本發(fā)明實施例涉及光學技術領域，尤其涉及一種被動調q皮秒激光器。

背景技術：

人的皮膚上經(jīng)常會有先天或后天的色素沉著形成的斑點，而色素在皮內的深淺不同、色素的顏色不同，影響皮膚的美觀。近年來，新型激光的出現(xiàn)、發(fā)展和成功應用，使得美容醫(yī)學的發(fā)展進入了一個嶄新的階段，為美容祛斑提供了一個強有力的治療手段。

現(xiàn)有技術條件下，目前祛除斑點大多采用激光祛斑法，即利用10納秒級的激光脈沖，瞬間可以透過皮膚的表皮到達皮膚的深層，使皮膚內部的色素顆粒瞬間粉碎，粉碎的色素顆粒會被人體的巨噬細胞吞噬后，慢慢運走，但巨噬細胞只有20-50微米大小，并不是所有的色素顆粒都能粉碎到那樣的程度，余下的無法被吞噬的色素顆粒要再次用激光擊碎，而被吞噬了的色素顆粒也要巨噬細胞用2-3個月才能運走，所以需要經(jīng)過5～8次反復的激光祛除，才能達到徹底的治療。

因此，如何提出一種皮秒激光器提高祛除真皮層色素的效率是是目前業(yè)界亟待解決的重要課題。

技術實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術中的缺陷，本發(fā)明實施例提供一種被動調q皮秒激光器。

一方面，本發(fā)明實施例提供一種被動調q皮秒激光器，包括光路裝置和導光臂，其中：

所述光路裝置包括：

皮秒種子光源模塊，用于提供初始激光，并所述初始激光進行被動調q處理獲得皮秒脈沖激光；

光路傳輸模塊，用于接收所述皮秒脈沖激光，并對所述皮秒脈沖激光進行放大處理和傳輸，獲得第一激光；

切換模塊，用于接收所述第一激光，并對所述第一激光進行輸出；或者，對所述進行第一激光進行倍頻處理獲得第二激光，并對所述第二激光進行輸出；

所述導光臂與所述切換模塊連接，用于控制所述第一激光或第二激光的輸出方向。

本發(fā)明實施例提供的被動調q皮秒激光器，通過對皮秒種子光源模塊輸出的皮秒脈沖激光進行被動調q處理和多級放大處理，，使激光能量在極短的時間內釋放，形成巨脈沖，穿透表皮，到達真皮層的色素團，將色素組織擊碎，提高了祛除真皮層色素的效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明一實施例提供的被動調q皮秒激光器的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例提供的皮秒種子光源模塊的結構示意圖；

圖3為本發(fā)明一實施例提供的光路傳輸模塊的結構示意圖；

圖4為本發(fā)明另一實施例提供的光路傳輸模塊的結構示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的光處理單元的結構示意圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的切換模塊的結構示意圖；

圖7為本發(fā)明又一實施例提供的被動調q皮秒激光器的結構示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

圖1為本發(fā)明一實施例提供的被動調q皮秒激光器的結構示意圖，如圖1所示，本實施例提供一種被動調q皮秒激光器，包括：包括光路裝置101和導光臂102，其中：

所述光路裝置101包括：

皮秒種子光源模塊103，用于提供初始激光，并對所述初始激光進行被動調q處理，獲得皮秒脈沖激光；

光路傳輸模塊104，用于接收所述皮秒脈沖激光，并對所述皮秒脈沖激光進行放大處理和傳輸，獲得第一激光；

切換模塊105，用于接收所述第一激光，并對所述第一激光進行輸出；或者，對所述進行第一激光進行倍頻處理獲得第二激光，并對所述第二激光進行輸出；

所述導光臂102通過導光臂轉接口與切換模塊105連接，用于控制所述第一激光或第二激光的輸出方向。

具體地，皮秒種子光源模塊103提供的皮秒脈沖激光通過所述光路傳輸模塊104的放大處理和傳輸，獲得所述第一激光，所述切換模塊可以通過位置調節(jié)，直接將所述第一激光進行輸出，也可以對所述第一激光進行倍頻處理后獲得第二激光，并將所述第二激光進行輸出，從而實現(xiàn)對輸出的激光的切換；所述導光臂102與切換模塊105連接，通過位置移動來控制所述第一激光或第二激光的輸出方向，從而有針對性的進行真皮層的色素祛除。

本發(fā)明實施例提供的被動調q皮秒激光器，通過對皮秒種子光源模塊輸出的皮秒脈沖激光進行被動調q處理和放大處理，使激光能量在極短的時間內釋放，形成巨脈沖，穿透表皮，到達真皮層的色素團，將色素組織擊碎，提高了祛除真皮層色素的效率。

圖2為本發(fā)明一實施例提供的皮秒種子光源模塊的結構示意圖，如圖2所示，本發(fā)明實施例提供的皮秒種子光源模塊包括泵浦源201、激光晶體202和可飽和吸收體介質203，激光晶體202設置在泵浦源201和可飽和吸收體介質203之間，其中：

