本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

高PPI(Pixels Per Inch)設(shè)計是顯示面板的重要發(fā)展趨勢，但是顯示面板上的數(shù)據(jù)線的線寬限制了高PPI顯示面板的開口率。數(shù)據(jù)線的細線化設(shè)計有利于高PPI顯示面板的開口率保證，但是隨之而來的數(shù)據(jù)線爬坡斷線(step open)是工藝中面臨的主要問題。

請參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板包括襯底基板11，以及設(shè)置于襯底基板11上的柵金屬層圖形12，柵絕緣層13和源漏金屬層圖形14，柵金屬層圖形12包括柵線，源漏金屬層圖形14包括數(shù)據(jù)線，由于數(shù)據(jù)線細線化，因而數(shù)據(jù)線跨越柵線的位置處容易發(fā)生數(shù)據(jù)線爬坡斷線，從而造成陣列基板成品率降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置，用于改善源漏金屬層圖形爬坡斷線的不良發(fā)生，提高陣列基板的成品率。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括襯底基板以及依次設(shè)置于所述襯底基板上的柵金屬層圖形、柵絕緣層和源漏金屬層圖形，所述源漏金屬層圖形具有跨越所述柵金屬層圖形的部分，所述陣列基板還包括：爬坡輔助層，用于降低所述源漏金屬層圖形跨越所述柵金屬層圖形位置處的爬坡高度。

優(yōu)選地，所述爬坡輔助層設(shè)置于所述柵絕緣層和所述源漏金屬層之間，所述柵絕緣層包括在設(shè)置柵金屬層圖形的區(qū)域形成的第一部分和在未設(shè)置柵金屬層圖形的區(qū)域形成的第二部分，所述第一部分的上表面的高度高于所述第二部分的上表面的高度，所述第一部分的上表面和所述第二部分的上表面通過斜坡相連，所述爬坡輔助層設(shè)置于所述源漏金屬層圖形跨越所述柵金屬層圖形位置處的所述第二部分的上表面上，且所述爬坡輔助層的側(cè)面至少部分與所述斜坡貼合設(shè)置。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括：半導體層圖形，所述爬坡輔助層與所述半導體層圖形同層同材料設(shè)置。

優(yōu)選地，所述源漏金屬層在所述柵絕緣層的第二部分上的正投影均位于所述爬坡輔助層在所述第二部分的正投影區(qū)域內(nèi)。

優(yōu)選地，所述源漏金屬層在所述柵絕緣層的第二部分上的正投影與所述爬坡輔助層在所述第二部分的正投影完全重疊。

優(yōu)選地，所述爬坡輔助層與所述柵金屬層同層設(shè)置，所述爬坡輔助層設(shè)置于所述源漏金屬層圖形和所述襯底基板之間，所述爬坡輔助層的側(cè)面至少部分與所述柵金屬層的側(cè)面貼合設(shè)置。

優(yōu)選地，所述爬坡輔助層的高度小于或等于所述柵金屬層圖形的高度。

優(yōu)選地，所述源漏金屬層圖形包括數(shù)據(jù)線。

本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括上述陣列基板。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

本發(fā)明實施例中，通過在源漏金屬層圖形跨越柵金屬層圖形的位置處設(shè)置爬坡輔助層，使得源漏金屬層圖形的爬坡高度降低，從而可有效改善源漏金屬層圖形爬坡斷線不良的發(fā)生，提高陣列基板的良率。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一實施例的陣列基板的俯視圖；

圖4為圖3中的A區(qū)域的放大圖；

圖5為圖3中的B區(qū)域的放大圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括襯底基板以及依次設(shè)置于所述襯底基板上的柵金屬層圖形、柵絕緣層和源漏金屬層圖形，所述源漏金屬層圖形具有跨越所述柵金屬層圖形的部分，所述陣列基板還包括：爬坡輔助層，用于降低所述源漏金屬層圖形跨越所述柵金屬層圖形位置處的爬坡高度。

