā)射極金屬引線框架3和一個(gè)耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架4，通過一個(gè)耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架4將一個(gè)柵極金屬引線框架1、一個(gè)集電極金屬引線框架2和一個(gè)發(fā)射極金屬引線框架3固定在一起形成一個(gè)整體的基座。

如圖1所示，為了防止柵極金屬引線框架1、集電極金屬引線框架2和發(fā)射極金屬引線框架3之間短路，柵極金屬引線框架1、集電極金屬引線框架2和發(fā)射極金屬引線框架3之間沒有直接的接觸點(diǎn)，并且柵極金屬引線框架1、集電極金屬引線框架2和發(fā)射極金屬引線框架3之間保持一定的距離。

如圖1、圖5~9 所示，柵極金屬引線框架1、集電極金屬引線框架2和發(fā)射極金屬引線框架3從左到右依次排列嵌入耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架4中，其中柵極金屬引線框架1的部分表面、集電極金屬引線框架2的部分表面和發(fā)射極金屬引線框架3的部分表面與耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架4的部分表面位于同一平面上，該平面為貼片平面。貼片平面上的集電極金屬引線框架2的部分表面的面積可調(diào)節(jié)使其大于所需評估的絕緣柵雙極晶體管芯片的面積。

如圖1所示，柵極金屬引線框架1、集電極金屬引線框架2和發(fā)射極金屬引線框架3各有部分露出于耐高溫硬質(zhì)絕緣固定框架4之外，分別形成柵極管腳、集電極管腳和發(fā)射極管腳，分別對應(yīng)著圖2、圖3和圖4中下部的閉合圖形所示部分。柵極管腳、集電極管腳和發(fā)射極管腳之間相互平行，如圖10所示，柵極管腳、集電極管腳和發(fā)射極管腳所形成的平行平面（圖10中A）與貼片平面平行。柵極管腳和集電極管腳之間的距離與集電極管腳和發(fā)射極管腳之間的距離相同，該距離可根據(jù)測試夾具間的距離調(diào)節(jié)。

如圖11所示，本實(shí)用新型用于快速絕緣柵雙極晶體管評估時(shí)，將絕緣柵雙極晶體管芯片貼片在貼片平面中的集電極金屬引線框架2之上，然后通過打線將絕緣柵雙極晶體管的柵極和貼面平面中的柵極金屬引線框架1連接，通過打線將絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極和貼面平面中的發(fā)射極金屬引線框架3連接后直接進(jìn)行絕緣柵雙極晶體管靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數(shù)的評估。本實(shí)用新型同時(shí)可用于對絕緣柵雙極晶體管和快恢復(fù)二極管反向并聯(lián)結(jié)構(gòu)性能的快速評估。