泵浦源201，用于提供泵浦激光；

激光晶體202，用于吸收所述泵浦激光，并對所述泵浦激光進行處理獲得所述初始激光；

可飽和吸收體介質203，用于對所述初始激光進行被動調q處理，獲得所述皮秒脈沖激光。

在上述實施例的基礎上，進一步地，泵浦源201為30w光纖耦合的半導體激光器；相應地，所述泵浦激光波長為885nm。

在上述實施例的基礎上，進一步地，激光晶體203為nd：yag晶體，所述nd:yag晶體一面鍍有1064nm增透膜，另一面鍍有1064nm高反、885nm增透膜；相應地，所述初始激光的波長為1064nm。

在上述實施例的基礎上，進一步地，可飽和吸收體介質203為cr⁺⁴：yag，所述cr⁺⁴：yag的初始透過率為60％，且所述cr⁺⁴：yag一面鍍有1064nm增透膜，另一面鍍有1064nm部分透過膜；相應地，所述皮秒脈沖激光為脈寬為600ps的激光。

具體地，參看圖2，30w光纖耦合的半導體激光器(泵浦源201)發(fā)出波長為885nm的泵浦激光，所述泵浦激光依次經(jīng)過設置于所述半導體激光器和所述nd:yag晶體(激光晶體202)之間的準直鏡204和聚焦鏡205，然后通過一面鍍有1064nm增透膜，另一面鍍有1064nm高反、885nm增透膜的所述nd：yag晶體(激光晶體202)之后，輸出波長為1064nm的所述初始激光，所述初始激光再通過所述一面鍍有1064nm增透膜，另一面鍍有1064nm部分透過膜的所述cr⁺⁴：yag(可飽和吸收體介質203)，輸出脈寬為600ps的激光，即所述皮秒脈沖激光。

圖3為本發(fā)明一實施例提供的光路傳輸模塊的結構示意圖，如圖3所示，本發(fā)明實施例提供的光路傳輸模塊包括光處理單元301和多級放大器302，其中：

光處理單元301用于接收所述皮秒脈沖激光，并對所述皮秒脈沖激光進行處理，使得所述皮秒脈沖激光單向輸入所述多級放大器302；

多級放大器302包括多個燈泵放大器303，各燈泵放大器303的兩側分別設置有45°偏振片304，用于接收所述皮秒脈沖激光，并對所述皮秒脈沖激光進行放大處理。

具體地，參看圖3，從皮秒種子光源模塊輸出的皮秒脈沖激光，通過所述光處理單元之后，單向輸入所述多級放大器302，所述皮秒脈沖激光經(jīng)過所述多級放大器302進行放大處理后，產(chǎn)生波長為1064nm且能量大于500mj的第一激光。其中，所述燈泵放大器303均為氙燈泵浦，所述氙燈泵浦的增益介質為nd:yag晶體(φ7×100mm)。

圖4為本發(fā)明另一實施例提供的光路傳輸模塊的結構示意圖，如圖4所示，本發(fā)明實施例提供的光路傳輸模塊包括光處理單元401和多級放大器402，所述光處理單元401與上述實施例中的光處理單元301一致，多級放大器402包括多個燈泵放大器403，各燈泵放大器303的兩側分別設置有直角棱鏡404，用于折轉光路，并對所述皮秒脈沖激光進行放大處理和傳輸；其中，燈泵放大器403與上述實施例中的燈泵放大器303一致。

圖5為本發(fā)明實施例提供的光處理單元的結構示意圖，如圖5所示，本發(fā)明實施例提供的光處理單元包括沿水平方向依次設置的第一偏振片501、光隔離器502、第二偏振片503，其中：

第一偏振片501用于接收所述皮秒脈沖激光，并對所述皮秒脈沖激光進行起偏，獲得第一偏振皮秒脈沖激光；

光隔離器502包括fr旋光器504和1/2波片505，用于接收所述第一偏振皮秒脈沖激光，并對所述第一偏振皮秒脈沖激光進行處理，使得所述第一偏振皮秒脈沖激光單向通過所述第二偏振片；

第二偏振片503用于接收所述第一偏振皮秒脈沖激光，并對所述第一偏振皮秒脈沖激光再次起偏，獲得第二偏振皮秒脈沖激光。

具體地，參看圖5，從所述皮秒種子光源模塊輸出的皮秒脈沖激光經(jīng)過所述第一偏振片進行起偏，獲得第一偏振皮秒脈沖激光，然后，所述第一偏振皮秒脈沖激光經(jīng)過所述fr旋光器504(φ5×60mm)使所述第一偏振皮秒脈沖激光的偏振方向旋轉45°，所述f-r旋光器右側安裝有1/2波片，二者構成光隔離器502，使皮秒脈沖激光單向輸入所述多級放大器，避免返回光損傷。

圖6為本發(fā)明實施例提供的切換模塊的結構示意圖，如圖6所示，本發(fā)明實施例提供的切換模塊包括倍頻晶體601，倍頻晶體601為lbo晶體，用于對所述切換模塊接收到的所述第一激光進行倍頻處理。