本發(fā)明實施例中，通過在源漏金屬層圖形跨越柵金屬層圖形的位置處設(shè)置爬坡輔助層，使得源漏金屬層圖形的爬坡高度降低，從而可有效改善源漏金屬層圖形爬坡斷線不良的發(fā)生，提高陣列基板的良率。

本發(fā)明實施例中，所述源漏金屬層圖形包括數(shù)據(jù)線，所述柵金屬層圖形包括柵線，源漏金屬層圖形跨越柵金屬層圖形的位置包括數(shù)據(jù)線跨越柵線的位置。

在本發(fā)明的另一些實施例中，所述柵金屬層圖形還可以包括公共電極線，源漏金屬層圖形跨越柵金屬層圖形的位置還可以包括數(shù)據(jù)線跨越公共電極線的位置。

由于在數(shù)據(jù)線跨越柵金屬層圖形的位置處設(shè)置了爬坡輔助層，可有效改善數(shù)據(jù)線爬坡斷線不良的發(fā)生，因而，本發(fā)明實施例中的數(shù)據(jù)線可以采用細線化設(shè)計，從而提高包含該陣列基板的顯示面板的開口率，以使得包含該陣列基板的顯示面板可用于高PPI產(chǎn)品。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了避免數(shù)據(jù)線爬坡斷線，有將數(shù)據(jù)線的跨越柵金屬層圖形的位置處的寬度加大的方案，但是加大跨越位置處的數(shù)據(jù)線的寬度的方案，必然會影響開口率，同時，還會增加加寬處的數(shù)據(jù)線的負載電容，本發(fā)明實施例中，通過在數(shù)據(jù)線跨越柵金屬層圖形的位置處設(shè)置爬坡輔助層，不需要再加大跨越位置處的數(shù)據(jù)線的寬度，可以提高開口率，同時還可以降低數(shù)據(jù)線的負載電容。

本發(fā)明實施例中的源漏金屬層圖形除了數(shù)據(jù)線之外，還可以包括源電極和漏電極，或者，還可以包括其他類型的圖形，同樣的，除了數(shù)據(jù)線之外的其他源漏金屬層圖形也可能存在跨越柵金屬層圖形的部分，本發(fā)明實施例中，也可以為除了數(shù)據(jù)線之外的其他源漏金屬層圖形設(shè)置爬坡輔助層進行爬坡輔助。

本發(fā)明實施例中，優(yōu)選地，所述爬坡輔助層的高度小于或等于所述柵金屬層圖形的高度。當爬坡輔助層的高度小于柵金屬層的高度時，可以降低所述源漏金屬層圖形跨越所述柵金屬層圖形的位置處的爬坡高度，當爬坡輔助層的高度等于柵金屬層的高度時，可以抹平所述源漏金屬層圖形跨越所述柵金屬層圖形的位置處的爬坡高度。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述爬坡輔助層可以設(shè)置于所述源漏金屬層圖形與所述柵絕緣層之間，當然，在本發(fā)明的其他一些實施例中，所述爬坡輔助層也可以與柵金屬層同層設(shè)置。

請參考圖2，圖2為本發(fā)明一實施例的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板包括襯底基板21以及依次設(shè)置于所述襯底基板21上的柵金屬層圖形22、柵絕緣層23、爬坡輔助層242和源漏金屬層圖形25，所述柵絕緣層23包括在設(shè)置柵金屬層圖形22的區(qū)域形成的第一部分231和在未設(shè)置柵金屬層圖形22的區(qū)域形成的第二部分232，所述第一部分231的上表面的高度高于所述第二部分232的上表面的高度，所述第一部分231的上表面和所述第二部分232的上表面通過斜坡相連，所述爬坡輔助層242設(shè)置于所述源漏金屬層圖形25與所述柵絕緣層23之間，且設(shè)置于所述源漏金屬層圖形25跨越所述柵金屬層圖形22位置處的所述第二部分232的上表面上，且所述爬坡輔助層232的側(cè)面與所述斜坡貼合設(shè)置。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括半導體層圖形(圖未示出)，所述爬坡輔助層242與所述半導體層圖形同層同材料設(shè)置，即爬坡輔助層242與半導體層圖形使用同一mask，通過一次構(gòu)圖工藝形成，從而降低成本。

