技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N薄膜電感，該薄膜電感包括多層磁性薄膜，該多層磁性薄膜至少包括相鄰的第一磁性薄膜和第二磁性薄膜，所述第一磁性薄膜嵌套在所述第二磁性薄膜內(nèi)，且所述第一磁性薄膜的相對(duì)磁導(dǎo)率小于所述第二磁性薄膜的相對(duì)磁導(dǎo)率，且所述第一磁性薄膜的相對(duì)磁導(dǎo)率和所述第二磁性薄膜的相對(duì)磁導(dǎo)率之間的差值大于或等于第一閾值，其中，在所述第二磁性薄膜的磁感應(yīng)強(qiáng)度達(dá)到所述第二磁性薄膜的飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度的情況下，所述第一磁性薄膜的磁感應(yīng)強(qiáng)度小于或等于所述第一磁性薄膜的飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度。采用本申請(qǐng)能夠避免該第一磁性薄膜由于易于達(dá)到磁飽和而導(dǎo)致的該薄膜電感的電感量急劇下降的問(wèn)題。另外，本申請(qǐng)還提供了相應(yīng)的電源轉(zhuǎn)換電路和芯片。

技術(shù)研發(fā)人員：楊仕軍;楊和錢(qián);朱勇發(fā);陳為
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華為機(jī)器有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.26
技術(shù)公布日：2017.09.08