本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，特別涉及一種氮化物阻擋層去除方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的sonos(siliconoxidenitrideoxidesilicon)工藝中，ono(oxidenitrideoxide)層01作為存儲(chǔ)介質(zhì)層，位于柵極層02的下方，柵極層02上方的氮化物阻擋層03則作為后續(xù)淺溝道離子注入的柵極阻擋層，柵極蝕刻及淺溝道離子注入后，柵極層02上方的氮化物必須要去除，現(xiàn)有技術(shù)中去除方法如圖1所示。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，由于在氮化物去除工藝中必須要使用到大量的磷酸以保證氮化物能充分去除，所以柵極層02下方作為存儲(chǔ)介質(zhì)的ono層01也會(huì)受到磷酸的侵蝕，從而使sonos器件的電性失效，如圖2和圖3所示。由于ono層01和氮化物阻擋層03的厚度都無(wú)法變化(由器件電性決定)，所以目前使用的方法是盡量減少和嚴(yán)格控制柵極層02蝕刻的蝕刻時(shí)間，但是這樣會(huì)影響對(duì)柵極層02蝕刻的能力，會(huì)導(dǎo)致柵極層02蝕刻未完全刻干凈，給量產(chǎn)帶來(lái)風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提出了一種氮化物阻擋層去除方法，用于解決上述問(wèn)題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種氮化物阻擋層去除方法，包括以下步驟：

步驟一：提供一具有浮柵結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，在半導(dǎo)體器件的柵極上方具有氮化物阻擋層，所述柵極結(jié)構(gòu)下方具有存儲(chǔ)介質(zhì)層，對(duì)所述半導(dǎo)體器件沉積有機(jī)物阻擋層，使所述有機(jī)物阻擋層覆蓋所述柵極；

步驟二：干法刻蝕部分有機(jī)物阻擋層，露出所述氮化物阻擋層，將所述氮化物阻擋層去除；

步驟三：去除剩余的有機(jī)物阻擋層。

作為優(yōu)選，步驟二中去除氮化物阻擋層的方法為：使用干法刻蝕部分所述氮化物阻擋層后，使用濕法刻蝕剩余的所述氮化物阻擋層。

作為優(yōu)選，使用hf酸刻蝕剩余的所述氮化物阻擋層。

作為優(yōu)選，所述存儲(chǔ)介質(zhì)層為氧化層-氮化層-氧化層介質(zhì)。

作為優(yōu)選，步驟三中去除剩余的有機(jī)物阻擋層使用濕法刻蝕。

作為優(yōu)選，步驟三中去除剩余的有機(jī)物阻擋層使用光刻膠去除工藝。

作為優(yōu)選，所述有機(jī)物阻擋層為底部抗反射涂層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明提供一種氮化物阻擋層去除方法，可在柵極蝕刻及淺溝道離子注入結(jié)束后，先進(jìn)行有機(jī)物阻擋層的沉積，將所有的柵極覆蓋。然后通過(guò)蝕刻減薄有機(jī)阻擋層的厚度，以使氮化物阻擋層完全露出，后通過(guò)干法利用選擇比很高的蝕刻程式去除大部分的氮化物層，再用濕法刻蝕把剩下的氮化物阻擋層去掉。最后利用光刻膠去除程式來(lái)去除有機(jī)物阻擋層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提出的流程能在完整地保護(hù)sonos器件ono層的基礎(chǔ)上，充分的去除柵極層頂部的氮化物阻擋層，解決了現(xiàn)有技術(shù)需要嚴(yán)格控制柵極層蝕刻時(shí)間的局限性，極大地增加了工藝窗口，提高了sonos工藝量產(chǎn)的安全性。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中去除氮化物阻擋層的流程示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中柵極收到磷酸侵蝕的掃描電鏡照片；

圖3為圖2中a處放大圖；

圖4～圖8為本發(fā)明提供的氮化物阻擋層去除方法示意圖。

圖1-圖3：01-ono層、02-柵極層、03-氮化物阻擋層；

圖4-圖8：10-ono層、20-柵極、21-浮柵、22-選擇柵極、30-氮化物阻擋層、40-有機(jī)物阻擋層。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。