從圖1可以看出，現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板中，柵絕緣層13在設(shè)置所述柵金屬層圖形12的區(qū)域形成的凸起部分的高度h1，高于所述源漏金屬層圖形14跨越所述柵金屬層圖形12的位置處的高度h2，從而使得源漏金屬層圖形14在該處容易產(chǎn)生爬坡斷線。

從圖2中可以看出，本發(fā)明實施例的陣列基板中，柵絕緣層23在設(shè)置所述柵金屬層圖形22的區(qū)域形成的凸起部分(即第一部分)的高度h3，低于所述源漏金屬層圖形25跨越所述柵金屬層圖形22的位置處的高度h4，從而使得源漏金屬層圖形25在該處不容易產(chǎn)生爬坡斷線。

本發(fā)明實施例中，所述爬坡輔助層232的側(cè)面與柵絕緣層的斜坡貼合設(shè)置，可以防止爬坡輔助層和柵絕緣層的第一部分之間存在空隙，導致影響爬坡輔助效果。另外，所述爬坡輔助層232的側(cè)面與柵絕緣層的斜坡貼合設(shè)置，也可以防止爬坡輔助層設(shè)置到柵金屬層上方，避免增加斜坡的高度。

在本發(fā)明的一些實施例中，優(yōu)選地，所述源漏金屬層在所述柵絕緣層的第二部分上的正投影均位于所述爬坡輔助層在所述第二部分的正投影區(qū)域內(nèi)，從而源漏金屬層圖形與爬坡輔助層之間不會產(chǎn)生新的臺階，可進一步避免源漏金屬層圖形爬坡斷線。

在本發(fā)明的一些實施例中，進一步優(yōu)選地，所述源漏金屬層在所述柵絕緣層的第二部分上的正投影與所述爬坡輔助層在所述第二部分的正投影完全重疊，從而可提高包含該陣列基板的顯示面板的開口率。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述爬坡輔助層的高度可以小于所述柵金屬層圖形的高度，從而可以降低所述源漏金屬層圖形跨越所述柵金屬層圖形的位置處的爬坡高度。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述爬坡輔助層的高度也可以等于所述柵金屬層圖形的高度，從而可以抹平所述源漏金屬層圖形跨越所述柵金屬層圖形的位置處的爬坡高度。

在爬坡輔助層的高度小于柵金屬層的高度的實施例中，所述爬坡輔助層也可以僅設(shè)置于所述柵絕緣層的第一部分周邊的第二部分的上表面上，從而可以減少爬坡輔助層的材料成本，雖然爬坡輔助層會產(chǎn)生一個新的臺階，但是由于爬坡輔助的高度小于柵金屬層的高度，因而，爬坡輔助層新產(chǎn)生的臺階的高度不會太大，源漏金屬層圖形在新的臺階位置處也不容易產(chǎn)生斷線現(xiàn)象。

在本發(fā)明的其他一些實施例中，所述爬坡輔助層也可以與所述柵金屬層同層設(shè)置，所述爬坡輔助層設(shè)置于所述源漏金屬層圖形和所述襯底基板之間，所述爬坡輔助層的側(cè)面至少部分與所述柵金屬層的側(cè)面貼合設(shè)置。

請參考圖3-圖5，圖3為本發(fā)明一實施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為圖3中A區(qū)域的放大圖，圖5為圖3中B區(qū)域的放大圖。