具體地，參看圖6，所述第一激光通過所述偏振片603進行折轉之后輸出，通過調整所述偏振片602的角度，可以將接收到的所述第一激光直接通過偏振片602將波長為1064nm的所述第一激光進行輸出；或者，調整所述偏振片602的角度，將接收到的所述第一激光所述通過所述倍頻晶體601進行倍頻處理后，輸出波長為532nm且能量大于200mj的第二激光。

在上述實施例的基礎上，進一步地，所述導光臂頂端設置有doe二維分束鏡頭，用于均勻輸出所述第一激光或第二激光。

在上述實施例的基礎上，本發(fā)明實施例提供的被動調q皮秒激光器在光路裝置和導光臂的基礎上，還包括鈑金機殼，其中：

鈑金機殼包裹于光路裝置的外部，且所述鈑金機殼表面設置有可操作界面，所述操作界面通過控制電路與光路裝置連接，用于控制所述光路裝置。

具體地，所述鈑金機殼包裹于所述光路裝置的外部，設置于所述鈑金機殼表面的所述可操作界面通過控制電路與所述光路裝置連接，操作人員可以根據(jù)需要的激光的類型，通過所述可操作界面調整所述光路裝置中的切換模塊，進行輸出的激光的切換。

圖7為本發(fā)明又一實施例提供的被動調q皮秒激光器的結構示意圖，下面結合圖7對本發(fā)明實施例提供的被動調q皮秒激光器的工作流程進行說明，具體如下：

30w光纖耦合的半導體激光器701發(fā)出波長為885nm的泵浦激光，所述泵浦激光依次經(jīng)過設置于所述半導體激光器701和所述nd:yag晶體704之間的準直鏡702和聚集鏡703，然后通過一面鍍有1064nm增透膜，另一面鍍有1064nm高反、885nm增透膜的所述nd：yag晶體704之后，輸出波長為1064nm的所述初始激光，所述初始激光再通過所述一面鍍有1064nm增透膜，另一面鍍有1064nm部分透過膜的所述cr⁺⁴：yag705，輸出脈寬為600ps的激光，即所述皮秒脈沖激光。

所述cr⁺⁴：yag705輸出的所述皮秒脈沖激光，經(jīng)過所述第一偏振片706進行起偏，獲得第一偏振皮秒脈沖激光，然后，所述第一偏振皮秒脈沖激光經(jīng)過所述fr旋光器707(φ5×60mm)使所述第一偏振皮秒脈沖激光的偏振方向旋轉45°，f-r旋光器707右側安裝有1/2波片708，二者構成光隔離器709，使皮秒脈沖激光經(jīng)過45°偏振片710折轉后，單向輸入多級放大器711，避免返回光損傷。

多級放大器711包括一級放大器712、二級放大器713、三級放大器714以及分別設置在一級放大器712兩側的45°偏振片715和45°偏振片716、分別設置在二級放大器713兩側的45°偏振片717和45°偏振片718、分別設置在三級放大器714兩側的45°偏振片719和45°偏振片720。所述皮秒脈沖激光經(jīng)過45°偏振片715折轉后，輸入所述一級放大器712進行一級放大，然后依次經(jīng)過45°偏振片716和45°偏振片717的折轉后，輸入二級放大器713進行二級放大，然后依次經(jīng)過45°偏振片718和45°偏振片719的折轉后，輸入三級放大器714進行三級放大，產(chǎn)生波長為1064nm且能量大于500mj的第一激光，然后所述第一激光依次經(jīng)過45°偏振片720和45°偏振片721的折轉之后，輸入切換模塊722，所述第一激光可以經(jīng)過切換模塊722內部的45°偏振片723和45°偏振片724對所述第一激光進行輸出，也可以通過倍頻晶體725進行倍頻處理后，輸出波長為532nm且能量大于200mj的第二激光。所述第一激光或所述第二激光通過導光臂726輸出至需要進行祛除色素的位置，擊碎色素組織。

以上所描述的被動調q皮秒激光器實施例僅僅是示意性的，其中所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網(wǎng)絡單元上。可以根據(jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來實現(xiàn)本實施例方案的目的。本領域普通技術人員在不付出創(chuàng)造性的勞動的情況下，即可以理解并實施。

通過以上的實施方式的描述，本領域的技術人員可以清楚地了解到各實施方式可借助軟件加必需的通用硬件平臺的方式來實現(xiàn)，當然也可以通過硬件?；谶@樣的理解，上述技術方案本質上或者說對現(xiàn)有技術做出貢獻的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計算機軟件產(chǎn)品可以存儲在計算機可讀存儲介質中，如rom/ram、磁碟、光盤等，包括若干指令用以使得一臺計算機設備(可以是個人計算機，服務器，或者網(wǎng)絡設備等)執(zhí)行各個實施例或者實施例的某些部分所述的方法。

最后應說明的是：以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的精神和范圍。