技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種寬溫帶太赫茲波探測(cè)器及其制備方法。以鋁鎵氮/鎵氮高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HEMT）為基本結(jié)構(gòu)，通過(guò)襯底設(shè)計(jì)、利用外延法制備鋁鎵氮/鎵氮層；然后制備有源區(qū)臺(tái)面、柵介質(zhì)、歐姆接觸窗口、電極，得到的場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的二維電子氣具有較高的電子濃度和遷移率，得到在超過(guò)室溫條件下對(duì)THz波實(shí)現(xiàn)高速、高靈敏度、高信噪比探測(cè)的波譜探測(cè)裝置，最終實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲波的寬溫帶探測(cè)。

技術(shù)研發(fā)人員：孫云飛;羅恒;劉傳洋;陶重犇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.26
技術(shù)公布日：2017.11.07