本發(fā)明實施例的陣列基板包括：襯底基板(圖未示出)以及設(shè)置于所述襯底基板上的柵金屬層圖形、柵絕緣層(圖未示出)、半導體層圖形和源漏金屬層圖形，其中，柵金屬層圖形包括柵線221、柵電極222和公共電極線223，本發(fā)明實施例中，公共電極線223設(shè)置于由柵線221和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)，圍繞像素區(qū)域的顯示區(qū)域設(shè)置，相鄰的像素區(qū)域的公共電極線均相連。源漏金屬層圖形包括數(shù)據(jù)線251、源電極252和漏電極253(本發(fā)明實施例中，將源電極252與數(shù)據(jù)線252之間的連接部分也歸為數(shù)據(jù)線251)。半導體層圖形包括有源層241和爬坡輔助層242。

柵金屬層圖形的厚度優(yōu)選為其管控值為15％，即對應(yīng)的厚度范圍可以是源漏金屬層圖形的厚度優(yōu)選為其管控值為15％，即對應(yīng)的厚度范圍可以是半導體層圖形的厚度優(yōu)選為其管控值為12％，即對應(yīng)的厚度范圍可以是即柵金屬層圖形最厚為半導體層圖形最薄為源漏金屬層圖形最薄為如果沒有爬坡輔助層輔助緩沖，則的源漏金屬層圖形可能需要連接的高度，存在斷線的風險；如果有爬坡輔助層輔助緩沖，則的源漏金屬層圖形只需連接的高度，理論上斷線風險較低。

本發(fā)明實施例中，在數(shù)據(jù)線251跨越柵線221的位置處以及數(shù)據(jù)線251跨越公共電極線223的位置處設(shè)置爬坡輔助層242，以改善數(shù)據(jù)線251爬坡斷線不良的發(fā)聲，請參考圖3，圖3中的虛線橢圓框所示區(qū)域為數(shù)據(jù)線251跨越柵線221的位置所在區(qū)域以及數(shù)據(jù)線251跨越公共電極線223的位置所在區(qū)域。

本發(fā)明實施例中，所述柵絕緣層包括在設(shè)置柵金屬層圖形的區(qū)域形成的第一部分和在未設(shè)置柵金屬層圖形的區(qū)域形成的第二部分，所述第一部分的上表面的高度高于所述第二部分的上表面的高度，所述第一部分的上表面和所述第二部分的上表面通過斜坡相連，所述爬坡輔助層242設(shè)置于數(shù)據(jù)線與所述柵絕緣層之間，且設(shè)置于所述柵絕緣層的第二部分的上表面上，所述爬坡輔助層242的側(cè)面與所述斜坡貼合設(shè)置。所述爬坡輔助層242的側(cè)面與柵絕緣層的斜坡貼合設(shè)置，可以防止爬坡輔助層242和柵絕緣層的第一部分之間存在空隙，導致影響爬坡輔助效果。另外，所述爬坡輔助層242的側(cè)面與柵絕緣層的斜坡貼合設(shè)置，也可以防止爬坡輔助層242設(shè)置到柵金屬層上方，避免增加斜坡的高度。

本發(fā)明實施例中，數(shù)據(jù)線251在所述柵絕緣層的第二部分上的正投影均位于所述爬坡輔助層242在所述第二部分的正投影區(qū)域內(nèi)，從而數(shù)據(jù)線與爬坡輔助層242之間不會產(chǎn)生新的臺階，可進一步避免數(shù)據(jù)線爬坡斷線。

請參考圖5，為了防止有源層241與爬坡輔助層242連接，本發(fā)明實施例中，有源層241與爬坡輔助層242之間需要保證一定的間距a。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，包括上述任一實施例所述的陣列基板。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。顯示裝置可以為：液晶顯示裝置、電子紙、OLED顯示裝置、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本發(fā)明實施例中的顯示裝置可以為NB(nootbook)產(chǎn)品等要求高PPI設(shè)計的產(chǎn)品。

除非另作定義，本發(fā)明使用的技術(shù)術(shù)語或者科學術(shù)語應(yīng)當為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個”或者“一”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也相應(yīng)地改變。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。