本發(fā)明提供一種氮化物阻擋層去除方法，包括以下步驟：

步驟一：請(qǐng)參照?qǐng)D4，提供一具有浮柵結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，也就是sonos器件，其中具有兩個(gè)柵極20，分別為浮柵21和選擇柵極22，兩者并列排布，在半導(dǎo)體器件的柵極20上方具有氮化物阻擋層30，所述柵極20下方具有存儲(chǔ)介質(zhì)層，本實(shí)施例中的存儲(chǔ)介質(zhì)層即為ono層10，此時(shí)的半導(dǎo)體器件剛進(jìn)行完?yáng)艠O20蝕刻及淺溝道離子注入，則對(duì)半導(dǎo)體器件沉積有機(jī)物阻擋層40，在本實(shí)施例中，有機(jī)物阻擋層40可以為barc(bottomantireflectivecoating)，也就是底部抗反射涂層，沉積有機(jī)物阻擋層直至其覆蓋柵極20，如圖5所示；

步驟二：蝕刻部分有機(jī)物阻擋層40，使得有機(jī)物阻擋層40的厚度減薄，露出所述氮化物阻擋層30后，首先使用選擇比高的蝕刻程式，干法刻蝕大部分氮化物阻擋層30，然后使用hf酸濕法刻蝕掉剩余的氮化物阻擋層30，這樣sonos器件底部的ono層10就不會(huì)受氮化物阻擋層30去除的影響，從而也不需要通過(guò)減少對(duì)柵極20蝕刻的時(shí)間來(lái)保護(hù)ono層10，提高了工藝窗口。

本發(fā)明提供一種氮化物阻擋層去除方法，可在柵極20蝕刻及淺溝道離子注入結(jié)束后，先進(jìn)行有機(jī)物阻擋層40的沉積，將所有的柵極20覆蓋。然后通過(guò)蝕刻減薄有機(jī)阻擋層40的厚度，以使氮化物阻擋層30完全露出，后通過(guò)干法利用選擇比很高的蝕刻程式去除大部分的氮化物阻擋層30，再用濕法刻蝕把剩下的氮化物阻擋層30去掉。最后利用光刻膠去除程式來(lái)去除有機(jī)物阻擋層40。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提出的流程能在完整地保護(hù)sonos器件ono層10的基礎(chǔ)上，充分的去除柵極20頂部的氮化物阻擋層30，解決了現(xiàn)有技術(shù)需要嚴(yán)格控制柵極20蝕刻時(shí)間的局限性，極大地增加了工藝窗口，提高了sonos工藝量產(chǎn)的安全性。

本發(fā)明對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行了描述，但本發(fā)明不僅限于上述實(shí)施例。顯然本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包括這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種氮化物阻擋層去除方法，可在柵極蝕刻及淺溝道離子注入結(jié)束后，先進(jìn)行有機(jī)物阻擋層的沉積，將所有的柵極覆蓋。然后通過(guò)蝕刻減薄有機(jī)阻擋層的厚度，以使氮化物阻擋層完全露出，后通過(guò)干法刻蝕利用選擇比很高的蝕刻程式去除大部分的氮化物層，再用濕法刻蝕把剩下的氮化物阻擋層去掉。最后利用光刻膠去除程式來(lái)去除有機(jī)物阻擋層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提出的流程能在完整地保護(hù)SONOS器件ONO層的基礎(chǔ)上，充分的去除柵極層頂部的氮化物阻擋層，解決了現(xiàn)有技術(shù)需要嚴(yán)格控制柵極層蝕刻時(shí)間的局限性，極大地增加了工藝窗口，提高了SONOS工藝量產(chǎn)的安全性。

技術(shù)研發(fā)人員：唐小亮;姚邵康;陳廣龍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.08
技術(shù)公布日：2017.09.05